JPS62198127A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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- JPS62198127A JPS62198127A JP3986186A JP3986186A JPS62198127A JP S62198127 A JPS62198127 A JP S62198127A JP 3986186 A JP3986186 A JP 3986186A JP 3986186 A JP3986186 A JP 3986186A JP S62198127 A JPS62198127 A JP S62198127A
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（り産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハの洗浄方法、特に半導体ウェハ表
面の酸化膜を除去した後に行う親水性処理方法に関する
。
面の酸化膜を除去した後に行う親水性処理方法に関する
。
（ロ）従来の技術
シリコン基板表面の酸化膜を除去した後、露出されたシ
リコン基板表面は疎水性になる。このためパーティクル
と呼ばれる粒子状のごみや水に含まれる不純物が乾燥後
はじかれてシリコン基板上に集中的に点在して残る。断
るパーティクル等を放置するとその上に伸管した酸化膜
が特に異方性エツチング停でエツチングされずその部分
が残ってしまうおそれがある。これを防止するために第
３図に示す如く、弗酸（ＨＦ）で酸化膜を除去した後、
一般的に親水性処理を行っている。この親水性処理は具
体的に硫酸（Ｍａｓｏｎ／ ｕｌｏ＞、硝酸（ＨＮＯＩ
／Ｈｔｏ）、アンモニアと過酸化水素水（ＮＨｓＯＨ＋
１１ｚＯ＊／１（！Ｏ）、過酸化水素水（ＨｔＯｚ／
ＨｔＯ）にウェハを浸漬して行い、露出したシリコン
基板表面を薄く酸化している。
リコン基板表面は疎水性になる。このためパーティクル
と呼ばれる粒子状のごみや水に含まれる不純物が乾燥後
はじかれてシリコン基板上に集中的に点在して残る。断
るパーティクル等を放置するとその上に伸管した酸化膜
が特に異方性エツチング停でエツチングされずその部分
が残ってしまうおそれがある。これを防止するために第
３図に示す如く、弗酸（ＨＦ）で酸化膜を除去した後、
一般的に親水性処理を行っている。この親水性処理は具
体的に硫酸（Ｍａｓｏｎ／ ｕｌｏ＞、硝酸（ＨＮＯＩ
／Ｈｔｏ）、アンモニアと過酸化水素水（ＮＨｓＯＨ＋
１１ｚＯ＊／１（！Ｏ）、過酸化水素水（ＨｔＯｚ／
ＨｔＯ）にウェハを浸漬して行い、露出したシリコン
基板表面を薄く酸化している。
従来の方法は第４図に示す如く、弗酸（ＨＦ／Ｈ＊Ｏ）
を入れた洗浄槽（１１）内に半導体ウェハ（１２）を浸
漬してシリコン基板表面の酸化膜を除去した後、硫酸（
ＨｔＳＯｉ／ ＨｚＯ）あるいは硝酸（ＨＮＯ，／Ｈ，
０）等を入れた別の洗浄槽（１３）内生導体ウェハ（１
２）を移してシリコン基板表面に薬液を伸管して表面を
薄く酸化して親水性処理を行っている。
を入れた洗浄槽（１１）内に半導体ウェハ（１２）を浸
漬してシリコン基板表面の酸化膜を除去した後、硫酸（
ＨｔＳＯｉ／ ＨｚＯ）あるいは硝酸（ＨＮＯ，／Ｈ，
０）等を入れた別の洗浄槽（１３）内生導体ウェハ（１
２）を移してシリコン基板表面に薬液を伸管して表面を
薄く酸化して親水性処理を行っている。
従来の洗浄技術については工業調査会発行「最新ＬＳＩ
プロセス技術、第１０５頁〜第１２４頁に詳しく記載さ
れている。
プロセス技術、第１０５頁〜第１２４頁に詳しく記載さ
れている。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら斯上した親水性処理では薬液処理を行うた
めに薬液中に含まれるパーティクルが付着したり、薬液
を含有する酸化膜がシリコン基板表面に形成され、これ
が欠陥の原因や素子の電気的特性の変動の原因となる欠
点があった。また薬液処理のため薬液の濃度や温度を一
定にコントロールしなければならず、工程的にも煩然と
なる欠点も有している。
めに薬液中に含まれるパーティクルが付着したり、薬液
を含有する酸化膜がシリコン基板表面に形成され、これ
が欠陥の原因や素子の電気的特性の変動の原因となる欠
点があった。また薬液処理のため薬液の濃度や温度を一
定にコントロールしなければならず、工程的にも煩然と
なる欠点も有している。
（ニ）問題点を解決するための手段
本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、親水性処理を行
う水槽内にオゾンを供給することにより従来の欠点を大
巾に改善したパーティクル等が付着しない半導体ウェハ
の洗浄方法を提供するものである。
う水槽内にオゾンを供給することにより従来の欠点を大
巾に改善したパーティクル等が付着しない半導体ウェハ
の洗浄方法を提供するものである。
（ネ）作用
木発明に依れば、親水性処理を行う水槽内にはオゾンガ
スのみを供給しているので、水槽内は薬液に含まれるパ
ーティクル等が混入することがなく常に汚染されない水
槽内で親水性処理を行なえる。
スのみを供給しているので、水槽内は薬液に含まれるパ
ーティクル等が混入することがなく常に汚染されない水
槽内で親水性処理を行なえる。
（へ）実施例
本発明に依る半導体ウェハの洗浄方法を第１図および第
２図を参照して詳述する。
２図を参照して詳述する。
木発明に依る半導体ウェハの洗浄方法は第１図に示す如
く、酸化膜除去工程とオゾンをバブリングした水洗工程
で構成されている。酸化膜除去工程は弗＃（ｕＦ／ｌｔ
、ｏ）液内に半導体ウェハを浸漬してシリコン基板表面
の酸化膜を全部あるいは選択的に除去している。斯る酸
化膜除去工程はエピタキシャル成長前、拡散領域形成前
、イオン注入前、コンタクト形成前等に実施され、シリ
コン基板全表面あるいは所望の一部分を露出している。
く、酸化膜除去工程とオゾンをバブリングした水洗工程
で構成されている。酸化膜除去工程は弗＃（ｕＦ／ｌｔ
、ｏ）液内に半導体ウェハを浸漬してシリコン基板表面
の酸化膜を全部あるいは選択的に除去している。斯る酸
化膜除去工程はエピタキシャル成長前、拡散領域形成前
、イオン注入前、コンタクト形成前等に実施され、シリ
コン基板全表面あるいは所望の一部分を露出している。
露出されたシリコン基板表面はそれ自身一種の触媒作用
をもっており、多くの物質の吸若能をもっている。この
ために親水性処理を直ちに行う必要がある。
をもっており、多くの物質の吸若能をもっている。この
ために親水性処理を直ちに行う必要がある。
本発明の特徴は次の洗浄工程にある。本工程は薬液処理
を一切行なわず、オゾン（０，）ガスをバブリングした
水槽内に半導体ウェハを浸漬して行う。そしてオゾンガ
スより発生する活性期の酸素イオンで露出したシリコン
基板表面を酸化して親水性処理を行うのである。この結
果露出したシリコン基板表面にパーティクル等が付着す
るおそれがなくなる。
を一切行なわず、オゾン（０，）ガスをバブリングした
水槽内に半導体ウェハを浸漬して行う。そしてオゾンガ
スより発生する活性期の酸素イオンで露出したシリコン
基板表面を酸化して親水性処理を行うのである。この結
果露出したシリコン基板表面にパーティクル等が付着す
るおそれがなくなる。
第２図は本発明を適用した洗浄装置を説明する断面図で
ある。洗浄槽は第１槽（１）と第２槽（２）とを一体に
して形成され、第１槽（１）内には酸化膜のエツチング
を行う弗酸（ＨＦ／ＨＩＯ）より成るエツチング液（３
）を入れ、底面には加熱用ヒーター（４）を設けている
。第２槽（２〉内には洗浄のための水（５）が入れられ
、第２槽（２〉の下部に多孔を有するパイプ（６）を配
置してオゾン（０，）が下から吹き出す様になっている
。なお第２槽（２）下にもヒーター（７）を設けて処理
時間を短縮している。ま″た第２槽（２）にはきれいな
水が供給され、下部のドレイン（８）より排出されてい
る。
ある。洗浄槽は第１槽（１）と第２槽（２）とを一体に
して形成され、第１槽（１）内には酸化膜のエツチング
を行う弗酸（ＨＦ／ＨＩＯ）より成るエツチング液（３
）を入れ、底面には加熱用ヒーター（４）を設けている
。第２槽（２〉内には洗浄のための水（５）が入れられ
、第２槽（２〉の下部に多孔を有するパイプ（６）を配
置してオゾン（０，）が下から吹き出す様になっている
。なお第２槽（２）下にもヒーター（７）を設けて処理
時間を短縮している。ま″た第２槽（２）にはきれいな
水が供給され、下部のドレイン（８）より排出されてい
る。
断る洗浄槽の第１槽（１）内の治具に収納した半導体ウ
ェハ（９）を浸漬し所望の酸化膜の除去を行った後、直
ちに隣接した第２槽（２）に半導体ウェハ（９）を浸漬
してパイプ（６）よりオゾンガスを供給し、オゾンより
発生する活性期の酸素イオンを利用して親水性処理を行
っている。この方法に依れば、オゾンが気体であるので
洗浄液である水の汚染は伴なわずに酸素イオンを供給し
統ける。これによりシリコン基板表面の酸化を促進でき
親水性処理が行なえるので極めてクリーンな洗浄を安定
して行なえる。
ェハ（９）を浸漬し所望の酸化膜の除去を行った後、直
ちに隣接した第２槽（２）に半導体ウェハ（９）を浸漬
してパイプ（６）よりオゾンガスを供給し、オゾンより
発生する活性期の酸素イオンを利用して親水性処理を行
っている。この方法に依れば、オゾンが気体であるので
洗浄液である水の汚染は伴なわずに酸素イオンを供給し
統ける。これによりシリコン基板表面の酸化を促進でき
親水性処理が行なえるので極めてクリーンな洗浄を安定
して行なえる。
＜ト）発明の効果
本発明に依れば、第１にオゾンを酸素イオン発生源とし
て用いるので洗浄液の希釈化等のおそれがなく酸素イオ
ンでシリコン基板表面を直ちに酸化して親水性処理が行
なえる利点を有する。
て用いるので洗浄液の希釈化等のおそれがなく酸素イオ
ンでシリコン基板表面を直ちに酸化して親水性処理が行
なえる利点を有する。
第２にオゾンは気体であるので注入しても洗浄液がゴミ
等で汚染されるおそれがなくなり、パーティクル等を大
巾に減少できる利点を有する。
等で汚染されるおそれがなくなり、パーティクル等を大
巾に減少できる利点を有する。
第３に水洗をベースとしているので、シリコン基板表面
には薬液を含む不安定な酸化膜の生成を防止できる利点
を有する。
には薬液を含む不安定な酸化膜の生成を防止できる利点
を有する。
第４にオゾンを用いるので洗浄液の温度を上げても酸素
イオンを一定量供給でき、洗浄効果を従来より大巾に向
上できる利点を有する。
イオンを一定量供給でき、洗浄効果を従来より大巾に向
上できる利点を有する。
第５にパーティクル等の減少に伴い酸化膜に発生する欠
陥を低減でき、汚染されない酸化膜の生成により素子の
電気的特性の変動を防止できる利点を有する。
陥を低減でき、汚染されない酸化膜の生成により素子の
電気的特性の変動を防止できる利点を有する。
第１図は本発明に依る半導体ウェハの洗浄方法を説明す
るフローチャート図、第２図は本発明に用いる洗浄装置
を説明する断面図、第３図は従来の半導体ウェハの洗浄
方法を説明するフローチャート図、第４図は従来用いて
いた洗浄装置を説明する断面図である。 （１）は第１槽、 （２）は第２槽、 （３〉はエツ
チング液、 （５）は水、 （６）はバイブ、 （８
）はドレイン、 （９）は半導体ウェハである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図
るフローチャート図、第２図は本発明に用いる洗浄装置
を説明する断面図、第３図は従来の半導体ウェハの洗浄
方法を説明するフローチャート図、第４図は従来用いて
いた洗浄装置を説明する断面図である。 （１）は第１槽、 （２）は第２槽、 （３〉はエツ
チング液、 （５）は水、 （６）はバイブ、 （８
）はドレイン、 （９）は半導体ウェハである。 出願人 三洋電機株式会社 外１名 代理人 弁理士 佐 野 静 夫 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ表面の酸化膜を除去した後オゾンを
供給する水槽内に前記半導体ウェハを浸漬して親水性処
理を行うことを特徴とする半導体ウェハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3986186A JPS62198127A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3986186A JPS62198127A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198127A true JPS62198127A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12564752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3986186A Pending JPS62198127A (ja) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198127A (ja) |
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-
1986
- 1986-02-25 JP JP3986186A patent/JPS62198127A/ja active Pending
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