JPH0521841B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0521841B2 JPH0521841B2 JP58134480A JP13448083A JPH0521841B2 JP H0521841 B2 JPH0521841 B2 JP H0521841B2 JP 58134480 A JP58134480 A JP 58134480A JP 13448083 A JP13448083 A JP 13448083A JP H0521841 B2 JPH0521841 B2 JP H0521841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultrapure water
- carbon dioxide
- dioxide gas
- resistivity
- permeable membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 41
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 28
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 17
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体の製造工程等において
用いられる超純水の比抵抗調整法に関するもので
ある。 ［従来の技術］ 従来、半導体の製造工程において、超純水（比
抵抗18MΩ程度）を使用して基板を洗浄する場合
に、超純水の比抵抗が高いために静電気が発生
し、そのため絶縁破壊を起したり、或いは微粒子
の吸着等が生じ得る等の不都合があつた。そこで
このような不都合を解消するために、一般には超
純水の流路にマグネシウムのメツシユを挿置して
超純水の比抵抗を低下させる方法が採られてい
る。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来採られてきた比
抵抗の低下方法では、マグネシウムが揮発性でな
く、またコロイド物質が生成されるために、半導
体製造プロセスにおける後の工程に影響を及ぼし
得るという問題があつた。 そこで、本発明は、上述のような従来の方法に
伴う問題点を解決して炭酸ガスを利用した超純水
の比抵抗調整法を提供することを目的としてい
る。 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明による超
純水の比抵抗調整法は、入口から出口へ向つて処
理すべき超純水を流すようにした超純水の処理室
内を横切つて伸びる炭酸ガスの疎水性透過性膜か
ら成る供給管部分をその一端から他端へ通つて炭
酸ガスを流し、処理室の入口から出口へ向かつて
流れている処理すべき超純水に疎水性透過性膜を
介して供給管部分内を流れている炭酸ガスを浸透
溶解させ、処理すべき超純水及び炭酸ガスの少な
くとも一方の流量を制御することにより超純水の
比抵抗を調整することを特徴としている。 ［作用］ このように構成した本発明の超純水の比抵抗調
整法においては、処理すべき超鈍水は処理室の入
口から出口へ向つて流され、また浸透溶解させる
べき炭酸ガスは超純水の処理室内を横切つて伸び
る炭酸ガスの疎水性透過性膜から成る供給管部分
をその一端から他端へ通つて流され、従つて流れ
状態において処理すべき超純水に疎水性透過性膜
を介して炭酸ガスが浸透溶解するため、疎水性透
過性膜は長期間疎水性を失わずに維持でき、長期
間に渡つて連続して超純水への微量の炭酸ガスの
導入を安定して行なうことができるようになる。 また、処理すべき超純水の流量または炭酸ガス
の流量を適当に制御することにより、超純水の比
抵抗は所望の値に容易に調整することができる。 さらに、処理すべき超純水及び炭酸ガスの相対
的流量を適当に設定するようにした場合には、超
純水の比抵抗の調整範囲を大きくできしかも比抵
抗の調整を効率的に行うことができる。 ［実施例］ 以下添付図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 図面には本発明の方法を実施するための装置の
一例を概略的に示し、この比抵抗調整器は、超純
水の処理室１とこの処理室１を横切つてのびる炭
酸ガスの供給管２とから成つている。処理室１内
を通る供給管２の部分は、微粒子の混入や気泡の
発生を防止ししかも供給管２内の炭酸ガスを処理
室１内へ透過させる疎水性透過性膜３で構成され
ている。この疎水性透過性膜３の材料としてはポ
リプロピレンを挙げることができるが、上述の特
性をもつものであれば他の材料を使用することも
できる。 このように構成した図示装置を用いて本発明の
方法を実施する場合には、処理すべき超純水は、
矢印で示すように入口４から処理室１内へ供給さ
れ、そして出口５へ向かつて流れていく際に供給
管２から疎水性透過性膜３を介して浸透してきた
炭酸ガスが溶解し、その結果、超純水の比抵抗は
低下される。この場合、炭酸ガスの流量及び（ま
たは）処理すべき超純水の流量または流速を適当
に制御することにより、超純水の比抵抗を所望の
値に容易に調整することができる。 次表には炭酸ガスの流量及び超純水の流量によ
用いられる超純水の比抵抗調整法に関するもので
ある。 ［従来の技術］ 従来、半導体の製造工程において、超純水（比
抵抗18MΩ程度）を使用して基板を洗浄する場合
に、超純水の比抵抗が高いために静電気が発生
し、そのため絶縁破壊を起したり、或いは微粒子
の吸着等が生じ得る等の不都合があつた。そこで
このような不都合を解消するために、一般には超
純水の流路にマグネシウムのメツシユを挿置して
超純水の比抵抗を低下させる方法が採られてい
る。 ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このような従来採られてきた比
抵抗の低下方法では、マグネシウムが揮発性でな
く、またコロイド物質が生成されるために、半導
体製造プロセスにおける後の工程に影響を及ぼし
得るという問題があつた。 そこで、本発明は、上述のような従来の方法に
伴う問題点を解決して炭酸ガスを利用した超純水
の比抵抗調整法を提供することを目的としてい
る。 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明による超
純水の比抵抗調整法は、入口から出口へ向つて処
理すべき超純水を流すようにした超純水の処理室
内を横切つて伸びる炭酸ガスの疎水性透過性膜か
ら成る供給管部分をその一端から他端へ通つて炭
酸ガスを流し、処理室の入口から出口へ向かつて
流れている処理すべき超純水に疎水性透過性膜を
介して供給管部分内を流れている炭酸ガスを浸透
溶解させ、処理すべき超純水及び炭酸ガスの少な
くとも一方の流量を制御することにより超純水の
比抵抗を調整することを特徴としている。 ［作用］ このように構成した本発明の超純水の比抵抗調
整法においては、処理すべき超鈍水は処理室の入
口から出口へ向つて流され、また浸透溶解させる
べき炭酸ガスは超純水の処理室内を横切つて伸び
る炭酸ガスの疎水性透過性膜から成る供給管部分
をその一端から他端へ通つて流され、従つて流れ
状態において処理すべき超純水に疎水性透過性膜
を介して炭酸ガスが浸透溶解するため、疎水性透
過性膜は長期間疎水性を失わずに維持でき、長期
間に渡つて連続して超純水への微量の炭酸ガスの
導入を安定して行なうことができるようになる。 また、処理すべき超純水の流量または炭酸ガス
の流量を適当に制御することにより、超純水の比
抵抗は所望の値に容易に調整することができる。 さらに、処理すべき超純水及び炭酸ガスの相対
的流量を適当に設定するようにした場合には、超
純水の比抵抗の調整範囲を大きくできしかも比抵
抗の調整を効率的に行うことができる。 ［実施例］ 以下添付図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。 図面には本発明の方法を実施するための装置の
一例を概略的に示し、この比抵抗調整器は、超純
水の処理室１とこの処理室１を横切つてのびる炭
酸ガスの供給管２とから成つている。処理室１内
を通る供給管２の部分は、微粒子の混入や気泡の
発生を防止ししかも供給管２内の炭酸ガスを処理
室１内へ透過させる疎水性透過性膜３で構成され
ている。この疎水性透過性膜３の材料としてはポ
リプロピレンを挙げることができるが、上述の特
性をもつものであれば他の材料を使用することも
できる。 このように構成した図示装置を用いて本発明の
方法を実施する場合には、処理すべき超純水は、
矢印で示すように入口４から処理室１内へ供給さ
れ、そして出口５へ向かつて流れていく際に供給
管２から疎水性透過性膜３を介して浸透してきた
炭酸ガスが溶解し、その結果、超純水の比抵抗は
低下される。この場合、炭酸ガスの流量及び（ま
たは）処理すべき超純水の流量または流速を適当
に制御することにより、超純水の比抵抗を所望の
値に容易に調整することができる。 次表には炭酸ガスの流量及び超純水の流量によ
【表】
なお、上記表の測定においては、透過性膜とし
てポリプロピレン製を使用し、その面積は500cm2
２とし、また原水としては18.2MΩの比抵抗をも
つ超純水を用いて測定した。この測定結果から認
められるように炭酸ガス及び処理すべき超純水の
流量を相対的に制御することにより、超純水の比
抵抗の調整範囲は大きくできしかも比抵抗の調整
を効率的に行うことができる。 図示装置では、炭酸ガス供給手段は管状に形成
されているが、例えば処理室１を疎水性透過性膜
で仕切り、炭酸ガス供給室として構成してもよ
い。 ［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、疎
水性透過性膜を介して処理すべき超純水に炭酸ガ
スを浸透溶解させ、処理すべき超純水及び炭酸ガ
スの少なくとも一方の流量を制御することにより
超純水の比抵抗を調整するので、超純水に異物が
混入することなしに超純水の比抵抗の自由にしか
も容易に調整することができる。この場合、流れ
状態において処理すべき超純水に疎水性透過性膜
を介して炭酸ガスが浸透溶解するため、疎水性透
過性膜は長期間疎水性を失わずに維持でき、長期
間に渡つて連続して超純水への微量の炭酸ガスの
導入を安定して行なうことができ、このことは半
導体製造プロセスに適用した場合長期間に渡つて
安定した動作を保証できる極めて有用な超純水供
給系を提供することが可能となる。そして本発明
の方法で処理した超純水は例えば半導体の製造プ
ロセスに使用した場合に後の工程に影響を及ぼす
ことがない。
てポリプロピレン製を使用し、その面積は500cm2
２とし、また原水としては18.2MΩの比抵抗をも
つ超純水を用いて測定した。この測定結果から認
められるように炭酸ガス及び処理すべき超純水の
流量を相対的に制御することにより、超純水の比
抵抗の調整範囲は大きくできしかも比抵抗の調整
を効率的に行うことができる。 図示装置では、炭酸ガス供給手段は管状に形成
されているが、例えば処理室１を疎水性透過性膜
で仕切り、炭酸ガス供給室として構成してもよ
い。 ［発明の効果］ 以上説明してきたように、本発明によれば、疎
水性透過性膜を介して処理すべき超純水に炭酸ガ
スを浸透溶解させ、処理すべき超純水及び炭酸ガ
スの少なくとも一方の流量を制御することにより
超純水の比抵抗を調整するので、超純水に異物が
混入することなしに超純水の比抵抗の自由にしか
も容易に調整することができる。この場合、流れ
状態において処理すべき超純水に疎水性透過性膜
を介して炭酸ガスが浸透溶解するため、疎水性透
過性膜は長期間疎水性を失わずに維持でき、長期
間に渡つて連続して超純水への微量の炭酸ガスの
導入を安定して行なうことができ、このことは半
導体製造プロセスに適用した場合長期間に渡つて
安定した動作を保証できる極めて有用な超純水供
給系を提供することが可能となる。そして本発明
の方法で処理した超純水は例えば半導体の製造プ
ロセスに使用した場合に後の工程に影響を及ぼす
ことがない。
図面は本発明の方法を実施している超純水の比
抵抗調整器を示す概略断面図である。 図中、１：処理室、２：炭酸ガスの供給管、
３：疎水性透過性膜。
抵抗調整器を示す概略断面図である。 図中、１：処理室、２：炭酸ガスの供給管、
３：疎水性透過性膜。
Claims (1)
- １ 入口から出口へ向つて処理すべき超純水を流
すようにした超純水の処理室内を横切つて伸びる
炭酸ガスの疎水性透過性膜から成る供給管部分を
その一端から他端へ通つて炭酸ガスを流し、処理
室の入口から出口へ向つて流れている処理すべき
超純水に疎水性透過性膜を介して供給管部分内を
流れている炭酸ガスを浸透溶解させ、処理すべき
超純水及び炭酸ガスの少なくとも一方の流量を制
御することにより超純水の比抵抗を調整すること
を特徴とする超純水の比抵抗調整法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13448083A JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13448083A JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6027603A JPS6027603A (ja) | 1985-02-12 |
| JPH0521841B2 true JPH0521841B2 (ja) | 1993-03-25 |
Family
ID=15129309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13448083A Granted JPS6027603A (ja) | 1983-07-25 | 1983-07-25 | 超純水の比抵抗調整法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6027603A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6265809A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Koyo Kikai Sangyo Kk | 二重ベルトコンベア |
| JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
| JP3814357B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2006-08-30 | 日本碍子株式会社 | 超純水の比抵抗調整方法および比抵抗調整装置 |
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| CN110087761B (zh) | 2016-12-20 | 2021-11-05 | Dic株式会社 | 电阻率值调整装置和电阻率值调整方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631432A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-30 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for dissolving gas into liquid |
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5933461Y2 (ja) * | 1980-11-17 | 1984-09-18 | 三菱レイヨン株式会社 | 飲料水への炭酸ガス溶解装置 |
-
1983
- 1983-07-25 JP JP13448083A patent/JPS6027603A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631432A (en) * | 1979-08-21 | 1981-03-30 | Ebara Infilco Co Ltd | Process for dissolving gas into liquid |
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002292362A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-08 | Kurita Water Ind Ltd | 比抵抗調整水製造装置 |
| JP4654526B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2011-03-23 | 栗田工業株式会社 | 比抵抗調整水製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6027603A (ja) | 1985-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100395081B1 (ko) | 오존수제조방법및장치 | |
| DE69834856T2 (de) | Reinigen von Halbleiterscheiben und Mikroelektronik-Substraten | |
| DE60316264T2 (de) | Hohlfasermembrankontaktvorrichtung und -verfahren | |
| JPH10324502A (ja) | 超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法 | |
| DE60107184T2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung des spezifischen Widerstandes von ultra reinem Wasser | |
| JPH0521841B2 (ja) | ||
| JP3690569B2 (ja) | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 | |
| Bhattacharjee et al. | A model of membrane fouling by salt precipitation from multicomponent ionic mixtures in crossflow nanofiltration | |
| JP3951385B2 (ja) | 液体中の溶存ガス濃度の調整装置及び調整方法 | |
| JP4151088B2 (ja) | 水素含有超純水の供給装置 | |
| JP3966482B2 (ja) | 超純水の比抵抗調整方法及びこれを用いた純水製造装置 | |
| JPH07180076A (ja) | アルシンの電解発生方法及び装置 | |
| JP4278211B2 (ja) | プリコート式ろ過脱塩装置のプリコート方法 | |
| KR102275626B1 (ko) | 희석액 제조장치 및 희석액 제조방법 | |
| JP4654526B2 (ja) | 比抵抗調整水製造装置 | |
| JP2003010660A (ja) | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 | |
| KR100519391B1 (ko) | 이산화탄소가스를초순수에첨가하는장치및그방법 | |
| JP2000070887A (ja) | 炭酸ガス溶存純水供給方法及び炭酸ガス溶存純水供給ユニット並びにそれを備えた基板処理装置 | |
| JP3786232B2 (ja) | 超純水の比抵抗調整装置及び方法 | |
| JPS63178843A (ja) | 感光性塗布液の処理方法 | |
| JP2002172318A (ja) | 超純水の比抵抗調整装置及び調整方法 | |
| JP3814357B2 (ja) | 超純水の比抵抗調整方法および比抵抗調整装置 | |
| JPS59173184A (ja) | 超純水の比抵抗制御装置 | |
| JPH04156903A (ja) | 脱気膜装置 | |
| JPS6490003A (en) | Separator |