JP2020163245A - 希薄薬液製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 簡単な構造で酸・アルカリ等の極めて低濃度の希薄薬液を安定的に製造することの可能な希薄薬液製造装置を提供する。【解決手段】 希薄薬液製造装置１は、薬液貯槽から薬液Ｓを供給するプランジャポンプと薬液供給管３とを有する。薬液供給管３の末端は薬液Ｓの注入点１１となっている。この薬液供給管３は、ボアスルー継手１３を介して第１の配管である超純水流路１２の径方向の略中央にまで挿入されている。そして、注入点１１となるボアスルー継手１３より下流側には、導電率計測手段としての導電率計１４が設けられていて、前述した制御手段（図示せず）に接続しており、導電率計１４の測定値に応じてプランジャポンプ４を制御可能となっている。【選択図】 図２
Description
本発明は、希薄薬液を製造する装置に関し、特に簡単な構造で、半導体ウェハなどの洗浄・リンス工程等で有効な、酸・アルカリの極めて低濃度の希薄薬液を製造することが可能な希薄薬液製造装置に関する。
半導体ウェハや液晶の製造プロセスでは、不純物が高度に除去された超純水を用いて半導体ウェハやガラス基板の洗浄が行われている。
このような超純水を用いた半導体ウェハの洗浄において、超純水は比抵抗値が高いため静電気が発生しやすく、絶縁膜の静電破壊や微粒子の再付着を招くおそれがある。そのためｐＨや酸化還元電位の制御に有効な溶質をごく低濃度に溶解した水（以下、希薄薬液という）が使われることがある。ここで、Ｈ２、ＣＯ２、Ｏ３、ＮＨ３などのガスを溶解することも行われているが、ガスを溶解させるには装置が複雑化してしまう。そこで、超純水が洗浄やリンスなどの使用目的に合致したｐＨや酸化還元電位となるように、必要最小限の酸やアルカリ、あるいは酸化剤や還元剤などの薬液を微量添加することが行われている。
超純水に微量の薬液を添加する装置としては、例えば、薬液を所望とする濃度の途中まで超純水で希釈して希釈薬液を調整し、この希釈薬液をさらに超純水に添加して希薄薬液とするものが用いられている。この希薄薬液製造装置は、図６に示すように、希釈薬液貯槽２１及び薬液貯槽２２と、この薬液貯槽２２から薬液Ｓを供給する送液ポンプ２４を備えた薬液供給管２３と、希釈液である超純水Ｗの供給手段２５及び希釈液供給管２６と、希釈薬液貯槽２１と超純水流路への注入点２９とを連通するダイヤフラムポンプ２８を備えた希釈薬液供給菅２７とを有する。そして、図７に示すように、希釈薬液供給菅２７は、超純水流路３１に注入点２９となる継手菅３２において連通している。なお、３３は開閉バルブである。
このような従来の希薄薬液製造装置においては、薬液貯槽２１に薬液Ｓ及び超純水Ｗを供給して、薬液Ｓをある程度希釈した希釈薬液Ｓ０を製造し、この希釈薬液Ｓ０を超純水流路３１に供給することで、さらに希釈して希薄薬液Ｓ１を調製している。しかしながら、この希薄薬液製造装置では、希釈薬液を製造する装置と、この希釈薬液を超純水に添加する装置との両方が必要になってしまい、設置場所の制約があるだけでなく、コストが増加してしまうという問題点がある。
そこで、微量の薬液（原液）を超純水に直接添加して希薄薬液を調製するようにして、装置の構成要素を少なくしてコンパクト化を図ることもあるが、極めて微量の原液Ｓを超純水にそのまま添加する際に、微量の薬液を安定的に供給することは困難である、という問題点がある。このような問題を解決するために、特許文献１には、薬液を貯留するタンク内の圧力をＮ２ガスなどにより制御し、この圧力により薬液を微量ずつ押し出して、直接超純水に供給することで希薄薬液を調製する装置が提案されている。
しかしながら、上記特許文献１に記載された希薄薬液製造装置は、薬液を貯留するタンク内の圧力を制御して、この圧力により微量の薬液を押し出すことで供給するものであるので、超純水の流量、薬液濃度、薬液を貯留するタンク内の圧力をそれぞれ測定して、希薄薬液の濃度が所定の値となるように微妙な圧力制御をしなければならず、装置構造が複雑化してしまう、という問題点がある。また、特許文献１に記載された希薄薬液製造装置は、超純水に対して精確に薬液を供給することが可能であるが、供給した薬液の超純水への均一な分散については課題がある。
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、簡単な構造で酸・アルカリ等の極めて低濃度の希薄薬液を安定的に製造することの可能な希薄薬液製造装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明は、第１の液体に対して第２の液体を添加することで該第２の液体の希薄薬液を製造する希薄薬液の製造装置であって、前記第１の液体を流す第１の配管と、前記第２の液体を貯留する原液タンクと、前記原液タンクと前記第１の配管とを接続する第２の配管と、前記第１の配管内に前記第２の配管を通じて前記第２の液体を添加するポンプと、前記第１の配管と前記第２の配管との接続箇所より前記第１の液体の流れ方向に対して下流側に設けられた導電率計測手段と、前記導電率計測手段の計測値に基づいて前記ポンプを制御する制御手段とを備える、希薄薬液製造装置を提供する（発明１）。
かかる発明（発明１）によれば、第１の液体に対する第２の液体の添加箇所である前記第１の配管と第２の配管との接続箇所より下流側で導電率を測定することにより、第２の液体の希薄薬液の濃度を推測することができるので、この導電率に基づいて第２の液体の注入量を制御することによって、第２の液体を所望の濃度に安定させた希薄薬液を供給することができる。
上記発明（発明１）においては、前記第２の配管の先端が前記第１の配管の内径に対して略中央の位置にまで挿入された状態で接続されていることが好ましい（発明２）。
第１の液体は配管内では層流状態で流れているので、薬液である第２の液体の添加量が微量であると第１の液体に偏在化しやすい。かかる発明（発明２）によれば、小径の第２の配管の配管を先端が前記第１の配管の内径に対して略中央の位置にまで挿入することにより、第１の配管内で均一に分散させることができる。
上記発明（発明１，２）においては、前記第１の配管には、前記第２の配管との接続箇所近傍に第１の屈曲部が設けられていることが好ましい（発明３）。
かかる発明（発明３）によれば、第１の液体に対する第２の液体の添加箇所である第１の配管と第２の配管との接続箇所近傍に屈曲部を設けることにより、第１の液体が乱流状態となるので、第２の液体が第１の液体に良好に拡散することができ、より均質な希薄薬液を製造することができる。
上記発明（発明３）においては、前記第１の配管は、前記第１の屈曲部と前記導電率計測手段との間に第２の屈曲部が形成されており、前記第１の屈曲部と前記第２の屈曲部との間隔が２０〜５０ｃｍであることが好ましい（発明４）。
かかる発明（発明４）によれば、導電率計測手段の手前で第１の屈曲部から２０〜５０ｃｍの箇所に第２の屈曲部を設けることにより、この第２の屈曲部で第１の液体と第２の液体との混合溶液が乱流状態となるので、第２の液体の第１の液体への拡散がさらに良好となり、導電率計測手段の測定値に基づく第２の液体の注入量をより正確に制御することができる。
上記発明（発明１〜４）においては、前記第１の配管における前記第２の配管の接続箇所と、前記導電率計測手段との間隔が３０〜７０ｃｍであることが好ましい（発明５）。
かかる発明（発明５）によれば、導電率計測手段を第１の液体に対する第２の液体の添加箇所から３０〜７０ｃｍとすることで、ポンプの制御における応答時間を短くすることができるので、希薄薬液の濃度を好適に制御することができる。
上記発明（発明１〜５）においては、前記第１の液体が超純水であり、前記第２の液体がアンモニアであることが好ましい（発明６）。
かかる発明（発明６）によれば、高純度の希薄アンモニア溶液とすることで、半導体ウェハの洗浄などの処理に好適に適用することができる。
本発明によれば、第１の液体に対する第２の液体の添加箇所である前記第１の配管と第２の配管との接続箇所より下流側で導電率を測定し、この導電率に基づいて第２の液体の注入量を制御することができるので、第２の液体を所望の濃度で安定させた希薄薬液を製造することができる。
図１及び図２は、本発明の第一の実施形態による希薄薬液製造装置を示している。図１において、希薄薬液製造装置１は、原液タンクである薬液貯槽２と、この薬液貯槽２から第２の液体である薬液Ｓを供給するポンプとしてのプランジャポンプ４と、第２の配管である薬液供給管３とを有する。薬液貯槽２には、該薬液貯槽２に薬液Ｓであるアンモニア溶液（原液）を補充する薬液供給手段５と、薬液貯槽２に不活性ガスであるＮ２ガスをパージガスとして供給するパージガス供給手段６とが連通しているとともに、圧力計測手段としての第１の圧力計７が設けられている。このプランジャポンプ４は、図示しない制御手段によって、後述する超純水流路１２の流量及び導電率計１４の計測値に応じて供給量を変動するよう制御可能となっている。
また、プランジャポンプ４のヘッド部には、ドレン配管８が接続されていて、このドレン配管８にはエア抜き機構である自動制御によるエア抜きバルブ９が設けられている。一方、薬液供給管３の途中には圧力計測手段としての第２の圧力計１０が設けられていて、その末端は薬液（アンモニア溶液）Ｓの注入点１１となっている。この第２の圧力計１０はエア抜きバルブ９を制御する制御手段（図示せず）に接続しており、この制御手段は、第２の圧力計１０の測定圧力が所定の値以下となったら、エア抜きバルブ９を作動するように制御する。そして、注入点１１は図２に示すように薬液供給管３が第１の液体である超純水Ｗの第１の配管としての超純水流路１２にボアスルー継手１３を介して接続している。
上述したような希薄薬液製造装置１において、薬液供給管３はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）などのフッ素系の樹脂製であり、その内径が０．１〜４ｍｍであることが好ましい。薬液供給管３の内径が４ｍｍより大きいと、供給する薬液Ｓが微量であるので薬液供給管３内を流れる流体の圧力勾配が小さくなりすぎるため、流量の制御が困難となる。一方、０．１ｍｍ以下の場合では、管内径が小さすぎて流体の圧力勾配が大きくなりすぎるため、かえって流量の制御が困難となるため好ましくない。なお、第１の配管としての超純水流路１２は、１０〜５０ｍｍ程度、特に２０〜４０ｍｍ程度の内径のものを用いればよい。
この薬液供給管３は、図２に示すように、その先端が注入点（接続箇所）１１となるボアスルー継手１３を介して第１の配管である超純水流路１２の径方向の略中央、例えば１／３〜２／３の位置、特に２／５〜３／５の位置にまで挿入されているのが好ましい。本実施形態では薬液（アンモニア溶液）Ｓの注入量が極めて微量であるため、薬液供給管３の先端が超純水流路１２の径方向における当該超純水流路１２の内径の１／３未満あるいは２／３を超える位置では、超純水流路１２内で薬液（アンモニア溶液）Ｓを均一に分散させることが困難となるため、好ましくない。
そして、注入点１１となるボアスルー継手１３より下流側には、導電率計測手段としての導電率計１４が設けられており、前述した制御手段（図示せず）に接続し、導電率計１４の測定値に応じてプランジャポンプ４を制御可能となっている。この導電率計１４の設置位置は、注入点（接続箇所）１１からの距離（間隔）が大きすぎると、プランジャポンプ４の制御における応答時間が長くなってしまう一方、小さすぎると薬液（アンモニア溶液）Ｓの均質化が十分でなく、導電率計による測定値の誤差が大きくなる恐れがあることから、注入点（接続箇所）１１から３０〜７０ｃｍの位置にあることが好ましい。なお、導電率計１４の流入管の径は細径である方が望ましく、例えば３〜６ｍｍ程度とすればよく、この流入管の長さは可能な限り短い方が好ましい。
次に上述したような構成を有する本実施形態の希薄薬液製造装置１を用いた希薄薬液の製造方法について説明する。
まず、薬液供給手段５から薬液貯槽２に所定量の薬液（アンモニア溶液）Ｓを貯留するとともに、パージガス供給手段６からＮ２ガスを供給する。このとき、Ｎ２ガスにより薬液貯槽２内を大気圧に対して０．０１〜１ＭＰａ程度加圧する状態として、薬液貯槽２内の薬液Ｓの気泡の発生を抑制する。この加圧条件は、使用する薬液Ｓの種類、周囲の温度、薬液Ｓの温度によって、上記範囲内で適宜選定し、第１の圧力計７により制御すればよい。なお、この加圧条件は薬液Ｓの供給のためのものではないので、供給量などに応じた精確な制御は不要である。
次に薬液貯槽２から薬液（アンモニア溶液）Ｓをプランジャポンプ４により薬液供給管３を介して注入点１１に供給する。この薬液供給管３を流通する薬液Ｓの流通圧力は、注入点１１における注入圧力よりわずかに高く設定しておくことが好ましい。例えば、注入点１１における注入圧力が０．３ＭＰａであれば、０，３１ＭＰａなどに設定しておく。また、このプランジャポンプ４による薬液Ｓの供給量は、０．００１〜３．０ｍＬ／分、特に０．０５〜１．５ｍＬ／分と非常に微量であり、上記範囲で超純水Ｗの流量に応じて薬液（アンモニア溶液）Ｓが所望の濃度となるようにプランジャポンプ４による供給量を制御可能となっている。
このようにプランジャポンプ４においては、薬液Ｓに気泡が存在してプランジャポンプ４内にエアが混入すると、プランジャポンプ４の小さなボールチャッキ弁に気泡が付着してしまってチャッキ効果を失うことにより、注入不良を生じるおそれがある。これにより所望とする濃度の薬液Ｓの希薄薬液を製造するのが困難となる。そこで、プランジャポンプ４にエアが混入すると、プランジャポンプ４から吐出される薬液Ｓの圧力が急激に低下することに着目し、第２の圧力計１０で薬液供給管３を流通する薬液Ｓの流通圧力を計測し、流通圧力が２０％程度低下、例えば薬液Ｓの流通圧力を０，３１ＭＰａに設定した場合には、０．２５ＭＰａ以下となったら、エアが混入したと判断する。
そして、エアが混入したと判断したら、第２の圧力計１０に接続した制御手段によりエア抜きバルブ９を作動させて、ドレン配管８に薬液Ｓを流通させてエア抜きバルブ９からエアを排出するとともに液体成分（薬液Ｓ）をドレンＤとして排出する。このように本実施形態においては、エア抜きバルブ９を自動弁として、圧力の低下を感知したらすぐにエア抜きを行うことができるので、薬液Ｓの注入量を設定した値に迅速に復旧することができる。
このようにして、所定量の薬液Ｓが薬液供給管３から注入点１１に供給される。そして、薬液Ｓはボアスルー継手１３を介して、超純水Ｗが流通する超純水流路１２に流入する。この際の超純水Ｗの流量は特に制限はないが、例えば７〜５２Ｌ／分程度とすればよい。このとき、薬液供給管３の先端は、超純水流路１２の内径に対して略中央、好ましくは１／３〜２／３の位置、特に２／５〜３／５の位置にまで挿入されているので、薬液Ｓを超純水流路１２内で超純水Ｗに均一に分散させることができ、アンモニア濃度の均質な希薄薬液Ｓ１を製造することができる。
そして、このアンモニアの希薄薬液Ｓ１の導電率を導電率計１４により測定する。このとき超純水Ｗの導電率をあらかじめ測定しておくことで、薬液Ｓの濃度を算出することができるので、所望とする薬液Ｓの濃度に対して差異がある場合には、図示しない制御手段によりプランジャポンプ４を制御して、薬液（アンモニア溶液）Ｓの供給量を微量に増加あるいは減少させることで、希薄薬液Ｓ１におけるアンモニアの濃度を安定化させることができる。このようなアンモニアの希薄薬液Ｓ１は、半導体ウェハの洗浄などの処理に好適に用いることができる。
次に、本発明の第二の実施形態による希薄薬液製造装置について、図３に基づいて説明する。図３に示すように、本実施形態の希薄薬液製造装置１は、超純水流路１２が屈曲しており、この超純水流路１２の第１の屈曲部１５に設けられたエルボ部材１６にボアスルー継手１３を介して薬液供給管３（注入点１１）が接続している。この薬液供給管３の先端は、超純水流路１２の内径に対して略中央、好ましくは１／３〜２／３の位置、特に２／５〜３／５の位置にまで挿入されている。そして、超純水流路１２の第１の屈曲部１５の流れ方向下流側に導電率計１４が設けられている。
この導電率計１４の設置位置は、注入点（接続箇所）１１からの距離（間隔）が大きすぎると、プランジャポンプ４の制御における応答時間が長くなってしまう一方、小さすぎると薬液（アンモニア溶液）Ｓの均質化が十分でなく、導電率計による測定値の誤差が大きくなるおそれがあることから、注入点（接続箇所）１１から３０〜７０ｃｍの位置にあることが好ましい。なお、導電率計１４の流入管の径は細径である方が望ましく、例えば３〜６ｍｍ程度とすればよく、この流入管の長さは可能な限り短い方が好ましい。
本実施形態のように注入点１１を超純水流路１２の第１の屈曲部１５を構成するエルボ部材１６に配置することにより、超純水流路１２の第１の屈曲部１５（エルボ部材１６）では超純水Ｗが乱流状態となっているので、薬液Ｓの超純水Ｗへの良好な拡散を期待することができ、より均質な希薄薬液Ｓ１を製造することができる。
さらに、本発明の第三の実施形態による希薄薬液製造装置について、図４に基づいて説明する。本実施形態では、前述した第二の実施形態において、超純水流路１２の第１の屈曲部１５と導電率計１４との間にさらに第２の屈曲部１７を形成したものである。これにより、希薄薬液Ｓ１が、第２の屈曲部１７において乱流状態となって、その濃度分布がより均質化する。これにより、このアンモニアの希薄薬液Ｓ１の導電率を導電率計１４により測定し、この測定値に基づいてアンモニアの濃度を算出した際の誤差が少なくなり、図示しない制御手段によりプランジャポンプを制御して、薬液（アンモニア溶液）Ｓの供給量を微量に増加あるいは減少させることで、希薄薬液Ｓ１におけるアンモニアの濃度をさらに安定化させることができる。
この場合において、第１の屈曲部１５と第２の屈曲部１７との間隔（ｔ）が２０ｃｍ未満では、第２の屈曲部を形成する効果が十分に得られない一方、５０ｃｍを超えると、配管が長大化し、希薄薬液製造装置１が大型化してしまうため、第１の屈曲部１５と第２の屈曲部１７との間隔を２０〜５０ｃｍとすることが好ましい。
以上、本発明の希薄薬液製造装置について、実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記実施形態に限定されず種々の変形実施が可能である。例えば、薬液Ｓはアンモニア溶液に限らず、例えば酸である塩酸、硫酸、フッ化水素酸、硝酸、炭酸水や、アルカリである水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液などを用いることができる。また、場合によっては水素、酸素、オゾン等のガス成分を溶解したガス溶解水に適用することもできる。さらに、導電率計測手段としては、導電率が算出できれば導電率計１４である必要はなく、比抵抗計を用いて、その逆数から導電率を算出してもよい。さらにまた、導電率計１４は超純水流路１２ではなく、別途測定用の流路を設けてもよい。そして、ポンプとしてはプランジャポンプ４に限らず、ダイヤフラムポンプなど他の給液機構に適用してもよい。なお、上述した各実施形態では、超純水Ｗを用いた場合について説明したが、超純水Ｗよりも純度の劣る純水に対して同様に適用することもできる。
以下に実施例及び比較例を示し、本発明をより具体的に説明する。ただし、本発明はこれらの記載により何ら限定されるものではない。
［実施例１］
図１及び図４に示す希薄薬液製造装置１を用い、薬液Ｓとして２９％の濃度のアンモニア溶液を原液として用いて希薄アンモニア溶液Ｓ１を製造した。なお、第１の屈曲部１５と第２の屈曲部１７との間隔（ｔ）を３０ｃｍとし、注入点（接続箇所）１１から導電率計１４までの距離は５０ｃｍとした。
図１及び図４に示す希薄薬液製造装置１を用い、薬液Ｓとして２９％の濃度のアンモニア溶液を原液として用いて希薄アンモニア溶液Ｓ１を製造した。なお、第１の屈曲部１５と第２の屈曲部１７との間隔（ｔ）を３０ｃｍとし、注入点（接続箇所）１１から導電率計１４までの距離は５０ｃｍとした。
この希薄薬液製造装置１において、超純水Ｗの通水量約２６Ｌ／分でアンモニア設定濃度３０ｐｐｍとして、この超純水Ｗの流量に応じて、プランジャポンプ４から注入量．０．７５ｍＬ／分でアンモニア原液Ｓを供給して、希薄薬液Ｓ１を製造した。
このとき、あらかじめ測定したアンモニア濃度３０ｐｐｍの希薄薬液Ｓ１の導電率が約４５．８μＳ／ｃｍであったので、導電率計１４により導電率を測定し、４５．８μＳ／ｃｍの導電率を基準として、図示しない制御手段によりプランジャポンプ４を制御した。このときの希薄薬液製造装置１のアンモニア希薄薬液Ｓ１の導電率の推移を図５に示す。
この実施例１の希薄薬液製造装置１でアンモニア希薄薬液Ｓ１を製造した場合には、導電率計１４によりプランジャポンプ４を制御しているので、超純水Ｗの通水量に変動があってもアンモニア濃度が約３０ｐｐｍと安定して希薄薬液Ｓ１を製造することができた。
［比較例１］
図６及び図７に示す従来の希薄薬液製造装置を用い、薬液Ｓとして２９％の濃度のアンモニア溶液を原液として用いて、希薄アンモニア溶液Ｓ１を製造した。
図６及び図７に示す従来の希薄薬液製造装置を用い、薬液Ｓとして２９％の濃度のアンモニア溶液を原液として用いて、希薄アンモニア溶液Ｓ１を製造した。
この希薄薬液製造装置において、超純水Ｗの通水量２６Ｌ／分でアンモニア設定濃度３０ｐｐｍとして、この超純水Ｗの流量に応じて、プランジャポンプ４から注入量．０．７５ｍＬ／分でアンモニア原液Ｓを供給して、希薄薬液Ｓ１を製造した。
比較例１の希薄薬液製造装置でアンモニア希薄薬液Ｓ１を製造した場合には、超純水Ｗの通水量の変動により、希薄薬液Ｓ１のアンモニア濃度も２７〜３３ｐｐｍで変動した。
１ 希薄薬液製造装置
２ 薬液貯槽（原液タンク）
３ 薬液供給管（第２の配管）
４ プランジャポンプ（ポンプ）
５ 薬液供給手段
６ パージガス供給手段
７ 第１の圧力計（圧力計測手段）
８ ドレン配管
９ エア抜きバルブ（エア抜き機構）
１０ 第２の圧力計（圧力計測手段）
１１ 注入点
１２ 超純水流路
１３ ボアスルー継手
１４ 導電率計（導電率計測手段）
１５ 第１の屈曲部
１６ エルボ部材
１７ 第２の屈曲部
Ｗ 超純水（第１の液体）
Ｓ 薬液（第２の液体：アンモニア溶液）
Ｓ１ アンモニア希薄薬液（希薄薬液）
２ 薬液貯槽（原液タンク）
３ 薬液供給管（第２の配管）
４ プランジャポンプ（ポンプ）
５ 薬液供給手段
６ パージガス供給手段
７ 第１の圧力計（圧力計測手段）
８ ドレン配管
９ エア抜きバルブ（エア抜き機構）
１０ 第２の圧力計（圧力計測手段）
１１ 注入点
１２ 超純水流路
１３ ボアスルー継手
１４ 導電率計（導電率計測手段）
１５ 第１の屈曲部
１６ エルボ部材
１７ 第２の屈曲部
Ｗ 超純水（第１の液体）
Ｓ 薬液（第２の液体：アンモニア溶液）
Ｓ１ アンモニア希薄薬液（希薄薬液）
Claims (6)
- 第１の液体に対して第２の液体を添加することで該第２の液体の希薄薬液を製造する希薄薬液の製造装置であって、
前記第１の液体を流す第１の配管と、
前記第２の液体を貯留する原液タンクと、
前記原液タンクと前記第１の配管とを接続する第２の配管と、
前記第１の配管内に前記第２の配管を通じて前記第２の液体を添加するポンプと、
前記第１の配管と前記第２の配管との接続箇所より前記第１の液体の流れ方向に対して下流側に設けられた導電率計測手段と、
前記導電率計測手段の計測値に基づいて前記ポンプを制御する制御手段と
を備える、希薄薬液製造装置。 - 前記第２の配管の先端が前記第１の配管の内径に対して略中央の位置にまで挿入された状態で接続されている、請求項１記載の希薄薬液製造装置。
- 前記第１の配管は、前記第２の配管との接続箇所近傍に第１の屈曲部が設けられている、請求項１又は２に記載の希薄薬液製造装置。
- 前記第１の配管は、前記第１の屈曲部と前記導電率計測手段との間に第２の屈曲部が形成されており、
前記第１の屈曲部と前記第２の屈曲部との間隔が２０〜５０ｃｍである、請求項３に記載の希薄薬液製造装置。 - 前記第１の配管における前記第２の配管の接続箇所と、前記導電率計測手段との間隔が３０〜７０ｃｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の希薄薬液製造装置。
- 前記第１の液体が超純水であり、前記第２の液体がアンモニアである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の希薄薬液製造装置。
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