JPS59173184A - 超純水の比抵抗制御装置 - Google Patents
超純水の比抵抗制御装置Info
- Publication number
- JPS59173184A JPS59173184A JP4704283A JP4704283A JPS59173184A JP S59173184 A JPS59173184 A JP S59173184A JP 4704283 A JP4704283 A JP 4704283A JP 4704283 A JP4704283 A JP 4704283A JP S59173184 A JPS59173184 A JP S59173184A
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- Japan
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- ultrapure water
- carbon dioxide
- gaseous carbon
- membrane
- specific resistance
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- Pending
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- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体製造分野で使用される超純水の比抵抗
を低下させる超純水の比抵抗制御装置に関する。
を低下させる超純水の比抵抗制御装置に関する。
超純水は工業用水中の微粒子、生菌、有機物、塩類等ｔ
濾過、イオン交換樹脂、活性炭、逆浸透膜、限外濾過膜
、紫外線照射などの手段の組合わせによシ除去して製造
し、半導体製造分野では製造したウェハにこの超純水１
漏圧（３００〜３ｏｏｏ ｐ−ｉ ）でスプレーし、ジ
ェット作用で洗浄を行っている。しかし、その際圧力の
高さと、スプレーする超純水の比抵抗の大きさに比例し
てウェハに静電気を発生させる欠点があるので超純水の
比抵抗を低下させることが要望さｎている。
濾過、イオン交換樹脂、活性炭、逆浸透膜、限外濾過膜
、紫外線照射などの手段の組合わせによシ除去して製造
し、半導体製造分野では製造したウェハにこの超純水１
漏圧（３００〜３ｏｏｏ ｐ−ｉ ）でスプレーし、ジ
ェット作用で洗浄を行っている。しかし、その際圧力の
高さと、スプレーする超純水の比抵抗の大きさに比例し
てウェハに静電気を発生させる欠点があるので超純水の
比抵抗を低下させることが要望さｎている。
そこで本発明は酢酸セルロース系、ポリアミド系、ポリ
スルフォン系、ポリアクリルニトリル系等の公知の限外
濾過膜、逆浸透膜などの透過膜を用いた気液接触装置を
使用して超純水と炭酸ガスを接触させ、とｎによシ超純
水に炭酸ガスを溶解して超純水の比抵抗を下げ、スプレ
ーノズルからウェハに噴射してウェハを洗浄してもウェ
ハに静電気を発生させない様にしたのであって、以下、
図示の一実施例を参照して説明する。
スルフォン系、ポリアクリルニトリル系等の公知の限外
濾過膜、逆浸透膜などの透過膜を用いた気液接触装置を
使用して超純水と炭酸ガスを接触させ、とｎによシ超純
水に炭酸ガスを溶解して超純水の比抵抗を下げ、スプレ
ーノズルからウェハに噴射してウェハを洗浄してもウェ
ハに静電気を発生させない様にしたのであって、以下、
図示の一実施例を参照して説明する。
／は透過膜を用いた気液接触装置で、透過膜の形状はス
パイラル形でも、中空糸形でもよいが、この実施例では
縦型カラムｌ′の上端部の入口室／ａの下面と、下端部
の出口室／ｂの上面に多数の中空糸形造過膜コ・・・の
各端を取付けて室／ａ、ｌｂ内に連通させ、こｎにょシ
上記両室１ａ、／ｂの間の中間室ＩＣ内には夫々透過膜
で区画さｎた二つの区画、即ち各透過膜の中空部によ多
形成した区画３ａと、各７透過膜の外に形成さｎた区画
３ｂを設け、比抵抗値を下げるべき超純水は区画３αに
供給するため供給管１１ｆ入口室／（ＬＶＣ接続し、比
抵抗値の下がった超純水を得るため排出管、Ｓ全出口室
／ｂＶＣ接続・し、又、他方の区劃３ｂに炭酸ガスを供
給するため中間室／Ｃの側面上部には炭酸ガスの給気管
６を接続する。
パイラル形でも、中空糸形でもよいが、この実施例では
縦型カラムｌ′の上端部の入口室／ａの下面と、下端部
の出口室／ｂの上面に多数の中空糸形造過膜コ・・・の
各端を取付けて室／ａ、ｌｂ内に連通させ、こｎにょシ
上記両室１ａ、／ｂの間の中間室ＩＣ内には夫々透過膜
で区画さｎた二つの区画、即ち各透過膜の中空部によ多
形成した区画３ａと、各７透過膜の外に形成さｎた区画
３ｂを設け、比抵抗値を下げるべき超純水は区画３αに
供給するため供給管１１ｆ入口室／（ＬＶＣ接続し、比
抵抗値の下がった超純水を得るため排出管、Ｓ全出口室
／ｂＶＣ接続・し、又、他方の区劃３ｂに炭酸ガスを供
給するため中間室／Ｃの側面上部には炭酸ガスの給気管
６を接続する。
炭酸ガスはこの実施例ではボンベ７から供給し、メンブ
ランフィルタｇで微粒子を除去し泥のち、圧力調整弁９
を経て給気管６からカラムの中間これてよシ中間室ＩＣ
内では内部に供給された炭酸ガスと、各中空糸形造過膜
コ甲を流ｎる超純水が透過膜の膜面を介して接触し、超
純水中に炭酸ガスが溶は込む。従って、出口室ｌｂから
排出管Ｓには比抵抗の低下した超純水が排出さｎる。排
出管に排出さｎる超純水の比抵抗値の制御は、この実施
例の様に炭酸ガスをボンベ７から供給する場合は、排出
管Ｓｖｃ超純水の電導度’ｉｋ １１１足し、好ましく
は記録する亀導度計などの測定手段１０を設け、その測
定値に基ずく信号で圧力調整弁デの開度を調整し炭酸ガ
スの供給圧を調節することによシ行う。
ランフィルタｇで微粒子を除去し泥のち、圧力調整弁９
を経て給気管６からカラムの中間これてよシ中間室ＩＣ
内では内部に供給された炭酸ガスと、各中空糸形造過膜
コ甲を流ｎる超純水が透過膜の膜面を介して接触し、超
純水中に炭酸ガスが溶は込む。従って、出口室ｌｂから
排出管Ｓには比抵抗の低下した超純水が排出さｎる。排
出管に排出さｎる超純水の比抵抗値の制御は、この実施
例の様に炭酸ガスをボンベ７から供給する場合は、排出
管Ｓｖｃ超純水の電導度’ｉｋ １１１足し、好ましく
は記録する亀導度計などの測定手段１０を設け、その測
定値に基ずく信号で圧力調整弁デの開度を調整し炭酸ガ
スの供給圧を調節することによシ行う。
つま力、第２図に示す様にカラムの中間室ＩＱの内部に
は谷甲空糸透過膜ユ・・・甲を流ｎる超純水の一部が膜
を込過して貯シ、膜外の水と炭酸ガスの界面゛／／は供
給管６から供給さｎる炭酸ガスの圧力によって定まる。
は谷甲空糸透過膜ユ・・・甲を流ｎる超純水の一部が膜
を込過して貯シ、膜外の水と炭酸ガスの界面゛／／は供
給管６から供給さｎる炭酸ガスの圧力によって定まる。
そして、排出管にイー；）らｎる炭酸ガスを溶解した超
純水の比抵抗値が所定の範囲の上限を越えて上ろうとし
た場合は圧力調整弁りの開度を更に開き、炭酸ガス供給
圧を高める。こｎによシ界面ｌ／は炭酸ガスで押さｎて
下がシ、その分だけ中空糸中の超純水が膜面を介し、て
炭酸ガスと接触する接触面積は大きくな夛、超純水への
炭酸ガス溶解量が増し、比抵抗値は下がる。逆に圧力調
整弁の開度が小さくなシ、炭酸ガス供給圧が低くなると
界面／／は上がシ、接触面積は減少するので炭酸ガスの
溶解量は減る。
純水の比抵抗値が所定の範囲の上限を越えて上ろうとし
た場合は圧力調整弁りの開度を更に開き、炭酸ガス供給
圧を高める。こｎによシ界面ｌ／は炭酸ガスで押さｎて
下がシ、その分だけ中空糸中の超純水が膜面を介し、て
炭酸ガスと接触する接触面積は大きくな夛、超純水への
炭酸ガス溶解量が増し、比抵抗値は下がる。逆に圧力調
整弁の開度が小さくなシ、炭酸ガス供給圧が低くなると
界面／／は上がシ、接触面積は減少するので炭酸ガスの
溶解量は減る。
炭酸ガスの供給源がこの実施例の様にボンベ等、供給圧
が一定でない場合は、排出管に設けた測定手段で超純水
中に溶解した炭酸ガスの溶解量を電導度で検出し、こｎ
に応じて圧力調節弁の開度を調整し、炭酸ガスの供給圧
を最適に制御するー。
が一定でない場合は、排出管に設けた測定手段で超純水
中に溶解した炭酸ガスの溶解量を電導度で検出し、こｎ
に応じて圧力調節弁の開度を調整し、炭酸ガスの供給圧
を最適に制御するー。
しかし、炭酸ガスは化学反応、例えば炭酸塩又は重炭酸
塩に鉱ｒＲヲ反応させ、一定圧で供給してもよく、この
場合は炭酸ガスの供給圧は常時一定なので排出管Ｓを流
ｎる超純水の電導度が所定の値シてなる様に運転の当初
に圧力調整弁デの開度を定めるだけで済む。
塩に鉱ｒＲヲ反応させ、一定圧で供給してもよく、この
場合は炭酸ガスの供給圧は常時一定なので排出管Ｓを流
ｎる超純水の電導度が所定の値シてなる様に運転の当初
に圧力調整弁デの開度を定めるだけで済む。
そして、中空糸形造過膜を透過して外の区劃３ｂに出た
中間室／ｃ甲の水には炭酸ガスの純度に起因して有機物
等の不純物が濃縮さｎるので月に１回程度プロウする。
中間室／ｃ甲の水には炭酸ガスの純度に起因して有機物
等の不純物が濃縮さｎるので月に１回程度プロウする。
この実施例では中空糸形造過膜の内部に超純水を通し、
ガスを透過膜の外に供給して接触させたが、これとは逆
に中空糸透過膜の内部にガスを通し、超純水は透過膜の
外に供給して接触させてもよい。
ガスを透過膜の外に供給して接触させたが、これとは逆
に中空糸透過膜の内部にガスを通し、超純水は透過膜の
外に供給して接触させてもよい。
この様に本発明は透過膜を介して超純水と炭酸ガスを接
触させるので炭酸ガスの移動速度を調整でき、且つその
際に炭酸ガスの供給圧によフ超純水甲に溶解する炭酸ガ
スの溶解量を調整できる。そして、炭酸ガスに同伴さｎ
る微粒子、生菌、有機物等は透過膜に阻止さして超純水
中に混入しないので超純水は比抵抗値以外の水質を低下
させることもない。
触させるので炭酸ガスの移動速度を調整でき、且つその
際に炭酸ガスの供給圧によフ超純水甲に溶解する炭酸ガ
スの溶解量を調整できる。そして、炭酸ガスに同伴さｎ
る微粒子、生菌、有機物等は透過膜に阻止さして超純水
中に混入しないので超純水は比抵抗値以外の水質を低下
させることもない。
第１図は本発明の一実施例の７０−ンート、オ・２図は
同上の一部の拡大図で、図中、／は気液接触装置、コは
透過膜、３α、３ｂは区劃、ダは超純水の供給管、５は
同じく排出管、乙は炭酸ガスの給気管、９は給気管にｉ
けた炭酸ガスの圧力調整弁、１０は排出管に設けた測定
手段を示す。 特許出願人 栗田工業株式会社 手続補正書（自発） 昭和５８年５月１６日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−４７’０４２号 ２、 発明の名称 超純水の比抵抗制御装置 ３、 補正する者 事件との関係 出願人 （１０６）栗田工業株式会社 ５、 補正命令の日刊 昭和 年 月 日 ６、 補正の夕・］象 明細書中、発明の詳細な説明の項 内容 （ｌ） 明細書箱コ頁第７弘行目の「逆浸透膜」の次
に［精密゛渥過膜、筐たはポリフッ化エチレン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリゾ／、シリコーン、天
然ゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアルコール、エチルセルロース、＼酢酸セル
ロース、ニトロセルロース、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリスルホン、ポリエステル、ポリアクリロニト
リル、ポリウレタン等の気体透過膜」を挿入する。 （２）明細書第３頁第３行目の「形状は」の次に「プレ
ート形、チューブ形、キャピラー形、」を挿入する。。 以 上
同上の一部の拡大図で、図中、／は気液接触装置、コは
透過膜、３α、３ｂは区劃、ダは超純水の供給管、５は
同じく排出管、乙は炭酸ガスの給気管、９は給気管にｉ
けた炭酸ガスの圧力調整弁、１０は排出管に設けた測定
手段を示す。 特許出願人 栗田工業株式会社 手続補正書（自発） 昭和５８年５月１６日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、 事件の表示 特願昭５８−４７’０４２号 ２、 発明の名称 超純水の比抵抗制御装置 ３、 補正する者 事件との関係 出願人 （１０６）栗田工業株式会社 ５、 補正命令の日刊 昭和 年 月 日 ６、 補正の夕・］象 明細書中、発明の詳細な説明の項 内容 （ｌ） 明細書箱コ頁第７弘行目の「逆浸透膜」の次
に［精密゛渥過膜、筐たはポリフッ化エチレン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリ塩化ビニリゾ／、シリコーン、天
然ゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジェ
ン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、
ポリビニルアルコール、エチルセルロース、＼酢酸セル
ロース、ニトロセルロース、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリスルホン、ポリエステル、ポリアクリロニト
リル、ポリウレタン等の気体透過膜」を挿入する。 （２）明細書第３頁第３行目の「形状は」の次に「プレ
ート形、チューブ形、キャピラー形、」を挿入する。。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透過膜で区劃さｎた二つの区劃？有する気液接触装置と
、 上記区劃の一方に接続して設けらｎた炭酸ガスの供給手
段と、 上記区劃の他方に接続して設けら扛た超純水の供給手段
と、区劃内から超純水全排出させる排出手段とｔ有し、 炭酸ガスの供給手段には炭酸ガスの供給量全調節する手
段、超純水の排出手段には超純水の電導度を測定する手
段ケ設けた ことを特徴とする超純水の比抵抗制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4704283A JPS59173184A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4704283A JPS59173184A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173184A true JPS59173184A (ja) | 1984-10-01 |
Family
ID=12764106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4704283A Pending JPS59173184A (ja) | 1983-03-23 | 1983-03-23 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173184A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458528A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Ebara Res Co Ltd | 洗浄処理方法 |
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| WO2008049001A3 (en) * | 2006-10-17 | 2008-06-05 | Mks Intruments Inc | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| WO2011153056A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| DE19853638B4 (de) * | 1997-05-21 | 2013-06-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Verfahren zum Hinzufügen von Kohlendioxidgas zu ultrareinem Wasser |
| CN112090821A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-18 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种超高压洗净装置 |
-
1983
- 1983-03-23 JP JP4704283A patent/JPS59173184A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0458528A (ja) * | 1990-06-28 | 1992-02-25 | Ebara Res Co Ltd | 洗浄処理方法 |
| DE19853638B4 (de) * | 1997-05-21 | 2013-06-06 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Verfahren zum Hinzufügen von Kohlendioxidgas zu ultrareinem Wasser |
| EP1195189A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| US6884359B2 (en) | 2000-09-27 | 2005-04-26 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for controlling resistivity of ultra pure water |
| KR100783857B1 (ko) * | 2000-09-27 | 2007-12-10 | 다이닛뽄 잉크 앤드 케미칼즈, 인코포레이티드 | 초순수의 비저항 조정 장치 및 조정 방법 |
| US8448925B2 (en) | 2006-10-17 | 2013-05-28 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| JP4920751B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2012-04-18 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 脱イオン水を炭酸化する装置、システム及び方法 |
| US7731161B2 (en) | 2006-10-17 | 2010-06-08 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| WO2008049001A3 (en) * | 2006-10-17 | 2008-06-05 | Mks Intruments Inc | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| US8727323B2 (en) | 2006-10-17 | 2014-05-20 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| KR101406411B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2014-06-13 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | 탈이온수의 탄화 시스템 및 방법 |
| WO2011153056A1 (en) * | 2010-06-02 | 2011-12-08 | Mks Instruments, Inc. | Devices, systems, and methods for carbonation of deionized water |
| CN102986008A (zh) * | 2010-06-02 | 2013-03-20 | Mks仪器股份有限公司 | 用于去离子水的碳酸化的装置、系统及方法 |
| KR20130111977A (ko) * | 2010-06-02 | 2013-10-11 | 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 | 탈이온수의 탄산화를 위한 장치, 시스템 및 방법 |
| CN112090821A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-12-18 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种超高压洗净装置 |
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