CN117916860A

CN117916860A - 半导体制造用液体供给装置

Info

Publication number: CN117916860A
Application number: CN202280060622.6A
Authority: CN
Inventors: 饭野秀章
Original assignee: Kurita Water Industries Ltd
Current assignee: Kurita Water Industries Ltd
Priority date: 2021-09-07
Filing date: 2022-03-17
Publication date: 2024-04-19
Also published as: JP2023038642A; TW202311177A; JP7099603B1; WO2023037618A1

Abstract

本发明的半导体制造用液体供给装置(1)具有与超纯水(W)的供给源连通的供给管(2)、设置于该供给管(2)的中途的电导率调节剂供给机构(3)以及氧化还原电位调节剂供给机构(4)、膜式脱气装置(5)以及微粒去除过滤器(6)。供给管(2)分支为主配管(7)和排水配管(8)。在主配管(7)上设置有第一瞬时流量计(10)，主配管(7)还与单张式晶片洗涤装置(9)连通。在排水配管(8)上设置有第二瞬时流量计(11)，还设置有流量调整阀(12)。另外，在膜式脱气装置(5)与微粒去除过滤器(6)之间设置有传感器部(13)。而且，控制机构(15)能够对流量调整阀(12)进行控制。根据本发明，即使晶片洗涤装置中使用的流量变动也能够将半导体制造用液体的溶质浓度高精度地稳定在所期望的值并进行供给。

Description

半导体制造用液体供给装置

技术领域

本发明涉及在半导体用晶片的洗涤/冲洗工序中，能够高效且稳定地供给含有酸、碱或者有机溶剂等的溶液的半导体制造用液体供给装置，该含有酸、碱或者有机溶剂等的溶液用于针对露出于通过干式蚀刻等形成的微细的沟槽或细孔的布线材料或者栅极(gate)中使用的潮解性化合物来抑制腐蚀和溶解。

背景技术

近年来，随着半导体设备结构的微细化、立体化、高集成化，从降低布线电阻的观点出发，采用铜、钨、钴、钼等低电阻材料。由于这些金属容易腐蚀，因此，为了防止腐蚀，在硅晶片等洗涤/冲洗工序中，需要以极低浓度乃至小于几十％溶解有对控制pH、氧化还原电位有效的溶质的液体(以下，称为半导体制造用液体)。此外，有时栅极材料也会使用像MgO、La₂O₃那样在水本身中显示潮解性的材料，在这种情况下，不可避免地进行对pH、氧化还原电位的严格的浓度管理或者与有机溶剂并用。这些半导体制造用液体主要在单张式晶片洗涤装置中作为洗涤/冲洗液使用。

该半导体制造用液体以超纯水为基本材料，为了具有与洗涤或冲洗工序的目的相匹配的pH、氧化还原电位等液性，通过添加需要量的酸/碱、氧化剂/还原剂来制备。或者，针对药液，使用超纯水作为稀释液。进一步，有时也会将H₂、NH₃、O₃这样的还原性、碱性、酸性气体溶解在超纯水中，根据用途区分使用。作为这种半导体制造用液体的供给方法，存在使用泵的方法、使用密闭容器和N₂等非活性气体进行加压的方法，分别进行实用化。

特别是，向由复数个单张式晶片洗涤装置构成的用水点供给调整为低浓度的半导体制造用液体的装置的性能，从成品率提高的观点出发，对装置的运行台数的改变所伴随的流量变动的追随性比什么都重要。向单张式晶片洗涤装置输送半导体制造用液体时的流量变动大致有两种，一种是在洗涤装置自身启动时从完全不使用作为半导体制造用液体的所期望的洗涤溶液的状态到开始使用时产生的流量变动。对此，能够通过将直至洗涤溶液达到所期望的水质为止的启动所需要的期间预先编程为晶片洗涤机侧的时序图来避免。即，在启动初期直至浓度稳定在规定值为止的期间，只要输送到排水配管中并排出从而不用于晶片洗涤即可。

另一方面，在由以规定的流量使用作为用水点的单张式晶片洗涤装置中已经调整为低浓度的洗涤溶液的状态到改变单张式晶片洗涤装置的运行台数等造成洗涤溶液的使用流量频繁发生改变的情况下，通过使用流量计和水质计的反馈控制方式、使用流量计的比例控制方式来应对。然而，在制备与用水点处的用量对应的洗涤溶液来供给的一次性通过方式的半导体制造用液体供给装置中，在通水流路的中途，任一种控制方法的浓度控制均有限，对流量变动的浓度追随性不高，对于半导体行业要求的严格的浓度管理，仅通过流量计和使用该流量计的反馈控制或比例控制进行应对也是有限的。

另外，也存在将稀释至低浓度的洗涤溶液暂时储存在罐中，并通过气体加压或者泵输送的罐储存式的洗涤溶液的供给装置，但在该罐储存式的情况下，由于不能输送罐容量以上的洗涤溶液，因此，在晶片洗涤装置中的使用受限。另外，如果使罐容量过大，则半导体制造用液体的储存需要时间，并且需要确保设置空间，不方便。此外，在罐储存式中，每当晶片洗涤装置侧要求改变浓度时，都必须暂时废弃罐内的洗涤溶液，从环境负荷的观点出发，也不是好的方法。

因此，在洗涤溶液等半导体制造用液体的供给中，接受浓度监视器的信号进行PID控制、对超纯水流量的比例控制等使用各种方法对溶质浓度进行控制，以使溶质浓度处于所期望的范围。例如，专利文献1中公开了以精密地控制功能性流体在超纯水中的溶解量或混合量来生成精确的功能性流体浓度的功能水为目的来使用磁体机构的流量调整机构。另外，专利文献2中提出了作为流量控制方法，基于测量主流体的流量来输出测量值的信号的流量计和输入的该信号来控制其他流体的供给量的洗涤用气体溶解水供给装置的流量控制机构。进一步，专利文献3中提出了根据单张式晶片洗涤装置中使用的晶片洗涤水的方案中记载的流量值对流量控制阀进行反馈控制来进行浓度的控制的对基板的液体处理的供给装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第4786955号公报。

专利文献2：日本特开2003-334433号公报。

专利文献3：日本特开2018-206876号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，在使用专利文献1中记载的磁体机构的流量调整机构中，虽然能够进行精确的混合，但是存在流量变动时的追随性不充分的问题。另外，在专利文献2中记载的洗涤用气体溶解水供给装置的流量控制方法中，在应用于单张式晶片洗涤装置的情况下，存在输送液体过程中单张式晶片洗涤装置中的用量发生变化时的流量追随性不充分的问题。进一步，在专利文献3的对基板的液体处理的供给装置中，存在难以进行单张式晶片洗涤装置的流量变动时的微量的浓度控制的问题点。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供能够将半导体制造用液体的溶质浓度高精度地调整为所期望的值，并且即使晶片洗涤装置中使用的流量变动也能够稳定地供给半导体制造用液体的半导体制造用液体供给装置。

用于解决课题的手段

为了达成上述目的，本发明提供一种半导体制造用液体供给装置，其中，所述半导体制造用液体供给装置具有：供给溶剂的供给管；制备部，通过在所述溶剂中添加规定量的药液从而制备规定的浓度的半导体制造用液体；以及浓度控制部，对所述制备部进行管理，以使所述半导体制造用液体成为规定的药液浓度，所述供给管分支为在所述浓度控制部的后段与该供给管连接的排水配管和从该排水配管的连接部与用水点连通的主配管，在所述主配管上设置有流量测量机构，并且在所述排水配管上设置有能够与所述流量测量机构的测量值对应的流量调整机构(发明1)。特别是，在上述发明(发明1)中，优选的是，将所述主配管和排水配管的总流量大致设定为用水点的最大用量，通过所述流量调整机构使所述排水配管的流量变动从而能够对所述主配管的流量进行控制(发明2)。

根据上述发明(发明1、2)，将主配管和排水配管的总流量设定为晶片洗涤装置所需要的最大流量，通过排水配管的流量调整阀的开度调整主配管和排水配管这两个流路的流量，从而根据用水点的用量的变动使排水配管的流量变动，由此，能够向用水点供给半导体制造用液体而始终不会产生浓度变动。

在上述发明(发明1、2)中，优选的是，所述流量调整机构是阀，通过调整该阀的开度来调整流量(发明3)。另外，在上述发明(发明1，2)中，所述流量调整机构优选为流量调整阀或者恒压阀(发明4)。

根据上述发明(发明3、4)，通过阀、流量调整阀、恒压阀等调整排水配管的流量，从而能够向主配管供给与用水点的用量对应的量的半导体制造用液体。

在上述发明(发明1～4)中，优选的是，作为所述药液的注入机构，使用了泵或者通过非活性气体对填充有药液的密闭罐进行加压而挤出药液的输送机构(发明5)。

根据上述发明(发明5)，通过使用这些注入机构对相对于超纯水等溶剂的流量的药液的添加量进行控制，从而能够供给所期望的浓度的半导体制造用液体。能够进行。

在上述发明(发明1～5)中，优选的是，所述药液是导电性溶质，所述浓度控制部具有电导率计或者吸光光度计，能够基于该电导率计或者吸光光度计的测定值对所述药液的添加量进行控制(发明6)。

根据上述发明(发明6)，基于电导率计、吸光光度计的测定值计算出作为半导体制造用液体的导电性溶质的药液浓度，并基于该计算值对药液的注入量进行控制，从而能够供给相对于设定的药液浓度为规定的浓度范围的半导体制造用液体。

在上述发明(发明1～5)中，优选的是，所述药液是非导电性溶质，所述浓度控制部具有总有机碳分析仪(TOC计)或者吸光光度计，能够根据该总有机碳分析仪或者吸光光度计的测定值对所述药液的添加量进行控制(发明7)。

根据上述发明(发明7)，基于总有机碳分析仪或者吸光光度计的测定值计算出作为半导体制造用液体的非导电性溶质的药液浓度，并基于该计算值对药液的注入量进行控制，从而能够供给相对于设定的药液浓度为规定的浓度范围的半导体制造用液体。

发明的效果

根据本发明的半导体制造用液体供给装置，由于将主配管和排水配管的总流量设定为晶片洗涤装置所需要的最大流量，通过排水配管的流量调整阀的开度来调整主配管和排水配管这两个流路的流量，因此，通过与用水点的用量的变动对应地使排水配管的流量变动，能够供给半导体制造用液体而始终不会产生浓度变动。由此，能够成为对于埋入有例如显示腐蚀性或者潮解性的材料而成的晶片表面，能够将半导体制造用液体的溶质浓度高精度地调整为所期望的值，并且即使晶片洗涤装置中使用的流量变动也能够稳定地供给半导体制造用液体的半导体制造用液体供给装置。

附图说明

图1是表示根据本发明的一实施方式的半导体制造用液体供给装置的流程图。

图2是表示该实施方式的半导体制造用液体供给装置的药液的注入机构的一个例子的流程图。

图3是表示该实施方式的半导体制造用液体供给装置的药液的注入机构的另一例的流程图。

图4是表示比较例1的一次性通过方式的半导体制造用液体供给装置的流程图。

图5是表示实施例1的用水点的要求水量的变动和半导体制造用液体的电导率的曲线图。

图6是表示比较例1的用水点的要求水量的变动和半导体制造用液体的电导率的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图详细地说明本发明的半导体制造用液体供给装置。

[半导体制造用液体供给装置]

图1示出了根据本发明的一实施方式的半导体制造用液体供给装置。在图1中，半导体制造用液体供给装置1具有与作为溶剂的超纯水W的供给源连通的供给管2、设置于该供给管2的中途的作为制备部的电导率调节剂供给机构(EC)3、氧化还原电位调节剂供给机构(ORP)4、具有真空泵(VP)5A的作为脱气机构的膜式脱气装置5以及超滤膜等微粒去除过滤器6。在供给管2上，在微粒去除过滤器6的后段连接有排水配管8，从而分支为主配管7和排水配管8。在主配管7上设置有第一瞬时流量计(FIA)10，主配管7还与作为用水点的单张式晶片洗涤装置9连通。该单张式晶片洗涤装置9具有复数个洗涤机腔室9A、9B、9C……。另外，在排水配管8上设置有第二瞬时流量计(FIA)11，在该第二瞬时流量计11上附加设置有作为流量调整机构的流量调整阀12。作为该流量调整阀12，优选使用空气驱动式、电磁式等容易控制且响应短的阀。

另外，在膜式脱气装置5与微粒去除过滤器6之间设置有作为浓度控制部的传感器部13。对于该传感器部13，只要适当选择使用能够适当检测电导率调节剂、氧化还原电位调节剂的浓度的传感器部即可，并且只要由电导率计、ORP计等1个或2个以上构成即可。或者，对于臭氧等电导率计难以检测的药液，也可以使用流量计和采用UV吸光度法的浓度测量装置等传感器。进一步，根据需要，也可以设置总有机碳分析仪等。需要说明的是，14是对供给管2的流量进行控制的作为流量调整机构的流量调整阀。

而且，第一瞬时流量计10、第二瞬时流量计11以及传感器部13能够向PLC(可编程逻辑控制器)等控制机构15发送测量值，控制机构15能够根据这些发送结果对电导率调节剂供给机构3、氧化还原电位调节剂供给机构4、流量调整阀12以及流量调整阀14进行控制。

(制备部)

制备部具有设置于供给管2的中途的电导率调节剂供给机构3以及氧化还原电位调节剂供给机构4。而且，在本实施方式中，如图2所示，这些电导率调节剂供给机构3和氧化还原电位调节剂供给机构4分别由电导率调节剂的罐3A和添加药液的柱塞泵(P)3B以及氧化还原电位调节剂的罐4A和添加药液的柱塞泵(P)4B构成，通过控制机构15对这些柱塞泵3B、4B进行控制，从而能够调整各自的药液注入量。需要说明的是，电导率调节剂供给机构3也可以作为pH调节剂供给机构发挥作用。另外，电导率调节剂供给机构3以及氧化还原电位调节剂供给机构4也可以仅是任意一方。

优选的是，在添加药液后，在该浓度调整部中设置静态搅拌器那样的线路混合装置从而实现药液的均质化，通过调整配管系统和输送混合时的流量以使雷诺数达到4000以上，由此，在各液体的粘性、密度近似于±20％左右的情况下，不需要特别设置静态搅拌器，只要在配管上具有弯头、节流孔，就能够充分混合并使药液均质化。

(超纯水)

本实施方式中，作为原水的超纯水W，例如，优选的是，电阻率：18.1MΩ·cm以上；微粒：粒径50nm以上且1000个/L以下；活菌：1个/L以下；TOC(Total Organic Carbon：总有机碳)：1μg/L以下；总硅：0.1μg/L以下；金属类：1ng/L以下；离子类：10ng/L以下；过氧化氢：30μg/L以下；水温：25±2℃。

(药液)

本实施方式中，作为电导率调节剂，没有特别限定，在调整为小于pH7的情况下，能够使用盐酸、硝酸、硫酸、醋酸等酸性溶液。另外，在调整为pH7以上的情况下，能够使用氨、氢氧化钠、氢氧化钾或四甲基氢氧化铵(TMAH)等碱性溶液。另外，根据情况也可以使用CO₂等气体。

另外，作为氧化还原电位调节剂，在将氧化还原电位调整得较高的情况下，能够使用过氧化氢溶液等。另外，在将氧化还原电位调整得较低的情况下，能够使用草酸、硫化氢、碘化钾等溶液。另外，根据情况也可以使用臭氧(O₃)、氢(H₂)等气体。

[稀药液的供给方法]

然后，以下说明使用了如上所述的半导体制造用液体供给装置的半导体制造用液体的供给方法。

(半导体制造用液体制备工序)

从超纯水(DIW)W的供给源供给超纯水W，并且，从电导率调节剂供给机构3和氧化还原电位调节剂供给机构4分别供给电导率调节剂和氧化还原电位调节剂。此时，超纯水W的流量通过控制机构15由流量调整阀14来控制，以使其达到作为用水点的单张式晶片洗涤装置9的洗涤机腔室9A、9B、9C……全部运行时的最大量。而且，基于该超纯水W的流量，通过控制装置15对电导率调节剂供给机构3和氧化还原电位调节剂供给机构4进行控制以使电导率调节剂和氧化还原电位调节剂达到规定的浓度，从而调整电导率调节剂和氧化还原电位调节剂的添加量。需要说明的是，也可以仅添加电导率调节剂以及氧化还原电位调节剂中的任意一方。如此地制备的药液被输送到膜式脱气装置5，通过去除溶解气体成分，制备为半导体制造用液体W1。

此处，优选的是，半导体制造用液体W1为碱性溶液例如对于使用铜、钴、La₂O₃、MgO等的半导体材料是有效的，特别是在pH9～11的范围内有效地抑制这些材料的溶解。另外，在半导体材料包含铜、钴的情况下，通过将半导体制造用液体W1调整为pH9～11的范围且将氧化还原电位调整为0.1～1.7V的范围而产生钝化，进而能够期待抑制溶解。但是，即使仅在碱性条件下也能观察到抑制溶解的效果，因此，并不限于该氧化还原电位。对于碱的种类，从防止冲洗时的污染的观点出发，优选氨，但即使使用四甲基氢氧化铵(TMAH)、氢氧化钠等其他碱性溶液，对于抑制溶解和渗透也没有任何问题。另一方面，在半导体材料包含钨、钼的情况下，由于半导体制造用液体W1为酸性溶液是有效的，特别是从削减药液消耗量的观点出发，优选设为pH2～5。而且，通过降低氧化剂、溶解氧的浓度，能够期待进一步抑制溶解。对于酸性溶液的调整，盐酸的稀释或者碳酸气体的溶解广为人知，从抑制污染的观点来看，这些也是优选的。

(浓度控制工序)

对于如此地制备的半导体制造用液体W1，通过作为浓度控制部的传感器部13测量电导率/氧化还原电位(ORP)等，并将该测量值发送至控制机构15。控制机构15基于电导率值，根据需要对电导率调节剂供给机构3的柱塞泵3B进行控制，从而调整电导率调节剂的添加量。另一方面，基于氧化还原电位值，根据需要对氧化还原电位调节剂供给机构4的柱塞泵4B进行控制，从而调整氧化还原电位调节剂的添加量。如此地，能够将半导体制造用液体W1的电导率以及氧化还原电位始终调整为所期望的值。另外，在使半导体制造用液体W1的电导率以及氧化还原电位变动的情况下也能够同样地迅速制备。

在这样的浓度控制工序中，优选的是，在控制机构15中配备显示传感器部13的测量值的控制用内联监视器等来将各溶液浓度控制为误差±5以下。另外，在单张式晶片洗涤装置9的用量发生变动时容易产生浓度变动，通过设置于排水配管8的第二瞬时流量计11以及流量调整阀12和设置于主配管7的第一瞬时流量计10的输出对药液注入量、气体供给量等进行控制，从而即使单张式晶片洗涤装置9中使用的流量发生变动，也能够将浓度变动抑制在最小限的范围，并将稳定的洗涤的半导体制造用液体W1向单张式晶片洗涤装置9输送。

(半导体制造用液体W1的供给工序)

接着，半导体制造用液体W1通过微粒去除过滤器6后，从主配管7供给至单张式晶片洗涤装置9。此时，主配管7的流量是洗涤机腔室9A、9B、9C……中运行的机器的使用量的合计，因此，根据各洗涤机腔室的运行台数而变动。而且，在本实施方式中，由于在主配管7上设置有第一瞬时流量计10，因此，测定主配管7的流量，将该测量值发送至控制机构15。供给至供给管2的超纯水W的流量设定为作为用水点的单张式晶片洗涤装置9的复数个洗涤机腔室9A、9B、9C……全部运行时的最大量，因此，控制机构15以该最大量与使用量的差量成为排水配管8的流量的方式迅速调节流量调整阀12的开度并从排水配管8以排水D的形式排出。由此，由于能够始终将供给管2的流量、即半导体制造用液体W1的制备量保持为恒定，因此，即使各洗涤机腔室的运行台数发生变动，半导体制造用液体W1的用量发生变动，也能够以规定的浓度范围内的最小限的浓度变动供给半导体制造用液体W1。需要说明的是，排水D可以直接作为排水，也可以在通过各种处理去除电导率调节剂以及氧化还原电位调节剂后，回流到超纯水W的供给源。

以上，虽然是基于上述实施方式对本发明的半导体制造用液体供给装置进行了说明，但本发明未限定于上述实施方式，能够进行各种变形实施。例如，制备部的电导率调节剂供给机构3和氧化还原电位调节剂供给机构4并不限于图2所示的机构，如图3所示，也可以将电导率调节剂的罐3A和氧化还原电位调节剂的罐4A作为密闭罐，将作为非活性气体供给源的N₂气体供给源16与该罐3A和罐4A连接，通过未图示的流量调节机构从该N₂气体供给源16经由供给管17分别供给作为非活性气体的N₂气体，压送电导率调节剂和氧化还原电位调节剂，以成为所期望的溶质浓度的方式进行添加。另外，本发明不限于作为溶剂的超纯水W，也能够适用于IPA(异丙醇)等有机溶剂等。

进一步，传感器部13的结构可以根据溶质是导电性还是非导电性来适当改变即可。例如，在导电性溶质的情况下，只要设置电导率计、吸光光度计即可，在非导电性溶质的情况下，只要设置总有机碳分析仪、吸光光度计等即可。

此外，在上述实施方式中，也可以设置气体溶解膜并将所期望的气体成分溶解在半导体制造用液体W1中。需要说明的是，在供给管2的中途可以设置缓冲管、储存槽，也可以设置溶液的加热器等。另外，作为用水点，并不限于单张式晶片洗涤装置9，也能够适用于使用各种半导体制造用液体的装置。

实施例

通过以下具体的实施例进一步详细地说明本发明。

[实施例1]

在图1所示的半导体制造用液体供给装置1中，将主配管7与单张式晶片洗涤装置9连接，对层叠有钴的晶片进行洗涤。此时，从电导率调节剂供给机构3供给氨水，将稀释至10ppm的氨水作为洗涤溶液(半导体制造用液体W1)。需要说明的是，氧化还原电位调节剂供给机构4设定成什么都不供给。将该洗涤溶液的电导率处于25μS/cm±10％作为目标。该单张式晶片洗涤装置9具有5个处理用腔室，各腔室需要2L/分钟的洗涤溶液，模拟地控制各腔室的运行/停止，从而改变向单张式晶片洗涤装置9输送的洗涤溶液输送量。此时，供给管2的流量设定为晶片洗涤装置要求的最大流量即10L/分钟。在这样的处理中，测定与对单张式晶片洗涤装置9的洗涤溶液的要求量的变动对应的洗涤溶液的电导率。将结果示于图5。

[比较例1]

准备了图4所示的一次性通过方式的半导体制造用液体供给装置。在图4的半导体制造用液体供给装置1A中，对与前述的图1相同的构成要素标记相同的符号，省略其详细的说明。图4所示的半导体制造用液体供给装置1A不具有排水配管8，而是在膜式脱气装置5的后段设置有缓冲管21，在供给管2上设置有附加设置了瞬时流量计(FIA)14A的流量调整阀14。而且，设定成通过未图示的控制装置来追随单张式晶片洗涤装置9的要求流量，每次都调整供给管2的流量调整阀14的开度并调整流量，并且，调整来自电导率调节剂供给机构3的氨水的供给量以制备稀释为10ppm的氨水作为洗涤溶液(半导体制造用液体W1)并供给至单张式晶片洗涤装置9。

模拟地控制该单张式晶片洗涤装置的5个处理用腔室的运行/停止，与实施例1相同地改变向单张式晶片洗涤装置9输送的洗涤溶液输送量。测定与向该单张式晶片洗涤装置9输送的洗涤溶液的要求量的变动对应的洗涤溶液的电导率。将结果示于图6。另外，将根据这些结果计算出在实施例1以及比较例1中能够对应于晶片洗涤装置的腔室数的结果示于表1。

表1

从图5、图6以及表1可知，在实施例1的半导体制造用液体供给装置中，即使流量发生变动也处于±10％的浓度范围。而且，可知通过始终向供给管2通入作为晶片洗涤装置的最大要求流量的10L/分钟的稀氨水，即使在中途晶片洗涤装置的要求流量发生变动，也能够对此进行追随，并根据需要的流量供给稳定的浓度的稀氨水。相对于此，在作为一次性通过方式的半导体制造用液体供给装置的比较例1中，随着流量发生变动而尝试浓度调整，但应对不能追赶上，结果是浓度大幅变动。由此，可知在一次性通过方式中，即使在供给管2上具有用于缓和浓度的变动的缓冲管21，也不能追随流量变动，在短时间的变动中难以供给规定的电导率的洗涤溶液。

附图标记说明

1：半导体制造用液体供给装置。

2：供给管。

3：电导率调节剂供给机构(制备部)。

3A：罐。

3B：柱塞泵。

4：氧化还原电位调节剂供给机构(制备部)。4A：罐。

4B：柱塞泵。

5：膜式脱气装置。

5A：真空泵。

6：微粒去除过滤器。

7：主配管。

8：排水配管。

9：单张式晶片洗涤装置。

9A，9B，9C……洗涤机腔室。

10：第一瞬时流量计。

11：第二瞬时流量计。

12：流量调整阀(流量调整机构)。

13：传感器部(浓度控制部)。

14：流量调整阀。

15：控制机构。

16：N₂气体供给源(非活性气体供给源)。

17：供给管。

W：超纯水。

W1：半导体制造用液体。

D：排水。

Claims

1.一种半导体制造用液体供给装置，其中，

所述半导体制造用液体供给装置具有：

供给溶剂的供给管；

制备部，通过在所述溶剂中添加规定量的药液从而制备规定的浓度的半导体制造用液体；以及

浓度控制部，对所述制备部进行管理，以使所述半导体制造用液体成为规定的药液浓度，

所述供给管分支为在所述浓度控制部的后段与该供给管连接的排水配管和从该排水配管的连接部与用水点连通的主配管，

在所述主配管上设置有流量测量机构，并且在所述排水配管上设置有能够与所述流量测量机构的测量值对应的流量调整机构。

2.如权利要求1所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

将所述主配管和排水配管的总流量大致设定为用水点的最大用量，通过所述流量调整机构使所述排水配管的流量变动从而能够对所述主配管的流量进行控制。

3.如权利要求1或2所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

所述流量调整机构是阀，通过调整该阀的开度来调整流量。

4.如权利要求1或2所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

所述流量调整机构是流量调整阀或者恒压阀。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

作为所述药液的注入机构，使用了泵或者通过非活性气体对填充有药液的密闭罐进行加压而挤出药液的输送机构。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

所述药液是导电性溶质，所述浓度控制部具有电导率计或者吸光光度计，能够基于该电导率计或者吸光光度计的测定值对所述药液的添加量进行控制。的控制机构

7.如权利要求1～5中任一项所述的半导体制造用液体供给装置，其中，

所述药液是非导电性溶质，所述浓度控制部具有总有机碳分析仪或者吸光光度计，能够根据该总有机碳分析仪或者吸光光度计的测定值对所述药液的添加量进行控制。