JPS587831A - 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 - Google Patents

高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置

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JPS587831A
JPS587831A JP10597181A JP10597181A JPS587831A JP S587831 A JPS587831 A JP S587831A JP 10597181 A JP10597181 A JP 10597181A JP 10597181 A JP10597181 A JP 10597181A JP S587831 A JPS587831 A JP S587831A
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wafer
cleaning
bubbling
pure water
water
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Motohiko Tawara
田原 元彦
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はSiウェハの洗浄に関し、特に高圧水によるウ
ェハ洗浄に関する。
従来、超LSIの製造工程においてウニノ\にフォトレ
ジストを塗布するに先立ち小径のルビー又はサファイヤ
製ノズルから70〜140kg/crIL2程度に加圧
した純水をウェハ上に噴射してウェア1表面を洗浄する
高圧洗浄が知られている。
このような高圧洗浄は清浄な純水を強い衝撃でウェハ面
にたたきつけるため洗浄効果は十分あるが、反面多量の
静電気が発生してゲート破壊が起きるという欠点がある
。すなわち、噴射される純水とノズル、空気、ウニノー
との摩擦やウニノ・にぶつかりはね返った水しぶきと空
気との摩擦によりウニ八表面に10R程度の静電気が発
生し、これがゲート酸化膜を破壊してしまうことがある
この静電気をなくす方法としては、例えば噴射ノズルを
金属製にしてノズルと純水とによる静電気を防止するこ
とが考えられる。しかし、一般にこの種のノズルは直径
が1507A程度でしかも高圧水を噴射するため、金属
製ノズルでは連続使用に耐え得ない。その上、ウニノ)
面に発生する静電気の大部分が高圧水とウェハとの摩擦
に起因するため、高圧水とノズルとによる静電気がなく
なっても全体の静電気の量はそれ程減少しない。
また、噴射ノズルとウェハとの間に電極を配置し、この
電極に高電圧を印加してコロナ放電させることにより、
静電気の減消を1図ることも考えられる。しかし、この
方法によってもウニ凸面の静電気を除去することは困難
であり、のみならず放電コロナがかえってゲート酸化膜
を損傷することもあり、あまり実用的な方法ではない。
また、高圧水とウェハの摩擦を減らすよう高圧水の噴射
を弱めた場合、発生する静電気の量は減少するが同時に
洗浄効果も低下してしまい高圧洗浄の機能を果たさな(
なる。
本発明者は上記問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、洗
浄液として純水の代わりに導電性液を使用し、これによ
り高圧水とウェハ、空気、ノズルとの摩擦による静電気
を激減させることを想到した。更に、本発明者は洗浄液
として導電性液を使用するウェハ洗浄装置をも同時に開
発した。
本発明による導電性液としては、静電気を発生しない程
度の導電率で足りるが、5i02膜と反応通 し難くかつ集積回路製造l程においてウェハー上に残っ
ても問題にならずかつ洗浄効果を低下させないような液
、例えばCO2溶液、NH3溶液が好ましい。
以下、本発明によるウェハ洗浄装置を添附図面につき説
明する。第1図は、本発明の一実施例を適用したウェハ
洗浄装置の全体構成図である。第1図において、CO2
供給管1には、例えば1に9/cIn2に加圧したCO
2が送り込まれ、H20供給管2には、る 例えば1kl?/cIrL  に加圧した純水が送り込
まれIoこれら供給管1.2はCO2バブリングボック
ス乙に接続するが、その途中には電磁弁4.5と流量調
整器6.7とが夫々配置されている。電磁弁4゜5はC
O2,純水の供給を夫々オンオフするためのもので、後
述する作動回路8により開閉制御される。
測制御範囲を有する。
CO2バブリングボックス3は、供給管2から供給され
る純水に供給管1から供給されるCO2をバブリングし
てCO2溶液をつくり、ウェハ洗浄1゜時にはこのCO
2溶液を洗浄液として噴射ノズル9に供給する。第2図
A、  Bに示すように、このバブリングボックス3は
X、  Y、、、Zの6室に区画されている。Y室はバ
ブリング室であり、その底の中央部と左後方部(第2図
A)にはCO2人口10とH20人口11とが夫々設け
られ、供給管1を送られてきたCωはCO2人口10か
らY室に流入し、供給管2を送られてきたH2OはH2
0人口11からY室に流入するようになっている。更に
、CO2人口10の上にはバブリングカバー12が配置
されている。このバブリングカバー12は、第2図Aに
示すように、H20A口11と排出口16とを残し底の
大部分をカバーする程の寸法である。更に第3図Nに示
すように、バブリングカバー12の全面に亘り多数の小
孔14が設けられ、各小孔14は、第3図Cに示すよう
に、上向きテーパ状に形成されている。また第6図Bに
示すようにカバー12の底部には足15が形成され、カ
バー12とY室の底との間に小計の間隙が設けられてい
る。これによりC02人口10かものC,02は、カバ
ー12の底部全体にまん延してから小孔14を通ってX
室内に流入し、純水にバブリングして溶は込むようにな
されている。
Y室は洗浄液供給室であり、Y室で純水にCO2をバブ
リングして得たCO2混入水はこのY室に送られてくる
。すなわち、Y室とY室Iを仕切る壁16はY室とZ室
を仕切る壁17より幾分低く、これによりY室をあふれ
た液は、まずY室の方に流入するようになっている。Y
室の底には洗浄液出口18が設けられ、ボックス内の洗
浄液は出口18から噴射ノズル9に送られる。
Z室は洗浄液排出室であり、Y室とY室をあふれた余分
な液はこのZ室に送られてくる。Z室の底には排出口1
9が設けられ、余分な液はこの排出口19から排出管2
0を通り・外へ排出される。
なお、Y室の排出口16はボックス内の洗浄液を新しい
のと取代える際にX室内の古い液を排出するためのもの
で、弁25を開けると古い液は排出口16から排出管2
0を通り外へ排出される。
CO2バプリ/グボックス6内でつ(られたCO2混入
水はウェハ洗浄時に加圧ポンプ21により高圧、例えば
280kl?/cmまで加圧されてからレギュレータ2
2、電磁弁26を通り、噴射ノズル9に供給される。噴
射ノズル9は、普通のものでよ(、そのノズルから高圧
のCO24人水をウニ/140上に強く噴射し、ウェハ
面を洗浄する。
第4図は、電磁弁4,5を開閉制御する作動回路8の回
路図である。第4図において、操作スイッチ30は電磁
弁4に対し、操作スイッチ31は電磁弁5に対するもの
である。これらスイッチ60゜310可動接点30a、
31a=%固定接点30d、−31dに切替えると手動
モードになり、このときトランジスタ32.33のエミ
ッタ側電源電圧V輌家直接スイッチ30.31を介して
電磁弁4.5に供給され、電磁弁4.5は開状態になる
。またスイッチ30.31の可動接点30a、31aを
固定液゛点30b、31bに切替えると自動モードにな
る。この場合には、噴射機9のノズル制御回路から入力
端子64に供給されるドライブ信号に応じてトランジス
タ32.33がオンになっているとき、電源電圧Vsが
トランジスタ32.33とスイッチ30゜31Cに切替
えると、しゃ断状態になり、電源電圧Vsは電磁弁4.
5に供給されることなく、電磁弁4,5は閉じる。
次に、上述した構成のCO2バブリング装置において、
空状態のバブリングボックス乙に洗浄液を満たすための
準備操作について述べると、この場合には操作スイッチ
30.31を手動モードに切替える。これにより、電磁
弁4,5が開いてCO2と純水が供給管1.2を通って
バブリングボックス乙に供給される。この際、CO2と
純水の供給量は、流量調整器6.7により制御され、例
えば0.51毎分に夫々選定される。
バブリングボックス乙に供給された純水とCO2はX室
で混合しつつ除々に満たされ、壁16の高さを超えると
Y室側にあふれる。その後、Y室の液もいっばいになり
余分な液が壁17を越えてZ室に流入し排出口19から
排出管20を通り外へ排出される。この時点で操作スイ
ッチ30.31をオフにして電磁弁4,5を閉じCO2
と純水の供給をストップさせる。
次ニ、バブリングボックス3から噴射ノズル9に洗浄液
を供給してウェハ洗浄を行う動作について述べると、こ
の場合には操作スイッチ30.31を夫々自動モードに
切替える。次にノズル制御回路から電磁弁23をオンさ
せると噴射ノズル9より液が出、又その信号がドライブ
信号eとなり作動回路80入力端子34に供給される。
ポンプ側の圧が低下することにより加圧ポンプ21が作
動してバブリングボックス6のY室から洗浄液を引き出
し加圧した後レギュレータ22、電磁弁23を介して噴
射ノズル9に供給する。噴射ノズル9はCO2洗浄液を
所定の噴射速度で(レギレータ22により噴射圧を決定
する)ウェハ40上にたたきつけウェハ面を洗浄する。
この際、CO2洗浄液は導電性で比抵抗が純水よりはる
かに小さいため、ウェハ面に静電気が発生したり帯電し
たりすることがない。
一方、入力端子34に供給されたドライブ信号eはOR
ゲート35.36を通りタイマー回路37に入力される
。これによりタイマー回路67から高レベル信号が発生
されこの信号はインバータ′58により反転され低レベ
ル信号としてトランジスタ32.33のベースに供給さ
れる。その結果、トランジスタ32.33はオンになり
電源電圧Vsがトランジスタ32.33とスイッチ30
.31を介して電磁弁4.5に供給され、電磁弁4.5
は開く。これにより、CO2と純水が供給管1,2を通
ってバブリングボックス6のX室に送り込まれ、X室で
新f5だ洗浄液が生成されろ。
その後、噴射ノズル9をオフにしてウニノ1洗浄を終了
したとき噴射ノズル9からのドライブ信号eはオフとな
る。しかし加圧ポンプ21側が十分なる圧になるまでは
加圧ポンプ21へY室から洗浄液を供給しているためド
ライブ信号eのオフにより作動回路8のタイマー回路3
7がタイマー始動し供給管1.2からCO2、純水が供
給されバブリングボックス6内で新たなCO2混入水が
生成され続けてい−る。そして、所定時間、すなわちウ
ェハ洗浄で減ったバブリングボックス゛6内の洗浄液を
補給する時間として設定した時間の経過後、タイマー回
路37は低レベルの出力信号を発生し、この信号はイン
バータ6Bに′より反転され高レベルの信号としてトラ
ンジスタ32.33のベースに供給される。その結果、
トランジスタ62,6ろはオフになり、電磁弁4,5が
閉じる。これにより、バブリングボックス6へのCO2
と純水の供給はストップする。
上述したように、本実施例によれば、比較的簡単な構成
で、ゲートを破壊するような静電気を発生することのな
いウェハ洗浄装置が得られる。
また、静電気によるゲート破壊の危険がなくなるため、
従来装置よりも洗浄液を加圧して強く噴射することがで
き、洗浄効果をなお一層高められる。
なお上述した実施例ではCO2を純水にバブリングして
導電性の洗浄液を得るが、CO2以外の適当な物質を純
水にバブリングし又は混入することによって導電性洗浄
液をつくってもよ0゜以上のように、本発明は高圧洗浄
の洗浄液として導電性液を使用するため、ゲート破壊を
起こすような静電気の発生するおそれがな(、洗浄効果
の高い高圧洗浄が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるウェハ洗浄装置の全体
構成図、 第2図Nは、第1図のノくブリングボックスの横断面図
、 第2図Bは、第1図のノ(プリングボックスの縦断面図
、 第3図Aは、第2図へ、Bの)(ブリングカッ(−の平
面図、 第6図Bは、第2図B−B線に沿ってとられた断面図、 第3図Cは、第2図C−C4j!に沿ってとられた断面
図、 第4図は、第1図の作動回路の回路図。 3 : CO2バブリングボックス 10 : C02人 口 11 : H2O人  口 40 : ウ    エ    〕1 42A図 毫3A図 f)38図 2 孔3C凹

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、高圧水を噴射することによりウェハを洗浄する高圧
    洗浄方法において、前記高圧水として導電性液を使用す
    ることを特徴とする洗浄方法。 2、前記導電性液はCO2混入水である特許請求の範囲
    第1項に記載の洗浄方法。 3、前記導電性液はNH3混入水である特許請求の範囲
    第1項に記載の洗浄方法。 4、高圧水を噴射することによりウェハを洗浄するウェ
    ハ洗浄装置において、水供給タンクが水入口と炭酸ガス
    入口とを具備するバブリング室と、該バブリング室にお
    いてつくられたCO2混入水を貯蔵する洗浄液供給室と
    を含むことを特徴とするウェハ洗浄装置。
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