JPS59218731A - 半導体ウエハ−洗浄法 - Google Patents
半導体ウエハ−洗浄法Info
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- JPS59218731A JPS59218731A JP7148083A JP7148083A JPS59218731A JP S59218731 A JPS59218731 A JP S59218731A JP 7148083 A JP7148083 A JP 7148083A JP 7148083 A JP7148083 A JP 7148083A JP S59218731 A JPS59218731 A JP S59218731A
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Classifications
-
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超純水に炭酸又はアンモニア水溶液を添加させ
て電気比抵抗値を低下させた超純水によって半導体ウェ
ハー又はチップ（以下半導体ウェハーという）を洗浄す
る方法に関するものである。
て電気比抵抗値を低下させた超純水によって半導体ウェ
ハー又はチップ（以下半導体ウェハーという）を洗浄す
る方法に関するものである。
本発明は、それ単独では常温常圧下でガス体の二酸化炭
素、アンモニアを他の容器で超純水中に溶解させるか、
あるいは市販の炭酸又はアンモニア水溶液の濃度を希釈
し、半導体ウェハー洗浄ラインの超純水に添加して所定
値に電気比抵抗を低下させた純水を半導体ウェハーの洗
浄用水として使用することを特徴とするものである。
素、アンモニアを他の容器で超純水中に溶解させるか、
あるいは市販の炭酸又はアンモニア水溶液の濃度を希釈
し、半導体ウェハー洗浄ラインの超純水に添加して所定
値に電気比抵抗を低下させた純水を半導体ウェハーの洗
浄用水として使用することを特徴とするものである。
従来の半導体ウェハーの製造、切断工程に使用される洗
浄水は溶存イオン、微粒子、有機物等の不純物を極限ま
で除去した超純水が使用されており、この超純水は配管
、噴射ノズル等の内壁との摩擦によシ、洗浄水中に静電
気が帯電し、洗浄水が被洗浄体である半導体ウェハーに
接触する際に電流が流れ、半導体素子が破壊されて半導
体ウェハーの製品の歩留を低下させるという欠点があっ
た。
浄水は溶存イオン、微粒子、有機物等の不純物を極限ま
で除去した超純水が使用されており、この超純水は配管
、噴射ノズル等の内壁との摩擦によシ、洗浄水中に静電
気が帯電し、洗浄水が被洗浄体である半導体ウェハーに
接触する際に電流が流れ、半導体素子が破壊されて半導
体ウェハーの製品の歩留を低下させるという欠点があっ
た。
本発明は従来の超純水による半導体ウェハーの洗浄方法
の欠点を改善することを目的とする。
の欠点を改善することを目的とする。
静電気は超純水の電気比抵抗値と管内流速により生じ９
発生した静電気を拡散させる電気比抵抗値は５ＭΩ・ｍ
以下であるので、したがって本発明においては、炭酸又
はアンモニア水溶液を添加して超純水の電気比抵抗値を
５ＭΩ・αとする。なお、炭酸又は′アンモニア水溶液
を過剰に添加し過ぎると、半導体ウェハーが洗浄不良に
なるので好ましくなく、電気比抵抗値はｏ、ｉＭΩ・ｏ
ｎ以上とする。
発生した静電気を拡散させる電気比抵抗値は５ＭΩ・ｍ
以下であるので、したがって本発明においては、炭酸又
はアンモニア水溶液を添加して超純水の電気比抵抗値を
５ＭΩ・αとする。なお、炭酸又は′アンモニア水溶液
を過剰に添加し過ぎると、半導体ウェハーが洗浄不良に
なるので好ましくなく、電気比抵抗値はｏ、ｉＭΩ・ｏ
ｎ以上とする。
通常、超純水の電気比抵抗値は１＝２ＭΩ・ｍがそのコ
ントロールとその効果において最も望ましい。
ントロールとその効果において最も望ましい。
本発明において、洗浄用超純水に不純物である炭酸水溶
液又はアンモニア水溶液を添加して洗浄水としての超純
水を導体（電気比抵抗値を低下）に移行させ、前記水溶
液の添加前に生じた静電気を伝導拡散させる。
液又はアンモニア水溶液を添加して洗浄水としての超純
水を導体（電気比抵抗値を低下）に移行させ、前記水溶
液の添加前に生じた静電気を伝導拡散させる。
半導体ウェハー洗浄用超純水に不純物である炭酸水溶液
又はアンモニア水溶液を添加しても、半導体ウェハー洗
浄工程終了時に半導体ウニ・・−の表面の水分が除去さ
れると同時にガスとなって半導体ウエノ・−表面から除
去され不純物は全く残留しないため何ら問題とならない
。
又はアンモニア水溶液を添加しても、半導体ウェハー洗
浄工程終了時に半導体ウニ・・−の表面の水分が除去さ
れると同時にガスとなって半導体ウエノ・−表面から除
去され不純物は全く残留しないため何ら問題とならない
。
洗浄用超純水に直接炭酸ガス又はアンモニアガスを添加
することも考えられるが、この場合においては所定値の
電気比抵抗値（例えばＩＭΩ・ｃｎＴ）にする際そのコ
ントロールが困難である。したがって本発明はあらかじ
め他の容器で炭酸又はアンモニア水溶液にするか又は市
販濃度の炭酸又はアンモニア水溶液を希釈して用い、洗
浄用超純水ラインに設置しである電気比抵抗計の抵抗値
に合せて添加する。炭酸水溶液は微量水素イオンと炭酸
水素イオンにアンモニア水溶液はアンモニウムイオンと
水酸化イオンに解離し、洗浄用超純水の電気比抵抗値を
低下させて静電気を拡散するものである。
することも考えられるが、この場合においては所定値の
電気比抵抗値（例えばＩＭΩ・ｃｎＴ）にする際そのコ
ントロールが困難である。したがって本発明はあらかじ
め他の容器で炭酸又はアンモニア水溶液にするか又は市
販濃度の炭酸又はアンモニア水溶液を希釈して用い、洗
浄用超純水ラインに設置しである電気比抵抗計の抵抗値
に合せて添加する。炭酸水溶液は微量水素イオンと炭酸
水素イオンにアンモニア水溶液はアンモニウムイオンと
水酸化イオンに解離し、洗浄用超純水の電気比抵抗値を
低下させて静電気を拡散するものである。
次に炭酸又はアンモニア水溶液を添加した超純水による
半導体ウニ・・−の洗浄方法について具体的に説明する
と、第１図に示すように、１は炭酸ガス又はアンモニア
ガスのボンベで炭酸又はアンモニア水溶液貯槽２と接続
管３によって連通している。水溶液貯槽２の下部には気
液混合器４を付設した溶解水用の部にはエアー抜管８を
連通する。
半導体ウニ・・−の洗浄方法について具体的に説明する
と、第１図に示すように、１は炭酸ガス又はアンモニア
ガスのボンベで炭酸又はアンモニア水溶液貯槽２と接続
管３によって連通している。水溶液貯槽２の下部には気
液混合器４を付設した溶解水用の部にはエアー抜管８を
連通する。
気液混合器４には接続管３の分岐管９を連通させ、又接
続管３には減圧バルブ１０を付設させ、さらに前記各管
にはバルブ１１〜１７を付設させる。水溶液管７の他端
は洗浄用の超純水管１日に連通し、超純水管１８に付設
した電気比抵抗計１９と水溶液管ツに付設した添加ポン
プ６とは電気的回路２０で接続させて、電気比抵抗計１
９の設定値に対応して炭酸又はアルカリ水溶液の洗浄用
超純水への添加量をコントロールできるように構成する
。
続管３には減圧バルブ１０を付設させ、さらに前記各管
にはバルブ１１〜１７を付設させる。水溶液管７の他端
は洗浄用の超純水管１日に連通し、超純水管１８に付設
した電気比抵抗計１９と水溶液管ツに付設した添加ポン
プ６とは電気的回路２０で接続させて、電気比抵抗計１
９の設定値に対応して炭酸又はアルカリ水溶液の洗浄用
超純水への添加量をコントロールできるように構成する
。
引き続いて炭酸又はアンモニア水溶液を洗浄用の超純水
に添加して半導体ウェハーを洗浄する操作について説明
する。
に添加して半導体ウェハーを洗浄する操作について説明
する。
減圧バルブｌＯを任意の圧力に調整した後にエアー抜管
８のバルブ１７を全開とし、順次バルブ１２ 、１３
、１４を開とすると、炭酸ガス又はアンモニアガスはボ
ンベ１より接続管３、分岐管９を経て気液混合器４に流
入し。
８のバルブ１７を全開とし、順次バルブ１２ 、１３
、１４を開とすると、炭酸ガス又はアンモニアガスはボ
ンベ１より接続管３、分岐管９を経て気液混合器４に流
入し。
同時に溶解用の超純水も超純水管５を経て気液混合器４
に流入し、溶解用の超純水と炭酸ガス又はアンモニアガ
スは気液混合器４て接触混合して水溶液貯槽２に炭酸又
はアンモニア水溶液として流入して貯留させればよい。
に流入し、溶解用の超純水と炭酸ガス又はアンモニアガ
スは気液混合器４て接触混合して水溶液貯槽２に炭酸又
はアンモニア水溶液として流入して貯留させればよい。
炭酸又はアンモニア水溶液が水溶液貯槽２の液面計２１
で任意の水面まで上昇したことを確認しだら、炭酸ガス
の場合はバルブ１４ 、１２及び１３を順次閉とした後
、エアー抜管８のバルブ１７を閉とするとともにバルブ
］Ｊを開とする。すなわち、この時減圧バルブ」０の調
整圧力で炭酸ガスの圧力が水溶液貯槽２内にかかり、気
液混合器４で飽和に不十分な炭酸水溶液であっても溶液
の水温と圧力下で飽和炭酸水溶液に近づき、洗浄用超純
水管１８の電気比抵抗計１９の設定に対してコントロー
ルの誤差が少なくなる。又アンモニアガスの場合は溶解
度が高いため、アンモニア水溶液濃度を希釈するために
バルブ１２を閉として、更に水溶液貯槽２の水位を上昇
させ９任意のアンモニア水濃度に調整してもよく、その
後バルブ１３．］、４を閉とする。水溶液貯槽２内で炭
酸又はアンモニア水溶液の調整をした後にバルブ１５．
１６を開にし、水溶液の添加ポンプ６を起動させ、洗浄
用超純水管コ、８の電気比抵抗計１９の設定値に対応し
た炭酸又はアンモニア水溶液の添加量を超純水に添加す
ることによって所定の電気比抵抗値の超純水を得て、こ
れによって半導体ウェハー２２を洗浄する。又、市販ア
ンモニア水溶液を希釈して超純水に添加して半導体ウェ
ハーを洗浄する場合の一例について具体的に説明すると
、第２図に示すように、バルブ１１を開として市販のア
ンモニア水を水溶液貯槽２で超純水で任意の濃度に希釈
し、バルブ１５’、１６を開にした後に水溶液の添加ポ
ンプ６を起動させ、洗浄用超純水管１日の電気比抵抗計
１９の設定値に対応したアンモニア水溶液の添加量を超
純水に添加することによって所定の電はなかった。
で任意の水面まで上昇したことを確認しだら、炭酸ガス
の場合はバルブ１４ 、１２及び１３を順次閉とした後
、エアー抜管８のバルブ１７を閉とするとともにバルブ
］Ｊを開とする。すなわち、この時減圧バルブ」０の調
整圧力で炭酸ガスの圧力が水溶液貯槽２内にかかり、気
液混合器４で飽和に不十分な炭酸水溶液であっても溶液
の水温と圧力下で飽和炭酸水溶液に近づき、洗浄用超純
水管１８の電気比抵抗計１９の設定に対してコントロー
ルの誤差が少なくなる。又アンモニアガスの場合は溶解
度が高いため、アンモニア水溶液濃度を希釈するために
バルブ１２を閉として、更に水溶液貯槽２の水位を上昇
させ９任意のアンモニア水濃度に調整してもよく、その
後バルブ１３．］、４を閉とする。水溶液貯槽２内で炭
酸又はアンモニア水溶液の調整をした後にバルブ１５．
１６を開にし、水溶液の添加ポンプ６を起動させ、洗浄
用超純水管コ、８の電気比抵抗計１９の設定値に対応し
た炭酸又はアンモニア水溶液の添加量を超純水に添加す
ることによって所定の電気比抵抗値の超純水を得て、こ
れによって半導体ウェハー２２を洗浄する。又、市販ア
ンモニア水溶液を希釈して超純水に添加して半導体ウェ
ハーを洗浄する場合の一例について具体的に説明すると
、第２図に示すように、バルブ１１を開として市販のア
ンモニア水を水溶液貯槽２で超純水で任意の濃度に希釈
し、バルブ１５’、１６を開にした後に水溶液の添加ポ
ンプ６を起動させ、洗浄用超純水管１日の電気比抵抗計
１９の設定値に対応したアンモニア水溶液の添加量を超
純水に添加することによって所定の電はなかった。
以下２本発明の実施例について説明する。
実施例１
電気比抵抗値コ−７・５ＭΩ・備で瞬間流量２ｎＩ／ｈ
の洗浄用の超純水に炭酸水溶液を添加して添加後の洗浄
用超純水の電気比抵抗値をＩＭΩ・口に低下させるだめ
に、まず炭酸ガスボンベの出口の減圧弁を圧力１ ｋｙ
／ ｃａ Ｇに調整して、炭酸ガスボンベよシ流出さ
せた炭酸ガスと電気比抵抗値１’７．５ＭΩ・αの溶解
用の超純水を気液混合器で混合し、炭酸水溶液の貯槽に
貯蔵し炭酸水溶液の貯槽内に圧力１．ｋｙ／ｃａＧを常
時かけておき、洗浄用超純水の設定電気比抵抗計の設定
値を１ＭΩ・ｍに合せて炭酸水溶液の添加ポンプを起動
させた。この時の炭酸水溶液及び洗浄用超純水ラインの
水温は２３〜２５℃であつだ。
の洗浄用の超純水に炭酸水溶液を添加して添加後の洗浄
用超純水の電気比抵抗値をＩＭΩ・口に低下させるだめ
に、まず炭酸ガスボンベの出口の減圧弁を圧力１ ｋｙ
／ ｃａ Ｇに調整して、炭酸ガスボンベよシ流出さ
せた炭酸ガスと電気比抵抗値１’７．５ＭΩ・αの溶解
用の超純水を気液混合器で混合し、炭酸水溶液の貯槽に
貯蔵し炭酸水溶液の貯槽内に圧力１．ｋｙ／ｃａＧを常
時かけておき、洗浄用超純水の設定電気比抵抗計の設定
値を１ＭΩ・ｍに合せて炭酸水溶液の添加ポンプを起動
させた。この時の炭酸水溶液及び洗浄用超純水ラインの
水温は２３〜２５℃であつだ。
その結果は次の通シであった。
炭酸水溶液添加前の洗浄用の超純水の電気だ電気比抵抗
値０．９ＭΩ・口の超純水で半導体ウェハーを洗浄した
が、半導体素子は破壊されることはなく、不純物で汚染
されることもなかった。
値０．９ＭΩ・口の超純水で半導体ウェハーを洗浄した
が、半導体素子は破壊されることはなく、不純物で汚染
されることもなかった。
実施例２
電気比抵抗値１’７．５ＭΩ・ｏｎで瞬間流量２＋ｙ／
／ｈの洗浄用超純水にアンモニアＡ′溶液を添加して添
加後の洗浄用超純水の電気比抵抗値をコ−ＭΩ・口に低
下させるだめに、アンモニア水溶比抵抗計の設定値をＬ
ＭΩ・―に合せて、アンモニア水溶液の添加ポンプを起
動させた。この時のアンモニア水溶液及び洗浄用超純水
の水温は２３〜２５℃であった。
／ｈの洗浄用超純水にアンモニアＡ′溶液を添加して添
加後の洗浄用超純水の電気比抵抗値をコ−ＭΩ・口に低
下させるだめに、アンモニア水溶比抵抗計の設定値をＬ
ＭΩ・―に合せて、アンモニア水溶液の添加ポンプを起
動させた。この時のアンモニア水溶液及び洗浄用超純水
の水温は２３〜２５℃であった。
その結果は次の通りであった。
アンモニア水溶液添加前の洗浄用超純水の電気比抵抗値
１７・５ＭΩ・αアンモニア水溶液添抗値０・９２ＭΩ
・副の超純水で半導体ウェハーを洗浄しだが、半導体素
子は破壊されることはなく、不純物で汚染されることは
なかった。
１７・５ＭΩ・αアンモニア水溶液添抗値０・９２ＭΩ
・副の超純水で半導体ウェハーを洗浄しだが、半導体素
子は破壊されることはなく、不純物で汚染されることは
なかった。
図面は本発明の実施態様の一例を示すものであって、第
１図は炭酸水溶液を超純水に添加した場合のフローシー
ト、第２図はアンモニア水溶液を超純水に添加した場合
のフローシートである。 １・・・ボンベ ２・・・水溶液貯槽３・・
・接続管 ４・・・気液混合器５・・・超純
水管 ６・・・添加ポンプ７・・・水溶液管
８・・・エアー抜管９・・・分岐管
１０・・・減圧・くルブ１１〜Ｊ７・・・バルブ
Ｊ８・・・超純水管１９・・・電気比抵抗計 ２０・
・・電気的回路２１・・・液面計 ２２・・・
半導体ウェス・−丁続補正書（自発） 昭和５９年７月４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第７ ］、 ４８０号２、発明の名称 半導体ウェハー洗浄法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都文京区本郷５丁目５番１６号名 称
（４４０） オルガノ株式会社代表者 永
井 邦 夫 ４、代理人〒１１３ 置、 ８１２−５１５１ 明細書中のＦ記事項を訂正願いまず。 】、第３頁２行目にｒ５ＭΩ・ｃｍＪとあるのを［５Ｍ
Ω・ＣＩｎ以下」と訂正する。 ２、第１０真下から８行目に「第１図は炭酸水溶液を１
とあるのを１第１図は炭酸ガス又はアンモニアガスのボ
ンへを用いて炭酸又はアンモニア水溶液を調整し、当該
溶液を」と訂正する。 以 ト
１図は炭酸水溶液を超純水に添加した場合のフローシー
ト、第２図はアンモニア水溶液を超純水に添加した場合
のフローシートである。 １・・・ボンベ ２・・・水溶液貯槽３・・
・接続管 ４・・・気液混合器５・・・超純
水管 ６・・・添加ポンプ７・・・水溶液管
８・・・エアー抜管９・・・分岐管
１０・・・減圧・くルブ１１〜Ｊ７・・・バルブ
Ｊ８・・・超純水管１９・・・電気比抵抗計 ２０・
・・電気的回路２１・・・液面計 ２２・・・
半導体ウェス・−丁続補正書（自発） 昭和５９年７月４日 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第７ ］、 ４８０号２、発明の名称 半導体ウェハー洗浄法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都文京区本郷５丁目５番１６号名 称
（４４０） オルガノ株式会社代表者 永
井 邦 夫 ４、代理人〒１１３ 置、 ８１２−５１５１ 明細書中のＦ記事項を訂正願いまず。 】、第３頁２行目にｒ５ＭΩ・ｃｍＪとあるのを［５Ｍ
Ω・ＣＩｎ以下」と訂正する。 ２、第１０真下から８行目に「第１図は炭酸水溶液を１
とあるのを１第１図は炭酸ガス又はアンモニアガスのボ
ンへを用いて炭酸又はアンモニア水溶液を調整し、当該
溶液を」と訂正する。 以 ト
Claims (1)
- 超純水の電気比抵抗値を帆１〜５ＭΩ・口に低下させる
ように炭酸又はアンモニア水溶液を超純水に添加し、当
該電気比抵抗値を低下させた超純水によって半導体ウェ
ハー又はチップを洗浄することを特徴とする半導体ウェ
ハー洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071480A JPH0648681B2 (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 超純水への炭酸水溶液添加装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071480A JPH0648681B2 (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 超純水への炭酸水溶液添加装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59218731A true JPS59218731A (ja) | 1984-12-10 |
| JPH0648681B2 JPH0648681B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13461837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071480A Expired - Lifetime JPH0648681B2 (ja) | 1983-04-25 | 1983-04-25 | 超純水への炭酸水溶液添加装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648681B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253899A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Sony Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
| JPH0629271A (ja) * | 1992-03-12 | 1994-02-04 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの洗浄方法及びその装置 |
| WO2020195341A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 栗田工業株式会社 | 希薄薬液製造装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58071480A patent/JPH0648681B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0253899A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-22 | Sony Corp | 洗浄液及び洗浄方法 |
| JPH0629271A (ja) * | 1992-03-12 | 1994-02-04 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体ウェーハの洗浄方法及びその装置 |
| WO2020195341A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | 栗田工業株式会社 | 希薄薬液製造装置 |
| JP2020163245A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 栗田工業株式会社 | 希薄薬液製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0648681B2 (ja) | 1994-06-22 |
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