JPH04114728A - 液体ソース供給装置 - Google Patents
液体ソース供給装置Info
- Publication number
- JPH04114728A JPH04114728A JP23488090A JP23488090A JPH04114728A JP H04114728 A JPH04114728 A JP H04114728A JP 23488090 A JP23488090 A JP 23488090A JP 23488090 A JP23488090 A JP 23488090A JP H04114728 A JPH04114728 A JP H04114728A
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- JP
- Japan
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- carrier gas
- piping
- liquid material
- source
- bubbler container
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 13
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 35
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 abstract description 32
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium (III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液体材料を気体状態で供給する液体ソース供給
装置に関し さらに詳述すれば 配管内で液体材料の結
露の起こらない液体ソース供給装置に関するものであも 従来の技術 従来の液体ソース供給装置としては 例えばＪ。
装置に関し さらに詳述すれば 配管内で液体材料の結
露の起こらない液体ソース供給装置に関するものであも 従来の技術 従来の液体ソース供給装置としては 例えばＪ。
Ｃ，Ｓｃｈｕｍａｃｈｅｒ社のＭ−ＤＯＴがあム第２図
はこの従来の液体ソース供給装置の構成図を示すもので
あり、 ｌはキャリアガス供給Ｒ２はキャリアガス流量
制御装置ａ、 ３は液体材料の入ったバブラ容器 ４は
バブラ容器３の恒温装置５はバブラ容器３内の圧力測定
装置 ６はバブラ容器３内の温度測定装置１．７はバブ
ラ容器３内の圧力と温度の測定結果からキャリアガス流
量制御装置ａ２へのフィードバック族［８はソース供給
口 ９は供給する液体材Ｋ １０はキャリアガス供給
口１からバブラ容器３人口までのバブラ配管、 １１は
バブラ容器３出口からソース供給口８までのソース配管
を示す。
はこの従来の液体ソース供給装置の構成図を示すもので
あり、 ｌはキャリアガス供給Ｒ２はキャリアガス流量
制御装置ａ、 ３は液体材料の入ったバブラ容器 ４は
バブラ容器３の恒温装置５はバブラ容器３内の圧力測定
装置 ６はバブラ容器３内の温度測定装置１．７はバブ
ラ容器３内の圧力と温度の測定結果からキャリアガス流
量制御装置ａ２へのフィードバック族［８はソース供給
口 ９は供給する液体材Ｋ １０はキャリアガス供給
口１からバブラ容器３人口までのバブラ配管、 １１は
バブラ容器３出口からソース供給口８までのソース配管
を示す。
以上のように構成された従来の液体ソース供給装置にお
いて、キャリアガス（液体材料と反応しないＮ２などの
不活性ガス）はキャリアガス供給口ｌから導入され バ
ブラ配管ｌＯを経由して液体材料９の入ったバブラ容器
３内でバブリングされも 前記バブリングによって、恒
温装置４で温度制御されたバブラ容器３内の温度での飽
和蒸気正分だけの液体材料９の蒸気がキャリアガス中に
混入すム そして、液体材料９の蒸気を混入したキャリ
アガスはバブラ容器３の出口からソース配管１１を経由
してソース供給口８に達すも このとき、バブラ容器３
内の圧力測定装置５で測定した圧力Ｐと温度測定装置６
で測定した温度Ｔおよび液体材料９の飽和蒸気圧ｐ（Ｐ
、Ｔ）とか社 液体材料をＭだけ供給するためのキャリ
アガス流量Ｖをフィードバック装置７で計算し キャリ
アガス流量制御装置ａ２を制御すａ その計算の原理式
１友 Ｖ＝ （Ｍ−Ｒ−Ｔ） ／ｐ （Ｐ、 Ｔ） −ａＲ
： 気体定数 で表されも この昧 キャリアガス流量Ｖが大きすぎる
とキャリアガス中に混入する液体材料９の濃度が飽和蒸
気正分にまで達しなくなるので、通常は数百［ｃｃ／ｌ
０ｉｎ］程度の範囲で制御していも ただし バブラ容
器３内は恒温装置４によって恒温装置４以外の部分（室
温）よりもわずかに低い温度Ｔに制御されているので、
ｐ（Ｐ、Ｔ）はその１つの温度Ｔについてだけのデー
タで充分であムまた バブラ容器３内の温度を室温より
もわずかに低い値にするの１よ バブラ容器３内の温度
Ｔが室温よりも高いと恒温装置４以降のソース配管１１
で気化していた液体材料の結露が起こり、逆に低すぎる
と液体材料９の飽和蒸気圧ｐ（Ｐ、Ｔ）が低くなり過ぎ
て供給可能な液体材料９の量が小さくなり過ぎるためで
あム 例えば シリコン半導体のｎ型拡散源としてよく用いら
れるＡｓＣ１５を液体材料９、キャリアガス流量■を５
００ ［ｃｃ／ ｍｉｎ］とした時の液体材料９の供給
量Ｍには Ｔｍ２Ｏ３［ＫＩ Ｐ＝１［ａｔｍ］の時ｐ（１、３
００） ＝０．０１７［ａ ｔｍ］Ｍ＝ ３ 、５ Ｘ
１０−４ ［ｍｏｌ／ｍｉｎ］Ｔ＝２７３［Ｋ］、Ｐ
＝１［ａｔｍコの時ｐ（１、２７３） ＝０．００４
［ａ ｔｍコＭ＝ ０ 、９ Ｘ １０−４ ［ｍｏ
ｌ／ｍｉｎ］となり、温度Ｔが２５［ｔ］程度しか違わ
ないのに液体材料９の供給量Ｍには３倍以上の差があも
発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成で（よ バブラ容器３以
降のソース配管１１に流れるキャリアガス中には室温で
の飽和蒸気正分に近い濃度の液体材料９が含まれている
た数 オリフィス形状の部分があるとその部分でのキャ
リアガス温度が局所的にバブラ容器３内温度Ｔよりも低
くなってキャリアガス中の液体材料９の結露が起こると
いう問題点を有していた 本発明はかかる点に鑑へ バブラ容器以降のソース配管
で液体材料の結露の起こらない液体ソース供給装置を提
供することを目的とす４課題を解決するための手段 本発明は 恒温装置内のバブラ容器を経由しないバイパ
ス配管と、このバイパス配管中に設置したガス流量制御
装置と、前記バブラ容器に接続するバブラ配管と、前記
バブラ容器に接続するソース配管と、このソース配管と
前記バイパス配管との前記恒温装置内に設けた接続点と
を備えたことを特徴とする液体ソース供給装置であ４作
用 本発明は前記の構成により、バブラ容器を経由しないバ
イパス配管からのキャリアガスと、バブラ容器を経由し
たソース配管からの液体材料の蒸気を含んだキャリアガ
スとを前記両配管の接続点で混合することによって、恒
温装置以降のソース配管には室温での液体材料の飽和蒸
気正分よりもかなり低い濃度の液体材料を含んだキャリ
アガスしか流れな（℃ そのた八 恒温装置以降の配管
でキャリアガス中の液体材料が結露することはなくなム 実施例 第１図は本発明の実施例における液体ソース供給装置の
構成図を示すものであも 第２図と同一の機能を有する
ものには同一の番号を付し その説明を省略すも 第１図において、 １２はバイパス配ｔ １３はバイ
パス配管１２のキャリアガス流量制御装置ｂ、１４はソ
ース配管１１とバイパス配管１２の接続点であも 以上のように構成された本実施例の液体ソース供給装置
において、以下その動作を説明すも例えば ソース配管
１１を流れるキャリアガス中の液体材料９の濃度をバブ
ラ容器３内の温度Ｔでの飽和蒸気正分の５０％に制御す
る場合は キャリアガス流量制御装置ｂ１３を用いて、
バブラ配管ＩＯに（ａ）式で計算したＶのキャリアガス
を流し バイパス配管１２には次の（ｂ）式で計算した
ＶＢｙｐａｓｓだけのキャリアガスを流せばよ（〜 ＶＢｙｐａｓｓ＝Ｖ−ｂ 以上のように本実施例によれば 前記（ｂ）式に示すよ
うな非常に簡単な制御によって室温での飽和蒸気正分よ
りもかなり低い濃度の液体材料９を含んだキャリアガス
を生成できるのて 恒温装置４以降のソース配管１１で
のキャリアガス中の液体材料９の結露は起こらな（− な耘 本実施例においてはソース配管１１中を流れるキ
ャリアガス中の液体材料９の濃度を５０％としたバ そ
れ以外の濃度ｋが必要な場合に（よ次の（Ｃ）式にした
がってバイパス配管１２に流すキャリアガス流量ＶＢｙ
ｐａｓｓを制御すればよ（〜 ＶＢｙｐａｓｓ＝ （１−ｋ） ・Ｖ／に−ｃ発明の
詳細 な説明したよう＆ζ 本発明によればキャリアガス中の
液体材料の結露の起こらない液体ソース供給装置を提供
することができ、その実用的効果は太き（℃
いて、キャリアガス（液体材料と反応しないＮ２などの
不活性ガス）はキャリアガス供給口ｌから導入され バ
ブラ配管ｌＯを経由して液体材料９の入ったバブラ容器
３内でバブリングされも 前記バブリングによって、恒
温装置４で温度制御されたバブラ容器３内の温度での飽
和蒸気正分だけの液体材料９の蒸気がキャリアガス中に
混入すム そして、液体材料９の蒸気を混入したキャリ
アガスはバブラ容器３の出口からソース配管１１を経由
してソース供給口８に達すも このとき、バブラ容器３
内の圧力測定装置５で測定した圧力Ｐと温度測定装置６
で測定した温度Ｔおよび液体材料９の飽和蒸気圧ｐ（Ｐ
、Ｔ）とか社 液体材料をＭだけ供給するためのキャリ
アガス流量Ｖをフィードバック装置７で計算し キャリ
アガス流量制御装置ａ２を制御すａ その計算の原理式
１友 Ｖ＝ （Ｍ−Ｒ−Ｔ） ／ｐ （Ｐ、 Ｔ） −ａＲ
： 気体定数 で表されも この昧 キャリアガス流量Ｖが大きすぎる
とキャリアガス中に混入する液体材料９の濃度が飽和蒸
気正分にまで達しなくなるので、通常は数百［ｃｃ／ｌ
０ｉｎ］程度の範囲で制御していも ただし バブラ容
器３内は恒温装置４によって恒温装置４以外の部分（室
温）よりもわずかに低い温度Ｔに制御されているので、
ｐ（Ｐ、Ｔ）はその１つの温度Ｔについてだけのデー
タで充分であムまた バブラ容器３内の温度を室温より
もわずかに低い値にするの１よ バブラ容器３内の温度
Ｔが室温よりも高いと恒温装置４以降のソース配管１１
で気化していた液体材料の結露が起こり、逆に低すぎる
と液体材料９の飽和蒸気圧ｐ（Ｐ、Ｔ）が低くなり過ぎ
て供給可能な液体材料９の量が小さくなり過ぎるためで
あム 例えば シリコン半導体のｎ型拡散源としてよく用いら
れるＡｓＣ１５を液体材料９、キャリアガス流量■を５
００ ［ｃｃ／ ｍｉｎ］とした時の液体材料９の供給
量Ｍには Ｔｍ２Ｏ３［ＫＩ Ｐ＝１［ａｔｍ］の時ｐ（１、３
００） ＝０．０１７［ａ ｔｍ］Ｍ＝ ３ 、５ Ｘ
１０−４ ［ｍｏｌ／ｍｉｎ］Ｔ＝２７３［Ｋ］、Ｐ
＝１［ａｔｍコの時ｐ（１、２７３） ＝０．００４
［ａ ｔｍコＭ＝ ０ 、９ Ｘ １０−４ ［ｍｏ
ｌ／ｍｉｎ］となり、温度Ｔが２５［ｔ］程度しか違わ
ないのに液体材料９の供給量Ｍには３倍以上の差があも
発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成で（よ バブラ容器３以
降のソース配管１１に流れるキャリアガス中には室温で
の飽和蒸気正分に近い濃度の液体材料９が含まれている
た数 オリフィス形状の部分があるとその部分でのキャ
リアガス温度が局所的にバブラ容器３内温度Ｔよりも低
くなってキャリアガス中の液体材料９の結露が起こると
いう問題点を有していた 本発明はかかる点に鑑へ バブラ容器以降のソース配管
で液体材料の結露の起こらない液体ソース供給装置を提
供することを目的とす４課題を解決するための手段 本発明は 恒温装置内のバブラ容器を経由しないバイパ
ス配管と、このバイパス配管中に設置したガス流量制御
装置と、前記バブラ容器に接続するバブラ配管と、前記
バブラ容器に接続するソース配管と、このソース配管と
前記バイパス配管との前記恒温装置内に設けた接続点と
を備えたことを特徴とする液体ソース供給装置であ４作
用 本発明は前記の構成により、バブラ容器を経由しないバ
イパス配管からのキャリアガスと、バブラ容器を経由し
たソース配管からの液体材料の蒸気を含んだキャリアガ
スとを前記両配管の接続点で混合することによって、恒
温装置以降のソース配管には室温での液体材料の飽和蒸
気正分よりもかなり低い濃度の液体材料を含んだキャリ
アガスしか流れな（℃ そのた八 恒温装置以降の配管
でキャリアガス中の液体材料が結露することはなくなム 実施例 第１図は本発明の実施例における液体ソース供給装置の
構成図を示すものであも 第２図と同一の機能を有する
ものには同一の番号を付し その説明を省略すも 第１図において、 １２はバイパス配ｔ １３はバイ
パス配管１２のキャリアガス流量制御装置ｂ、１４はソ
ース配管１１とバイパス配管１２の接続点であも 以上のように構成された本実施例の液体ソース供給装置
において、以下その動作を説明すも例えば ソース配管
１１を流れるキャリアガス中の液体材料９の濃度をバブ
ラ容器３内の温度Ｔでの飽和蒸気正分の５０％に制御す
る場合は キャリアガス流量制御装置ｂ１３を用いて、
バブラ配管ＩＯに（ａ）式で計算したＶのキャリアガス
を流し バイパス配管１２には次の（ｂ）式で計算した
ＶＢｙｐａｓｓだけのキャリアガスを流せばよ（〜 ＶＢｙｐａｓｓ＝Ｖ−ｂ 以上のように本実施例によれば 前記（ｂ）式に示すよ
うな非常に簡単な制御によって室温での飽和蒸気正分よ
りもかなり低い濃度の液体材料９を含んだキャリアガス
を生成できるのて 恒温装置４以降のソース配管１１で
のキャリアガス中の液体材料９の結露は起こらな（− な耘 本実施例においてはソース配管１１中を流れるキ
ャリアガス中の液体材料９の濃度を５０％としたバ そ
れ以外の濃度ｋが必要な場合に（よ次の（Ｃ）式にした
がってバイパス配管１２に流すキャリアガス流量ＶＢｙ
ｐａｓｓを制御すればよ（〜 ＶＢｙｐａｓｓ＝ （１−ｋ） ・Ｖ／に−ｃ発明の
詳細 な説明したよう＆ζ 本発明によればキャリアガス中の
液体材料の結露の起こらない液体ソース供給装置を提供
することができ、その実用的効果は太き（℃
第１図は本発明の実施例における液体ソース供給装置の
構成＠ 第２図は従来の液体ソース供給装置の構成図で
あａ
構成＠ 第２図は従来の液体ソース供給装置の構成図で
あａ
Claims (1)
- 恒温装置内のバブラ容器を経由しないバイパス配管と、
このバイパス配管中に設置したガス流量制御装置と、前
記バブラ容器に接続するバブラ配管と、前記バブラ容器
に接続するソース配管と、このソース配管と前記バイパ
ス配管との前記恒温装置内に設けた接続点とを備えたこ
とを特徴とする液体ソース供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488090A JPH04114728A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 液体ソース供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23488090A JPH04114728A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 液体ソース供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114728A true JPH04114728A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16977773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23488090A Pending JPH04114728A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 液体ソース供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114728A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100108304A (ko) * | 2009-03-27 | 2010-10-06 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 방법 및 장치 |
| JP4789384B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2011-10-12 | アイクストロン、アーゲー | 凝縮被膜生成法 |
| DE102015221830A1 (de) | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Nuflare Technology, Inc. | Dampfphasenwachstumsvorrichtung, Vorratsbehälter und Dampfphasenwachstumsverfahren |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23488090A patent/JPH04114728A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4789384B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2011-10-12 | アイクストロン、アーゲー | 凝縮被膜生成法 |
| KR20100108304A (ko) * | 2009-03-27 | 2010-10-06 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. | 방법 및 장치 |
| JP2011006779A (ja) * | 2009-03-27 | 2011-01-13 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置 |
| DE102015221830A1 (de) | 2014-11-07 | 2016-05-12 | Nuflare Technology, Inc. | Dampfphasenwachstumsvorrichtung, Vorratsbehälter und Dampfphasenwachstumsverfahren |
| US10109483B2 (en) | 2014-11-07 | 2018-10-23 | Nuflare Technology, Inc. | Vapor phase growth apparatus, storage container, and vapor phase growth method |
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