KR200489281Y1 - 공정가스라인용 오염감지기 - Google Patents
공정가스라인용 오염감지기Info
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Abstract
본 고안은 예를 들어 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조를 위한 공정가스라인 상에서 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되는 공정가스(실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나)의 특성에 기초하는 보다 간단한 오염 측정구조를 통해 공정가스의 오염도를 신속용이하게 감지하여 공정가스의 오염에 따른 제품불량이 미연에 방지될 수 있도록 한 공정가스라인용 오염감지기에 관한 것이다.
본 고안에 따른 공정가스라인용 오염감지기는, 공정가스공급원과 공정챔버를 연결하는 공정가스라인에 설치되어 공정가스의 오염도를 검출하여 외부의 모니터링부로 제공하는 공정가스라인용 오염감지기에 있어서, 상기 공정가스라인 상에 설치되는 하우징과, 상기 하우징 내에 동축 배열되고 상기 공정가스라인에 일렬로 설치되어 공정가스가 관류하는 투명관과, 상기 하우징 내에 설치되고 상기 투명관 내의 탁도를 검출하는 탁도센서와, 상기 탁도센서에 연결되고 상기 탁도센서의 감지신호를 상기 모니터링부로 제공하는 센서케이블을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 고안에 따른 공정가스라인용 오염감지기는, 공정가스공급원과 공정챔버를 연결하는 공정가스라인에 설치되어 공정가스의 오염도를 검출하여 외부의 모니터링부로 제공하는 공정가스라인용 오염감지기에 있어서, 상기 공정가스라인 상에 설치되는 하우징과, 상기 하우징 내에 동축 배열되고 상기 공정가스라인에 일렬로 설치되어 공정가스가 관류하는 투명관과, 상기 하우징 내에 설치되고 상기 투명관 내의 탁도를 검출하는 탁도센서와, 상기 탁도센서에 연결되고 상기 탁도센서의 감지신호를 상기 모니터링부로 제공하는 센서케이블을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 고안은 공정가스라인용 오염감지기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 예를 들어 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조를 위한 공정가스라인 상에 설치되어 공정가스의 오염도에 관한 감지신호를 송출함에 따라 공정가스의 오염에 따른 제품불량이 미연에 방지될 수 있도록 한 공정가스라인용 오염감지기에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지는 웨이퍼(Wafer)로 통칭되는 기판 상에 기상증착 등과 같은 방법을 이용하여 소정의 막을 형성시키거나 또는 패턴(Pattern) 등을 형성시키는 일련의 공정을 거쳐 제조되며, 각각의 공정챔버 내로는 여러 종류의 공정가스가 공급된다.
이러한 공정가스 중에서 특히 실란(SiH4)은 메탄의 탄소(C)를 규소(Si)로 치환한 메탄(methane, CH4)의 규소유사물로, 공기 중에서 외부 점화 없이 자연 발화하는 극인화성 고압가스지만 공기를 차단하고 보관하면 상온에서 사용 가능하다.
실란가스는 특히 400℃ 이상으로 가열되거나 환원될 시에 실리콘(Si)으로 분해됨에 따라 반도체 및 태양전지 생산용 실리콘의 원료로 주로 사용된다.
또한 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조공정에는 실란기스 외에도 암모니아가스, 텅스텐 가스 등과 같은 특수가스가 공정가스로 사용된다.
실란가스 등과 같은 공정가스가 공정가스라인을 통해 공정챔버 내로 공급됨에 있어서, 실란가스 등과 같은 공정가스는 공급경로 중의 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되면서 공정가스라인의 내벽, 필터 및 밸브 등에 고착되어 부식을 유발하고 음압에 의해 결국 공정챔버로 유입되어 제품불량을 유발하여 생산성을 저하시키게 된다.
전술한 문제점을 해소하기 위한 일 예로, 대한민국 특허공개공보 제 10-1997-0030280호(1997.06.26. 공개)에는 반도체장치 제조 공정에서 가스 공급을 위하여 설치되는 요소의 오염분석을 위하여 상기 요소로 질소가스를 유입시킴으로 인하여 포함되는 물리적 및 화학적 불순물의 정량 및 성분 등을 테스트하는 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치에 있어서, 상기 물리적 및 화학적 불순물을 포함한 질소가스를 배기라인으로 배출하도록 구성되고, 상기 배기라인에 상기 질소가스에 포함된 이오닉 성분 불순물을 포집 및 분석하는 임핀저(Imfinger)가 접속됨을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치가 개시되어 있다.
또한 대한민국 특허공개 제10-1997-0030576호(1997.06.26. 공개)에는, 반도체장치 제조 공정에서 가스 공급을 위하여 설치되는 요소의 오염 분석을 위하여 상기 요소로 질소가스를 유입시킴으로 인하여 발생되는 불순물을 포집하여 테스트하는 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치에 있어서, 상기 요소에서 발생되는 불순물을 포함한 가스가 공급된 진공상태에서 웨이퍼의 가 제작공정을 수행하는 진공챔버와, 퍼지용으로 상기 진공챔버로 가스를 공급하도록 구성된 퍼지가스 공급수단과, 상기 진공챔버 내부를 진공상태로 만들고, 가 제작공정 후 내부 가스를 배출하는 배출수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치가 개시되어 있다.
또한 대한민국 특허공개 제10-1998-0043388호(1998.09.05. 공개)에는 가스실린더에서 공급라인으로 공급되는 가스를 유량조절기에서 흐르는 양을 조절하여 공정 챔버로 공급할 수 있도록 구성되어 있는 반도체 웨이퍼 제조장치에 있어서, 상기 가스실린더와 유량조절기 사이의 공급라인 상에 바이패스라인을 설치하고, 그 바이패스라인 상에 가스의 오염정도를 검출하기 위한 가스오염검출기를 설치하며, 그 가스오염검출기에서 검출된 값을 기준값과 비교하기 위한 비교기를 가스오염검출기에 연결설치하고, 그 비교기에서 비교된 값을 참고로 공정지속여부를 판단하기 위한 메인 컴퓨터를 비교기에 연결설치하여서 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제조장비의 가스오염불량방지장치가 개시되어 있다.
그러나 종래의 공정가스라인용 오염감지기는 공정가스의 순도를 측정하거나 배기가스 중 특정 불순물을 포집하여 측정하는 단순 오염감지 구성을 가짐에 따라 범용적으로 사용 가능할 수는 있지만, 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되는 특성을 가지는 공정가스의 오염도 측정에는 적합하지 않은 문제점이 있었다.
본 고안은 전술한 종래기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 예를 들어 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조를 위한 공정가스라인 상에서 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되는 공정가스(실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나)의 특성에 기초하는 보다 간단한 오염 측정구조를 통해 공정가스의 오염도를 신속용이하게 감지하여 공정가스의 오염에 따른 제품불량이 미연에 방지될 수 있도록 한 공정가스라인용 오염감지기를 제공하는 과제를 기초로 한다.
전술한 본 고안의 과제는, 공정가스공급원과 공정챔버를 연결하는 공정가스라인에 설치되어 공정가스의 오염도를 검출하여 외부의 모니터링부로 제공하는 공정가스라인용 오염감지기에 있어서, 상기 공정가스라인 상에 설치되는 하우징과, 상기 하우징 내에 동축 배열되고 상기 공정가스라인에 일렬로 설치되어 공정가스가 관류하는 투명관과, 상기 하우징 내에 설치되고 상기 투명관 내의 탁도를 검출하는 탁도센서와, 상기 탁도센서에 연결되고 상기 탁도센서의 감지신호를 상기 모니터링부로 제공하는 센서케이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정가스라인용 오염감지기를 제공함에 의해 달성된다.
본 고안의 바람직한 특징에 따르면, 상기 탁도센서는 상기 하우징 내에서 상기 투명관을 기준으로 일측에 설치되어 레이저를 발신 및 수신하는 회귀반사형 레이저센서부재와, 상기 하우징 내에서 상기 투명관을 기준으로 타측에 설치되고 상기 회귀반사형 레이저센서부재로부터 방출된 광을 반사시키는 반사판을 포함한다.
본 고안의 바람직한 특징에 따르면, 상기 모니터링부는 상기 수광소자의 전기신호의 값이 설정값 이하인 경우에 공정가스가 오염된 것으로 판별하고 후속처리에 대한 신호를 출력한다.
본 고안의 바람직한 특징에 따르면, 상기 센서케이블은 상기 발광소자의 작동을 위한 전원선과 상기 수광소자의 전기신호의 출력을 위한 출력선이 공통피복에 의해 둘러싸여져 형성된다.
본 고안의 바람직한 특징에 따르면, 상기 공정가스라인을 관류하는 공정가스는 실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나이다.
본 고안에 따른 공정가스라인용 오염감지기에 의하면, 예를 들어 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조를 위한 공정가스라인 상에서 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되는 공정가스(실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나)의 특성에 기초하여 공정가스라인 상에 개재되는 투명관의 탁도를 측정하는 보다 간단한 오염 측정구조를 통해 공정가스의 오염도를 신속용이하게 감지하여 공정가스의 오염에 따른 제품불량과 생산성 저하가 미연에 방지될 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기의 사용상태를 설명하는 블럭구성도.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기의 상세 구조도.
도 2는 본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기의 상세 구조도.
이하에는, 첨부도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하되, 이는 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 고안을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세하게 설명하기 위한 것이지, 이로 인해 본 고안의 기술적인 사상 및 범주가 한정되는 것을 의미하지는 않는다.
본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기(1)는, 도 1에 도시되는 바와 같이, 공정가스공급원(2)과 공정챔버(3)를 연결하는 공정가스라인(4)에 설치되어 공정가스의 오염도를 검출하여 외부의 모니터링부(6)로 제공함에 따라, 예를 들어 오염된 공정가스를 공정챔버(3)로 공급하지 않고 바이패스 또는 공급차단시키는 등과 같이 공정가스의 오염에 따른 후속처리가 즉각 이루어질 수 있도록 한다.
공정가스공급원(2)과 공정챔버(3)를 연결하는 공정가스라인(4) 상에는 공정가스공급원(2) 내의 공정가스를 공정챔버(3) 내로 공급할지 여부를 제어하는 밸브(4a)가 설치될 수 있고 공정챔버(3) 내로 공급되기에 앞서 공정가스를 여과하여 오염물을 포집제거하는 필터(4b)가 설치될 수 있다 또한 공정챔버(3)에는 공정가스의 공급압력을 발생시키는 펌프(5)가 연결된다.
본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기(1)는, 도 1에 도시되는 바와 같이 공정가스라인(4) 상에서 밸브(4a)와 필터(4b) 사이에 설치되는 것이 바람직하다.
본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기(1)는, 도 1 및 도 2에 도시되는 바와 같이, 공정가스라인(4) 상에 설치되는 하우징(10)과, 하우징(10) 내에 동축 배열되고 공정가스라인(4)에 일렬로 설치되어 공정가스가 관류하는 투명관(20)과, 하우징(10) 내에 설치되고 투명관(20) 내의 탁도를 검출하는 탁도센서(30)와, 탁도센서(30)에 연결되고 탁도센서(30)의 감지신호를 모니터링부(6)로 제공하는 센서케이블(40)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 하우징(10)은 본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기(1)의 외부 케이스를 형성하는 구성부재이다.
하우징(10)은 전체적으로 스테인리스강(SUS) 재질로 된 원통체로 형성되며 공정가스라인(4) 상에 일체로 확관되어 형성되거나 또는 공지의 플랜지형 관연결구조에 의해 기밀적으로 연결된다.
하우징(10)의 양측 내부에는 차후에 설명될 투명관(20)의 동축 연결을 위한 진공피팅형 연결관(11)이 구비된다. 진공피팅형 연결관(11)은 특히 울트라 토르 진공피팅관으로 형성되는 것이 바람직하다. 또한 하우징(10)에는 센서케이블(40)의 인입을 위한 케이블연결구(13)가 형성된다.
전술한 하우징(10) 내에는 투명관(20)이 진공피팅형 연결관(11)에 의해 동축 배열된다. 투명관(20)은 공정가스라인(4)에 일렬로 기밀적으로 설치되어 공정가스가 관류하는 관으로, 하우징(10)의 진공피팅형 연결관(11) 사이에 개재되어 공정가스를 공정챔버(3)로 공급하기 위한 공정가스라인(4)의 일부분을 형성하여 도면 2와 같이 상기 공정가스라인(4)과 동일한 직경을 갖는다.
공정가스라인(4)과 투명관(20)을 관류하는 공정가스는 400℃ 이상으로 가열되거나 환원될 시에 실리콘(Si)으로 분해되는 특성에 의해 반도체 및 태양전지 생산용 실리콘의 원료로 주로 사용되는 실란가스(SiH4)인 것이 바람직하다. 또한 공정가스라인(4)과 투명관(20)을 관류하는 공정가스는 실란가스(SiH4) 이외에 암모니아가스(NH3) 또는 텅스텐가스(WF6)일 수 있다.
투명관(20)은 공정가스인 실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나가 오염물과 반응하여 파우더를 형성하는 경우에 파우더의 고착 등에 의해 내부가 뿌옇게 흐려짐에 따라 공정가스의 오염도가 후술하는 탁도센서(30)에 의해 측정될 수 있도록 하는 구성부재이다.
하우징(10) 내에는 투명관(20) 내의 탁도를 검출하는 탁도센서(30)가 설치된다. 이러한 탁도센서(30)는 상기 탁도센서(30)는 상기 하우징(10) 내에서 상기 투명관(20)을 기준으로 일측에 설치되어 레이저를 발신 및 수신하는 회귀반사형 레이저센서부재(30a)와, 상기 하우징(10) 내에서 상기 투명관(20)을 기준으로 타측에 설치되고 상기 회귀반사형 레이저센서부재(30a)로부터 방출된 광을 반사시키는 반사판(30b)의 조합으로 용이하게 형성가능하다.
투명관(20) 내의 탁도가 증가할수록 회귀반사형 레이저센서부재(30a)로부터 방출된 레이저광이 반사판(30b)에 적게 도달됨과 동시에 반사판(30b)으로부터 반사된 레이저광이 회귀반사형 레이저센서부재(30a)에 적게 도달되어 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호값이 감소된다.
후술한 센서케이블(40)에 의해 탁도센서(30)에 연결되는 모니터링부(6)는 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호값이 설정값 이하로 떨어질 경우에 공정가스가 오염된 것으로 판별하고 공정가스의 바이패스 또는 공급차단 등과 같은 후속처리에 대한 제어신호를 출력한다.
이러한 모니터링부(6)에는 탁도센서(30)의 센서신호값을 증폭하고 감도를 조절하기 위한 앰프와, 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호값과 설정값의 비교를 통해 공정가스의 오염여부를 판별하는 판별부와, 공정가스의 바이패스 또는 공급차단 등과 같은 후속처리에 대한 제어신호를 출력부가 구비된다.
전술한 탁도센서(30)에는 탁도센서(30)의 감지신호를 모니터링부(6)로 제공하는 센서케이블(40)이 연결된다. 센서케이블(40)은 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 작동을 위한 전원선(41)과, 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호의 출력을 위한 출력선(43)을 포함한다.
또한 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 작동을 위한 전원선(41)과, 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호의 출력을 위한 출력선(43)은 도 2에 도시되는 바와 같이 공통피복(45)에 의해 둘러싸여진다.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 본 고안의 일 실시예에 따른 공정가스라인용 오염감지기(1)의 경우에는, 예를 들어 반도체소자, 엘이디(LED) 또는 태양전지의 제조를 위한 공정챔버(3)에 실란가스, 암모니아가스 또는 텅스텐가스와 같은 공정가스를 공급하기 위한 공정가스라인(4) 상에서 오염물질과 반응하여 파우더로 상변화되는 공정가스의 특성에 기초하여 공정가스라인(4) 상에 개재되는 투명관(20)의 탁도를 측정하는 보다 간단한 오염 측정구조를 통해 공정가스의 오염도를 신속용이하게 감지하여 모니터링부(6)로 제공함에 따라 공정가스의 오염에 따른 후속처리(예: 공정가스의 바이패스 또는 공급차단)가 즉각 이루어질 수 있도록 한다.
이에 따라 밸브(4a) 및 필터(4b)에 고착되는 파우더의 양을 감소시켜 내구성을 증대시킴은 물론 공정가스의 오염에 따른 제품불량과 생산성 저하를 미연에 방지할 수 있다.
위에서 몇몇의 실시예가 예시적으로 설명되었음에도 불구하고, 본 고안이 이의 취지 및 범주에서 벗어남 없이 다른 여러 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 따라서 상술된 실시예는 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로 여겨져야 하며, 첨부된 청구항 및 이의 동등 범위 내의 모든 실시에는 본 고안의 범주 내에 포함된다고 할 것이다.
1 : 공정가스라인용 오염감지기 2 : 공정가스공급원
3 : 공정챔버 4 : 공정가스라인
4a : 밸브 4b : 필터
5 : 펌프 6 : 모니터링부
10 : 하우징 11 : 진공피팅형 연결관
13 : 케이블연결구 20 : 투명관
30 : 탁도센서 30a : 회귀반사형 레이저센서부재
30b : 반사판 40 : 센서케이블
41 : 전원선 43 : 출력선
45 : 피복
3 : 공정챔버 4 : 공정가스라인
4a : 밸브 4b : 필터
5 : 펌프 6 : 모니터링부
10 : 하우징 11 : 진공피팅형 연결관
13 : 케이블연결구 20 : 투명관
30 : 탁도센서 30a : 회귀반사형 레이저센서부재
30b : 반사판 40 : 센서케이블
41 : 전원선 43 : 출력선
45 : 피복
Claims (5)
- 공정가스공급원(2)과 공정챔버(3)를 연결하는 공정가스라인(4)에 설치되어 공정가스의 오염도를 검출하여 외부의 모니터링부(6)로 제공하는 공정가스라인용 오염감지기에 있어서,
일측에는 케이블연결구(13)가 형성되고 상기 공정가스라인(4) 상에 기밀적으로 설치되는 하우징(10);
진공피팅형 연결관(11)인 울트라 토르 진공피팅에 의해 상기 하우징(10) 내에 기밀적으로 동축 배열되고 상기 공정가스라인(4)에 일렬로 설치되어 공정가스가 관류하며 상기 공정가스라인(4)과 동일한 직경을 가지는 투명관(20);
상기 하우징(10) 내에 설치되고 상기 투명관(20) 내의 탁도를 검출하는 탁도센서(30); 및
상기 케이블연결구(13)를 통해 하우징(10) 내로 인입되어 상기 탁도센서(30)에 연결되고 상기 탁도센서(30)의 감지신호를 상기 모니터링부(6)로 제공하는 센서케이블(40)을 포함하고,
상기 탁도센서(30)는 상기 하우징(10) 내에서 상기 투명관(20)을 기준으로 일측에 설치되어 레이저를 발신 및 수신하는 회귀반사형 레이저센서부재(30a)와, 상기 하우징(10) 내에서 상기 투명관(20)을 기준으로 타측에 설치되고 상기 회귀반사형 레이저센서부재(30a)로부터 방출된 광을 반사시키는 반사판(30b)을 포함하며, 상기 센서케이블(40)은 상기 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 작동을 위한 전원선(41)과, 상기 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호의 출력을 위한 출력선(43)이 공통피복(45)에 의해 둘러싸여져 형성되는 것을 특징으로 하는 공정가스라인용 오염감지기. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 모니터링부(6)는 상기 회귀반사형 레이저센서부재(30a)의 센서신호값이 설정값 이하인 경우에 공정가스가 오염된 것으로 판별하고 후속처리에 대한 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 공정가스라인용 오염감지기. - 삭제
- 청구항 1 또는 청구항 3 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 공정가스라인(4)을 관류하는 공정가스는 실란가스, 암모니아가스 및 텅스텐가스 중 하나인 것을 특징으로 하는 공정가스라인용 오염감지기.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020180001354U KR200489281Y1 (ko) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 공정가스라인용 오염감지기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020180001354U KR200489281Y1 (ko) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 공정가스라인용 오염감지기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200489281Y1 true KR200489281Y1 (ko) | 2019-08-28 |
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ID=67763616
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020180001354U KR200489281Y1 (ko) | 2018-03-28 | 2018-03-28 | 공정가스라인용 오염감지기 |
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| KR (1) | KR200489281Y1 (ko) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970030280A (ko) | 1995-11-24 | 1997-06-26 | 김광호 | 반도체 제조공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치 |
| KR970030576A (ko) | 1995-11-24 | 1997-06-26 | 김광호 | 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치 |
| JPH09203707A (ja) * | 1995-10-10 | 1997-08-05 | L'air Liquide | 室の流出物のモニターシステム、および吸着分光測定からなる半導体加工システム、およびその使用方法 |
| KR19980043388A (ko) | 1996-12-03 | 1998-09-05 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 제조장치 |
| KR20070102257A (ko) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | 비에스월드시스템 주식회사 | 반도체 제조용 가스관으로부터의 유독가스 누설감지장치 |
| JP3136926U (ja) * | 2006-09-29 | 2007-11-08 | 權威電科技有限公司 | 伝送ケーブル |
| KR20080013949A (ko) * | 2005-04-28 | 2008-02-13 | 도요다 지도샤 가부시끼가이샤 | 배기가스 분석장치 |
| KR20100019400A (ko) * | 2006-05-09 | 2010-02-18 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 입자 생성 불순물에 대한 실란과 같은 반응성 기체의 분석 방법 |
| JP2013160663A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Nishimatsu Constr Co Ltd | 濁度測定装置 |
| KR20160094116A (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-09 | (주)에스지엠 | 가스배관의 오염도 모니터링 장치 |
-
2018
- 2018-03-28 KR KR2020180001354U patent/KR200489281Y1/ko active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09203707A (ja) * | 1995-10-10 | 1997-08-05 | L'air Liquide | 室の流出物のモニターシステム、および吸着分光測定からなる半導体加工システム、およびその使用方法 |
| KR970030280A (ko) | 1995-11-24 | 1997-06-26 | 김광호 | 반도체 제조공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치 |
| KR970030576A (ko) | 1995-11-24 | 1997-06-26 | 김광호 | 반도체 제조 공정을 위한 가스공급계의 오염측정장치 |
| KR19980043388A (ko) | 1996-12-03 | 1998-09-05 | 문정환 | 반도체 웨이퍼 제조장치 |
| KR20080013949A (ko) * | 2005-04-28 | 2008-02-13 | 도요다 지도샤 가부시끼가이샤 | 배기가스 분석장치 |
| KR20070102257A (ko) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | 비에스월드시스템 주식회사 | 반도체 제조용 가스관으로부터의 유독가스 누설감지장치 |
| KR20100019400A (ko) * | 2006-05-09 | 2010-02-18 | 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드 | 입자 생성 불순물에 대한 실란과 같은 반응성 기체의 분석 방법 |
| JP3136926U (ja) * | 2006-09-29 | 2007-11-08 | 權威電科技有限公司 | 伝送ケーブル |
| JP2013160663A (ja) * | 2012-02-07 | 2013-08-19 | Nishimatsu Constr Co Ltd | 濁度測定装置 |
| KR20160094116A (ko) * | 2015-01-30 | 2016-08-09 | (주)에스지엠 | 가스배관의 오염도 모니터링 장치 |
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