JP3313263B2 - 電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置 - Google Patents
電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置Info
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Water Treatment By Electricity Or Magnetism (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体基板の
洗浄などに用いられる超純水の電解生成方法及びその生
成装置に関するものである。
洗浄などに用いられる超純水の電解生成方法及びその生
成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】生活環境に悪影響を及ぼすのでフロンな
どの弗素系溶剤は、例えば、半導体装置の製造には敬遠
され、代わりに純水や超純水などの水が最も安全な溶剤
として利用されるようになっている。純水は、イオン、
微粒子、微生物、有機物などの不純物をほとんど除去し
た抵抗率が５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水である。
超純水は、超純水製造装置により水中の懸濁物質、溶解
物質及び高効率に取り除いた純水よりさらに純度の高い
極めて高純度の水である。電気伝導度で表現すると、純
水の伝導率ρは、１０μＳｃｍより小さく、超純水の伝
導率ρは、０．０５５μＳｃｍより小さい。これらの水
を電気分解することによって、酸素、オゾンなどの酸化
性の強い陽極水や還元性の強い陰極水が生成される。半
導体装置の製造においては、これら陽極水や陰極水など
の純水や超純水を用いて半導体基板の表面を洗浄する。
従来は、ウェーハ処理工程において基板洗浄を行うにあ
たり、薬液のｐＨを制御することによってシリコン半導
体基板を少量エッチングしてパーティクル除去及び金属
汚染の除去を行う。この後、超純水の比抵抗値が約１８
ＭΩｃｍに回復するまで水洗いをする。水の酸化還元性
は、含まれている物質に影響される。純水や超純水には
溶存酸素が含まれているが、このためシリコン半導体基
板をこの純水で洗浄すると部分的に酸化溶解が起こるの
で溶存酸素量を少なくすることが行われている。
どの弗素系溶剤は、例えば、半導体装置の製造には敬遠
され、代わりに純水や超純水などの水が最も安全な溶剤
として利用されるようになっている。純水は、イオン、
微粒子、微生物、有機物などの不純物をほとんど除去し
た抵抗率が５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水である。
超純水は、超純水製造装置により水中の懸濁物質、溶解
物質及び高効率に取り除いた純水よりさらに純度の高い
極めて高純度の水である。電気伝導度で表現すると、純
水の伝導率ρは、１０μＳｃｍより小さく、超純水の伝
導率ρは、０．０５５μＳｃｍより小さい。これらの水
を電気分解することによって、酸素、オゾンなどの酸化
性の強い陽極水や還元性の強い陰極水が生成される。半
導体装置の製造においては、これら陽極水や陰極水など
の純水や超純水を用いて半導体基板の表面を洗浄する。
従来は、ウェーハ処理工程において基板洗浄を行うにあ
たり、薬液のｐＨを制御することによってシリコン半導
体基板を少量エッチングしてパーティクル除去及び金属
汚染の除去を行う。この後、超純水の比抵抗値が約１８
ＭΩｃｍに回復するまで水洗いをする。水の酸化還元性
は、含まれている物質に影響される。純水や超純水には
溶存酸素が含まれているが、このためシリコン半導体基
板をこの純水で洗浄すると部分的に酸化溶解が起こるの
で溶存酸素量を少なくすることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエーハの大口
径化は今後も続くものであり、半導体装置の大型化によ
るランニングコストの増加、半導体基板洗浄に用いる薬
液、超純水の使用量の増加、それに伴う廃液処理量が増
加するという問題がある。また、使用する薬液は人体に
対して危険かつ有害な物質であり、その取扱いには十分
な注意を要する上に、適切に処理しなければ、環境にも
悪影響を及ぼす恐れがある。従来超純水の電気分解を行
う際に、支持電解質としてＮａＣｌ等のハロゲンを含む
物質を用いるが、この様な電解質を用いると電解水中に
ハロゲンが含まれるためシリコン半導体基板を洗浄後、
半導体基板上にハロゲンが残留し、このハロゲンが酸化
膜劣化などを引き起こすという問題があった。本発明
は、このような事情により成されたものであり、半導体
基板が損傷されず、洗浄工程におけるランニングコスト
の低減及び排水の無公害化、作業環境の安全性向上を可
能にする純水又は超純水の電解水生成方法及びその生成
装置を提供することを目的にしている。
径化は今後も続くものであり、半導体装置の大型化によ
るランニングコストの増加、半導体基板洗浄に用いる薬
液、超純水の使用量の増加、それに伴う廃液処理量が増
加するという問題がある。また、使用する薬液は人体に
対して危険かつ有害な物質であり、その取扱いには十分
な注意を要する上に、適切に処理しなければ、環境にも
悪影響を及ぼす恐れがある。従来超純水の電気分解を行
う際に、支持電解質としてＮａＣｌ等のハロゲンを含む
物質を用いるが、この様な電解質を用いると電解水中に
ハロゲンが含まれるためシリコン半導体基板を洗浄後、
半導体基板上にハロゲンが残留し、このハロゲンが酸化
膜劣化などを引き起こすという問題があった。本発明
は、このような事情により成されたものであり、半導体
基板が損傷されず、洗浄工程におけるランニングコスト
の低減及び排水の無公害化、作業環境の安全性向上を可
能にする純水又は超純水の電解水生成方法及びその生成
装置を提供することを目的にしている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この様な課題を解決する
ために本発明の電解水の生成方法は、蓚酸、蓚酸アンモ
ニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酒
石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくとも１つの固
体の支持電解質からなる支持電解質を純水又は超純水に
添加する工程と、前記支持電解質が添加された純水又は
超純水を電気分解して陽極水及び陰極水を生成する工程
とを備えていることを特徴とする。前記固体の支持電解
質を純水又は超純水に添加する工程は、純水又は超純水
と前記固体の支持電解質の飽和溶液とを混合して前記固
体の支持電解質の希釈溶液を形成するようにしても良
い。
ために本発明の電解水の生成方法は、蓚酸、蓚酸アンモ
ニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、酒
石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくとも１つの固
体の支持電解質からなる支持電解質を純水又は超純水に
添加する工程と、前記支持電解質が添加された純水又は
超純水を電気分解して陽極水及び陰極水を生成する工程
とを備えていることを特徴とする。前記固体の支持電解
質を純水又は超純水に添加する工程は、純水又は超純水
と前記固体の支持電解質の飽和溶液とを混合して前記固
体の支持電解質の希釈溶液を形成するようにしても良
い。
【０００５】また、本発明の電解水生成装置は、蓚酸、
蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモ
ニウム、酒石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくと
も１つの固体の支持電解質が添加された純水又は超純水
が電気分解される陽極室及び陰極室を有する電解槽と、
前記固体の支持電解質の層が配置され、その飽和溶液を
形成する溶解槽と、前記支持電解質の飽和溶液を純水又
は超純水に混合する溶液槽と、純水又は超純水を前記溶
解槽で形成された前記飽和溶液とともに前記溶液槽に供
給する第１の超純水供給ラインと、純水又は超純水を前
記溶解槽の下部からこの溶解槽に供給する第２の超純水
供給ラインとを備えていることを特徴とする。さらに、
本発明の半導体製造装置は、前記電解槽で生成された電
解水を電解水供給ラインによって供給された半導体ウェ
ーハ洗浄装置を前記電解水生成装置に接続したことを特
徴とする。前記電解水供給ラインハ、前記電解槽で生成
された電解水を前記溶液槽に供給する電解水バイパスラ
インを分岐させるようにしても良い。
蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸水素アンモ
ニウム、酒石酸アンモニウムの中から選ばれた少なくと
も１つの固体の支持電解質が添加された純水又は超純水
が電気分解される陽極室及び陰極室を有する電解槽と、
前記固体の支持電解質の層が配置され、その飽和溶液を
形成する溶解槽と、前記支持電解質の飽和溶液を純水又
は超純水に混合する溶液槽と、純水又は超純水を前記溶
解槽で形成された前記飽和溶液とともに前記溶液槽に供
給する第１の超純水供給ラインと、純水又は超純水を前
記溶解槽の下部からこの溶解槽に供給する第２の超純水
供給ラインとを備えていることを特徴とする。さらに、
本発明の半導体製造装置は、前記電解槽で生成された電
解水を電解水供給ラインによって供給された半導体ウェ
ーハ洗浄装置を前記電解水生成装置に接続したことを特
徴とする。前記電解水供給ラインハ、前記電解槽で生成
された電解水を前記溶液槽に供給する電解水バイパスラ
インを分岐させるようにしても良い。
【０００６】
【作用】約１８ＭΩｃｍという高い比抵抗率の超純水や
純水を電気分解するため、蓚酸からなる常温で固体の支
持電解質を用いて電気分解し、電解水を得る。固体のた
め液体よりも取扱い易く、超純水などに溶解させ飽和状
態で電気分解するので濃度制御も容易である。電解水は
通常の酸性、アルカリ性溶液に比べて酸化還元力が強
く、優れたコンタミネーション除去能力を持つので、こ
れをシリコン半導体基板洗浄に用いる。更にハロゲンを
含まない電解水を用いるため、半導体基板洗浄後に基板
表面のハロゲン残留がない。洗浄処理が終われば、陽極
水、陰極水を混合し中和してから廃棄する。とくに本発
明の固体の支持電解質のうち蓚酸を用いて電気分解を行
うと陽極水のみならず陰極水も酸性を示すので（図２参
照）、半導体基板の酸性処理に適している。
純水を電気分解するため、蓚酸からなる常温で固体の支
持電解質を用いて電気分解し、電解水を得る。固体のた
め液体よりも取扱い易く、超純水などに溶解させ飽和状
態で電気分解するので濃度制御も容易である。電解水は
通常の酸性、アルカリ性溶液に比べて酸化還元力が強
く、優れたコンタミネーション除去能力を持つので、こ
れをシリコン半導体基板洗浄に用いる。更にハロゲンを
含まない電解水を用いるため、半導体基板洗浄後に基板
表面のハロゲン残留がない。洗浄処理が終われば、陽極
水、陰極水を混合し中和してから廃棄する。とくに本発
明の固体の支持電解質のうち蓚酸を用いて電気分解を行
うと陽極水のみならず陰極水も酸性を示すので（図２参
照）、半導体基板の酸性処理に適している。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、電解水生成装置１及び電解水供給ライン
により接続された半導体基板洗浄装置２からなる半導体
製造装置の概略図である。本発明で使用される固体の酸
及び酸のアンモニウム塩からなる少なくとも１つの支持
電解質として、例えば、ＣＨ（炭化水素）系で低分子で
ある蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸
水素アンモニウム、酒石酸アンモニウム等がある。超純
水の電気分解には支持電解質が必要であり、通常メタル
フリーやハロゲンフリーであることが要求される。電解
水生成装置１には、第１の超純水供給ライン３０と第２
の超純水供給ライン３が設けられている。この電解水生
成装置１内の支持電解質溶解槽（以下、溶解槽という）
５中に過剰の固体支持電解質である、例えば、蓚酸の層
２０を置き、その溶解槽５中へ第２の超純水供給ライン
３から超純水が供給されることによって、常に飽和状態
の飽和蓚酸溶液２１が生成される。超純水は、矢印に示
すように溶解槽５の底部に形成された入口より供給さ
れ、蓚酸の層２０を通過した後、飽和蓚酸溶液２１が形
成される。ここで形成された超純水を含む飽和蓚酸溶液
２１は、溶解槽５の上部に形成した出口からポンプで吸
い上げられて第１の超純水供給ライン３０に供給され、
このラインによって溶液槽６に供給される。
する。図１は、電解水生成装置１及び電解水供給ライン
により接続された半導体基板洗浄装置２からなる半導体
製造装置の概略図である。本発明で使用される固体の酸
及び酸のアンモニウム塩からなる少なくとも１つの支持
電解質として、例えば、ＣＨ（炭化水素）系で低分子で
ある蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、炭酸
水素アンモニウム、酒石酸アンモニウム等がある。超純
水の電気分解には支持電解質が必要であり、通常メタル
フリーやハロゲンフリーであることが要求される。電解
水生成装置１には、第１の超純水供給ライン３０と第２
の超純水供給ライン３が設けられている。この電解水生
成装置１内の支持電解質溶解槽（以下、溶解槽という）
５中に過剰の固体支持電解質である、例えば、蓚酸の層
２０を置き、その溶解槽５中へ第２の超純水供給ライン
３から超純水が供給されることによって、常に飽和状態
の飽和蓚酸溶液２１が生成される。超純水は、矢印に示
すように溶解槽５の底部に形成された入口より供給さ
れ、蓚酸の層２０を通過した後、飽和蓚酸溶液２１が形
成される。ここで形成された超純水を含む飽和蓚酸溶液
２１は、溶解槽５の上部に形成した出口からポンプで吸
い上げられて第１の超純水供給ライン３０に供給され、
このラインによって溶液槽６に供給される。
【０００８】この溶液槽６で超純水と飽和蓚酸溶液２１
は、十分混合されて、希釈蓚酸溶液２８となる。ここか
らこの希釈蓚酸溶液２８は電解槽７へ供給される。溶液
槽６は、超純水を溶媒とする希釈蓚酸溶液２８がダイレ
クトに供給されないようにバッファーの役割を果たす。
そのため常に一定流量の超純水の供給を可能にしてい
る。電解槽７は、陰極室２２と陽極室２３とを備え、陰
極室２２には陰極９が配置され、陽極室２３には陽極１
０が配置されている。そして、これら電極９、１０は共
に白金又はチタンから構成されている。陰極室２２で形
成される陰極水及び陽極室２３で形成される陽極水とを
効率よく分離するために両室は、多孔質隔膜１１で仕切
られている。電解槽７の陰極９は、電池１２の負極１３
に接続され、陽極１０は、電池１２の正極１４に接続さ
れている。電解槽７では電池１２からの電源電圧を印加
して電解槽７に供給された超純水の希釈蓚酸溶液２８を
電気分解する。この電気分解の結果陰極９側で生成され
る陰極水のｐＨは２．７９であり、陽極１０側で生成さ
れる陽極水のｐＨは２．６０であって、いづれの電解水
も酸性を示す。この希釈蓚酸溶液２８の電気分解前のｐ
Ｈは、２．６０〜２．６３程度であった。
は、十分混合されて、希釈蓚酸溶液２８となる。ここか
らこの希釈蓚酸溶液２８は電解槽７へ供給される。溶液
槽６は、超純水を溶媒とする希釈蓚酸溶液２８がダイレ
クトに供給されないようにバッファーの役割を果たす。
そのため常に一定流量の超純水の供給を可能にしてい
る。電解槽７は、陰極室２２と陽極室２３とを備え、陰
極室２２には陰極９が配置され、陽極室２３には陽極１
０が配置されている。そして、これら電極９、１０は共
に白金又はチタンから構成されている。陰極室２２で形
成される陰極水及び陽極室２３で形成される陽極水とを
効率よく分離するために両室は、多孔質隔膜１１で仕切
られている。電解槽７の陰極９は、電池１２の負極１３
に接続され、陽極１０は、電池１２の正極１４に接続さ
れている。電解槽７では電池１２からの電源電圧を印加
して電解槽７に供給された超純水の希釈蓚酸溶液２８を
電気分解する。この電気分解の結果陰極９側で生成され
る陰極水のｐＨは２．７９であり、陽極１０側で生成さ
れる陽極水のｐＨは２．６０であって、いづれの電解水
も酸性を示す。この希釈蓚酸溶液２８の電気分解前のｐ
Ｈは、２．６０〜２．６３程度であった。
【０００９】これに対して、従来の塩化アンモニウムや
本発明のアンモニウム塩を支持電解質にして電解槽で電
気分解を行うと、陰極側で生成される陰極水は、水酸化
物イオンが過剰に存在し、したがってアルカリ性を示
し、陽極側で生成される陽極水はプロトンが過剰に存在
して酸性を示す。ここで、図２を参照して電解水のｐＨ
の変化について説明する。図は、ｐＨ値の電気分解時間
依存性を示す特性図であり、縦軸に電解水ｐＨを示し、
横軸に電気分解時間（分）を示している。この図では、
本発明の希釈蓚酸溶液から生成した陽極水のｐＨ曲線
（Ａ１）及び陰極水のｐＨ曲線（Ｋ１）と、本発明の支
持電解質である蓚酸アンモニウムから生成した陽極水の
ｐＨ曲線（Ａ２）及び陰極水のｐＨ曲線（Ｋ２）とを示
している。図に示すように蓚酸アンモニウムは、陽極水
は、酸性であり、陰極水は、アルカリ性であるが、蓚酸
溶液の電解水では、陽極水、陰極水ともに酸性である。
本発明のアンモニウム塩を支持電解質にして電解槽で電
気分解を行うと、陰極側で生成される陰極水は、水酸化
物イオンが過剰に存在し、したがってアルカリ性を示
し、陽極側で生成される陽極水はプロトンが過剰に存在
して酸性を示す。ここで、図２を参照して電解水のｐＨ
の変化について説明する。図は、ｐＨ値の電気分解時間
依存性を示す特性図であり、縦軸に電解水ｐＨを示し、
横軸に電気分解時間（分）を示している。この図では、
本発明の希釈蓚酸溶液から生成した陽極水のｐＨ曲線
（Ａ１）及び陰極水のｐＨ曲線（Ｋ１）と、本発明の支
持電解質である蓚酸アンモニウムから生成した陽極水の
ｐＨ曲線（Ａ２）及び陰極水のｐＨ曲線（Ｋ２）とを示
している。図に示すように蓚酸アンモニウムは、陽極水
は、酸性であり、陰極水は、アルカリ性であるが、蓚酸
溶液の電解水では、陽極水、陰極水ともに酸性である。
【００１０】次に、陰極室２２の陰極水は、陰極水供給
ライン１５を半導体ウェーハを洗浄する洗浄装置２の洗
浄槽１７に供給され、陽極水は、陽極水供給ライン１６
を通って前記洗浄槽１７に供給される。電解水生成装置
１の電解槽７から送り出される陰極水及び陽極水は、供
給ライン１５、１６を介してすべて洗浄槽１７に供給さ
れるのではない。洗浄槽１７へ供給される電解水は、陰
極水と陽極水とが混合され、ｐＨ調整されるが、一部の
洗浄槽１７に供給されない電解水は、それぞれ供給ライ
ン１５、１６から分岐した電解水バイパスライン８を通
って、バッファ槽である溶液槽６へ戻される。これは、
図示のようにバルブの開閉によって適宜行われる。そし
て、この電解水は、まだ電気分解されていない第２の超
純水供給ライン３から供給された超純水の希釈蓚酸溶液
２８と共に電解槽７へ再び供給される。洗浄装置２の洗
浄槽１７で半導体基板２４を洗浄する時には、基板洗浄
の目的に合わせて陰極水と陽極水を使い分ける。一般
に、電解水は、通常の酸性溶液やアルカリ性溶液と比べ
て酸化力及び還元力が強く、コンタミネーション除去能
力に優れている。この実施例では、前述のように陰極
水、陽極水ともに酸性なので、金属汚染や有機物汚染の
除去に優れている。
ライン１５を半導体ウェーハを洗浄する洗浄装置２の洗
浄槽１７に供給され、陽極水は、陽極水供給ライン１６
を通って前記洗浄槽１７に供給される。電解水生成装置
１の電解槽７から送り出される陰極水及び陽極水は、供
給ライン１５、１６を介してすべて洗浄槽１７に供給さ
れるのではない。洗浄槽１７へ供給される電解水は、陰
極水と陽極水とが混合され、ｐＨ調整されるが、一部の
洗浄槽１７に供給されない電解水は、それぞれ供給ライ
ン１５、１６から分岐した電解水バイパスライン８を通
って、バッファ槽である溶液槽６へ戻される。これは、
図示のようにバルブの開閉によって適宜行われる。そし
て、この電解水は、まだ電気分解されていない第２の超
純水供給ライン３から供給された超純水の希釈蓚酸溶液
２８と共に電解槽７へ再び供給される。洗浄装置２の洗
浄槽１７で半導体基板２４を洗浄する時には、基板洗浄
の目的に合わせて陰極水と陽極水を使い分ける。一般
に、電解水は、通常の酸性溶液やアルカリ性溶液と比べ
て酸化力及び還元力が強く、コンタミネーション除去能
力に優れている。この実施例では、前述のように陰極
水、陽極水ともに酸性なので、金属汚染や有機物汚染の
除去に優れている。
【００１１】洗浄装置２で洗浄される半導体基板２４
は、バッチ式支持具又は枚葉式支持具のいづれで支持さ
れていても良い。支持電解質がアルカリ塩の場合は、陰
極水は、アルカリ性であり、シリコンエッチングやパー
ティクル除去能力に優れ、陽極水は、酸性であり、金属
汚染や有機物汚染の除去に優れている。電解水により半
導体基板を洗浄する時間は、いづれの電解水を用いても
５〜１０分程度が適当である。洗浄槽１７には別系統の
超純水供給ライン４が接続されており、半導体基板洗浄
後に洗浄槽１７を純水で流水し置換する。基板洗浄に用
いられた陰極水及び陽極水は、各々排水ライン１８を通
って一度排水槽１９へ回収され、中和された後に廃棄さ
れる。通常の酸化溶液は、水素（Ｈ）よりイオン化傾向
の大きい金属の除去のみに有効であり、銅（Ｃｕ）は除
去困難であったが、陽極水は酸化力が強いので、Ｃｕ除
去、有機物汚染除去に効果がある。また、電気分解によ
り水分子同士の水素結合が解離し、水素結合数が減少す
る。よって水分子集団（クラスタ）が小さくなるため、
表面張力が小さくなり、したがって、微細パターンを持
つシリコン基板洗浄に有効である。
は、バッチ式支持具又は枚葉式支持具のいづれで支持さ
れていても良い。支持電解質がアルカリ塩の場合は、陰
極水は、アルカリ性であり、シリコンエッチングやパー
ティクル除去能力に優れ、陽極水は、酸性であり、金属
汚染や有機物汚染の除去に優れている。電解水により半
導体基板を洗浄する時間は、いづれの電解水を用いても
５〜１０分程度が適当である。洗浄槽１７には別系統の
超純水供給ライン４が接続されており、半導体基板洗浄
後に洗浄槽１７を純水で流水し置換する。基板洗浄に用
いられた陰極水及び陽極水は、各々排水ライン１８を通
って一度排水槽１９へ回収され、中和された後に廃棄さ
れる。通常の酸化溶液は、水素（Ｈ）よりイオン化傾向
の大きい金属の除去のみに有効であり、銅（Ｃｕ）は除
去困難であったが、陽極水は酸化力が強いので、Ｃｕ除
去、有機物汚染除去に効果がある。また、電気分解によ
り水分子同士の水素結合が解離し、水素結合数が減少す
る。よって水分子集団（クラスタ）が小さくなるため、
表面張力が小さくなり、したがって、微細パターンを持
つシリコン基板洗浄に有効である。
【００１２】このような特徴を持つ電解水を生成する
際、反応を促進させるため、電気伝導率の大きい強電解
質を使うことが多い。ＨＣｌやＮａＯＨ、ＮａＣｌが一
般的だが、これらは金属元素やハロゲンが含まれてお
り、素子の電気的特性を劣化させる。しかもその取扱い
には厳重な注意が必要である。本発明では、支持電解質
としてハロゲンを含まないＣＨ系化合物を用いる。この
化合物としては、蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモ
ニウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウム等
がある。電解質の添加量は０．００１〜０．１ｍｏｌ／
ｌ程度が好ましい。
際、反応を促進させるため、電気伝導率の大きい強電解
質を使うことが多い。ＨＣｌやＮａＯＨ、ＮａＣｌが一
般的だが、これらは金属元素やハロゲンが含まれてお
り、素子の電気的特性を劣化させる。しかもその取扱い
には厳重な注意が必要である。本発明では、支持電解質
としてハロゲンを含まないＣＨ系化合物を用いる。この
化合物としては、蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモ
ニウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウム等
がある。電解質の添加量は０．００１〜０．１ｍｏｌ／
ｌ程度が好ましい。
【００１３】次に、図３を参照して、電解水生成装置内
の溶解槽の他の実施例について説明する。図は、電解水
生成装置を構成する溶解槽の概略断面図である。溶解槽
５には、固体支持電解質である、例えば、蓚酸の層２０
が配置されている。溶解槽５の底部には、第２の超純水
供給ラインからの超純水が供給される入口５１が形成さ
れており、上部には、溶解槽内で形成された飽和蓚酸溶
液が溶液槽に供給される出口５２が形成されている。ま
た、蓚酸の層２０より上部に温度センサ２５が配置され
ており、さらに蓚酸の層２０より上に液体を攪拌する攪
拌子２６が配置されている。超純水供給ラインからの超
純水が入口５１から供給されることによって、超純水
は、溶解槽５の下から満たされていき、蓚酸の層２０が
浸漬されることによって蓚酸が飽和状態になるまで超純
水にとけて飽和蓚酸溶液２１が生成される。ここで形成
された飽和蓚酸溶液２１は、出口５２から溶液槽へ供給
される。蓚酸の飽和量は温度によって異なるから常に溶
解槽内の液温を一定に保つ必要がある。そこで上記に示
す様に温度センサ２５を配置してその温度を検知し、そ
の結果によって飽和蓚酸溶液の液温を調整する。また、
溶解槽内に取り付けた撹拌子２６を操作することによっ
て濃度の均一性を保つとともに温度を均一にする。撹拌
子２６は、５分あたり３０秒間程度回転させることが好
ましい。
の溶解槽の他の実施例について説明する。図は、電解水
生成装置を構成する溶解槽の概略断面図である。溶解槽
５には、固体支持電解質である、例えば、蓚酸の層２０
が配置されている。溶解槽５の底部には、第２の超純水
供給ラインからの超純水が供給される入口５１が形成さ
れており、上部には、溶解槽内で形成された飽和蓚酸溶
液が溶液槽に供給される出口５２が形成されている。ま
た、蓚酸の層２０より上部に温度センサ２５が配置され
ており、さらに蓚酸の層２０より上に液体を攪拌する攪
拌子２６が配置されている。超純水供給ラインからの超
純水が入口５１から供給されることによって、超純水
は、溶解槽５の下から満たされていき、蓚酸の層２０が
浸漬されることによって蓚酸が飽和状態になるまで超純
水にとけて飽和蓚酸溶液２１が生成される。ここで形成
された飽和蓚酸溶液２１は、出口５２から溶液槽へ供給
される。蓚酸の飽和量は温度によって異なるから常に溶
解槽内の液温を一定に保つ必要がある。そこで上記に示
す様に温度センサ２５を配置してその温度を検知し、そ
の結果によって飽和蓚酸溶液の液温を調整する。また、
溶解槽内に取り付けた撹拌子２６を操作することによっ
て濃度の均一性を保つとともに温度を均一にする。撹拌
子２６は、５分あたり３０秒間程度回転させることが好
ましい。
【００１４】次に、図４を参照して、電解水生成装置内
の溶液槽の他の実施例について説明する。図は、溶解槽
の概略断面図である。溶液槽６は、上部に溶解槽からの
希釈蓚酸溶液２８が供給される入口６１と、底部に電解
槽で生成された電解水が供給される入口６２、６３と、
下部に取り付け、希釈蓚酸溶液２８が電解槽に供給され
るための出口６４とを備えている。電解水が供給される
入口６２には、電解槽の陰極室に接続された陰極水供給
ラインに接続されている電解水バイパスライン８１が接
続されており、電解水が供給される入口６３には、電解
槽の陽極室に接続された陽極水供給ラインに接続されて
いる電解水バイパスライン８２が接続されている。ま
た、溶液槽６の所定の位置には比抵抗計２７が設けられ
ている。溶液槽６には、希釈蓚酸溶液２８や必要に応じ
て電解水バイパスライン８１、８２から電解水が入り込
み混合される。混合された溶液はまた希釈蓚酸溶液２８
として電解槽へ供給される。しかし、この混合によって
希釈蓚酸溶液２８の蓚酸濃度は変化する場合もあるの
で、溶液槽６内に形成した比抵抗計２７によってその濃
度を検知し、これに基づいて蓚酸濃度を変えたり、電気
分解条件を設定する。
の溶液槽の他の実施例について説明する。図は、溶解槽
の概略断面図である。溶液槽６は、上部に溶解槽からの
希釈蓚酸溶液２８が供給される入口６１と、底部に電解
槽で生成された電解水が供給される入口６２、６３と、
下部に取り付け、希釈蓚酸溶液２８が電解槽に供給され
るための出口６４とを備えている。電解水が供給される
入口６２には、電解槽の陰極室に接続された陰極水供給
ラインに接続されている電解水バイパスライン８１が接
続されており、電解水が供給される入口６３には、電解
槽の陽極室に接続された陽極水供給ラインに接続されて
いる電解水バイパスライン８２が接続されている。ま
た、溶液槽６の所定の位置には比抵抗計２７が設けられ
ている。溶液槽６には、希釈蓚酸溶液２８や必要に応じ
て電解水バイパスライン８１、８２から電解水が入り込
み混合される。混合された溶液はまた希釈蓚酸溶液２８
として電解槽へ供給される。しかし、この混合によって
希釈蓚酸溶液２８の蓚酸濃度は変化する場合もあるの
で、溶液槽６内に形成した比抵抗計２７によってその濃
度を検知し、これに基づいて蓚酸濃度を変えたり、電気
分解条件を設定する。
【００１５】次に、図５乃至図７を参照して本発明の効
果について説明する。図は、いづれも半導体基板を従来
の方法及び本発明の電解水生成装置により得られた電解
水で洗浄したときの半導体基板上の不純物の残存量を示
す特性図、すなわち、不純物残存量の後処理依存性を示
す特性図である。図５は、縦軸に半導体基板表面の０．
２μｍ径以上のパーティクル数（個）を示し、横軸に洗
浄処理の種類を示す。流水処理は、従来の純水による洗
浄処理である。希弗酸処理は、従来の薄い酸化膜を形成
した後にこの酸化膜を希弗酸などにより取り除く処理で
ある。酸性水処理（Ａ）は、本発明のより得られた希釈
蓚酸溶液の電解水の陽極側の陽極水洗浄処理を示してい
る。アルカリ性水処理（Ｂ）は、本発明により得られた
希釈蓚酸アンモニウム溶液などアンモニウム溶液の電解
水の陰極側の陰極水による洗浄処理を示している。図に
示すように、流水処理では、シリコン半導体基板上でも
シリコン半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上でも十分にパー
ティクルを取り除くことは出来ない。希弗酸処理では、
ＳｉＯ2 膜上のパーティクルは減らすことができるが、
シリコン半導体基板上のパーティクルは十分取り除くこ
とは出来ない。すなわち、パーティクル数を減ずるに
は、アルカリ性水処理（Ｂ）が一番効果的であることが
分かる。
果について説明する。図は、いづれも半導体基板を従来
の方法及び本発明の電解水生成装置により得られた電解
水で洗浄したときの半導体基板上の不純物の残存量を示
す特性図、すなわち、不純物残存量の後処理依存性を示
す特性図である。図５は、縦軸に半導体基板表面の０．
２μｍ径以上のパーティクル数（個）を示し、横軸に洗
浄処理の種類を示す。流水処理は、従来の純水による洗
浄処理である。希弗酸処理は、従来の薄い酸化膜を形成
した後にこの酸化膜を希弗酸などにより取り除く処理で
ある。酸性水処理（Ａ）は、本発明のより得られた希釈
蓚酸溶液の電解水の陽極側の陽極水洗浄処理を示してい
る。アルカリ性水処理（Ｂ）は、本発明により得られた
希釈蓚酸アンモニウム溶液などアンモニウム溶液の電解
水の陰極側の陰極水による洗浄処理を示している。図に
示すように、流水処理では、シリコン半導体基板上でも
シリコン半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上でも十分にパー
ティクルを取り除くことは出来ない。希弗酸処理では、
ＳｉＯ2 膜上のパーティクルは減らすことができるが、
シリコン半導体基板上のパーティクルは十分取り除くこ
とは出来ない。すなわち、パーティクル数を減ずるに
は、アルカリ性水処理（Ｂ）が一番効果的であることが
分かる。
【００１６】図６は、シリコン半導体基板上の金属不純
物の処理を説明するものであり、縦軸は、半導体基板表
面の金属不純物量を示し、横軸に洗浄処理の種類を示
す。図に示すように、流水処理では格別の処理効果は得
られないが、酸処理によって金属不純物はほとんど取り
除かれていることが分かる。しかし、酸性水＋希弗酸処
理（ＤＨＦ）処理では更に除去率が上がり、全て検出限
界以下である。即ち、金属不純物は、酸性水によって除
去される。これは、半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上の金
属不純物を取り除く場合にも同様である。図７は、シリ
コン半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上の金属不純物の処理
を説明するものであり、縦軸は、ＳｉＯ2 膜表面の金属
不純物量を示し、横軸に洗浄処理の種類を示す。図に示
すように、流水処理では格別の処理効果は得られない
が、酸性水（Ａ）＋ＤＨＦ処理によって酸＋ＤＨＦ処理
以上に金属不純物は取り除かれていることが分かる。
物の処理を説明するものであり、縦軸は、半導体基板表
面の金属不純物量を示し、横軸に洗浄処理の種類を示
す。図に示すように、流水処理では格別の処理効果は得
られないが、酸処理によって金属不純物はほとんど取り
除かれていることが分かる。しかし、酸性水＋希弗酸処
理（ＤＨＦ）処理では更に除去率が上がり、全て検出限
界以下である。即ち、金属不純物は、酸性水によって除
去される。これは、半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上の金
属不純物を取り除く場合にも同様である。図７は、シリ
コン半導体基板表面のＳｉＯ2 膜上の金属不純物の処理
を説明するものであり、縦軸は、ＳｉＯ2 膜表面の金属
不純物量を示し、横軸に洗浄処理の種類を示す。図に示
すように、流水処理では格別の処理効果は得られない
が、酸性水（Ａ）＋ＤＨＦ処理によって酸＋ＤＨＦ処理
以上に金属不純物は取り除かれていることが分かる。
【００１７】以上、本発明では、支持電解質にハロゲン
を含まないＣＨ系化合物を用いることにより、作業上の
安全性が向上し、特に固体の支持電解質を用いれば、漏
洩時などの処理が容易である。又、メタルフリー、ハロ
ゲンフリーなので基板の洗浄度が増し、酸化膜の劣化を
防ぐことができる。たとえ、ＣＨが残留しても酸化時に
昇温途中で半導体基板から脱離する。また支持電解質は
固体なので溶解する際に常に飽和溶液を生成するので支
持電解質の濃度管理を特に必要としない。以上のように
薬品を一切使わずに電解質のみで洗浄を行うことは超純
水の使用量節約となり、低コスト化が可能になる。ま
た、操作上の安全性向上、廃液時には廃液槽に回収・混
合した後に中和させて廃棄するため環境に無害である。
を含まないＣＨ系化合物を用いることにより、作業上の
安全性が向上し、特に固体の支持電解質を用いれば、漏
洩時などの処理が容易である。又、メタルフリー、ハロ
ゲンフリーなので基板の洗浄度が増し、酸化膜の劣化を
防ぐことができる。たとえ、ＣＨが残留しても酸化時に
昇温途中で半導体基板から脱離する。また支持電解質は
固体なので溶解する際に常に飽和溶液を生成するので支
持電解質の濃度管理を特に必要としない。以上のように
薬品を一切使わずに電解質のみで洗浄を行うことは超純
水の使用量節約となり、低コスト化が可能になる。ま
た、操作上の安全性向上、廃液時には廃液槽に回収・混
合した後に中和させて廃棄するため環境に無害である。
【００１８】
【発明の効果】電気分解で得られた陰極水・陽極水は通
常のアルカリ性溶液・酸性溶液と比較して還元力・酸化
力が強いため、電解水によるシリコン基板洗浄はコンタ
ミネーション除去能力に優れている。とくに蓚酸からな
る支持電解質は、陰極水、陽極水ともに酸性であるの
で、金属汚染、有機物汚染除去に優れている。また、電
気分解により水分子同士の水素結合が解離し、水素結合
数が減少する。よって水分子集団（クラスタ）が小さく
なるため、表面張力が小さくなり、微細パターンを持つ
シリコン基板洗浄に有効である。本発明では、支持電解
質として蓚酸などのハロゲンを含まないＣＨ系化合物を
用いることにより、作業上の安全性が向上し、特に固体
の支持電解質を用いるので、漏洩時などの処理が容易で
ある。また、溶解する際にその飽和溶液に純水又は超純
水を加えて行うので、支持電解質の濃度管理が困難では
ない。以上のように薬品を一切使わずに電解水で洗浄を
行うことは超純水の使用量節約となり、低コスト化が達
成される。又安全面では、操作上の安全性向上廃液時に
は廃液槽に回収・混合した後に中和させて廃棄するため
環境に無害である。
常のアルカリ性溶液・酸性溶液と比較して還元力・酸化
力が強いため、電解水によるシリコン基板洗浄はコンタ
ミネーション除去能力に優れている。とくに蓚酸からな
る支持電解質は、陰極水、陽極水ともに酸性であるの
で、金属汚染、有機物汚染除去に優れている。また、電
気分解により水分子同士の水素結合が解離し、水素結合
数が減少する。よって水分子集団（クラスタ）が小さく
なるため、表面張力が小さくなり、微細パターンを持つ
シリコン基板洗浄に有効である。本発明では、支持電解
質として蓚酸などのハロゲンを含まないＣＨ系化合物を
用いることにより、作業上の安全性が向上し、特に固体
の支持電解質を用いるので、漏洩時などの処理が容易で
ある。また、溶解する際にその飽和溶液に純水又は超純
水を加えて行うので、支持電解質の濃度管理が困難では
ない。以上のように薬品を一切使わずに電解水で洗浄を
行うことは超純水の使用量節約となり、低コスト化が達
成される。又安全面では、操作上の安全性向上廃液時に
は廃液槽に回収・混合した後に中和させて廃棄するため
環境に無害である。
【図１】本発明の電解水生成装置及び洗浄装置を備えた
半導体製造装置の概略断面図。
半導体製造装置の概略断面図。
【図２】電気分解時間に対するｐＨの変化を表す特性
図。
図。
【図３】本発明の半導体製造装置の溶解槽の概略断面
図。
図。
【図４】本発明の半導体製造装置の溶液槽の概略断面
図。
図。
【図５】パーティクル数の後処理依存性を示す特性図。
【図６】金属不純物量の後処理依存性を示す特性図。
【図７】金属不純物量の後処理依存性を示す特性図。
１・・・電解水生成装置、 ２・・・洗浄装置、３・
・・第２の超純水供給ライン、 ４・・・超純水供給
ライン、５・・・溶解槽、 ６・・・溶液槽、 ７
・・・電解槽、８、８１、８２・・・電解水バイパスラ
イン、 ９・・・電解槽の陰極、１０・・・電解槽の
陽極、 １１・・・多孔質隔膜、 １２・・・電
池、１３・・・電池の陰極、 １４・・・電池の陽
極、１５・・・陰極水供給ライン、 １６・・・陽極
水供給ライン、１７・・・洗浄槽、 １８・・・排水
ライン、 １９・・・廃液槽、２０・・・蓚酸の層、
２１・・・飽和蓚酸溶液、２２・・・電解槽の陰極
室、 ２３・・・電解槽の陽極室、２４・・・半導体
基板、 ２５・・・温度センサ、 ２６・・・攪拌
子、２７・・・比抵抗計、 ２８・・・希釈蓚酸溶
液、３０・・・第１の超純水供給ライン、 ５１・・
・溶解槽の入口、５２・・・溶解槽の出口、 ６１、
６２、６３・・・溶液槽の入口、６４・・・溶液槽の出
口
・・第２の超純水供給ライン、 ４・・・超純水供給
ライン、５・・・溶解槽、 ６・・・溶液槽、 ７
・・・電解槽、８、８１、８２・・・電解水バイパスラ
イン、 ９・・・電解槽の陰極、１０・・・電解槽の
陽極、 １１・・・多孔質隔膜、 １２・・・電
池、１３・・・電池の陰極、 １４・・・電池の陽
極、１５・・・陰極水供給ライン、 １６・・・陽極
水供給ライン、１７・・・洗浄槽、 １８・・・排水
ライン、 １９・・・廃液槽、２０・・・蓚酸の層、
２１・・・飽和蓚酸溶液、２２・・・電解槽の陰極
室、 ２３・・・電解槽の陽極室、２４・・・半導体
基板、 ２５・・・温度センサ、 ２６・・・攪拌
子、２７・・・比抵抗計、 ２８・・・希釈蓚酸溶
液、３０・・・第１の超純水供給ライン、 ５１・・
・溶解槽の入口、５２・・・溶解槽の出口、 ６１、
６２、６３・・・溶液槽の入口、６４・・・溶液槽の出
口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−339769（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25B 1/00 - 15/08 H01L 21/02
Claims (5)
- 【請求項１】 蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニ
ウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウムの中
から選ばれた少なくとも１つの固体の支持電解質を純水
又は超純水に添加する工程と、 前記支持電解質が添加された純水又は超純水を電気分解
して陽極水及び陰極水を生成する工程とを備えているこ
とを特徴とする電解水の生成方法。 - 【請求項２】 前記固体の支持電解質を純水又は超純水
に添加する工程は、純水又は超純水と前記固体の支持電
解質の飽和溶液とを混合して前記固体の支持電解質の希
釈溶液を形成することを特徴とする請求項１に記載の電
解水の生成方法。 - 【請求項３】 蓚酸、蓚酸アンモニウム、蟻酸アンモニ
ウム、炭酸水素アンモニウム、酒石酸アンモニウムの中
から選ばれた少なくとも１つの固体の支持電解質が添加
された純水又は超純水が電気分解される陽極室と陰極室
とを備えた電解槽と、 前記固体の支持電解質の層が配置され、その飽和溶液を
形成する溶解槽と、 前記支持電解質の飽和溶液を純水又は超純水に混合する
溶液槽と、 純水又は超純水を前記溶解槽で形成された前記飽和溶液
とともに前記溶液槽に供給する第１の超純水供給ライン
と、 純水又は超純水を前記溶解槽の下部からこの溶解槽に供
給する第２の超純水供給ラインとを備えていることを特
徴とする電解水生成装置。 - 【請求項４】 電解水供給ラインを用いて請求項３に記
載の電解水生成装置を半導体ウェーハ洗浄装置に接続
し、この電解水生成装置で生成された電解水を前記半導
体ウェーハ洗浄装置に供給することを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体製造装置は、電
解水バイパスラインをさらに有し、この電解水バイパス
ラインは、前記電解水供給ラインと前記溶液槽とを接続
し、この電解水供給ラインを流れる電解水を分岐して前
記溶液槽に供給することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399695A JP3313263B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-04-15 | 電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置 |
| US08/631,226 US6723226B1 (en) | 1995-04-15 | 1996-04-12 | Method and apparatus for forming electrolytic water and apparatus for washing semiconductor substrate using electrolytic water-forming apparatus |
| TW085105083A TW323306B (ja) | 1995-04-15 | 1996-04-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399695A JP3313263B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-04-15 | 電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08283976A JPH08283976A (ja) | 1996-10-29 |
| JP3313263B2 true JP3313263B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=14626454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11399695A Expired - Fee Related JP3313263B2 (ja) | 1995-04-15 | 1995-04-15 | 電解水生成方法及びその生成装置、半導体製造装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6723226B1 (ja) |
| JP (1) | JP3313263B2 (ja) |
| TW (1) | TW323306B (ja) |
Families Citing this family (17)
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|---|---|---|---|---|
| JP5140218B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2013-02-06 | 有限会社コヒーレントテクノロジー | 表面洗浄・表面処理に適した帯電アノード水の製造用電解槽及びその製造法、並びに使用方法 |
| EP1461474B1 (en) * | 2001-12-05 | 2011-11-30 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Method and apparatus for producing negative and positive oxidative reductive potential (orp) water |
| JP3869730B2 (ja) | 2002-01-16 | 2007-01-17 | 株式会社平間理化研究所 | 処理液調製供給方法及び装置 |
| US7122269B1 (en) * | 2002-05-30 | 2006-10-17 | Wurzburger Stephen R | Hydronium-oxyanion energy cell |
| US9168318B2 (en) | 2003-12-30 | 2015-10-27 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Oxidative reductive potential water solution and methods of using the same |
| US20050196462A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-09-08 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Topical formulation containing oxidative reductive potential water solution and method for using same |
| US20050139808A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Oxidative reductive potential water solution and process for producing same |
| BRPI0609711B8 (pt) * | 2005-03-23 | 2021-05-25 | Oculus Innovative Sciences Inc | uso de uma solução aquosa com potencial redutivo oxidativo (orp) |
| US9498548B2 (en) | 2005-05-02 | 2016-11-22 | Oculus Innovative Sciences, Inc. | Method of using oxidative reductive potential water solution in dental applications |
| WO2006134819A1 (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Omsi Co., Ltd. | 炭酸ガス溶解液製造方法、製造装置および炭酸水 |
| EP1993570B1 (en) * | 2006-01-20 | 2018-07-25 | Sonoma Pharmaceuticals, Inc. | Methods of treating or preventing peritonitis with oxidative reductive potential water solution |
| NZ553427A (en) * | 2006-02-24 | 2009-03-31 | Kimihiro Sato | Hydrogen enriched hypochlorite free ionized water and method of producing same |
| JP5072892B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2012-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| MX348304B (es) | 2009-06-15 | 2017-06-02 | Invekra S A P I De C V | Solucion que contiene acido hipocloroso y metodos para usar la misma. |
| US9688550B2 (en) * | 2010-08-09 | 2017-06-27 | Aqua Vectors, Incorporated | Electrolytic apparatus and method for treating water to remove nitrates, phosphates, arsenates, and molecules of high molecular weight |
| AT512689A1 (de) * | 2012-03-29 | 2013-10-15 | Pro Aqua Diamantelektroden Produktion Gmbh & Co Kg | Flüssigkeit auf der Basis von Wasser zur Verwendung als Reinigungs- und/oder Desinfektionsmittel, Substanz zur Auflösung in Wasser zur Herstellung eines Reinigungs- und/oder Desinfektionsmittels und Verfahren zur Herstellung eines Reinigungs- und/oder Desinfektionsmittels |
| DE102016109771B4 (de) * | 2016-05-27 | 2020-09-10 | Brooks Automation (Germany) Gmbh | Verfahren zum Reinigen einer Kunststoffoberfläche |
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