KR0127366Y1 - 웨이퍼의 배면세정장치 - Google Patents

웨이퍼의 배면세정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR0127366Y1
KR0127366Y1 KR2019920017658U KR920017658U KR0127366Y1 KR 0127366 Y1 KR0127366 Y1 KR 0127366Y1 KR 2019920017658 U KR2019920017658 U KR 2019920017658U KR 920017658 U KR920017658 U KR 920017658U KR 0127366 Y1 KR0127366 Y1 KR 0127366Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning liquid
tank
wafer
nitrogen
operating valve
Prior art date
Application number
KR2019920017658U
Other languages
English (en)
Other versions
KR940008663U (ko
Inventor
변석호
Original Assignee
문정환
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 엘지반도체주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR2019920017658U priority Critical patent/KR0127366Y1/ko
Publication of KR940008663U publication Critical patent/KR940008663U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0127366Y1 publication Critical patent/KR0127366Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

본고안은 웨이퍼의 배면 세정장치에 관한것으로 SOG증착장비에서 웨이퍼의 배면에 세정액을 안정적으로 분사시킬수 있도록 한것이다.
이를 위해 본고안은 세정액탱크(1)내의 세정액(8)을 보조탱크(4), 플로우메타(5), 오퍼레이팅밸브(6)을 통해 분사노즐(7)로 분사시키도록 된것에 있어서, 플로우 메티(5)와 오퍼레이팅 밸브(6)사이에 메탄올(10)이 담긴 완충탱크(11)를 설치하여서 된것이다.

Description

웨이퍼의 배면세정장치
제1도는 본고안장치의 구조도.
제2도는 종래 장치의 구성도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 세정액탱크 4 : 보조탱크
5 : 폴로우메타 6 : 오퍼레이팅밸브
7 : 분사노즐 10 : 메탄올
11 : 완충탱크 12 : 질소제거밸브
본 고안은 웨이퍼의 배면 세정장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 SOG(Spin On Glass)증착장비에서 웨이퍼 배면 세정액을 웨이퍼의 배면에 안정적으로 공급할수 있도록 한것이다.
첨부도면 제2도는 종래장치의 구성도로서, 배면세정액 탱크(1)에 가압용질소 공급관(2)과 세정액 공급관(3)의 각각 연결되어 있고 상기 세정액 공급관(3)상에는 보조탱크(4)와 플로우메타(5) 그리고 오퍼레이팅 밸브(6)가 차례로 설치되어 있으며 끝단에는 분사노즐(7)이 연결되어 있다.
따라서 세정액 탱크(1)내에 세정액(메탄올)(8)이 채워진 상태에서 가압용 질소공급관(2)을 통해 질소로 가압하면 세정액탱크(1)내에 있던 세정액(8)이 보조탱크(4)와 폴로우메타(5)를 통해 공급되므로 작업자가 오퍼레이팅 밸브(6)를 열므로서 분사노즐(7)을 통해 웨이퍼(9)의 배면으로 분사되어 웨이퍼의 배면을 세정하게된다.
그러나 이러한 종래의 장치는 세정액(8)으로 사용되는 메탄올이 가압용가스인 질소에 포함될려는 힘이 크기 때문에 세정액의 이송시 플로우 메타(5)의 유입부에서 체적이 넓어지므로 인해 질소기포를 발생하게 되므로 분사노즐(7)을 통해 세정액이 분사될때 불안정하게 되는 문제점이 있었다.
본 고안을 종래의 이와같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 세정액의 분사시의 질소기포로 인해 불안정하게 분사되는 것을 미연에 방지할수 있도록 하는데 그목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본고안의 형태에 따르면, 비정액탱크내의 세정액을 보조탱크, 플로우메타, 오버레이팅 밸브를 통해 분사노즐로 분사시키도록 된것에 있어서, 플로우메타와 오퍼레이팅 밸브사이에 메탄올이 담긴 완충탱크를 설치하여서 된 웨이퍼의 배면 세정장치가 제공된다.
이하, 본고안을 일실시예로 도시한 첨부된 도면 제1도를 참고로 하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제1도는 본고안장치의 구성도로서, 종래 장치의 구성과 동일한 부분의 설명을 생략하고 동일부호를 부여하기로 한다.
세정액(8)의 공급량을 조절하는 플로우메타(5)와, 세정액(8)의 공급을 제어하는 오퍼레이팅 밸브(6)사이에 메탄올(10)이 담기 완충탱크(11)가 설치되어 있고 상기 완충탱크(11)내의 상부에는 완충탱크(11)내의 질소를 배출시키기 위한 질소제거 밸브(12)가 설치되어 있다.
이때 완충탱크(11)의 상부에 질소제거 밸브(12)를 설치하는 이유는 세정액(8)내에 포함된 질소가 완충탱크(11)내의 메탄올(10)에 의해 제거되어 완충탱크내에 잔류될대 상기 질소제거 밸브(12)를 개방하여 외부로 배출시키기 위함이다.
이와같이 구성된 본고안의 작용효과를 설명하면 다음과 같다.
오퍼레이팅밸브(6)를 오프시킨 상태에서 가압용 질소 공급관(2)을 통해 질소를 공급하여 세정액 탱크(1)내의 세정액(8)을 가압하면 상기 세정액탱크(1)내의 세정액(8)을 세정액공급관(3)과 보조탱크(4) 그리고 플로우메타(5)를 통해 이송된다.
이때 세정액(8)으로 메탄올을 사용하기 때문에 질소가 플로우메타(5)의 유입부에서 세정액(8)과 혼합되어 질소기포를 발생시키게 된다.
이와같이 발생된 질소기포는 완충탱크(11)내의 메탄올(10)을 통과하면서 완충탱크(11)내에 남게 된다.
그후 오퍼레이팅 밸브(6)를 개방시킴에 따라 안정된 메탄올만이 분사노즐(7)을 통해 웨이퍼(9)의 배면으로 안정되게 분사된다.
한편 반복작업에 따라 질소가 완충탱크(11)내에 많이 잔류하게 되면 작업자가 질소제거 밸브(12)를 개방시켜 이를 외부로 배출시켜주면 된다.
이상에서와 같이 본고안장치는 플로우메타(5)와 오퍼레이팅 밸브(6)사이에 완충탱크(11)를 설치하는 간단한 구조에 의해 메탄올 성분의 세정액(8)내에 포함되는 질소를 제거시킬수 있게 되므로 세정액을 웨이퍼(9)의 배면으로 안정되게 분사기킬수 있게 되는 효과를 가지게 된다.

Claims (2)

  1. 세정액탱크(1)내의 세정액(8)을 보조탱크(4), 플로우메타(5), 오퍼레이팅밸브(6)을 통해 분사노즐(7)로 분사시키도록 된것에 있어서, 플로우 메티(5)와 오퍼레이팅 밸브(6)사이에 메탄올(10)이 담긴 완충탱크(11)를 설치하여서 된 웨이퍼의 배면 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 완충탱크(1)의 상부에 질소제거 밸브(12)를 설치하여서 됨을 특징으로하는 웨이퍼의 배면 세정장치.
KR2019920017658U 1992-09-17 1992-09-17 웨이퍼의 배면세정장치 KR0127366Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019920017658U KR0127366Y1 (ko) 1992-09-17 1992-09-17 웨이퍼의 배면세정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019920017658U KR0127366Y1 (ko) 1992-09-17 1992-09-17 웨이퍼의 배면세정장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940008663U KR940008663U (ko) 1994-04-21
KR0127366Y1 true KR0127366Y1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=19340213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019920017658U KR0127366Y1 (ko) 1992-09-17 1992-09-17 웨이퍼의 배면세정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0127366Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379998B1 (ko) * 2000-08-30 2003-04-14 한국디엔에스 주식회사 박판 처리 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100379998B1 (ko) * 2000-08-30 2003-04-14 한국디엔에스 주식회사 박판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR940008663U (ko) 1994-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20070036865A (ko) 노즐 세정 장치
JPS587831A (ja) 高圧水によるウェハの洗浄方法及び装置
KR0127366Y1 (ko) 웨이퍼의 배면세정장치
JPH04269935A (ja) 自動浴槽洗浄装置
JP3175819B2 (ja) ノズルパイプの洗浄装置を有する洗壜機
KR200205411Y1 (ko) 포토레지스트현상장치
KR0123622Y1 (ko) 세탁기의 액체세제 투입장치
JP4509763B2 (ja) 気液混合流噴射装置
KR200211293Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 에칭장비의 약액응고방지장치
KR19990001552A (ko) 반도체장치 제조용 스피너의 배관구조
KR100292064B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 현상 공정을 위한 노즐장치
KR20010105108A (ko) 포토레지스터 코팅 설비
KR0128207Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치
KR830002280Y1 (ko) 병주입기의 세척장치
KR900004286Y1 (ko) 세탁기의 액체세제 자동투입장치
KR0119729Y1 (ko) 반도체 감광제 도포기용 사이드 린스 시스템의 노즐부 신나 제거장치
JPH06106340A (ja) フラックス塗布方法
KR200325129Y1 (ko) 반도체증착장비용튜브세정장치
KR20010038435A (ko) 반도체 제조를 위한 스피너 설비
JP2602179Y2 (ja) 容器の洗浄装置
KR950003185Y1 (ko) 용선 장입 래들용 도포장치
KR19990069042A (ko) 문형식 자동세차기의 분사장치 및 세차방법
JP2607489Y2 (ja) 食器洗浄機
KR970060403A (ko) 순수를 이용한 반도체 웨이퍼 세정 시스템
JP2004014596A (ja) ウェハ洗浄方法及びその装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040618

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee