JP3324943B2

JP3324943B2 - ガラス基板乃至シリコン基板洗浄用水の製造装置

Info

Publication number: JP3324943B2
Application number: JP27765396A
Authority: JP
Inventors: 淳北田; 直河野
Original assignee: 株式会社タキオテック
Priority date: 1996-08-06
Filing date: 1996-10-21
Publication date: 2002-09-17
Anticipated expiration: 2016-10-21
Also published as: JPH1142481A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造工程にお
ける洗浄に適した電解イオン水の製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的な電解装置は、所定の電解槽に電
解質水溶液を貯留してこれに陽極および陰極を挿入し、
陽極が挿入された陽極側電解質水溶液と陰極が挿入され
た陰極側電解質水溶液を多孔性の隔膜により隔離した構
造を有し、その陽極および陰極に電流を通じることによ
り電解イオン水を製造する。このようにして製造される
電解イオン水には種々のものがあり、その種類に応じて
様々な用途に適用されている。

【０００３】ここで、電解装置により製造される電解イ
オン水は、本来的にマイルドであり、扱いやすく、使用
後の処理も容易であるという利点を有しているので、数
多く潜在している未開発の用途を発見しそれを応用する
ことは産業上重要な意義を有する。例えば、従来の精密
機器洗浄剤の多くは本来的に劇薬（例えば、硫酸＋過酸
化水素からなる溶液、或いは塩酸＋過酸化水素からなる
溶液が使用されている）であり、廃棄する際に問題を生
じていたことから、これに代替することができるような
電解イオン水を開発することができれば、その意義は極
めて大きい。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は以上のような
現状に鑑みてなされたものであり、低コストで容易かつ
無害に半導体基板などを洗浄し得る電解イオン水を製造
することができる電解イオン水の製造装置を提供するこ
とを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】以上のような目的を達成
するために本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、多孔性
の中性膜により隔離された電解質水溶液中にそれぞれ挿
入されている陽極および陰極に電流を通じることにより
電解イオン水を製造にあたって、多穴状の陰極を用いて
水の電気分解を行うと、その陰極側電解イオン水は、中
性状態よりも水酸化物イオンが多いものになると共に、
そこには飽和濃度もしくはそれに近い濃度の水素ガスが
溶解していることが判明し、しかもその陰極側電解イオ
ン水は容易かつ無害に半導体基板などを洗浄し得る能力
を備えていることも判明して、本発明を完成するに至っ
た。

【０００６】このような現象については従来は全く知ら
れていなかったことに加え、従来の方法（即ち、水素ガ
スのバブリングや加圧などにより弱アルカリ水に水素を
溶解させる方法）では、本発明に係る電解イオン水と同
等の水を得ることはできないのである。

【０００７】具体的には、本発明に係るガラス基板洗浄
用水の製造装置とは、電解槽と、該電解槽に貯留された
電解質水溶液と、該電解質水溶液に挿入された電極と、
前記電解質水溶液を陽極側と陰極側とに隔離する多孔性
の隔膜と、を備え、前記電極に電流を通じることにより
電解イオン水を製造する装置であって、前記電極の内、
少なくとも陰極に貫通穴が開口しており、その貫通穴の
内径は０．１〜１０ｍｍであるとともに、その貫通穴の
開口面積の合計が電極板の片側面積１５〜５５％であ
り、かつ、前記多孔性の隔膜が中性膜であるとともに、
その孔径が０．０４〜２０μｍであることを特徴とす
る。

【０００８】また、本発明に係るシリコン基板洗浄用水
の製造装置は、電解槽と、該電解槽に貯留された電解質
水溶液と、該電解質水溶液に挿入された電極と、前記電
解質水溶液を陽極側と陰極側とに隔離する多孔性の隔膜
と、を備え、前記電極に電流を通じることにより電解イ
オン水を製造する装置であって、前記電極の内、少なく
とも陰極に貫通穴が開口しており、その貫通穴の内径は
０．１〜１０ｍｍであるとともに、その貫通穴の開口面
積の合計が電極板の片側面積１５〜５５％であり、か
つ、前記多孔性の隔膜が中性膜であるとともに、その孔
径が０．０４〜２０μｍであることを特徴とする。

【０００９】［電極］ここで、陰極に貫通穴が無い場合
にはガス発生が少なく、本発明の中枢をなす陰極側電解
イオン水への水素の溶解が不十分となり、本発明に係る
電解イオン水を得ることはできない。その一方で、陰極
をメッシュ（即ち、貫通穴を極端に多くした場合と同様
の状態）にしてしまうと、水素ガスの泡の成長が早す
ぎ、発生した水素ガスが直ちに巨大な泡となって陰極側
電解イオン水の外に逃げてしまうこととなるので、本発
明に係る電解イオン水を得ることができなくなる。従っ
て、電極の全ての貫通穴の開口面積の合計は、当該電極
板の片側面積の１５％から５５％であることが好まし
い。また、貫通穴の内径は、０．１ｍｍ〜１０ｍｍであ
ることが好ましく、２ｍｍ〜４ｍｍであれば更に好まし
い。

【００１０】電極は、白金等の不活性な金属でその表面
が覆われていることが好ましい。

【００１１】陽極と陰極の間の距離は、２ｍｍ〜１０ｍ
ｍであることが好ましく、３ｍｍ〜５ｍｍであれば更に
好ましい。

【００１２】［多孔性の隔膜］多孔性の隔膜の孔径は、
０．０４μｍ〜２０．０μｍであることが好ましい。ま
た、多孔性の隔膜の孔径は０．０４μｍ〜１０．０μｍ
でれば更に好ましく、０．０４μｍ〜３．０μｍであれ
ば一層好ましい。本発明に係る多孔性の隔膜は多孔性の
中性膜であり、その材質としては、例えば、ポリハロゲ
ン化ビニル又はポリハロゲン化ビニリデン（いずれも、
ハロゲン置換の数は問わない。また、直鎖のみならず、
枝分かれのあるものも含む。）などをあげることができ
る。より具体的には、ポリエステル不織布もしくはポリ
エチレンスクリーンを骨材としたポリ塩化ビニル製のも
のやポリ塩化ビニリデン製のもの、あるいは、ポリ弗化
ビニル製のものもしくはポリ弗化ビニリデン製のものな
どをあげることができる。これらには、酸化チタン等を
添加してもよい。

【００１３】なお、イオン交換膜や高分子膜では、本発
明に係る負極還元水（後述）を製造することはできな
い。

【００１４】［反応温度］本発明に係る基板洗浄用水の
製造装置においては、電解質水溶液の温度が４０℃以下
に制御されることが好ましく、更に１０℃以下に制御さ
れれば一層好ましい。なお、このような温度制御は、サ
ーモスタット等を備え、電解質水溶液の温度を４０℃以
下もしくは１０℃以下に制御する温度制御装置を取り付
けることにより容易に行うことができる。

【００１５】［原料水］本発明に係る基板洗浄用水の製
造装置では、基板洗浄用水にはできるだけ不純物を含ま
ないほうが好ましいことから、超純水をベースとする電
解質水溶液から基板洗浄用水を製造することが望まし
い。

【００１６】また、電解質水溶液には、所定の電解質を
添加することもできる。所定の電解質としては、アンモ
ニウムイオンを含む電解質が好ましく、アンモニウムイ
オンのカウンターアニオンとしては塩化物イオンもしく
は水酸化物イオンが適切である。因みに、電解質は１０
〜２０００ｐｐｍの濃度で電解質水溶液に含まれている
ことが好ましく、１０〜１０００ｐｐｍであれば更に好
ましく、１０〜６００ｐｐｍであれば一層好ましい。先
の例で言えば、１０〜２０００ｐｐｍのアンモニウムイ
オンを含む電解質水溶液であることが好ましく、１０〜
１０００ｐｐｍであれば更に好ましく、１０〜６００ｐ
ｐｍであれば一層好ましい。

【００１７】なお、超純水に電解質としてＮＨ₄ Ｃｌ
（塩化アンモニウム）又はＮＨ₄ ＯＨ（水酸化アンモニ
ウム）を１０〜６００ｐｐｍの割合で溶解した液を用い
て生成した負極還元水は、半導体製造工程における洗浄
に特に適しており、従来よりも優れた洗浄効果を得ると
共に、洗浄対象物を損なわない洗浄を行うことが可能に
なる。

【００１８】［負極還元水］本発明に係る電解イオン水
は、本発明に係る製造装置により特に製造されるもので
あって、塩基性を有すると共に、強力な還元力を有す
る。また、ｐＨメーターによる実測値から算出した水酸
化物イオン濃度と、弱塩基滴定法により求めた水酸化物
イオン濃度とが相違するという特異な性質を有してい
る。この意味で、本発明に係る製造装置により製造され
る本発明に係る電解イオン水を特に負極還元水と呼ぶ。
この負極還元水の特異な性質について、水酸化物イオン
と溶存水素との複合体の存在を想定し、そこから理論的
裏付けをしようとする努力もなされているが、負極還元
水の性質を裏付ける決定的な理論は確立されていない。

【００１９】上記特質との関係で、本発明に係る装置に
より製造される電解イオン水（即ち、負極還元水）は、
溶存水素が０．０１ｐｐｍ以上であることが基板洗浄用
水として好ましい。また、溶存水素が０．０３ｐｐｍ以
上であれば更に好ましく、０．０５ｐｐｍ以上であれば
一層好ましい。負極還元水のｐＨは、７．２〜１２．０
の間であることが基板洗浄用水として好ましく、ｐＨが
７．４〜１０．０の間であれば更に好ましく、ｐＨが
８．５〜９．５の間であれば一層好ましい。

【００２０】［基板、基板洗浄用水］本発明の範囲に
は、上記の装置によって製造される基板洗浄用水及びそ
の同等物、並びに、該基板洗浄用水で基板を処理する工
程を含む基板の洗浄方法も含まれる。なお、ここで言う
「基板」には、ガラス基板やシリコン基板など、精密機
器に使用される一般的な基板が含まれる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る電解イオン水
製造装置及びそれに関連する事項の実施の形態につい
て、図を参照しながら説明する。

【００２２】［電解イオン水製造装置の原理］図１に示
されるように、電解槽１には、電解に供する液（即ち、
電解質水溶液）２が満たされており、これが隔膜６によ
り陽極電解液２ａと陰極電解液２ｂとに分けられてい
る。隔膜６は多孔性中性膜からなり、この膜を水は自由
に流通することができる。

【００２３】陽極電解液２ａ及び陰極電解液２ｂには、
それぞれ陽極４及び陰極５が挿入されており、両電極に
はそれぞれ貫通穴７が設けられている（図２）。穿設す
る貫通穴７の大きさは直径を２〜４ｍｍ程度であり、穿
設する穴の合計面積は、板状電極の片面の面積に対して
５％〜５５％になるようする。ここで、電極は、陽極４
および陰極５のいずれも、チタン製板材に白金メッキし
たものを使用する。先に述べたように、両電極には多数
の貫通穴７が穿設されているが、両電極の白金メッキ
は、貫通穴７の穿設後に行い、穿設部分にも白金メッキ
が施されるようにする。なお、貫通穴７は、本来は陰極
５にしか設ける必要のないものであるところ、陽極４に
も設けるのは、後述するスぺーサ１０取付の便宜のため
である。

【００２４】［バッチ式電解イオン水製造装置］本発明
に係る電解イオン水製造装置のうち、バッチ式（貯め置
き式）のものは、陽極４、隔膜６そして陰極５を、一対
の隔膜フレーム９により挟み込んだもの（図３）を、電
解槽１中央の所定の位置に設けられたガイド溝に差し込
むことにより作成される（図４）。

【００２５】この実施の形態では、陽極４、隔膜６及び
陰極５を、一対の隔膜フレーム９により挟み込む場合
に、陽極４及び陰極５の間に所定の距離を保持するため
に、スぺーサ１０を使用している。スぺーサ１０は、電
気絶縁性材料で構成されており、陽極４及び陰極５に穿
設された多数の貫通穴７の内、約１０〜３０％に相当す
る部分に取り付ける。その際、スぺーサ１０の取り付け
に使用する貫通穴７を除いた残りの貫通穴７の合計面積
が、電極板の片面面積の５％〜５５％の範囲内に収まる
ようにする。

【００２６】［連続式電解イオン水製造装置］本発明に
係る電解イオン水製造装置のうち、連続式のものは、図
５に示されるように、複数の陽極４及び陰極５を、隔膜
６を介して交互に積層した電極スタックを、電解槽ケー
ス１１でケーシングした構造を有する。電極スタックと
電解槽ケース１１の間には隔膜フレーム９が介在されて
いる。このような形態では、隔膜６の両側には、スぺー
サ１０を取り付けた陽極４及び陰極５が位置するように
してそれぞれ配設されていることとなり、隔膜フレーム
９によって隔膜６及び両電極４，５が一体形成されるこ
とになる。その際、陽極電極４にも陰極５に配設したス
ぺーサ１０に対応する位置にスペーサ１０を設けるが、
陽極４の形状そのものは陰極電極５と同一（例えば、直
径２〜４ｍｍの穴を設ける等）である必要はなく、自由
な形状のものを使用することが可能である。

【００２７】［スペーサ］スペーサ１０によって隔膜６
と電極４，５間は常に一定の距離が確実に保持される。
そして、電極４，５の全面にわたって均等に分布して配
設された多数のスぺーサ１０によって隔膜６を両面から
挟んで保持するようにしたことにより、電極４，５及び
隔膜６が大きい場合でも、隔膜フレーム９変形による電
極４，５と隔膜６との距離変化に起因する電気分解の効
率低下、あるいは隔膜６と電極４，５との直接接触によ
る隔膜６の焼損などの不具合を生ずることがない。

【００２８】上述したように、連続式の電解イオン水製
造装置においても、陽極４及び陰極５の間に所定の距離
を保持するために、スぺーサ１０が使用されている。連
続式であるとバッチ式であるとを問わず、本発明に係る
電解イオン水製造装置において好適なスペーサ１０の構
成は次の通りである。

【００２９】まず、図６に示すように、この実施の形態
で使用されるスペーサ１０は、電極と隔膜との間に保持
すべき距離に等しい厚さの平板状部と該平板状部に垂直
方向をなして形成された突起部とからなるスぺーサ１２
と、上記スぺーサ１２の突起部に嵌合あるいは螺合し、
電極と隔膜あるいは電極と電解槽との間に保持すべき距
離に等しい厚さを有するスぺーサ１３と、によって構成
されている。

【００３０】スペーサ１０は、図７（ａ）に示すように
スぺーサ１２の突起部が平滑な面を有する円筒状であ
り、スぺーサ１３は単にその突起部に嵌合するのみの構
造のもののほかに、図７（ｂ）に示すようにスぺーサ１
２に形成する突起部をねじ構造とし、スぺーサ１３を上
記ねじ構造突起部に螺合するナット状としたものであっ
てもよい。

【００３１】［負極還元水］図１において、電解槽１内
に電解液２を注入し、電極４，５に直流電流を流すと、
Ｃｌ^- 等のマイナスイオンは陰極電極５側から隔膜６を
通じて陽極電極４側に移動し、Ｎａ⁺ 等のプラスイオン
は陽極４側から隔膜６を通じて陰極電極５側に移動す
る。また、陽極４側では、陽極電解液２ａ中の水酸化物
イオン（ＯＨ^-）４分子が４個の電子（ｅ‐ ）を放出し
て酸素分子（Ｏ₂ ）と水分子（Ｈ₂ Ｏ）とになり、その
反応の進行に応じて水素イオン（Ｈ⁺ ）が増加していく
と共に、酸素分子も水に溶解していく。一方、陰極５側
では水に電子（ｅ‐ ）が作用し、その中の水素イオン
（Ｈ⁺ ）と電子（ｅ‐ ）が反応して水素分子（Ｈ₂ ）
を生成し、これが陰極電解液２ｂ中に溶けこむ。陰極電
解液２ｂ中では、同時に、水素分子（Ｈ₂ ）の発生に伴
って水素イオン（Ｈ⁺ ）が減少し、水酸化物イオン（Ｏ
Ｈ^- ）の濃度が上がっていく。この作用により、陽極側
と陰極側とで水素イオン濃度（ｐＨ）に不均衡が生じ、
陽極側は酸性を、陰極側はアルカリ性を示すようになる
が、本発明に係る電解イオン水製造装置を使用すること
により、同時に、陽極電極４側における溶存酸素量も、
陰極５側における溶存水素量も、飽和濃度に限りなく近
い数値を示すことになる。その結果、アルカリ性を示す
と共に、充分な水素分子（Ｈ₂ ）をその中に溶解させて
いる負極還元水が陰極５側で得られることになるのであ
る。

【００３２】即ち、既に述べたように、使用する電極の
うち特に陰極電極５に適正な穴（直径が２ｍｍ〜４ｍｍ
で、穴の面積の合計が電極板の面積に対して５％〜５５
％の有効な開口面積とする）を設けることにより、電解
液が電極表裏間を自由に移動し得るようになり、陽極電
極４および陰極電極５において飽和濃度まで溶解した電
解液が容易に低濃度の溶解した液と交換され、電解液中
へのガス溶解およびイオン発生が効率よく行われ、その
結果、負極還元水が陰極側で得られることになるのであ
る。

【００３３】［原料水、電解質］本発明に係る電解イオ
ン水製造装置の原料水としては、超純水のほか水道水、
ミネラルウオータをそのままを使用することができる。
しかしながら、基板洗浄用水を製造する場合には超純水
を用いる必要がある。ここで、前記それぞれの原料水に
は、電解質としてＮＨ₄ Ｃｌ（塩化アンモニウム）もし
くはＮＨ₄ ＯＨ（水酸化アンモニウム）を１０〜６００
ｐｐｍの割合で混入させてもよい。なお、塩化アンモニ
ウム濃度の調整は、所定量の固体塩化アンモニウムを溶
解させることにより行うことができる。水酸化アンモニ
ウム濃度の調整は、市販のアンモニア水を所定量添加す
ることにより行うことができる。

【００３４】［温度制御］本発明に係る電解イオン水製
造装置を駆動させると発熱し、電解液の液温が上昇す
る。しかしながら、水が持つ水素の溶解能力（即ち、水
素の飽和濃度）は水温が低下すればするほど増加する。
これに加えて、本発明に係る負極還元水では、水温低下
により、その中に存在する何らかの還元性イオンの崩壊
を遅らせることができるということが実験から明らかに
なっている。従って、より多くの水素溶解を必要とする
ような場合には、その用途に応じて電解原料液２２を予
め冷却し、その温度を保持した状態で電解をするように
するとよい。例えば、半導体製造工程における洗浄用に
使用する場合には、少なくとも４０℃以下に制御しなが
ら使用することが好ましい。

【００３５】電解液を冷却するために、この実施の形態
では、図８に示されるように、冷却装置２５を設けてい
る。このような構成によれば、タンク２１に貯留されて
いる電解原料液２２は、送水ポンプ２３により電解槽１
に送られるが、送られる過程において、電解原料液２２
は冷却装置２５により冷却されることになる。そして、
電解槽１に供給された電解原料液２２は電気分解され、
電解陽極水ノズル２６ａ及び電解陰極水ノズル２６ｂか
ら、それぞれ陽極水及び陰極水が排出される。

【００３６】なお、冷却装置２５は、図８に示すように
電解槽１に送入する前に独立して設置しても、図９に示
すように電解槽１内に設けるようにしてもよい。冷却装
置２５を電解槽１内に設ける場合には、それを冷却管２
７とすると好適である。なお、冷却装置２５は、常温で
の電解でも十分に効果が出る用途に使用する場合には設
置しなくてもよい。

【００３７】

【実施例】以下、本発明に係る負極還元水の水酸化物イ
オン（ＯＨ^- ）濃度についての実施例を示す。

【００３８】５００ｐｐｍの塩化アンモニウムを含有す
る水を、図４に示される装置を用いて、電流３Ａ、ＯＲ
Ｐ値７００ｍＶ以下の条件下で１５分電解を行うことに
より、ｐＨ９．５の負極還元水を得た。そして、この負
極還元水の水酸化物イオン（ＯＨ^- ）濃度を弱塩基滴定
法により求めた。以下に、その結果を示す。

【００３９】

【表１】滴定前の負極還元水のｐＨは９．５であるところ、その
水酸化物イオン濃度［ＯＨ^- ］（ｍｏｌ／ｌ）は、以下
に示す水のイオン積（Ｋｗ＝１０^-14 、２２℃）から求
めることができる。

【００４０】

【式１】ここで、本実験条件下では活量係数ｆは１と置けるの
で、水酸化物イオン濃度［ＯＨ^- ］（ｍｏｌ／ｌ）は、
以下のように算出される。

【００４１】

【式２】このようにして算出された水酸化物イオン濃度は、弱塩
基滴定法により求めたものと１００倍程度のオーダーで
相違する。

【００４２】

【発明の効果】本発明によれば下記のような効果が得ら
れる。

【００４３】従来の電解槽の構造においては、陰極側に
移動した水素イオンの多くは水素ガスとして大気中に放
出されていたが、本発明に基づく電解槽の構造によっ
て、従来得られなかった高い効率で水素ガスを溶かし込
んだ状態の電解質溶液（負極還元水）を得ることが可能
になった。

【００４４】生成した負極還元水は、系外に排出するに
際して殆ど処理を必要としないことから、処理設備を低
減又は不要とし、稼働費を著しく低廉にすることが可能
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電解イオン水製造装置の原理図で
ある。

【図２】本発明に係る負極電解水を生成するための陰極
の正面図である。

【図３】本発明に係る負極電解水を生成するための電解
装置の電解単位に係る構造の一例を示す図である。

【図４】本発明に係る負極電解水を生成するためのバッ
チ式電解装置の一例を示す図である。

【図５】本発明に係る負極電解水を生成するための連続
式電解装置の一例を示す図である。

【図６】本発明に係る電解装置で使用されるスペーサの
一例を示す断面図である。

【図７】本発明に係る電解装置で使用されるスペーサの
例を示す図である。

【図８】電解槽とは独立した冷却手段を備えた電解装置
を説明するためのブロック図である。

【図９】電解槽内に冷却手段を備えた電解装置を説明す
るためのブロック図である。

【符号の説明】

１電解槽２電解液２ａ陽極電解液２ｂ陰極電解液４陽極５陰極６隔膜７貫通穴９隔膜フレーム１０スペーサ１１電解槽ケース１２，１３スぺーサ２１タンク２２電解原料液２３送水ポンプ２５冷却装置２６ａ電解陽極水ノズル２６ｂ電解陰極水ノズル２７冷却管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−260480（ＪＰ，Ａ) 特開平７−263398（ＪＰ，Ａ) 特開平６−277667（ＪＰ，Ａ) 特開平８−71560（ＪＰ，Ａ) 特開平７−308672（ＪＰ，Ａ) 特開平６−121978（ＪＰ，Ａ) 実開昭55−141597（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C02F 1/46 C25B 11/03

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電解槽と、該電解槽に貯留された電解質水
溶液と、該電解質水溶液に挿入された電極と、前記電解
質水溶液を陽極側と陰極側とに隔離する多孔性の隔膜
と、を備え、前記電極に電流を通じることにより電解イ
オン水を製造する装置であって、前記電極の内、少なくとも陰極に貫通穴が開口してお
り、その貫通穴の内径は０．１〜１０ｍｍであるととも
に、その貫通穴の開口面積の合計が電極板の片側面積１
５〜５５％であり、かつ、前記多孔性の隔膜が中性膜で
あるとともに、その孔径が０．０４〜２０μｍであるこ
とを特徴とするガラス基板洗浄用水の製造装置。
【請求項２】前記電極の貫通穴の内径が２ｍｍから４ｍ
ｍであることを特徴とする請求項１記載のガラス基板洗
浄用水の製造装置。
【請求項３】前記多孔性の隔膜は、その孔径が０．０４
μｍ〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１記載
のガラス基板洗浄用水の製造装置。
【請求項４】前記多孔性の隔膜は、ポリハロゲン化ビニ
ル又はポリハロゲン化ビニリデン（いずれも、ハロゲン
置換の数は問わない。また、直鎖のみならず、枝分かれ
のあるものも含む。）からなることを特徴とする請求項
３記載のガラス基板洗浄用水の製造装置。
【請求項５】前記多孔性の隔膜は、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリ弗化ビニル、又はポリ弗化ビニ
リデンのいずれかからなることを特徴とする請求項３又
は４記載のガラス基板洗浄用水の製造装置。
【請求項６】請求項１から５記載のガラス基板洗浄用水
でガラス基板を処理する工程を含むことを特徴とするガ
ラス基板の洗浄方法。
【請求項７】電解槽と、該電解槽に貯留された電解質水
溶液と、該電解質水溶液に挿入された電極と、前記電解
質水溶液を陽極側と陰極側とに隔離する多孔性の隔膜
と、を備え、前記電極に電流を通じることにより電解イ
オン水を製造する装置であって、前記電極の内、少なくとも陰極に貫通穴が開口してお
り、その貫通穴の内径は０．１〜１０ｍｍであるととも
に、その貫通穴の開口面積の合計が電極板の片側面積１
５〜５５％であり、かつ、前記多孔性の隔膜が中性膜で
あるとともに、その孔径が０．０４〜２０μｍであるこ
とを特徴とするシリコン基板洗浄用水の製造装置。
【請求項８】前記電極の貫通穴の内径が２ｍｍから４ｍ
ｍであることを特徴とする請求項６記載のシリコン基板
洗浄用水の製造装置。
【請求項９】前記多孔性の隔膜は、その孔径が０．０４
μｍ〜３．０μｍであることを特徴とする請求項６記載
のシリコン基板洗浄用水の製造装置。
【請求項１０】前記多孔性の隔膜は、ポリハロゲン化ビ
ニル又はポリハロゲン化ビニリデン（いずれも、ハロゲ
ン置換の数は問わない。また、直鎖のみならず、枝分か
れのあるものも含む。）からなることを特徴とする請求
項８記載のシリコン基板洗浄用水の製造装置。
【請求項１１】前記多孔性の隔膜は、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン、ポリ弗化ビニル、又はポリ弗化ビ
ニリデンのいずれかからなることを特徴とする請求項８
又は９記載のシリコン基板洗浄用水の製造装置。
【請求項１２】請求項７から１１記載のシリコン基板洗
浄用水でシリコン基板を処理する工程を含むことを特徴
とするシリコン基板の洗浄方法。