KR19980043388A

KR19980043388A - 반도체 웨이퍼 제조장치

Info

Publication number: KR19980043388A
Application number: KR1019960061234A
Authority: KR
Inventors: 염시춘
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1996-12-03
Filing date: 1996-12-03
Publication date: 1998-09-05
Also published as: KR100414303B1

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 제조장치에 관한 것으로, 종래에는 공급라인으로 흐르는 공정가스의 오염정도를 검출하지 못하여 제품의 대량불량을 유발시키는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치는 공정가스를 공급하는 공급라인(12)에 바이패스라인(20)을 연결하고, 그 바이패스라인(20)에 가스오염검출기(21)를 설치하며, 그 가스오염검출기(21)에서 검출된 값이 비교기(22)를 거쳐 메인 컴퓨터(23)로 보내어지도록 구성하여, 공급라인(12)으로 흐르는 공정가스의 오염여부에 따라 장비를 멈추거나 진행하도록 함으로서 공정가스의 오염에 의하여 제품의 불량이 발생하는 것을 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체 웨이퍼 제조장치

본 발명은 반도체 웨이퍼(WAFER) 제조장치에 관한 것으로, 특히 공정 가스의 오염 여부를 검출하여 제품의 불량발생을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 제조장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정 중에는 산화막형성공정, 확산공정, 증착공정 등이 진행되며, 이와 같은 공정을 진행시에는 반드시 공정가스를 사용하게 된다. 이와 같은 공정가스를 공정 챔버(CHAMBER)의 내측으로 공급하며 공정을 진행하는 반도체 웨이퍼 제조장치를 도 1에 도시하였는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 제조장치의 구성을 개략적으로 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 웨이퍼 제조장치는 공정가스를 공급하기 위한 가스실린더(GAS CYLINDER)(1)와, 그 가스실린더(1)와 공급라인(2)으로 연결되어 가스의 흐르는 양을 조절하기 위한 유량조절기(MASS FLOW CONTROLLER)(3)와, 그 유량조절기(3)와 공급라인(2)으로 연결되며 공정이 진행되는 공정 챔버(4)로 구성되어 진다. 상기 도면중 미설명 부호 5는 밸브이다.

이와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 웨이퍼 제조장치에서 공정이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다.

공정이 진행되면 상기 공급라인(2) 상에 설치되어 있는 밸브(5) 들이 열린 상태에서 가스실린더(1)에서 공급라인(2)을 통하여 공정가스가 공급된다. 이와 같이 공급라인(2)으로 흐르는 공정가스는 유량조절기(3)을 통과하며 센서에 의해 감지된 열차이의 전기적인 신호를 비교기로 비교하여 유량을 조절한다. 이와 같이 공급되는 가스의 양이 조절되며 공정가스가 공정 챔버(4)의 내부로 유입되며 공정을 진행하게 된다.

그러나, 공정진행 중에 공급라인(2)의 미세한 파손에 의하여 외부공기가 유입되어 공정가스를 오염시키거나, 또는 이미 오염된 가스를 가스실린더(1)에서 공급되는 경우에 이를 감지할 수 있는 장치가 없어서 대량불량을 유발시키는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 공급라인으로 흐르는 가스의 오염을 검출하여 제품의 불량발생을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼 제조장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼 제조장치의 구성을 개략적으로 보인 배관도.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치의 구성을 보인 배관도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

11; 가스실린더12; 공급라인

13; 유량조절기14; 공정 챔버

20; 바이패스라인21; 가스오염검출기

22; 비교기23; 메인 컴퓨터

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 가스실린더에서 공급라인으로 공급되는 가스를 유량조절기에서 흐르는 양을 조절하여 공정 챔버로 공급할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 제조장치에 있어서, 상기 가스실린더와 유량조절기 사이의 공급라인 상에 바이패스라인을 설치하고, 그 바이패스라인 상에 가스의 오염정도를 검출하기 위한 가스오염검출기를 설치하며, 그 가스오염검출기에서 검출된 값을 기준값과 비교하기 위한 비교기를 연결설치하고, 그 비교기에서 비교된 값을 참고로 공정을 멈추거나 또는 진행하기 위한 메인 컴퓨터를 연결설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치의 구성을 보인 배관도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치는 공정가스를 공급하기 위한 가스실린더(11)와, 그 가스실린더(11)에서 공급라인(12)으로 공급되는 공정가스의 양을 조절하기 위한 유량조절기(13)와, 그 유량조절기(13)에서 흐르는 양이 조절되어 공정가스가 주입되어 공정이 진행되는 공정 챔버(14)로 구성되는 기본적인 구성은 동일하다.

여기서, 상기 가스실린더(11)와 유량조절기(13) 사이의 공급라인(12) 상에 바이패스라인(20)을 연결설치하고, 그 바이패스라인(BY-PASS LINE)(20) 상에 가스의 오염정도를 검출하기 위한 가스오염검출기(21)를 설치하며, 그 가스오염검출기(21)에서 검출된 값을 기준값과 비교하기 위한 비교기(22)를 연결설치하고, 그 비교기(22)에서 비교된 값을 참고로 공정을 멈추거나 또는 진행하기 위한 메인 컴퓨터(MAIN COMPUTER)(23)를 연결설치하여서 구성된다.

상기 가스오염검출기(21)는 수정박막을 이용하여 순수가스와 오염된 가스의 진동수를 검출하여 그 차이를 기준값과 비교하는 방법으로 다른 가스의 혼입 또는 오염정도를 검출할 수 있도록 구성되어 있다.

도면중 미설명부호 24는 밸브이다.

상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 공정이 진행되면 가스실린더(11)에서 공급라인(12)을 통하여 공정가스가 공급되고, 이와 같이 공급되는 공정가스는 유량조절기(13)에 의하여 흐르는 양이 조절되면서 공정 챔버(14)의 내부로 주입되어 공정을 진행한다. 이때 상기 공급라인(11)에 연결된 바이패스라인(20) 상에 설치되어 있는 가스오염검출기(21)에서 공급라인(11)으로 흐르는 가스의 오염정도를 검출하고, 그 검출된 갑을 비교기(22)로 송출하며, 그 비교기(22)에서 기준값과 비교된 값은 메인 컴퓨터(23)으로 보내어져서 오염정도에 따라 장비를 멈출거나 또는 계속진행하게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 웨이퍼 제조장치는 공정가스를 공급하는 공급라인에 바이패스라인을 연결하고, 그 바이패스라인에 가스오염검출기를 설치하며, 그 가스오염검출기에서 검출된 값이 비교기를 거쳐 메인 컴퓨터로 보내어지도록 구성하여, 공급라인으로 흐르는 공정가스의 오염여부에 따라 장비를 멈추거나 진행하도록 함으로서 공정가스의 오염에 의하여 제품의 불량이 발생하는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims

가스실린더에서 공급라인으로 공급되는 가스를 유량조절기에서 흐르는 양을 조절하여 공정 챔버로 공급할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 제조장치에 있어서, 상기 가스실린더와 유량조절기 사이의 공급라인 상에 바이패스라인을 설치하고, 그 바이패스라인 상에 가스의 오염정도를 검출하기 위한 가스오염검출기를 설치하며, 그 가스오염검출기에서 검출된 값을 기준값과 비교하기 위한 비교기를 연결설치하고, 그 비교기에서 비교된 값을 참고로 공정을 멈추거나 또는 진행하기 위한 메인 컴퓨터를 연결설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장치.