KR20020093397A - 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치는 소정 저항률을 가진 초순수를 공급하는 초순수 공급부; 초순수 공급부로부터 공급되는 초순수에 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급부; 이산화탄소가 첨가된 초순수의 압력을 감지하는 압력감지센서; 압력감지센서에서 감지된 압력에 따라 이산화탄소 공급부로부터 공급되는 이산화탄소의 양을 조절하는 조절밸브를 구비하고, 또한 이산화탄소가 첨가된 초순수의 공급수로 상에는 초순수의 저항률을 감지하는 저항감지센서와, 저항감지센서에서 측정된 상태에 따라 조절밸브를 작동시켜 공급되는 이산화탄소의 공급량을 제어하도록 하는 제어부를 구비한 것으로 이러한 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 공급하는 장치는 초순수의 압력을 측정하는 압력측정센서와 함께 저항측정센서를 함께 설치하여 초순수에 공급되는 이산화탄소의 공급량을 제어하도록 함으로써 보다 높은 저항 정밀도를 가진 초순수를 공급할 수 있도록 하는 효과가 있다.
Description
본 발명은 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조공정중 사용되는 초순수의 저항을 압력제어로써 조절할 수 있도록 한 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치에 관한 것이다.
일반적으로 초순수(저항률≥18㏁·㎝)는 반도체 제조공정에서 웨이퍼의 세정을 위하여 사용되는 것이다. 이러한 초순수는 반도체 제조공정중 웨이퍼에 모든 패턴이 완성된 상태에서 각 디바이스 별로 웨이퍼를 절단하는 소잉공정에도 사용된다.
이 소잉공정에서는 소잉머신의 작동으로 상당한 열과 정전기가 발생하게 되는데, 이때 발생한 열은 초순수를 공급함으로써 낮추어질 수 있다.
그런데 이때 고저항률을 가진 초순수가 그대로 소잉공정에 공급되면 초순수의 고저항률로 인해 소잉공정중 발생한 정전기가 초순수를 통하여 제대로 방전되지 못하고 웨이퍼에 형성된 미세한 회로패턴을 파손시킬 우려가 있다.
따라서 이때 발생한 정전기를 초순수를 통하여 방전시킬 수 있도록 초순수에 소정량의 이산화탄소를 공급하여 초순수의 저항률을 방전이 가능한 저항률인 0.2㏁·㎝ - 1㏁·㎝ 정도로 낮추도록 초순수에 이산화탄소를 첨가하는 장치, 일명 탄산가스 버블러가 사용된다.
종래의 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치는 초순수 제조장치를 통하여 제조된 고저항률(저항률≥18㏁·㎝)의 초순수가 공급되는 초순수 공급부와 이 초순수 공급부를 통하여 공급되는 초순수에 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급부를 구비한다.
그리고 공급된 이산화탄소의 순도를 측정하는 저항측정센서와 이 저항측정센서에서 측정된 저항이 적절한가 여부를 판단하는 제어부 및 이 제어부에서 판단된 결과에 따라 이산화탄소 공급부로부터 공급되는 이산화탄소의 양을 가감하는 전자제어밸브를 구비하고 있다.
그런데, 종래의 이산화탄소가 첨가된 초순수 공급장치에서 공급되는 이산화탄소의 공급량은 단지 저항측정센서에 의해서만 이루어지도록 되어 있다.
따라서 공급되는 초순수의 공급압력이 낮으면 상대적으로 압력이 높은 이산화탄소 공급부에서보다 많은 양의 이산화탄소가 공급되어 초순수의 저항률이 필요이상으로 급격하게 떨어진다. 그리고 초순수 공급부의 압력이 너무 높으면 상대적으로 이산화탄소 공급부로부터 보다 적은 양의 이산화탄소가 공급되어 적절한 저항률을 가진 초순수가 제대로 공급되지 못하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 이산화탄소가 첨가된 초순수의 순도측정에 의한 이산화탄소 공급조절과 동시에 이산화탄소가 첨가된 초순수의 압력상태를 감지하여 감지된 압력상태에 따라 적절한 양의 이산화탄소를 공급하여 보다 높은 저항 정밀도를 가진 초순수를 공급할 수 있도록 하는 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치를 제공하기 위한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치에서 초순수의 저항과 압력을 제어하는 작동을 도시한 플로 차트이다.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
100...초순수 공급부
110...초순수 공급수로
120...이산화탄소 공급부
130...이산화탄소 공급수로
140...전자제어밸브
170...저항측정센서
180...압력측정센서
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치는 소정 저항률을 가진 초순수를 공급하는 초순수 공급부; 상기 초순수 공급부로부터 공급되는 초순수에 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급부; 이산화탄소가 첨가된 초순수의 압력을 감지하는 압력감지센서; 상기 압력감지센서에서 감지된 압력에 따라 상기 이산화탄소 공급부로부터 공급되는 이산화탄소의 양을 조절하는 전자조절밸브를 구비한다.
그리고 바람직하게 이산화탄소가 첨가된 초순수 공급수로 상에는 이산화탄소가 첨가된 초순수의 저항을 감지하는 저항감지센서와, 상기 저항감지센서에서 측정된 상태에 따라 상기 조절밸브를 작동시켜 이산화탄소의 공급량을 제어하도록 하는 제어부를 더 구비한 것을 특징으로 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 하나의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치는 반도체 제조공정중 웨이퍼를 절단하는 소잉공정에 사용될 수 있는 것으로, 이 구성은 도 1에 도시된 바와 같이 18㏁.cm 정도의 저항률을 가진 초순수를 공급하는 초순수 공급부(100)와 이 초순수 공급부(100)로부터 연장된 초순수 공급수로(110)를 구비한다.
그리고 초순수 공급수로(110)와 연통 결합되는 이산화탄소 공급수로(130)를 가지며 가능한 균일한 압력으로 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급부(120)를 구비한다.
그리고 이산화탄소 공급부(120)로부터 공급되는 이산화탄소의 양을 조절하는 전자조절밸브(140)가 이산화탄소 공급수로(130) 상에 설치되고, 이산화탄소가 첨가된 초순수 공급수로(160) 상에는 이산화탄소와 초순수를 적절히 혼합함과 동시에초순수를 정화하는 필터(150)가 설치된다.
또한, 필터(150)의 하류에는 초순수의 저항률을 측정하는 저항측정센서(CIA: Conductivity indicator alarm)(170) 가 설치되고, 저항측정센서(170) 다음에는 이산화탄소가 첨가된 초순수의 공급압력을 제어하는 압력측정센서(180)가 설치된다.
또한, 저항측정센서(170)와 압력측정센서(180)로부터 측정된 값에 따라 전자조절밸브(140)의 조절동작을 제어하는 제어부(190)가 마련된다.
여기서 전자조절밸브(140)는 Proportion-Air 사의 QB 시리즈 전자조절밸브로써 이 QB 시리즈 전자조절밸브는 외부의 수신된 4 - 20mA의 전류를 가진 전자신호로써 작동하는 것으로 두 개의 센서에 의하여 이산화탄소의 입력과 출력값의 조절이 이루어지도록 되어 있다.
이하에서는 전술한 바와 같이 구성된 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치의 작동상태는 도 2를 참조하여 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 장치에서 초순수 공급부(100)로부터 공급되는 초순수는 초순수 제조장치를 통하여 제조된 후 공급된 것으로 그 저항률이 대략 15㏁.cm - 18㏁.cm이고, 그 공급압력은 대략 3 - 5Kg/cm2으로 공급된다.
그리고 이산화탄소가 첨가되어 반도체 소잉공정에 제공되는 초순수는 소잉공정시 발생한 정전기를 초순수를 통하여 방전시킬 수 있도록 이산화탄소가 공급되어 그 저항률이 0.2㏁.cm - 1㏁.cm 로 떨어진 상태이고, 그 압력은 3 - 5Kg/cm2정도를 유지하여 공급된다. 여기서 이산화탄소의 함유량은 대략 1 PPm 정도가바람직하다.(S10)
이와 같은 상태에서 저항측정센서(170)와 압력측정센서(180)는 각각이 별도로 작동하여 제어부(190)를 통하여 전자제어밸브(140)를 작동시키게 된다.
이때의 작동은 먼저 이산화탄소가 초순수에 첨가된 후 저항측정센서(170)가 초순수의 저항을 측정하여 소정 저항률, 즉 0.2㏁.cm - 1㏁.cm 정도인가를 감지하게 된다.(S20)
그리고 감지된 저항률이 소정 저항률 이내이면 전자제어밸브(140)는 그 작동상태를 유지하고(S30), 반면에 소정 저항률 보다 낮으면 제어부(190)는 전자제어밸브(140)를 작동시켜 보다 많은 이산화탄소가 공급되도록 하고, 반대로 소정 저항률보다 높으면 전자제어밸브를 역으로 작동시켜 보다 적은 양의 이산화탄소가 공급되도록 한다.(S21)
한편, 저항률이 소정 저항률 범위 내로 맞추어지면 전자제어밸브(140)는 그 작동상태를 유지한다. 다음으로 압력측정센서(180)가 이산화탄소가 함유된 초순수의 압력이 소정 압력, 즉 3 - 5Kg/cm2이내인가를 감지하게 된다.(S40)
이때 감지된 압력이 소정 압력 이내이면 전자제어밸브(140)는 그 작동상태를 계속해서 유지하게 되고(S50), 이후 최적의 압력과 저항률을 가진 초순수가 소잉공정으로 공급되게 된다.
여기서 압력측정센서(180)에서 감지하는 초순수의 압력은 초순수 공급부(100)로부터 공급되는 초순수의 공급압력과 거의 유사하다. 따라서 만약 압력측정센서(180)가 감지한 압력값이 소정 압력보다 낮다고 판단되면, 이것은 최초 공급되는 초순수의 압력이 낮은 상태이다. 따라서 상대적으로 많은 양의 이산화탄소가 초순수로 공급되기 때문에 제어부(190)는 압력측정센서(180)로부터 감지된 값에 따라 전자제어밸브(140)를 작동시켜 전자제어밸브(140)로부터 배출되는 이산화탄소의 양을 줄이게 된다.
반면에 압력측정센서(180)로부터 감지된 값이 소정압력 이상이라고 판단되면, 이때에는 공급되는 초순수와 이산화탄소의 압력차이에 따라 보다 적은 양의 이산화탄소가 공급되기 때문에 제어부(190)는 전자제어밸브(140)를 보다 많이 열어 많은 양의 이산화탄소가 공급되도록 한다.(S41)
이와 같이 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치는 저항측정센서(170)와 압력측정센서(180)를 서로 혼용하여 보다 높은 저항 정밀도를 가지는 초순수를 반도체 제조 공정중 소잉공정에 공급하도록 한다.
한편, 본 발명의 실시예와 달리 일부 변형된 실시예들이 기본적으로 압력측정센서를 유로 상에 설치하여 초순수의 측정된 압력에 따라 이산화탄소의 공급량을 제어하도록 한 것이라면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
이상과 같은 본 발명에 따른 이산화탄소를 초순수에 공급하는 장치는 초순수의 저항을 측정하는 저항측정센서와 초순수의 압력을 측정하는 압력측정센서를 함께 설치하여 초순수에 공급되는 이산화탄소의 공급량을 저항률과 압력으로 제어하도록 함으로써 보다 높은 저항 정밀도를 가진 초순수를 공급할 수 있도록 하는 효과가 있다.
Claims (2)
- 소정 저항률을 가진 초순수를 공급하는 초순수 공급부;상기 초순수 공급부로부터 공급되는 초순수에 이산화탄소를 공급하는 이산화탄소 공급부;이산화탄소가 첨가된 초순수의 압력을 감지하는 압력감지센서;상기 압력감지센서에서 감지된 압력에 따라 상기 이산화탄소 공급부로부터 공급되는 이산화탄소의 양을 조절하는 조절밸브를 구비한 것을 특징으로 하는 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치 초순수 공급장치.
- 제 1항에 있어서, 이산화탄소가 첨가된 초순수의 공급수로 상에는 초순수의 저항을 감지하는 저항감지센서와, 상기 저항감지센서에서 측정된 상태에 따라 상기 조절밸브를 작동시켜 공급되는 이산화탄소의 공급량을 제어하도록 하는 제어부가 마련된 것을 특징으로 하는 이산화탄소를 초순수에 첨가하는 장치.
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|---|---|
| KR (1) | KR20020093397A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008049001A3 (en) * | 2006-10-17 | 2008-06-05 | Mks Intruments Inc | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| US8448925B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-05-28 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| KR20210069138A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-11 | 주식회사 팀즈 | 탈이온수의 비저항을 제어하는 장치 |
| KR20210100243A (ko) * | 2020-02-05 | 2021-08-17 | 주식회사 팀즈 | 이산화탄소를 이용한 탈이온수의 비저항을 제어하는 장치 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165726A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Japan Organo Co Ltd | 半導体ウエハ−の洗浄方法 |
| JPS61268391A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Hitachi Ltd | 純水製造装置 |
| JPS6312391A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-19 | Nomura Micro Sci Kk | 超純水の比抵抗制御方法及び装置 |
| JP2000070887A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置 |
| KR20000032664A (ko) * | 1998-11-17 | 2000-06-15 | 가와무라 시게구니 | 이산화탄소 가스를 초순수에 첨가하는 장치 및그 방법 |
| JP2000189760A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Kurita Water Ind Ltd | 純水製造装置 |
-
2001
- 2001-06-08 KR KR1020010032133A patent/KR20020093397A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165726A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Japan Organo Co Ltd | 半導体ウエハ−の洗浄方法 |
| JPS61268391A (ja) * | 1985-05-24 | 1986-11-27 | Hitachi Ltd | 純水製造装置 |
| JPS6312391A (ja) * | 1986-07-02 | 1988-01-19 | Nomura Micro Sci Kk | 超純水の比抵抗制御方法及び装置 |
| JP2000070887A (ja) * | 1998-09-03 | 2000-03-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置 |
| KR20000032664A (ko) * | 1998-11-17 | 2000-06-15 | 가와무라 시게구니 | 이산화탄소 가스를 초순수에 첨가하는 장치 및그 방법 |
| JP2000189760A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-11 | Kurita Water Ind Ltd | 純水製造装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008049001A3 (en) * | 2006-10-17 | 2008-06-05 | Mks Intruments Inc | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| US7731161B2 (en) | 2006-10-17 | 2010-06-08 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| US8448925B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-05-28 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| US8727323B2 (en) | 2006-10-17 | 2014-05-20 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| KR20210069138A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-11 | 주식회사 팀즈 | 탈이온수의 비저항을 제어하는 장치 |
| KR20210100243A (ko) * | 2020-02-05 | 2021-08-17 | 주식회사 팀즈 | 이산화탄소를 이용한 탈이온수의 비저항을 제어하는 장치 |
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