JPS58205153A - 薬液散布装置 - Google Patents

薬液散布装置

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JPS58205153A
JPS58205153A JP8908882A JP8908882A JPS58205153A JP S58205153 A JPS58205153 A JP S58205153A JP 8908882 A JP8908882 A JP 8908882A JP 8908882 A JP8908882 A JP 8908882A JP S58205153 A JPS58205153 A JP S58205153A
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JP
Japan
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inert gas
nozzle
chemical solution
pressurized inert
substrate
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JP8908882A
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Inventor
Noriaki Mori
森 教章
Akira Tanaka
章 田中
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ガラス基板にクロームなどの薄膜を蒸着し
、その上にフォトレジストを塗布し、プリベークを施し
、ついでそれにマスター版にょる4光を行ったフォトマ
スク用基板や、シリコンにアルミニウムの薄膜を蒸着し
、その上に塗布したフォトレノストをプリベークし、つ
いでそれにフォトマスクtCよる4光を行ったシリコン
ウェハなどに対して、現像、エツチング、剥離などの表
面処理を行うためKこれらの前処理済基板、ウェハ(以
ド被処理基板と称する。)にそれぞれ所定の処8!楽液
をアスピレータ式ノズルにより散布する薬液散布装置の
改良に関するものである。
従来の装置においては薬液の散布が所定時間だけなされ
ると、被処理基板の直上に設けられた処理薬液散布用の
アスピレータ式ノズルにそわぞれ接続される薬液吸入管
路ならびに加圧不活性ガス供給・d路にそれぞれ堆付け
られている開閉弁を同時に閉状練とし、前記ノズルに対
する薬液および加圧不活性ガスの供給を同時に停止し、
薬液の散布を停止するのであるが、その際に前記ノズル
の噴出日すなわちノズルチップに薬液が残貿することが
あり、それがときに液滴となって所定の処理を児了しま
た被処理基板の面上に落下することがある。このような
落下液滴はそれまでに均一に表面処理がなされた状態を
乱し、たとえば着しい現運むら、局部的なエツチングの
過多を被処理基板に生じさせることとなる。
この発明は従来の装置における前記した不都合を解消す
るためになされたものであって、前記加圧不活性ガス管
路に加圧不活性ガスを蓄えるアキュムレータ用タンクを
前記ノズル、開閉弁間において取付けてなり、薬液吸入
管路ならびに加圧不活性ガス供給管路のそれぞれ開閉弁
を・閉とし、前記ノズルからの業1&欣布を浮止せしめ
、ついでAIJ記ノズル内に残留する薬液を、薬液散布
中に前記アキュムレータ用タンク内に貯えられている加
圧不品性ガスを前記ノズルから噴出させることによシー
状にして飛散させ、ノズル内随所に残留しないようにし
た4に液散布表置にかかるものである。
以下、この発明にかかる実施例装置について図面を参照
しながら説明する。
第1図はこの実施例装置の要部を示す模式説明図である
所定の薬液qIJがいれられた夕/りQgからこの薬液
顛を吸入する薬液吸入管路(6)および加圧不活性ガス
(たとえば窒素ガスをボンベから減圧し、適当な圧力に
し九もの)を供給する加圧不活性ガス供給#路(至)が
アスピレータ式ノズルα◆にそれぞれ接続されており、
前記両電路(6)、(ロ)には開閉弁(AV)% (”
Vl)がそれぞれ取付けられている。さらに加圧不活性
ガス供給管路(至)Kは、前記ノズルα→と開閉弁(d
V+)との間に、街閉容器からなる力日圧不活性ガスを
蓄えるアキュムレータ用タンク(2)および逆止弁に)
が雪路上流に向ってこの順に取付けられている。この実
施例においては処理薬液qQが引火性である揚台に備え
、開閉弁(AV)には空気作動式のものが、開閉弁(B
Vl)[はコントローラ(ト)によっでその開閉が制御
される電磁開閉弁がそれぞれ使用しである。そして前記
開閉弁(AV)の作動機#4に刈して加圧不清性ガスを
導入するために加圧不活性ガス電路0と接続する分岐管
路Q6が図示のとおり設けられている。なおOηは被処
理基板、(ト)は別な不油性ガス電路でタンクqv内の
薬液σ1の空気との接触による変質を防ぐとともに、液
面上方の空間部を常時正圧状態に保つための不活性ガス
の導入用で6る。
つぎにこの装置における動作について説明する。
コン)o−ラQ!19からの信号により開閉弁(BVl
)が開状態にされると、〃11圧不油性ガスは分岐管路
Qiを経て開閉弁(AV)の作動機構に到達し、この弁
(Aつを開状態にするとともに、加圧不活性ガス供給管
路Q4から逆止弁qをへてアスピレータ式ノズル0(に
送りこまれ、それが内蔵しているレギュレータにxBt
’tl定の流電にII整され、そのノズル口かう外部へ
噴出する。この不活性ガスの前記ノズル口からの咲出に
よって、薬液吸入管路(6)が一定の負圧状態に保たれ
ることから、単位時間当り一尻蓋の薬液QC)が前記電
路(ロ)によりタンクQ〃から吸上げられ、開状態の開
閉弁(AV)をとおされ、m1JiS己ノズルa<に供
給される。ナしてこの供給された薬液01は、前記した
加圧不活性ガスの噴出流によってノズル口から鋳状とな
って被処理基板Qの(通常所定の回転述度にて予め回転
させられている。)の次面に均一に散布される。
ところで、加圧不活性ガス供給管路α4のライン圧力は
、前記ノズル041において生ずる圧力損失、いいかえ
ればそのノズル口から大気に不活性ガスが噴出されるま
でに不活性ガスに作用する抵抗の大きさによっておのず
から規制される。
秦& uv ri開閉弁(AV)、 (EjV Qがi
:yトa−,1lIKff定された一定時間開状態に保
持されている間、前記した一定流菫にて前記ノズルQ4
1から被処理基板αθの表閣に引続いて散布される。そ
してこの間に前記ライン圧力に保持される不活性ガスが
アキュムレータ用タンクjvK前り己うイン圧カと同じ
圧力I7cなるまで憂えられる。
さて彼処4j#板Q7)の所定の表置処理に資する薬W
IL散布がコントローラに)に設定した時間だけなされ
ると、コントローラ(へ)から出刃される信号にょ−・
て開閉弁(S※1)が閉じられるっしたがって開閉弁(
BVl)より下流の賃路輪および分岐せ路Qi内の不活
性ガスはその圧力がいずれも大気圧力とバランスするま
で前dビノズルQ41から外気に放出される。
その結米分社官路α4の2イン圧カが低下し、開閉弁(
AV)が閉じられ、前記ノズルa4への薬液αQの供給
が停止する。
この薬液αqの供給停止に引続いてごく短時間〈この時
間の良さはアキュムレータ用タンクシυの容緻によって
規制されるン薬液散布中にアキュムレータ用タンクQυ
に蓄えられた加圧不活性ガスが前記ノズルα養のノズル
チップから外気に噴き出し、それに残留した薬液QOK
液簡となって4下する余裕を与えず、−瞬それを霧状に
して外部にlIl!敗させる。
薬液αりに引火性をもたぬものが用いられる場合には、
第2図に示すように、薬液吸入管路θ々の開閉弁に対し
ても電磁開閉弁(EV2)を用い、開閉弁(SV+)と
ともにコントロー2(至)により同時に制御するように
することもできる。この場合には逆止弁(2)は取付け
るを要しない。
以上の説明において明らかなように、この発明にかかる
薬液散布装置においては、薬液吸入管路、加圧不活性供
給管路にそれぞれ設けられている開閉弁を同時に閉状態
にし、ノズルからの薬液散布を停止し7cあと、アキュ
ムレータ用タンクに薬液散布中に蓄えられた加圧不活性
ガスがごく短時間ノズルから鳴出することによりノズル
内の残怪゛薬液をm−に外部へ霧状にして飛散させるよ
うにされているので、ノズル内における薬液の残留を皆
無とし、匠来の装置にときとして生じたノズル口からの
残貿薬故の被処理基板上への滴下を完全に防止すること
ができたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明にかかる実施例装置の要部を小す僕式
祝男図、第2図はその別な実施例装置の俟式説明図であ
る。 01・・・・・・楽 歇    @・・・・・・薬液吸
入管路u、9・・・・・・加圧不油性ガス吸入管路Q4
・・・・・・アスピレータ式ノズルα力・・・・・・被
処理基板  ン〃・・・・・・アキュムレータ用□ タック     、、、、、、四・・・・・・逆 止 
弁(AV)(19■1)(SV2)・・・・・・−′閉
弁L続補正:書(自発) 9 ro 5マ+111月ノア日 特許1j長宮      殿 1 ・J) (’1. を弓表不 昭和b7甲特許願七89088月 2発明の名称  薬液散布装置 3 補W−3・するに 巾1′1吉の関係  特許出願人 1番地の1 氏 i tsi;+、)大日本スクリーン線造株式会社
5  ?+IiT団j合の日1・]   自自発正正ュ
レータ十を[加圧不活性ガス供給官路(ム4Vこ設けて
いるレギュレータ(凶/jtせス)]にml上する。 い

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板に現像、エツチング、剥離などの表面処理を施すた
    め、所定の薬液を吸入する薬液吸入管路と加圧不活性ガ
    スを供給するガス供給管路との関にノズルを接続し、か
    つ前dピ崗管路r(それぞれ開閉弁を設け、これら開閉
    if” ’k 操作することにより、前記藤根に前記薬
    液を前記ノズルから散布せしめる装置忙おいて、前記加
    圧不活性ガス供給管路に不活性ガスのアキュムレータ用
    タンクヲRh 記/ズルと開閉弁との間に取付け、薬液
    散布後小時間このアキュムレータ用タンクからガスを噴
    出させるようにしたことを%砿とする薬液散布装置。
JP8908882A 1982-05-25 1982-05-25 薬液散布装置 Granted JPS58205153A (ja)

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JPH0263289B2 JPH0263289B2 (ja) 1990-12-27

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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