TW323306B - - Google Patents

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323306 A7 A 7 B7 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 本發明，係例如，關於用以洗淨半導髓基板的超純水 之電解產生方法及其產生裝置。 〔習知技藝〕 氟利昂（freon)等氟系溶劑因對生活環境有不良影 響，故在例如製造半導體裝置逐渐不使用，而代之以純水 或超純水等水做爲最安全的溶劑利用·純水係把離子，微 粒子，微生物，有機物等雜質幾乎全部去除之電阻率爲約 5〜1 8M0cm的高純度之水•超純水，係根據超純水 製造裝置去除水中的懸濁物質，溶解物質及高效率地去除 之比純水純度更髙的極髙純度之水•以導電度表現時，純 水的導電率p係比1 〇 # S cm小，而超純水之導電率p 係比0 . 055//Scm小•根據電解此等水，將產生氣 ，臭氧等氧化性強的陽極水和還原性強之陰極水· 經濟部中央梂準局—工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在製造半導髖裝置時，將使用k等陽棰水和陰極水等 的純水或超純水洗淨半導髏基板表面•已往，在基板處理 過程進行洗淨基板時•係根據控制藥液的p Η將矽半導馥 基板蝕刻少量而進行去除粒子及金屬污染•其後，水洗至 超純水之比電阻值恢復至約1 8ΜΩ cm。水的氧化還原 性，會受包含之物質影響•在純水和超純水雖含有溶存氣 ，因此將矽半導體基板以該純水洗淨時會部份地引起氧化 溶解，故進行減少溶存氧量》 本纸張尺度逋用中國國家榡準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -4 - 經濟部中央橾準扃貝工消费合作杜印製 A7 B7 ____ 五、發明説明（2 ) 〔發明所要解決之課題〕 半導《基板的大口徑化今後也將繼績，故有根據半導 體裝置之大型化的運轉成本之增加，用以洗淨半導體基板 的藥液，超純水之使用量增加，附隨的廢液處理置會增加 之問題•同時，使用的藥液係對人《危險且有害之物質， 其處理不但窬要小心，而且未逋切處理時，對環境也有不 良影響之虞。 已往，進行超純水的電解時，雖做爲支持電解質使用 N a C 等含鹵素物質，但是使用如此的電解質時，因在 電解水中會含有齒索，故在洗淨矽半導體基板後，在半導 體基板上會殘留幽素，具有該鹵素會引起氧化膜劣化等問 題。 本發明，係根據如此的情況而開發者，其目的係在提 供不會損傷半導體基板，減低在洗淨過程之運轉成本及排 水的無公害化，能夠提高作業環境之安全性的純水或超純 水之m解水產生方法及其產生裝置· 〔爲了解決課題之裝置〕 爲了解決如此的課題，本發明之電解水產生方法，其 特徴爲，具有將草酸，草酸銨*蟻酸銨，碳酸氫銨，酒石 酸銨之中選擇的至少1種固體之支持電解質而成的支持m 解質添加在純水或超純水之過程，和把前述添加支持電解 質的純水或超純水電解而產生陽極水及陰極水之過程•前 述將固髖的支持電解質添加至純水或超純水之過程，也可 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS } A4规格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印簟 A7 _ B7_ 五、發明説明（3 ) 以將純水或超純水和前述固β的支持電解質之飽和溶液混 合，而形成前述固體的支持竃解質之稀釋溶液· 同時，本發明的電解水產生裝置，其特徴爲，具有將 添加從草酸，草酸銨，蟻酸銨，碳酸氫銨，酒石酸銨之中 選擇的1種固體之支持竃解質的純水或超純水電解之陽極 室及陰極室的電解槽，和配置有前述固釐之支持電解質的 層，將形成其飽和溶液之溶解槽，和把前述支持電解質的 飽和溶液混合至純水或超純水之溶液槽，和將純水或超純 水與在前述溶解槽形成的前述飽和溶液一齊供給至前述溶 液槽之第1超純水供給管路，和把純水或超純水從前述溶 解槽的下部供給該溶解槽之第2超純水供給管路· 並且，本發明之半導體製造裝置，其特徵爲，將前述 電解槽產生的電解水根據電解水供給管路供給之半導饞基 板洗淨裝置連接在前述電解水產生裝置•前述電解水供給 管路，也可以將前述電解槽產生的電解水供給至前述溶液 槽之電解水旁通管路分岔。 < 〔作用〕 爲了將約1 8ΜΩ cm的髙比電阻係數之超純水和純 水電解，將使用在常溫爲固饞的支持電解質電解，而得到 電解水•因係固®故比液體容易處理，溶解在超純水等以 飽和狀態電解，故濃度控制也容易。電解水因比通常的酸 性，碱性溶液氣化還原力強*具有優異之去除污染能力， 故將此用以洗淨半導體基板*並且因使用不含鹵素的電解 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) .1. 訂 t -6 - 經濟部中央梂準局員工消费合作社印裝 A7 _B7______ 五、發明説明（4 ) 液，故在洗淨半導體基板後在基板表面不會殘留齒索。洗 淨處理完成後*先把陽極水，陰極水混合使之中和後再廢 棄•特別係本發明的固體之支持電解質中使用草酸進行氰 解時，不只陽極水連陰極水也將顯示酸性（參照圓2 )， 故很逋合半導體基板之酸性處理· 〔實施例〕 以下，參照圖面說明本發明的實施例，圓1 ，係由電 解水產生裝置1及電解水供給管路連接之半導髏基板洗淨 裝置2而成的半導體製造裝置之概略圖•做爲在本發明使 用的固髖之酸及酸的銨鹽而成之至少1種支持電解質，例 如，有CH (碳化氫）系而低分子的草酸，草酸銨，蟻酸 銨，碳酸氫銨，酒石酸銨等•在超純水之電解將窬要支持 電解質，通常要求無金屬和無鹵素•在電解水產生裝置1 *設有第1超純水供給管路3 0和第2超純水供給管路3 •在該電解水產生裝置1內的支持k解質溶解槽（以下， 簡稱爲溶解槽）5中，配置過剩之固《支持《解質的，例 如，草酸之層2 0，根據從第2超純水供給管路3將超純 水供給至溶解槽5中*將經常產生飽和狀態的飽和革酸溶 液2 1 ·超純水，係如箭頭記猇所示地從形成在溶解槽5 底部之入口供給，通過草酸之層2 0後，將形成飽和革酸 溶液21·在此形成的包含超純水之飽和革酸溶液21， 將從形成在溶解槽5上部的出口以泵抽起而供給至第1超 純水管路3 0，根據該管路供給至溶液槽6 · 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 2S306 A7 __B7 五、發明説明（5 ) 超純水和飽和革酸溶液21將在該溶液槽6充份混合 ，成爲稀釋革酸溶液2 8。由此賅稀釋草酸溶液2 8將供 給至電解槽7。 溶液槽6，使超純水做爲溶媒的稀釋草酸溶液28不 會直接供給地完成緩衝之任務•因此，使之能經常提供一 定流量的超純水。 電解槽7，具有陰極室2 2和陽極室2 3 ·在陰極室 22配置有陰極9，而在陽極室23配置有陽極10 ·然 後，此等電極9，10皆以白金或鈦構成。爲了將在陰極 室2 2形成的陰極水及在陽極室2 3形成之陽極水有效率 地分離，兩室係以多孔質隔膜11隔離·《解槽7的陰極 9，係連接在電池1 2之負極1 3，而陽極1 0係連接在 電池12的正極14· 經濟部中央揉準局員工消费合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在電解槽7將施加從電池1 2之電源電應*把供給電 解槽7的超純水之稀釋草酸溶液2 8電解·該電解的結果 在陰極9側產生之陰極水的pH爲^ . 79，而在陽極 10側產生之陽極水的pH爲2 . 60，雙方之電解水皆 顯示酸性•該稀釋革酸溶液2 8的電解前之p Η爲 2.60〜2.63程度· 相對地，以已往的氣化銨或本發明之銨鹽做爲支持電 解質在電解槽進行電解時，在陰極側產生的陰極水，有多 餘之氫氧化物離子存在，因此顯示碱性，而在陽極側產生 的陽極水將存在多餘之質子顯示酸性* 在此，參照圓2說明電解水的pH之變化•圖2 *係 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4规格（210X297公釐） -8 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印簟 Α7 Β7 五、發明説明（6 ) 顯示p Η值的電解時間依赖性之特性圓，在直軸表示竃解 水pH’在横軸表示電解時間（分）·在本園，顯示從本 發明的稀釋草酸溶液產生之陽極水的p Η曲線（A 1 )及 陰極水之P Η曲線（K 1 )，和從本發明的支持電解質之 革酸銨產生的陽極水之pH曲線（Α2)及陰極水的pH 曲線（K2) ·如圖所示，草酸銨雖然陽極水爲陽性•陰 極水爲碱性，但是在草酸溶液之電解水，陽極水，陰極水 皆爲酸性。 然後，陰極室2 2的陰極水，將經由陰極水供給管路 1 5供給洗淨半導體基板之洗淨裝置2的洗淨槽1 7，陽 極水，將經由陽極水供給管路1 6供給前述洗淨槽1 7 · 從電解水產生裝置1之電解槽7送出的陰極水及陽極水， 並非經由供給管路1 5，1 6全部供給至洗淨槽1 7 ·供 給至洗淨槽1 7之電解水，雖然將陰極水和陽極水混合而 調整p Η，但是一部份未供給至洗淨槽1 7的電解水•將 分別經由從供給管路1 5，1 6分<岔之電解水旁通管路8 ，送回緩衝槽的溶液槽6。此係，如圖示地根據閥之開閉 而適當地進行•然後，該電解水，將和未電解的從第2超 純水供給管路3供給之超純水的稀韉草酸溶液2 8 —齊再 供給至《解槽7·在洗淨裝置2之洗淨槽17要洗淨半導 體基板2 4時，將配合洗淨基板之目的分別使用陰極水和 陽極水•通常，氰解水係比一般之酸性溶液或碱性溶液的 氣化力及還原力強，去除污染能力優異·在本實施例，因 如前述地陰極水，陽極水皆爲酸性，故金屬污染和有檐物 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） |丨"：—丨；"丨丨7! (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 A7 B7_____ 五、發明説明（7 ) 污染之去除性優異· 在洗淨裝置2洗淨的半導體基板2 4，以分批式支持 具或頁片式支持具之任何者支持皆可· 支持電解質爲碱性鹽時，陰極水爲碱性，矽蝕刻和粒 子去除能力優異，而陽極水爲酸性，金屬污染和有機物污 染的去除優異。根據電解水洗淨半導«基板之時間，使用 任何一種電解水皆以約5〜10分爲逋當· 在洗淨槽1 7連接有另外系統的超純水供給管路4， 半導體基扳洗淨後將洗淨槽17以純水沖水置換·使用在 洗淨基板之陰極水及陽極水*將分別經由排水管路1 8 — 旦回收至排水槽1 9，經中和後再廢棄· 通常的氧化溶液，係只對比氫（H)之離子化傾向大 的金羼之去除有效，而對銅（C u )的去除困難，但是陽 極水因氣化刀強，故對C u去除和有機物污染之去除有效 。同時，根據電解水分子互相的氫結合會離解，氫結合數 會減少•因此水分子集國（群cluster)將變小，故表面 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先"讀背面之注$項再填寫本頁) 張力會變小，因此，對具有微細圓型的矽基板之洗淨有效 〇 要產生具有如此的特徴之髦解水時，爲了促進反應， 大多使用導電係數大的強電解質。通常多使用H C 或 NaOH，NaCj?等，但是此等包含有金屬元素或鹵索 ，會使元件之電特性劣化•而且其處理醫要嚴密的注意· 在本發明，係做爲支持電解質使用不含鹵索的C Η系 化合物•做爲該化合物，有草酸，革酸銨，蟻酸銨，碳酸 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（210X297公釐) ~~ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 氫銨，酒石酸銨等•電解質之添加纛以約0 · 001〜 0 . 1111〇)?/)2爲理想· 以下，參照圖3，說明電解水產生裝置內的溶解槽之 其他實施例。圖3，係構成電解水產生裝置的溶解槽之概 略截面圖。在溶解槽5，配置有固籠支持電解質的，例如 ，草酸之曆2 0 ·在溶解槽5的底部，形成有將從第2超 純水供給管路供給超純水之入口 5 1，而在上部形成有在 溶解槽內形成的飽和草酸溶液將供給至溶液槽之出口 5 2 。同時，在比革酸之層2 0上部配置有溫度察覺器2 5， 並且在比革酸之靥2 0上面配置有攪拌液«的攪拌子2 6 。根據從超純水供給管路之超純水由入口 5 1供給，超純 水將從溶解槽5的下面逐渐充滿，根據浸潰草酸之層2 0 使草酸溶解在超純水成飽和狀態爲止而產生飽和革酸溶液 2 1 ·在此形成的飽和草酸溶液21 *將從出口 52供給 至溶液槽•草酸之飽和置因根據溫度而異，故需將需要把 溶解槽內的液溫保持固定·因此如述地配置溫度察覺器 2 5檢知其溫度，根據其結果調整飽和草酸溶液之液溫· 同時，根據操作安裝在溶解槽內的攪拌子2 6，保持濃度 之均勻性，同時使溫度成爲均勻。攪拌子2 6，係以每分 鐘旋轉約30秒爲理想· 以下，參照園4，說明電解水產生裝置內的溶液檜之 其他實施例•圓爲溶解槽的概略截面圖•溶液槽6 *具有 在上部從溶解槽供給稀釋草酸溶液2 8之入口 6 1 ，和在 底部供給髦解槽產生的《解水之入口 6 2，6 3 ·和安裝 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐） ^n-in n n^— (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 -11 - 323306 A7 _B7 五、發明説明（9 ) 在下部，用以將稀釋草酸溶液2 8供給電解槽的出口 6 4 。在供給電解水之入口 6 2 *連接有連接在電解槽的陰極 室之陰極水供給管路的電解水旁通管路81，而在供給電 解水之入口 63，連接有連接在電解槽的陽極室之陽極水 供給管路的電解水旁通管路8 2 ·同時，在溶液槽6之所 定位置設有比電阻計2 7 ·在溶液槽6，將進入稀釋草酸 溶液2 8或根據需要而從電解水旁通管路8 1，82的電 解水混合。經混合之溶液將再做爲稀釋草酸溶液2 8供給 至電解槽。但是，根據該混合而稀釋草酸溶液2 8的草酸 溴度有時會變化，故根據形成在溶液槽6內之比電阻計 2 7檢知其濃度，據此改變草酸澳度，或設定電解條件· 以下，參照圖5至圖7說明本發明的效果· 圖係，皆爲顯示將半導髖基板以習知方法及根據本發 明之電解水產生裝置得到的電解水洗淨時之半導髏基板上 的雜質之殘存置的特性圓，亦即，顯示雜質殘存置之後處 理依賴性的特性圇。圖5，係在直ifi表示半導體基板表面 之0.2經以上的粒子數（個），在横軸表示洗淨處 理之種類•流水處理，係習知的根據純水之洗淨處理·稀 氫氟酸處理，係習知之形成薄氧化膜後將該氧化膜根據稀 氫氟酸去除的處理•酸性水處理（A)，係表示根據本發 明得到之稀釋草酸溶液的電解水之陽極側的陽極水洗淨處 理·碱性水處理（B)，係表示根據本發明得到之稀釋草 酸銨溶液等銨溶液的電解水之陰極側的陰極水之洗淨處理 。如圓所示，在流水處理，矽半導鶄基板上和矽半導髏基 本紙&尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格(210X297公釐） H-1^1 n 1^1 ^^^1 mu 1^1 Β^ϋ i m ϋ— In ^^^1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印袈 -12 - B7 五、發明説明（10 ) 板表面的s i 〇2膜上皆無法充份地將粒子去除。在稀氫 氟酸處理，雖能減少S i 02膜上之粒子，但是無法將较 半導體基板上的粒子充份地去除。亦即，爲了減少粒子數 ，係以碱性水處理（B)最有效。 圓6，係說明矽半導髖基板上的金屬雜質之處理者， 在直軸，表示半導髏基板表面的金屬雜質量，在横軸表示 洗淨處理種類•如圓所示，以流水處理雖然無法得到特別 的處理效果，但是根據酸處理已將金屬雜質幾乎全部去除 。可是，以酸性水+稀氫氟酸處理（DHF )處理則去除 率更高，全部在檢出界限以下•亦即，金屬雜質能夠根據 酸性水去除》此點，在去除半導體基板表面的S i 02膜 上之金屬雜質時亦同。 圖7，係說明矽半導體基板表面的S i 02膜上之金 屬雜質的處理者，直軸係表示S i 02膜表面之金屬雜質 量，在橫軸表示洗淨處理的種類。如圖所示，在流水處理 雖然無法得到特別之處理效果，但^，根據酸性水（A) + DH F處理已去除酸+DHF處理以上的金屬雜質〇 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 以上，在本發明，根據在支持電解質使用不包含鹵素 的C Η系化合物，能夠提高作業上之安全性，特別係使用 固體的支持電解質時，洩漏時等之處理很容易·同時，因 係無金屬，無鹵素故能增加基板的洗淨度·防止氣化膜之 劣化·即使有C Η殘留，也將在氧化時的升溫途中從半導 體基板脫離•同時因支持m解質爲固體，故在溶解時會經 常產生飽和溶液，所以不掰要特別管理支持電解質之满度 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -13 - 經濟部中央揉準局β：工消费合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（11 ) 0 如上述地完全不使用藥品，只以電解質進行洗淨時， 能夠節約超純水的使用置，而能夠低成本化》同時，在操 作上提高安全性，在廢液時將先在廢液槽回收、混合後使 之中和再廢棄，故對環境無害。 再者，本發明的申請專利範園之各構件所附的圖面參 照記號，係爲了容易理解者，並非將本申請專利發明之技 術性範園限制在圖面所示的實施例之意圖。 〔發明之效果〕 以電解所得的陰極水，陽極水，因比通常之碱性溶液 •酸性溶液的還原力•氧化力強，故根據電解水之矽基板 洗淨的去除污染能力很優異。特別係由草酸而成之支持電 解質，因陰極水•陽極水皆爲酸性，故對去除金屬污染， 有機物污染很優異。同時，根據電解將使水分子互相的氫 結合離解，氫結合數會減少•因此k分子集團（群）將會 變小，表面張力會變小，故對具有微細圖型之矽基板洗淨 很有效。 在本發明，做爲支持電解質由於使用草酸等不含鹵索 的C Η系化合物，能夠提高作業上之安全性•特別因使用 固體的支持電解質，故在洩漏時等之處理很容易·同時， 在溶解時因在其餘和溶液加純水或超純水進行，故支持《 解質之濃度管理容易· 如上述地完全不使用藥品而以電解水進行洗淨，將能 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） (請先Η讀背面之注^^項再填寫本頁) Τ 裝. 訂 -14 - 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（12 ) 夠節約超純水的使用置，而達成低成本化。同時在安全方 面，提高操作上之安全性，在排除廢液時係先在廢液槽回 收•混合後使之中和而廢棄，故對環境無害· 圖面之簡單說明 〔園1〕 爲本發明的具有電解水產生裝置及洗淨裝置之半導«I 製造裝置的概略截面圆· 〔圖 2.〕 係顯示對電解時間的p Η變化之特性圖· 〔圓3〕 爲本發明的半導體製造裝置之溶解槽的概略截面圖· 〔圖4〕 爲本發明的半導體製造裝置之溶液槽的概略截面圓· 〔圖5〕 爲顯示粒子數的後處理依賴性k特性圖· 〔圖6〕 爲顯示金羼雜質置的後處理依賴性之特性圖· 〔圖7〕 爲顯示金屬離質量的後處理依賴性之特性圖· 〔記號之說明〕. - 1 ......電解水產生裝置， 2……洗淨裝置， 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210X297公釐) H ^^1* In 1^1 1^1 -- - I In n^i m In ^^^1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 - A7 B7__ 五、發明説明（13 ) 3……第2超純水供給管路， 4……超純水供給管路， 5……溶解槽， 6……溶液槽， 7 ......_電解槽， 8，8 1 ，8 2……電解水旁通管路， 9……電解槽之陰極， 10……電解槽之陽極， 11……多孔質隔膜， 1 2……電池， 13……電池之陰極， 1 4……電池之陽極， 15……陰極水供給管路， 16……陽極水供給管路， 17……洗淨槽， 18……排水管路， * 19……廢液槽， 經濟部中央棣準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 2 0……草酸之層， 2 1……飽和草酸溶液， 2 2……電解槽之陰極室， 2 3……電解槽之陽極室， 2 4……半導體基板， 2 5……溫度察覺器， 2 6……攪拌子， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -16 - 323306 A7 B7 五、發明説明（14 ) 2 7 ......it. 電 阻 計 2 8 ......稀 釋 草 酸 溶液， 3 0 ......第 1 超 純 水供給管路， 5 1 ......溶 解 槽 之 入口， 5 2 ·" ·" 解 槽 之 出口， 6 1*6 2*6 3……溶液槽之入口， 6 4……溶液槽之出口。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17 -

Claims (1)

1. 經濟部中央榣準局負工消费合作社印策 1 .—種電解水產生方法，其特徴爲，具有： 將從草酸，草酸銨，蟻酸銨，碳酸氫銨，酒石酸銨之 中選擇的至少1種固雅之支持電解質添加在純水或超純水 的過程；及 把前述添加支持電解質之純水或超純水電解而產生陽 極水及陰極水的過程。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之電解水產生方法， 其中，前述將固體的支持電解質添加在純水或超純水之過 程，係把純水或超純水和前述固體的支持電解質之飽和溶 液混合而形成前述固體的支持電解質之稀釋溶液者· 3.—種電解水產生裝置，其特徴爲：具備有： 具用以電解在純水或超純水添加從草酸，箪酸銨，蟻 酸銨，碳酸氫銨，酒石酸銨之中選擇的至少1種固髏之支 持電解質用之陽極室（2 3)與陰極室（2 2)的電解槽 (7 )； 和配置有前述固體的支持電解g之層，而形成其飽和 溶液的溶解槽（5 ); 和把前述支持電解質之飽和溶液混合在純水或超純水 的溶液槽（6 ); 和將純水或超純水與在前述溶解槽所形成的前述飽和 溶液一齊供給前述溶液槽之第1超純水供給管路（3 0 ) I ' 和將純水或超純水從前述溶解槽的下部供給該溶解槽 之第2超純水供給管路（3 ) · 本紙張尺度逍用中國國家揉率（CNS ) A4规格（210X297公釐) { ---------Hi,-------訂------η------ (請先閩讀背面之注^^項再填寫本買) -18 - 323306 B8 C8 D8 經濟部中央#準局負工消费合作社印製 夂、申請專利範園 4 種半導體基板洗淨裝置，其特徵爲：將具備有 具用以電解在純水或超純水添加從草酸，革酸銨，蟻 .酸銨，碳酸氫銨，酒石酸銨之中選擇的至少1種固镰之支 持電解質用之陽極室（2 3 )與陰極室（2 2 )的電解槽 (7 ); 配置有前述固體的支持電解質之層（20)，而形成 其飽和溶液的溶解槽（5 ); 把前述支持電解質之飽和溶液混合在純水或超純水的 溶液槽（6 ); 將純水或超純水與在前述溶解槽所形成的前述飽和溶 液一齊供給前述溶液槽之第1超純水供給管路（30); 及 把純水或超純水從前述溶解槽的下部供給該溶解槽之 第2超純水供給管路（3)的電解水產生裝置（1)，以 使用電解水供給管路（1 5，1 6 )連接在半導髖基板洗 淨裝置（2)，並將該電解水產生裝罝所產生之電解水供 給前述半導體基板洗淨裝置者* 5 .如申請專利範圍第4項所述之半導《基板洗淨裝 置，其中，更具有電解水旁通管路（8)，該電解水旁通 管路，係將前述電解水供給管路和前述溶液槽加以連接， 且把該流通於電解水供給管路的電解水分岔而供給於前述 溶液棺· 本紙張又度逍用中國國家輮準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注ί項再填寫本I) 訂 _ 19 _