JPS60165726A - 半導体ウエハ−の洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハ−の洗浄方法Info
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- JPS60165726A JPS60165726A JP1985984A JP1985984A JPS60165726A JP S60165726 A JPS60165726 A JP S60165726A JP 1985984 A JP1985984 A JP 1985984A JP 1985984 A JP1985984 A JP 1985984A JP S60165726 A JPS60165726 A JP S60165726A
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- Japan
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- cleaning
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- carbonic acid
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- ultrapure water
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は超純水に飽和炭酸水又は濃度５０％υ上の炭酸
水溶液（」ソ下飽和に近い炭酸水溶液という）を添加さ
せて電気比抵抗値を低下させて半導体製造の前工程の半
導体ウェハーを洗浄する方法に関するものである。
水溶液（」ソ下飽和に近い炭酸水溶液という）を添加さ
せて電気比抵抗値を低下させて半導体製造の前工程の半
導体ウェハーを洗浄する方法に関するものである。
本発明はそれ単独では常温常圧下でガス体の二酸化炭素
を他の容器で超純水中に飽和又は飽和に近く溶解させ・
半導体ウニ・・−洗浄ラインの超純水に添加して所定値
に電気比抵抗を低下させた純水を・半導体製造の前工程
の半導体ウニ・・−の洗浄用水として使用することを特
徴とするものである。
を他の容器で超純水中に飽和又は飽和に近く溶解させ・
半導体ウニ・・−洗浄ラインの超純水に添加して所定値
に電気比抵抗を低下させた純水を・半導体製造の前工程
の半導体ウニ・・−の洗浄用水として使用することを特
徴とするものである。
従来の半導体製造の前工程の半導体ウェハーの製造に使
用される洗浄水は溶存イオン、微粒子・有機物を極限ま
で除去した超純水が使用されており・この超純水は配管
、噴射ノズル等の内壁との摩擦により・洗浄水中に静電
気が帯電し・洗浄水が被洗浄体である半導体ウェハーに
接触する際に電流が流れ・半導体素子が破壊されて・半
導体ウニ・・−の製品の歩留を低下させるという欠点が
あった。
用される洗浄水は溶存イオン、微粒子・有機物を極限ま
で除去した超純水が使用されており・この超純水は配管
、噴射ノズル等の内壁との摩擦により・洗浄水中に静電
気が帯電し・洗浄水が被洗浄体である半導体ウェハーに
接触する際に電流が流れ・半導体素子が破壊されて・半
導体ウニ・・−の製品の歩留を低下させるという欠点が
あった。
本発明は従来の超純水による半導体製造の前工程の半導
体ウェハーの洗浄法の欠点を改善することを目的とする
。半導体製造の前工程の半導体ウェハーの洗浄水は・静
電１気の影響がなければ電気比抵抗値は高い程その洗浄
効果は良好と々る。半導体製造の前工程における半導体
の洗浄水の電気比抵抗値は５・１〜１．２ＭΩ・師であ
ることを要し−特に望寸しい範囲は９〜１］、ＭＯ−■
である。
体ウェハーの洗浄法の欠点を改善することを目的とする
。半導体製造の前工程の半導体ウェハーの洗浄水は・静
電１気の影響がなければ電気比抵抗値は高い程その洗浄
効果は良好と々る。半導体製造の前工程における半導体
の洗浄水の電気比抵抗値は５・１〜１．２ＭΩ・師であ
ることを要し−特に望寸しい範囲は９〜１］、ＭＯ−■
である。
本発明は、洗浄用超純水に不純物である飽和炭酸水溶液
又は飽和に近い炭酸水溶液を添加して前記水溶液添加前
に生じた静電気を伝導拡散させ・洗浄水を導体とするか
・影響のない程度に微量の静電気に減少させるものであ
る。
又は飽和に近い炭酸水溶液を添加して前記水溶液添加前
に生じた静電気を伝導拡散させ・洗浄水を導体とするか
・影響のない程度に微量の静電気に減少させるものであ
る。
半導体ウニ・・−洗浄用超純水に不純物である飽和・ま
たは飽和に近い炭酸水溶液を添加しても・半導体ウェハ
ー洗浄工程終了時に半導体ウェハーの表面の水分が除去
されると同時に炭酸もガスとなって半導体ウエノ・−表
面から除去され不純物として全く残留しないため何ら問
題とならない。
たは飽和に近い炭酸水溶液を添加しても・半導体ウェハ
ー洗浄工程終了時に半導体ウェハーの表面の水分が除去
されると同時に炭酸もガスとなって半導体ウエノ・−表
面から除去され不純物として全く残留しないため何ら問
題とならない。
洗浄用超純水に直接炭酸ガスを添加するととも考えられ
るが・この場合においては所定値の電気比抵抗値（例え
ば］ＯＭＯ−ｃｍ）にする際そのコントロールが困難で
ある。
るが・この場合においては所定値の電気比抵抗値（例え
ば］ＯＭＯ−ｃｍ）にする際そのコントロールが困難で
ある。
したがって本発明はあらかじめ他の容器で炭酸ガスと超
純水を混合１〜て飽和又は飽和に近い炭酸水溶液とし・
洗浄用超純水ラインに設置した混合器の後の電気比抵抗
計の抵抗量に合せて添加する。
純水を混合１〜て飽和又は飽和に近い炭酸水溶液とし・
洗浄用超純水ラインに設置した混合器の後の電気比抵抗
計の抵抗量に合せて添加する。
炭酸水溶液は微量の水素イオンと炭酸水素イオンに解離
し洗浄用超純水の電気比抵抗値を低下させて・静電気を
拡散するものである。
し洗浄用超純水の電気比抵抗値を低下させて・静電気を
拡散するものである。
次に飽和又は飽和に近い炭酸水溶液を添加した超純水に
よる半導体製造の前工程の半導体ウェハーの洗浄法につ
いて具体的に説明すると・第１図に示すようにコは炭酸
ガスのボンベで・飽和炭酸水溶液貯槽２とを減圧バルブ
］０を付設した接続管３によって連通している。
よる半導体製造の前工程の半導体ウェハーの洗浄法につ
いて具体的に説明すると・第１図に示すようにコは炭酸
ガスのボンベで・飽和炭酸水溶液貯槽２とを減圧バルブ
］０を付設した接続管３によって連通している。
飽和炭酸水溶液貯槽２の−Ｌ部には気液混合器４を旧設
した溶解水用の超純水管５を連通し。
した溶解水用の超純水管５を連通し。
捷た四槽２の下部には添加ポンプ６を付設した水溶液管
７の一端を連通し・さらに四槽２の上部にはエアー抜管
８を連通する。
７の一端を連通し・さらに四槽２の上部にはエアー抜管
８を連通する。
気液混合器４には炭酸ガス接続管３の分岐管９を連通さ
せ・さらに前記容管にはバルブ］］〜１７を付設させる
。
せ・さらに前記容管にはバルブ］］〜１７を付設させる
。
水溶液管７の他端は洗浄水用の超純水管］８に連通し・
超純水管］８には飽和炭酸水溶液を十分に混合させる混
合器］９と電気比抵抗計２０が付設しである。
超純水管］８には飽和炭酸水溶液を十分に混合させる混
合器］９と電気比抵抗計２０が付設しである。
超純水管コ８に付設した電気比抵抗計２０と水溶液管７
に＋１設置７た添加ポンプ６とは電気的回路２］で接続
させて・電気比抵抗計２０の設定値に対応してｔ飽和炭
酸水溶液の洗浄用超純水への添加邪をコントロールでき
るように構成する。
に＋１設置７た添加ポンプ６とは電気的回路２］で接続
させて・電気比抵抗計２０の設定値に対応してｔ飽和炭
酸水溶液の洗浄用超純水への添加邪をコントロールでき
るように構成する。
引き続いて、飽和炭酸水溶液を洗浄用の超純水に添加し
て半導体ウニ・・−を洗浄する操作について説明する。
て半導体ウニ・・−を洗浄する操作について説明する。
減圧バルブ］０を任意の圧力に調整した後に−５−
拵塙はボンベ」より接続管３・分岐管９を経溶解用の超
純水と炭酸ガスとを気液混合器４で接触混合して・飽和
炭酸水溶液貯槽２に飽和炭酸水溶液として流入して貯留
さぜればよい。飽和炭酸水溶液貯槽２の液面を液面言１
声によって所定の範囲まで上昇したことを確認したらｔ
バルブ］、２ 、１３ 、１４ 、１１を順次閉じた後
バルブ１］を開けると・減圧バルブ１０の調整圧力で炭
酸ガスの圧力が・常時・飽和炭酸水溶液貯槽２内にかか
り・炭酸水溶液を添加ポンプ６で吸引しても炭酸水溶液
貯槽２内は大気圧り下にならず・添加ポンプ６によって
安定して飽和炭酸水溶液を洗浄水用超純水管］８に添加
１−・間管１８に付設している混合器］９で洗浄用超純
水とよく混合することによって所定の電気比抵抗値に低
下させた超純水を得る。
純水と炭酸ガスとを気液混合器４で接触混合して・飽和
炭酸水溶液貯槽２に飽和炭酸水溶液として流入して貯留
さぜればよい。飽和炭酸水溶液貯槽２の液面を液面言１
声によって所定の範囲まで上昇したことを確認したらｔ
バルブ］、２ 、１３ 、１４ 、１１を順次閉じた後
バルブ１］を開けると・減圧バルブ１０の調整圧力で炭
酸ガスの圧力が・常時・飽和炭酸水溶液貯槽２内にかか
り・炭酸水溶液を添加ポンプ６で吸引しても炭酸水溶液
貯槽２内は大気圧り下にならず・添加ポンプ６によって
安定して飽和炭酸水溶液を洗浄水用超純水管］８に添加
１−・間管１８に付設している混合器］９で洗浄用超純
水とよく混合することによって所定の電気比抵抗値に低
下させた超純水を得る。
々お・超純水の電気比抵抗値は・電気比抵抗−６−
量を変化させてコントロールする。
世上のように９電気比抵抗値を５．］〜１２Ｍ０・師に
低下させた超純水で半導体製造の前工程の半導体ウェハ
ーを洗浄しても、静電気で半導体素子が破壊されること
はなかった。
低下させた超純水で半導体製造の前工程の半導体ウェハ
ーを洗浄しても、静電気で半導体素子が破壊されること
はなかった。
以下・本発明の実施例について説明する。
実施例
電気比抵抗値１８ＭΩ・■で瞬間流ｆｊ’、 ５ ｍ’
／ ｂの洗浄用超純水に飽和炭酸水溶液を添加して超
純水の電気比抵抗値を所定値に低下させるために・捷ず
炭酸ガスボンベ出口の＃減圧弁の圧力をｏ 、 ２ｋｇ
／ｃｒＭＧに調整して・炭酸ガスボンベより流出させた
炭酸ガスと電気比抵抗１８Ｍ０・師の溶解用の超純水と
を気液混合器で混合して９３チ溶解度の飽和炭酸水溶液
を調整し・これを飽和炭酸水溶液貯槽に貯蔵し・同貯槽
内に圧力ｏ、２ｋｇ／ＪＯを常時かけておき・洗浄用超
純水の設定電気比抵抗泪の設定値を９ ＋ １．０ ＋
１．２ＭＯ・（２）の順に各々設定し、前記飽和炭酸
水溶液の碓加ポンプを起動させたところ・第１表の通り
であった。この時の飽和炭酸水溶液及び洗浄水用超純水
ラインの水温は２３〜２５℃であった。
／ ｂの洗浄用超純水に飽和炭酸水溶液を添加して超
純水の電気比抵抗値を所定値に低下させるために・捷ず
炭酸ガスボンベ出口の＃減圧弁の圧力をｏ 、 ２ｋｇ
／ｃｒＭＧに調整して・炭酸ガスボンベより流出させた
炭酸ガスと電気比抵抗１８Ｍ０・師の溶解用の超純水と
を気液混合器で混合して９３チ溶解度の飽和炭酸水溶液
を調整し・これを飽和炭酸水溶液貯槽に貯蔵し・同貯槽
内に圧力ｏ、２ｋｇ／ＪＯを常時かけておき・洗浄用超
純水の設定電気比抵抗泪の設定値を９ ＋ １．０ ＋
１．２ＭＯ・（２）の順に各々設定し、前記飽和炭酸
水溶液の碓加ポンプを起動させたところ・第１表の通り
であった。この時の飽和炭酸水溶液及び洗浄水用超純水
ラインの水温は２３〜２５℃であった。
第 １ 表
り、」二の９．１０．１２ＭΩ・のに電気比抵抗値を低
下させた超純水でエツチング・イオン注入・不純物の拡
散を１〜だ半導体ウエノ・−を洗浄したが・半導体素子
は破壊されることはなく・不純物で汚染されるとともな
かった。
下させた超純水でエツチング・イオン注入・不純物の拡
散を１〜だ半導体ウエノ・−を洗浄したが・半導体素子
は破壊されることはなく・不純物で汚染されるとともな
かった。
図面は本発明の実施態様の一例を示すフローシートであ
る。 ／、−−−−−−−−−−ボ ン ベ ２、−一一−−−−−−・飽和炭酸水溶液貯槽３、−−
−−−−一−−・接続管 久−−−−−−−ｍ−気液混合器 ｊ−−−−−−−−一超純水管 Ａ、 −−−−−−−−一添加ポンプ ７−−−−−−−−一飽和炭酸水溶液管ｆ、−−−−−
〜−−−一エアー抜管 タ −−−−−−−−−炭酸ガス分岐管ｉｏ、 −−−
−−−−−一減圧バルブ／／、〜／７− バ ル ブ ｉｇ、 −−−−−−−−一洗浄用超純水管／９．−−
−−−−−−一混合器 ２０、−−−−−−−−一電気比抵抗計２／、−−−−
・−一−−電気的回路 、２２．−−−−−−−一液面計
る。 ／、−−−−−−−−−−ボ ン ベ ２、−一一−−−−−−・飽和炭酸水溶液貯槽３、−−
−−−−一−−・接続管 久−−−−−−−ｍ−気液混合器 ｊ−−−−−−−−一超純水管 Ａ、 −−−−−−−−一添加ポンプ ７−−−−−−−−一飽和炭酸水溶液管ｆ、−−−−−
〜−−−一エアー抜管 タ −−−−−−−−−炭酸ガス分岐管ｉｏ、 −−−
−−−−−一減圧バルブ／／、〜／７− バ ル ブ ｉｇ、 −−−−−−−−一洗浄用超純水管／９．−−
−−−−−−一混合器 ２０、−−−−−−−−一電気比抵抗計２／、−−−−
・−一−−電気的回路 、２２．−−−−−−−一液面計
Claims (1)
- 超純水の電気比抵抗値を５．１〜１２ＭΩ・■に低下さ
せるように飽和炭酸水又は濃度５０チ以上の炭酸水溶液
を超純水に添加し・当該電気比抵抗値を低下させた超純
水によって・ウェハーの現像、エツチング、イオン注入
、不純物の拡散等の半導体製造の前工程の半導体ウェハ
ーを洗浄することを特徴とする半導体ウェハーの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985984A JPS60165726A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエハ−の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985984A JPS60165726A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエハ−の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60165726A true JPS60165726A (ja) | 1985-08-28 |
Family
ID=12010950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985984A Pending JPS60165726A (ja) | 1984-02-08 | 1984-02-08 | 半導体ウエハ−の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60165726A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0332356A2 (en) * | 1988-03-05 | 1989-09-13 | Osaka Sanso Kogyo Limited | Supply of carbon dioxide |
| US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
| KR20020093397A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-16 | (주)보명하이텍 | 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치 |
| JP2016076590A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | オルガノ株式会社 | 導電性水溶液製造装置、導電性水溶液製造方法、およびイオン交換装置 |
| CN111013425A (zh) * | 2018-10-10 | 2020-04-17 | 株式会社迪思科 | 混合装置 |
-
1984
- 1984-02-08 JP JP1985984A patent/JPS60165726A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0332356A2 (en) * | 1988-03-05 | 1989-09-13 | Osaka Sanso Kogyo Limited | Supply of carbon dioxide |
| US5175124A (en) * | 1991-03-25 | 1992-12-29 | Motorola, Inc. | Process for fabricating a semiconductor device using re-ionized rinse water |
| KR20020093397A (ko) * | 2001-06-08 | 2002-12-16 | (주)보명하이텍 | 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치 |
| JP2016076590A (ja) * | 2014-10-06 | 2016-05-12 | オルガノ株式会社 | 導電性水溶液製造装置、導電性水溶液製造方法、およびイオン交換装置 |
| CN111013425A (zh) * | 2018-10-10 | 2020-04-17 | 株式会社迪思科 | 混合装置 |
| CN111013425B (zh) * | 2018-10-10 | 2023-06-02 | 株式会社迪思科 | 混合装置 |
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