KR200325129Y1 - 반도체증착장비용튜브세정장치 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Abstract
본 고안은 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에 관한 것으로, 세정조(12)의 내부 일측에 설치되어 튜브(30)의 내부에 세정액(11)을 분사하기 위한 내부분사노즐(22)과, 외부에 세정액(11)을 분사하기 위한 외부분사노즐(23)을 구비하여서 구성되어, 세정작업시 튜브(30)의 내부와 외부에 세정액을 분사하도록 함으로써, 세정이 확실하게 이루어진다.
Description
본 고안은 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에 관한 것으로, 특히 세정능력을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 제조공정중에증착공정을 진행시에는 쿼츠 튜브의내측에서 공정을 진행하게 되는데, 이와 같은 공정을 장기간 반복시에튜브의 내,외측에 증착물질이 증착되어 세정을 필요로 하며, 이와 같은 튜브의 세정을 실시하기 위한 세정장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 튜브 세정장치의 구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래의 튜브 세정장치는 세정액(1)이 수납되어 있는 세정조(2)와, 그 세정조(2)의 하측과 상측이 연결되도록 설치되는 순환라인(3)과, 그 순환라인(3) 상에 설치되는 필터(4) 및 순환펌프(5)로 구성되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 튜브 세정장치는 적정혼합비로 혼합되어 세정조(2)의 내측에 세정액(1)을 수납한 상태에서, 증착물질이 부착되어 있는 튜브를 세정조(2)의 내측에 담그고 일정시간 지체시키면 세정액에 의하여 튜브에 부착되어 있는 증착물질이 제거되고, 이와 같이 증착물질제거작업을 마친 다음에는 튜브를 디아이 워터로 린스하여 세정액을 씻어내는 것으로 세정작업을 완료한다.
그러나, 상기와 같은 종래 튜브 세정장치는 세정액(1)에 증착물질이 부착된 튜브를 담근상태에서 단순히 세정액(1)의 화학적인 작용에 의해서만 증착물질이 제거되도록 되어 있어서, 세정효과를 향상시키는데 한계가 있는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 세정액이 순환과 아울러 분사되도록 하여 세정효과를 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 증착장비용 튜브 세정장치를 제공함에 있다.
도 1은 종래 튜브 세정장치의 구조를 보인 단면도.
도 2는 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치의 구조를 개략적으로 보인 단면도.
도 3은 본 고안의 세정장치에서 튜브가 세정되는 상태를 보인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 세정액 12 : 세정조
13 : 순환라인 14 : 순환펌프 15 : 필터
21 : 가압펌프 22 : 내부분사노즐
23 : 외부분사노즐 30 : 튜브
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 세정액이 수납되어 있는 세정조에 순환라인이 설치되어 있고, 그 순환라인 상에는 순환펌프와 필터가 설치되어 있는 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에 있어서, 상기 순환라인에 연결됨과 아울러 상기 튜브의 내부에 배치되어 튜브의 내측면에 세정액을 분사시키기 위한 내부분사노즐과, 상기 순환라인에 연결됨과 아울러 상기 튜브의 외부에 배치되어 튜브의 외측면에 세정액을 분사하기 위한 외부분사노즐을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 튜브 세정장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치의 구조를 개략적으로 보인 단면도이고, 도 3은 본 고안의 세정장치에서 튜브가 세정되는 상태를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치는 세정액(11)이 수납되어 있는 세정조(12)에 순환라인(13)이 설치되어 있고, 그 순환라인(13) 상에는 세정액을 펌핑하기 위한 순환펌프(14)와 순환되는 세정액(11) 중에 포함되어 있는 이물질을 필터링하기 위한 필터(15)가 설치되어 있는 구성은 종래와 유사하다.
여기서, 본 고안은 상기 필터(15)의 후방에 가압펌프(21)를 설치하고, 상기 순환라인(13)에 연결되도록 세정조(12)의 내부 일측에는 튜브(30)의 내부에 세정액(11)을 분사하기 위한 1개의 내부분사노즐(22)이 설치되어 있고, 타측에는 튜브(30)의 외부에 세정액(11)을 분사하기 위한 2개의 외부분사노즐(23)이 설치되어 있다.
도면중 미설명 부호 AV1,AV2,AV3는 자동밸브이다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에서 튜브의 세정이 진행되는 동작을 설명하면 다음과 같다.
평상시에는 노즐(22)(23)에 연결된 연결라인상에 설치된 자동밸브(AV2)(AV3)들이 닫혀있고, 순환라인(13) 상에 설치되어 있는 자동밸브(AV1)는 열려있는 상태에서 순환펌프(14)를 이용하여 세정조(12)에 수납되어 있는 세정액(11)을 펌핑하여 순환시키면서 필터(15)로 이물질을 필터링함과 아울러 여러 가지의 화학물질이 혼합된 혼합액인 세정액(11)이 잘 혼합되도록 한다.
도 3과 같이 튜브(30)의 세정을 실시하는 경우에는 트랜스퍼 아암(31)으로 튜브(30)를 세정조(12)의 내측으로 이동시킨 상태에서 순환라인(13)의 단부에 설치된 자동밸브(AV1)는 닫고, 노즐(22)(23)로 연결된 라인에 설치된 자동밸브(AV2)(AV3)들은 열며, 가압펌프(21)를 이용하여 세정액을 가압하여 노즐(22)(23)로 튜브(30)의 내측면과 외측면에 세정액(11)을 분사한다.
상기와 같이 튜브(30)에 세정액(11)이 분사되면 세정액(11)의 화학반응에 의하여 제거되지 못한 증착물질도 확실하게 제거되어 튜브(30)를 세정효과가 향상되게 되며, 이와 같이 세정작업을 마친 튜브(30)는 린스공정으로 이동되어 튜브(30)에 부착되어 있는 세정액(11)을 제거함으로써 모든 세정작업을 완료한다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 증착장비용 튜브 세정장치는 세정조의 내부 일측에 설치되어 튜브의 내부에 세정액을 분사하기 위한 내부분사노즐과, 외부에 세정액을 분사하기 위한 외부분사노즐을 구비하여서 구성되어, 세정작업시 튜브의 내부와 외부에 세정액을 분사하도록 함으로써, 종래 보다 증착물질의 세정효과가 향상된다.
Claims (2)
- 세정액이 수납되어 있는 세정조에 순환라인이 설치되어 있고, 그 순환라인 상에는 순환펌프와 필터가 설치되어 있는 반도체 증착장비용 튜브 세정장치에 있어서, 상기 순환라인에 연결됨과 아울러 상기 튜브의 내부에 배치되어 튜브의 내측면에 세정액을 분사시키기 위한 내부분사노즐과, 상기 순환라인에 연결됨과 아울러 상기 튜브의 외부에 배치되어 튜브의 외측면에 세정액을 분사하기 위한 외부분사노즐을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 튜브 세정장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 필터의 후방에는 세정액을 가압하기 위한 가압펌프가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비용 튜브 세정장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980019831U KR200325129Y1 (ko) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 반도체증착장비용튜브세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980019831U KR200325129Y1 (ko) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 반도체증착장비용튜브세정장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000008209U KR20000008209U (ko) | 2000-05-15 |
| KR200325129Y1 true KR200325129Y1 (ko) | 2003-11-01 |
Family
ID=49337689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980019831U KR200325129Y1 (ko) | 1998-10-16 | 1998-10-16 | 반도체증착장비용튜브세정장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200325129Y1 (ko) |
-
1998
- 1998-10-16 KR KR2019980019831U patent/KR200325129Y1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000008209U (ko) | 2000-05-15 |
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