JPH02102529A - マスク洗浄方法 - Google Patents
マスク洗浄方法Info
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- JPH02102529A JPH02102529A JP63254916A JP25491688A JPH02102529A JP H02102529 A JPH02102529 A JP H02102529A JP 63254916 A JP63254916 A JP 63254916A JP 25491688 A JP25491688 A JP 25491688A JP H02102529 A JPH02102529 A JP H02102529A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造分野において用いられるフォトマス
クの高度に清浄なマスク基板洗浄方法に関する。
クの高度に清浄なマスク基板洗浄方法に関する。
（従来の技術）
従来、一般にマスク基板を洗浄する方法として。
硫酸と過酸化水素水の混合液中に浸漬する方法がとられ
ている。この洗浄法は化学的な反応により発生した活性
種１例えば酸素ラジカルを利用している。
ている。この洗浄法は化学的な反応により発生した活性
種１例えば酸素ラジカルを利用している。
第２図は従来例のこの種の洗浄装置の概略構成を示して
いる。第２図において、１１は洗浄槽、１２は硫酸と過
酸化水素水の混合液、１３は基板、１４は基板ホルダー
である。
いる。第２図において、１１は洗浄槽、１２は硫酸と過
酸化水素水の混合液、１３は基板、１４は基板ホルダー
である。
まず、洗浄槽１１の中に、硫酸と過酸化水素水を注入す
ると、化学反応により酸素ラジカルが発生する。次にこ
の混合液中に基板ホルダー１４に設置された基板１３を
入れると、酸素ラジカルにより基板１３の表面上の有機
物やダストは分解され、その結果基板は洗浄される。
ると、化学反応により酸素ラジカルが発生する。次にこ
の混合液中に基板ホルダー１４に設置された基板１３を
入れると、酸素ラジカルにより基板１３の表面上の有機
物やダストは分解され、その結果基板は洗浄される。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来の洗浄方法では、硫酸−過酸化
水素水洗浄液の劣化による洗浄能力の低下が起こる他、
クロム膜が形成されたマスク基板の場合には、クロム膜
が酸により損傷を受けるという問題点があった。
水素水洗浄液の劣化による洗浄能力の低下が起こる他、
クロム膜が形成されたマスク基板の場合には、クロム膜
が酸により損傷を受けるという問題点があった。
本発明はこのような上記従来の問題を解決するものであ
り、洗浄液の劣化や基板の損傷を防ぐことができる洗浄
方法を提供することを目的とするものである。
り、洗浄液の劣化や基板の損傷を防ぐことができる洗浄
方法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は上記目的を達成するために、本発明の洗浄方法
は、被洗浄基板を電極とし、対極を洗浄液中に設け、洗
浄液を電解質として両極間に電源を設けた構成とするよ
うにしたものである。
は、被洗浄基板を電極とし、対極を洗浄液中に設け、洗
浄液を電解質として両極間に電源を設けた構成とするよ
うにしたものである。
（作 用）
本発明は」−記のような構成により、洗浄液を通して電
圧を印加すれば、基板自身が一方の電極であり不活性な
金属が他方の電極となる電気化学反応が生じ、この反応
が活性種を発生させ、この活性種と基板表面のダストや
有機物との反応により基板が洗浄される。
圧を印加すれば、基板自身が一方の電極であり不活性な
金属が他方の電極となる電気化学反応が生じ、この反応
が活性種を発生させ、この活性種と基板表面のダストや
有機物との反応により基板が洗浄される。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例のクロムマスク基板を洗浄す
る場合の洗浄槽の概略を示すものである。
る場合の洗浄槽の概略を示すものである。
第１図において、１は洗浄槽、４は基板ホルダーであり
、これらは従来例の構成と同じである。５はクロムマス
ク基板であり、ガラス基板５ｂ上にクロム５ａがコーテ
ィングされている。６は白金電極、７は過酸化水素水、
８は電源である。
、これらは従来例の構成と同じである。５はクロムマス
ク基板であり、ガラス基板５ｂ上にクロム５ａがコーテ
ィングされている。６は白金電極、７は過酸化水素水、
８は電源である。
次に上記実施例の動作について説明する。まず、過酸化
水素水７に導電性を増すために支持電解質として極少量
の硫酸を滴下する。クロム５ａをカソードとし、白金電
極６をアノードとして、これらの間に電源８より電圧を
印加すると、クロム５ａ上には酸素ラジカルが発生し、
クロム表面上のダストを分解洗浄する。
水素水７に導電性を増すために支持電解質として極少量
の硫酸を滴下する。クロム５ａをカソードとし、白金電
極６をアノードとして、これらの間に電源８より電圧を
印加すると、クロム５ａ上には酸素ラジカルが発生し、
クロム表面上のダストを分解洗浄する。
上記のように本実施例によれば、ダストを分解洗浄する
酸素ラジカルを電気化学的な方法でクロム表面において
のみ発生させたことにより過酸化水素水洗浄液の劣化を
抑制することができる。又、硫酸を極少量しか用いてい
ないために、ダスト混入の要素を１つ減らすことができ
ただけでなく、酸による基板のクロム膜の損傷をも防ぐ
ことができる。
酸素ラジカルを電気化学的な方法でクロム表面において
のみ発生させたことにより過酸化水素水洗浄液の劣化を
抑制することができる。又、硫酸を極少量しか用いてい
ないために、ダスト混入の要素を１つ減らすことができ
ただけでなく、酸による基板のクロム膜の損傷をも防ぐ
ことができる。
なお、本実施例では基板としてクロムマスク基板を用い
たが、導電性を有するその他の基板でも同様の効果が得
られる。
たが、導電性を有するその他の基板でも同様の効果が得
られる。
（発明の効果）
本発明は上記実施例より明らかなように、洗浄に寄与す
る活性種を電気化学的な手法で発生させるので洗浄液の
劣化を抑制することができ、酸を活性種発生剤として用
いないので基板の損傷をなくすることができ、しかも非
常に清浄な系で動作する洗浄方法が実現できる効果を有
する。
る活性種を電気化学的な手法で発生させるので洗浄液の
劣化を抑制することができ、酸を活性種発生剤として用
いないので基板の損傷をなくすることができ、しかも非
常に清浄な系で動作する洗浄方法が実現できる効果を有
する。
第１図は本発明の一実施例における洗浄方法の洗浄槽の
概略図、第２図は従来の洗浄方法の洗浄槽の概略図であ
る。 １．１１・・・洗浄槽、４，１４・・・基板ホルダー、
５・・・クロムマスク基板、 ６ ・・・白金電極、
７・・・過酸化水素水、 ８・・・電源、１２・・・
硫酸と過酸化水素水の混合液、１３・・・基板。 第１図 特許出願人 松下電子工業株式会社
概略図、第２図は従来の洗浄方法の洗浄槽の概略図であ
る。 １．１１・・・洗浄槽、４，１４・・・基板ホルダー、
５・・・クロムマスク基板、 ６ ・・・白金電極、
７・・・過酸化水素水、 ８・・・電源、１２・・・
硫酸と過酸化水素水の混合液、１３・・・基板。 第１図 特許出願人 松下電子工業株式会社
Claims (1)
- 洗浄液を電解質溶液とし、被洗浄基板を電極として対極
との間に電圧を印加することを特徴とするマスク洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254916A JPH02102529A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | マスク洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63254916A JPH02102529A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | マスク洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102529A true JPH02102529A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17271638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63254916A Pending JPH02102529A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | マスク洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102529A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0702400A2 (en) * | 1992-05-29 | 1996-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| US5695570A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for the photo-stimulated removal of trace metals from a semiconductor surface |
| US5695569A (en) * | 1991-02-28 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| JP2012020277A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 洗浄装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587831A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Sumitomo Shoji Kk | 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置 |
| JPS5924849A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-08 | Hitachi Ltd | フオトマスクの洗浄方法 |
| JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
| JPS6077430A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有機材料膜を剥離する方法 |
| JPS63193129A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | コンタクトレンズの処理方法 |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP63254916A patent/JPH02102529A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0702400A2 (en) * | 1992-05-29 | 1996-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Removal of metal contamination |
| EP0702400A3 (en) * | 1992-05-29 | 1996-05-15 | Texas Instruments Inc | Removal of metallic contaminants |
| JP2012020277A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 洗浄装置 |
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