JPS6310529A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPS6310529A JPS6310529A JP15652086A JP15652086A JPS6310529A JP S6310529 A JPS6310529 A JP S6310529A JP 15652086 A JP15652086 A JP 15652086A JP 15652086 A JP15652086 A JP 15652086A JP S6310529 A JPS6310529 A JP S6310529A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 43
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- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
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Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は洗浄装置に関し、特にシリコンウェハを純水
を用いて洗浄する洗浄装置に関するものである。
を用いて洗浄する洗浄装置に関するものである。
［従来の技術］
第３図は、従来の洗浄装置を用いてシリコンウェハを純
水で洗浄する方法を示す図である。
水で洗浄する方法を示す図である。
図において、一定容量の水洗槽２にバルブ５Ｃが設けら
れた配管７により単位時間あたり所定員の純水が常に供
給されており、水洗槽２に純水１が溜っている。被洗浄
物であるシリコンウェハ３の洗浄は、これを槽２内に溜
った純水１に浸漬し純水を供給しながら行なう。
れた配管７により単位時間あたり所定員の純水が常に供
給されており、水洗槽２に純水１が溜っている。被洗浄
物であるシリコンウェハ３の洗浄は、これを槽２内に溜
った純水１に浸漬し純水を供給しながら行なう。
第４図は、従来のノズルを用いてシリコンウェハを純水
で洗浄する方法を示す図である。
で洗浄する方法を示す図である。
図において、シリコンウェハ３の洗浄は、これに純水を
ノズル４により吹付ｔブて行なう。
ノズル４により吹付ｔブて行なう。
〔発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来のシリコンウェハの洗浄方法では、純水
の水質の変動（純水中に含まれる不純物の変動）などに
より、シリコンウェハ３表面の濡れ性が経時的にばらつ
いたり、また個々のシリコンウェハ３表面の各部で濡れ
性がばらついたりして、シリコンウェハ３表面の濡れ性
が悪くなり。
の水質の変動（純水中に含まれる不純物の変動）などに
より、シリコンウェハ３表面の濡れ性が経時的にばらつ
いたり、また個々のシリコンウェハ３表面の各部で濡れ
性がばらついたりして、シリコンウェハ３表面の濡れ性
が悪くなり。
次のシリコンウェハ３の９２ｆｆｉ工程でシリコンウェ
ハ３表面に水滴外が発生し、シリコンウェハ３を良好な
状態で乾燥することができないという問題点があった。
ハ３表面に水滴外が発生し、シリコンウェハ３を良好な
状態で乾燥することができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点をＰ！Ｉ消するためにな
されたもので、シリコンウェハ表面の濡れ性を安定かつ
良好なものとして、シリコンウェハをその表面に水滴外
を発生させることなく乾燥できる洗浄装置を得ることを
目的とする。
されたもので、シリコンウェハ表面の濡れ性を安定かつ
良好なものとして、シリコンウェハをその表面に水滴外
を発生させることなく乾燥できる洗浄装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段］
この発明にかかる洗浄装置は、槽内に純水を供給しなが
らこの槽内に溜る純水にシリジンウェハを浸漬して洗浄
する装置において、ガス供給手段により槽内の純水に酸
素系ガスを供給するようにしたものである。
らこの槽内に溜る純水にシリジンウェハを浸漬して洗浄
する装置において、ガス供給手段により槽内の純水に酸
素系ガスを供給するようにしたものである。
［作用］
この発明においては、シリコンウェハの洗浄時に槽内の
純水に酸素系ガスを供給するので、シリコンウェハ表面
の濡れ性が安定かつ良好なものに変化して、シリコンウ
ェハを次の乾燥工程において最も乾燥条件に適した表面
状態で乾燥でき、シリコンウェハをその表面に水滴外を
発生させることなく乾燥できる。
純水に酸素系ガスを供給するので、シリコンウェハ表面
の濡れ性が安定かつ良好なものに変化して、シリコンウ
ェハを次の乾燥工程において最も乾燥条件に適した表面
状態で乾燥でき、シリコンウェハをその表面に水滴外を
発生させることなく乾燥できる。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
瓜復する部分については適宜その説明を省絡する。
瓜復する部分については適宜その説明を省絡する。
第１図は、この発明の一実施例である洗ｒｐ装置を用い
て純水でシリコンウェハを洗浄する方法を示す図である
。
て純水でシリコンウェハを洗浄する方法を示す図である
。
この実施例の構成が第３図の洗浄装置の構成と異なる点
は以下の点である。すなわち、水洗槽２内にバブラー８
ａおよび８ｂが設けられており、バブラー８ａおよび８
ｂにそれぞれ配管６ａおよび６ｂが接続されている。そ
して、配！！６ａに流量針子手動流量可変バルブ９ａ、
パルプ５ａ、減圧弁１１ａが設けられており、配管６ｂ
に流量針子手動流量可変バルブ９ｂ、バルブ５ｂ、オゾ
ン発生装Ｗ１１０．減圧弁１１ｂが設けられている。
は以下の点である。すなわち、水洗槽２内にバブラー８
ａおよび８ｂが設けられており、バブラー８ａおよび８
ｂにそれぞれ配管６ａおよび６ｂが接続されている。そ
して、配！！６ａに流量針子手動流量可変バルブ９ａ、
パルプ５ａ、減圧弁１１ａが設けられており、配管６ｂ
に流量針子手動流量可変バルブ９ｂ、バルブ５ｂ、オゾ
ン発生装Ｗ１１０．減圧弁１１ｂが設けられている。
被洗浄物であるシリコンウェハ３を水洗槽２内の純水１
に浸漬して洗浄するときには、配管６ａのガス供給口か
ら酸素ガスが供給され、この酸素ガスは減圧弁１１ａ、
バルブ５ａ、流量針子手動流量可変バルブ９ａを通って
バブラー８ａに入り、このバブラー８８から酸素ガスが
純水１中に泡状で吹き込まれる。このとき、純水１中に
吹き込む酸素ガス量は流ｍ針子手動流量可変バルブ９ａ
を調整することにより種々変化できる。図中の１３ａは
酵素ガスを示している。また、配管６ｂのガス供給口か
ら酸素ガスが供給され、この酸素ガスは減圧弁１１ｂを
通ってオゾン発ＩＬｉ［１０に入る。オゾン発生８ｆＷ
１０は酸素ガスからオゾンガスを作ってこれを発生させ
、このオゾンガスはバルブ５ｂ、３！量計針子動流量可
変バルブ９ｂを通うてバブラー８ｂに入り、このバブラ
ー８ｂがらオゾンガスが純水１中に泡状で吹き込まれる
。このとき、オゾンガスの発生量は、オゾン発生Ｖ装置
１０についているガス発生ｍ調整器をＩｌｌすることに
より種々変化できる。また、純水１中に吹き込むオゾン
ガス量は流堡針子手動ａｍ可変パルプ９ｂをｇ４整する
ことにより種々変化できる。図中の１３ｂはオゾンガス
を示している。
に浸漬して洗浄するときには、配管６ａのガス供給口か
ら酸素ガスが供給され、この酸素ガスは減圧弁１１ａ、
バルブ５ａ、流量針子手動流量可変バルブ９ａを通って
バブラー８ａに入り、このバブラー８８から酸素ガスが
純水１中に泡状で吹き込まれる。このとき、純水１中に
吹き込む酸素ガス量は流ｍ針子手動流量可変バルブ９ａ
を調整することにより種々変化できる。図中の１３ａは
酵素ガスを示している。また、配管６ｂのガス供給口か
ら酸素ガスが供給され、この酸素ガスは減圧弁１１ｂを
通ってオゾン発ＩＬｉ［１０に入る。オゾン発生８ｆＷ
１０は酸素ガスからオゾンガスを作ってこれを発生させ
、このオゾンガスはバルブ５ｂ、３！量計針子動流量可
変バルブ９ｂを通うてバブラー８ｂに入り、このバブラ
ー８ｂがらオゾンガスが純水１中に泡状で吹き込まれる
。このとき、オゾンガスの発生量は、オゾン発生Ｖ装置
１０についているガス発生ｍ調整器をＩｌｌすることに
より種々変化できる。また、純水１中に吹き込むオゾン
ガス量は流堡針子手動ａｍ可変パルプ９ｂをｇ４整する
ことにより種々変化できる。図中の１３ｂはオゾンガス
を示している。
下記の表は、シリコンウェハを純水のみで洗浄した場合
、純水に酸素ガスを吹き込んで洗浄した場合、純水にオ
ゾンガスを吹き込んで洗ｉ？’ シた場合について、シ
リコンウェハ３表面の濡れ性を接触角で定量的に評価し
たもので、シリコンウェハ３の洗浄時に純水１中に酸素
ガスやオゾンガスを吹き込むことにより、純水１の水質
の変動などにより生じるシリコンウェハ３表面の濡れ性
の経時的なばらつきや、個々のシリコンウェハ３表面の
各部での濡れ性のばらつきを抑えて、シリコンウェハ３
表面の謂れ性を安定かつ良好なものに変化させることが
できる。これによって、シリコンウェハ３を次の乾燥工
程において最も乾燥条件に適した表面状態で乾燥でき、
シリコンウェハ３をその表面に水滴残を発生させること
なく乾燥できる。
、純水に酸素ガスを吹き込んで洗浄した場合、純水にオ
ゾンガスを吹き込んで洗ｉ？’ シた場合について、シ
リコンウェハ３表面の濡れ性を接触角で定量的に評価し
たもので、シリコンウェハ３の洗浄時に純水１中に酸素
ガスやオゾンガスを吹き込むことにより、純水１の水質
の変動などにより生じるシリコンウェハ３表面の濡れ性
の経時的なばらつきや、個々のシリコンウェハ３表面の
各部での濡れ性のばらつきを抑えて、シリコンウェハ３
表面の謂れ性を安定かつ良好なものに変化させることが
できる。これによって、シリコンウェハ３を次の乾燥工
程において最も乾燥条件に適した表面状態で乾燥でき、
シリコンウェハ３をその表面に水滴残を発生させること
なく乾燥できる。
席
第２図は、この発明の他の実施例である洗＋？装置を用
いてシリコンウェハを純水で洗浄する方法を示す図であ
る。
いてシリコンウェハを純水で洗浄する方法を示す図であ
る。
この実施例の構成が第１図の洗浄装置の構成と異なる点
は、純水１中の溶存酸素濃度および溶存オゾン濃度をそ
れぞれ、シリコンウェハ３を最も乾燥条件に遇した表面
状態で乾燥できるような最適値に保つようなｆｉｌ ａ
ｌが設けられている点である。
は、純水１中の溶存酸素濃度および溶存オゾン濃度をそ
れぞれ、シリコンウェハ３を最も乾燥条件に遇した表面
状態で乾燥できるような最適値に保つようなｆｉｌ ａ
ｌが設けられている点である。
すなわち、純水１中の溶存酸素濃度を検出する酸素濃度
センサ１２ａおよび純水１中の溶存オゾンｉ１！度ｆｒ
検出するオゾン濃度センサ１２ｂが水洗槽２内の純水１
中に入れられており、酸素濃度センサ１２ａおよびオゾ
ン濃度センサ１２ｂはそれぞれ制御装置１１４に接続さ
れており、この制御装置゛１４は流量計＋自動流量可変
バルブ９０ａおよび流量計十自＃Ｊ流量可変バルブ９０
ｂに接続されている。
センサ１２ａおよび純水１中の溶存オゾンｉ１！度ｆｒ
検出するオゾン濃度センサ１２ｂが水洗槽２内の純水１
中に入れられており、酸素濃度センサ１２ａおよびオゾ
ン濃度センサ１２ｂはそれぞれ制御装置１１４に接続さ
れており、この制御装置゛１４は流量計＋自動流量可変
バルブ９０ａおよび流量計十自＃Ｊ流量可変バルブ９０
ｂに接続されている。
このような機構においては、酸素濃度センサ１２ ａ
ｅよびオゾン濃度センサ１２ｂによりそれぞれ純水１中
の溶存酸素ｍ１度および溶存オゾン濃度を検出し、制御
ｉｌｌ装置１４により酸素濁度センサ１２ａ出力および
オゾン濃度センサ１２ｂ出力で流量計＋自動流量可変バ
ルブ９０ａおよび流量計子自動流量可変パルプ９０ｂを
制御して純水１中に吹き込む酸素ガス量およびオゾンガ
ス量を所定量にし、純水１中の溶存酸素濃度および溶存
オゾン濃度を上記最適値に常に保つことができる。これ
によって、シリコンウェハ３表面の濡れ性を安定かつ良
好なものに精度高く変化させることができ、シリコンウ
ェハ３の乾燥を第１図の洗浄装置を用いる場合よりもよ
り完全なものとすることができる。
ｅよびオゾン濃度センサ１２ｂによりそれぞれ純水１中
の溶存酸素ｍ１度および溶存オゾン濃度を検出し、制御
ｉｌｌ装置１４により酸素濁度センサ１２ａ出力および
オゾン濃度センサ１２ｂ出力で流量計＋自動流量可変バ
ルブ９０ａおよび流量計子自動流量可変パルプ９０ｂを
制御して純水１中に吹き込む酸素ガス量およびオゾンガ
ス量を所定量にし、純水１中の溶存酸素濃度および溶存
オゾン濃度を上記最適値に常に保つことができる。これ
によって、シリコンウェハ３表面の濡れ性を安定かつ良
好なものに精度高く変化させることができ、シリコンウ
ェハ３の乾燥を第１図の洗浄装置を用いる場合よりもよ
り完全なものとすることができる。
なお、上記実施例では、シリコンウェハの洗浄時に純水
中に酸素ガスおよびオゾンガスを吹き込む場合について
示したが、シリコンウェハの種類などにより純水中に酸
素ガスのみまたはオゾンガスのみを吹き込んで洗浄する
ようにしてもよい。
中に酸素ガスおよびオゾンガスを吹き込む場合について
示したが、シリコンウェハの種類などにより純水中に酸
素ガスのみまたはオゾンガスのみを吹き込んで洗浄する
ようにしてもよい。
また、上記実施例では、シリコンウェハを洗浄する場合
について示したが、この発明は表面が酸化されるものの
洗浄にも適用することができる。
について示したが、この発明は表面が酸化されるものの
洗浄にも適用することができる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、槽内に純水を供給しな
がらこの槽内に溜る純水にシリコンウェハを浸漬して洗
浄する装置においで、ガス供給手段により槽内の純水に
酸素系ガスを供給するようにしたので、純水の水質の変
動などにより生じるシリコンウェハ表面のＳれ性の３時
的なばらつきや、個々のシリコンウェハａ面の各部での
濡れ性のばらつき？迎え゛Ｃシリコンウェハ表面の濡れ
性を安定かつ良好なものにすることができる。このため
、シワ」ンフエハ３次の乾燥工程において最うａ２．燥
：Ｊ、ｔ＋にｊし・；艮、ｊ状態で乾燥で８、シリコン
ウェハとそのに面に２Ｋｔλ〉１を発生させろことなく
乾燥できる洗浄袋すを得ることができる。
がらこの槽内に溜る純水にシリコンウェハを浸漬して洗
浄する装置においで、ガス供給手段により槽内の純水に
酸素系ガスを供給するようにしたので、純水の水質の変
動などにより生じるシリコンウェハ表面のＳれ性の３時
的なばらつきや、個々のシリコンウェハａ面の各部での
濡れ性のばらつき？迎え゛Ｃシリコンウェハ表面の濡れ
性を安定かつ良好なものにすることができる。このため
、シワ」ンフエハ３次の乾燥工程において最うａ２．燥
：Ｊ、ｔ＋にｊし・；艮、ｊ状態で乾燥で８、シリコン
ウェハとそのに面に２Ｋｔλ〉１を発生させろことなく
乾燥できる洗浄袋すを得ることができる。
第１図は、この発明の一実施例である洗浄装置を用いて
純水でシリコンウェハを洗浄する方法を示す図である。 第２図は、この発明の他の実施例である洗浄装置を用い
てシリコンウェハを純水で洗浄する方法を示す図である
。 第３図は、従来の洗浄装置を用いてシリコンウェハを純
水で洗浄する方法を示す図である。 第４図は、従来のノズルを用いてシリコンウェハを純水
で洗浄する方法を示す図である。 図において、１は純水、２は水洗槽、３はシリコンウェ
ハ、６ａ、６ｂ、７は配管、（３ａ 、 Ｅ３ｂはバブ
ラー、ｇａ、ｇｂは流量針子手動流量可変バルブ、９０
ａ、９０ｂは流量計＋自！ＩＪ流量可変バルブ、１０は
オゾン発生装置、１２ａは酸素濃度センサ、１２ｂはオ
ゾン１度センサである。 なお、６図中向−符号は同一よ１″：は相当部分と示す
。
純水でシリコンウェハを洗浄する方法を示す図である。 第２図は、この発明の他の実施例である洗浄装置を用い
てシリコンウェハを純水で洗浄する方法を示す図である
。 第３図は、従来の洗浄装置を用いてシリコンウェハを純
水で洗浄する方法を示す図である。 第４図は、従来のノズルを用いてシリコンウェハを純水
で洗浄する方法を示す図である。 図において、１は純水、２は水洗槽、３はシリコンウェ
ハ、６ａ、６ｂ、７は配管、（３ａ 、 Ｅ３ｂはバブ
ラー、ｇａ、ｇｂは流量針子手動流量可変バルブ、９０
ａ、９０ｂは流量計＋自！ＩＪ流量可変バルブ、１０は
オゾン発生装置、１２ａは酸素濃度センサ、１２ｂはオ
ゾン１度センサである。 なお、６図中向−符号は同一よ１″：は相当部分と示す
。
Claims (7)
- （１）槽内に純水を供給しながら該槽内に溜る該純水に
シリコンウェハを浸漬して洗浄する装置において、 前記槽内の前記純水中に酸素系ガスを供給するガス供給
手段を備えたことを特徴とする洗浄装置。 - （２）前記酸素系ガスは酸素ガスである特許請求の範囲
第１項記載の洗浄装置。 - （３）前記酸素系ガスはオゾンガスである特許請求の範
囲第１項記載の洗浄装置。 - （４）前記酸素系ガスは酸素ガスとオゾンガスとを含み
、 前記ガス供給手段は前記酸素ガスを供給する酸素ガス供
給手段と前記オゾンガスを供給するオゾンガス供給手段
とを含む特許請求の範囲第１項記載の洗浄装置。 - （５）さらに、前記純水中の前記酸素ガスの濃度を検出
する第１の酸素ガス濃度検出手段と、前記第１の酸素ガ
ス濃度検出手段出力により前記純水中の前記酸素ガスの
濃度を第１の所定値に保つよう前記ガス供給手段を制御
する酸素ガス制御手段とを備えた特許請求の範囲第２項
記載の洗浄装置。 - （６）さらに、前記純水中の前記オゾンガスの濃度を検
出する第１のオゾンガス濃度検出手段と、 前記第１のオゾンガス濃度検出手段出力により前記純水
中の前記オゾンガスの濃度を第２の所定値に保つよう前
記ガス供給手段を制御するオゾンガス制御手段とを備え
た特許請求の範囲第３項記載の洗浄装置。 - （７）さらに、前記純水中の前記酸素ガスの濃度を検出
する第２の酸素ガス濃度検出手段と、前記純水中の前記
オゾンガスの濃度を検出する第２のオゾンガス濃度検出
手段と、 前記第２の酸素ガス濃度検出手段出力により前記純水中
の前記酸素ガスの濃度を第３の所定値に保つよう前記酸
素ガス供給手段を制御し、かつ前記第２のオゾンガス濃
度検出手段出力により前記純水中の前記オゾンガスの濃
度を第４の所定値に保つよう前記オゾンガス供給手段を
制御する酸素・オゾンガス制御手段とを備えた特許請求
の範囲第４項記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652086A JPS6310529A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15652086A JPS6310529A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6310529A true JPS6310529A (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=15629580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15652086A Pending JPS6310529A (ja) | 1986-07-01 | 1986-07-01 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6310529A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4817652A (en) * | 1987-03-26 | 1989-04-04 | Regents Of The University Of Minnesota | System for surface and fluid cleaning |
| JPH01140825U (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-27 | ||
| JPH0341729A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄方法 |
| JPH0368138A (ja) * | 1989-08-05 | 1991-03-25 | Fujitsu Ltd | 洗浄装置 |
| JPH03166724A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Matsushita Electron Corp | レジスト除去方法 |
| US5415191A (en) * | 1991-01-28 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Arrangement for cleaning semiconductor wafers using mixer |
| JPH07155709A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-20 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 精密洗浄方法及び装置 |
| JPH11219927A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料洗浄方法及び電子材料用洗浄水 |
| JP2014090087A (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法およびこれに用いられる太陽電池製造装置 |
| JP2018174258A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS58100433A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Fujitsu Ltd | ウエハ洗浄方法 |
-
1986
- 1986-07-01 JP JP15652086A patent/JPS6310529A/ja active Pending
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