JPS60247642A - スプレ−方法 - Google Patents
スプレ−方法Info
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- JPS60247642A JPS60247642A JP10543484A JP10543484A JPS60247642A JP S60247642 A JPS60247642 A JP S60247642A JP 10543484 A JP10543484 A JP 10543484A JP 10543484 A JP10543484 A JP 10543484A JP S60247642 A JPS60247642 A JP S60247642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- solenoid valve
- pump
- filter
- signal
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フォトマスク基板及び半導体基板のパターン
形成工程におけるレジスト塗布・露光後の現像及びエツ
チングの各工程において使用されるスプレー方法に関す
る。
形成工程におけるレジスト塗布・露光後の現像及びエツ
チングの各工程において使用されるスプレー方法に関す
る。
従来のスプレー方法は、例えば、フォトマスク基板の現
像工程において、レジスト塗布及び露光をした基板をチ
ャンバー内の支持台に設置し、この支持台を回転させた
状態で、現像液をポンチの駆動により、チャンバーの噴
出孔まで送出して、この現像液を噴出孔から基板に向け
て噴出していた。この現像液の噴出は、基板の表面に均
一の微小液粒、いわゆる霧状であって、それを確保する
ために、一定又は所定の範囲の流速（以下、「所定の流
速」という。）であることが要求される。
像工程において、レジスト塗布及び露光をした基板をチ
ャンバー内の支持台に設置し、この支持台を回転させた
状態で、現像液をポンチの駆動により、チャンバーの噴
出孔まで送出して、この現像液を噴出孔から基板に向け
て噴出していた。この現像液の噴出は、基板の表面に均
一の微小液粒、いわゆる霧状であって、それを確保する
ために、一定又は所定の範囲の流速（以下、「所定の流
速」という。）であることが要求される。
しかし、従来のスプレー方法は、ポンプの駆動を開始し
てから所定の流速までに立、ち上るに必要な時間（立ち
上り時間１通常５〜１０秒）と１、ポンプの駆動を停止
してから現像液の送出が終ｒするまでに必要な時間（立
ち下り時間１通常５〜１０秒）があるために、その間の
安定状態では基板の全表面に亘って霧状に噴出されるも
のの、その立ら上り時と立ち下り時では基板表面の中心
付近に断続的な液状又は不均一な粒径の液状となって噴
出されることになり、現像仕上りが基板表面で不均一に
なる欠点があった。
てから所定の流速までに立、ち上るに必要な時間（立ち
上り時間１通常５〜１０秒）と１、ポンプの駆動を停止
してから現像液の送出が終ｒするまでに必要な時間（立
ち下り時間１通常５〜１０秒）があるために、その間の
安定状態では基板の全表面に亘って霧状に噴出されるも
のの、その立ら上り時と立ち下り時では基板表面の中心
付近に断続的な液状又は不均一な粒径の液状となって噴
出されることになり、現像仕上りが基板表面で不均一に
なる欠点があった。
次のエツチング工程においても、同様に、エツチング液
が立ち上り時と立ち上り時は基板表面の中心付近に断続
的な液状又は不均一な粒径の液状となって噴出されるこ
とになり、エツチング仕上りが基板表面で不均一になる
欠点があった。
が立ち上り時と立ち上り時は基板表面の中心付近に断続
的な液状又は不均一な粒径の液状となって噴出されるこ
とになり、エツチング仕上りが基板表面で不均一になる
欠点があった。
また、ポンプには必ず摺動部が組み込まれており、この
摺動部からダストが発生しやすいことから、このダスト
の除去のために、ポンプからチャンバーの噴出孔までの
間にフィルターを介在させる手段が従来より使用されて
いるが、このフィルターの介在により、水圧を蓄積する
ために、前述した立ち上り時間と立ち下り時間を長くす
るように助長し、前述した不均一な液粒の噴出を更に悪
化させる要因となる欠点があった。
摺動部からダストが発生しやすいことから、このダスト
の除去のために、ポンプからチャンバーの噴出孔までの
間にフィルターを介在させる手段が従来より使用されて
いるが、このフィルターの介在により、水圧を蓄積する
ために、前述した立ち上り時間と立ち下り時間を長くす
るように助長し、前述した不均一な液粒の噴出を更に悪
化させる要因となる欠点があった。
上記した欠点は、半導体基板に対しても同様であり、結
果として、フォトマスク基板及び半導体基板において均
一な線幅のパターンを形成づることができなかった。
果として、フォトマスク基板及び半導体基板において均
一な線幅のパターンを形成づることができなかった。
本発明は、上記した欠点を除去するためになされたもの
であり、基板の表面に均一な現像・エツチングを行ない
、均一な線幅のパターンを形成することができるスプレ
ー方法を提供することを目的とする。
であり、基板の表面に均一な現像・エツチングを行ない
、均一な線幅のパターンを形成することができるスプレ
ー方法を提供することを目的とする。
本発明のスプレー方法は、基板をチャンバー内の支持台
に設置し、モーターにより前記支持台を回転させた状態
で、所定液をポンプの駆動によりフィルターを介して前
記チャンバーの噴出孔まで送出して、前記所定液を前記
噴出孔から前記基板の表面に向けて噴出するスプレー方
法において、前記フィルター内の不用な液又は空気を、
電磁弁を介して、前記電磁弁の開放時に廃出し、前記ポ
ンプの駆動を、前記電磁弁の開放時から閉鎖時前までの
時間内で開始すると共に、前記電磁弁の閉鎖の経過後ま
で持続し、かつ前記ポンプの駆動を停止する際に前記電
磁弁を再度開放して、前記所定液を前記電磁弁の閉鎖時
から前記再度の開放時まで実質的に噴出することを特徴
としている。ここで、基板とは、透光性ガラス基板に遮
光性薄膜を被着したフォトマスク用の基板や、Ｓｉ等半
導体基板にＳｉ ０２等半導体酸化物を被着した基板で
あり、通常、フォトレジストが塗布されて、所定のパタ
ーンでそのフォトレジストが露光されたものが含まれる
。所定液とは、本発明のスプレー方法を現像工程で使用
する場合はフォトレジスト専用の現像液、エツチング工
程で使用する場合は所定のエツチング液（本例：硝酸第
２セリウムアンモン１６５ｑ十過塩素酸５０ｄを純水で
合計１克とした混合液）、洗浄工程で使用する場合は所
定の洗浄液（本例二純水）であり、また、フォトレジス
ト塗布工程で使用する場合はフォトレジスト液である。
に設置し、モーターにより前記支持台を回転させた状態
で、所定液をポンプの駆動によりフィルターを介して前
記チャンバーの噴出孔まで送出して、前記所定液を前記
噴出孔から前記基板の表面に向けて噴出するスプレー方
法において、前記フィルター内の不用な液又は空気を、
電磁弁を介して、前記電磁弁の開放時に廃出し、前記ポ
ンプの駆動を、前記電磁弁の開放時から閉鎖時前までの
時間内で開始すると共に、前記電磁弁の閉鎖の経過後ま
で持続し、かつ前記ポンプの駆動を停止する際に前記電
磁弁を再度開放して、前記所定液を前記電磁弁の閉鎖時
から前記再度の開放時まで実質的に噴出することを特徴
としている。ここで、基板とは、透光性ガラス基板に遮
光性薄膜を被着したフォトマスク用の基板や、Ｓｉ等半
導体基板にＳｉ ０２等半導体酸化物を被着した基板で
あり、通常、フォトレジストが塗布されて、所定のパタ
ーンでそのフォトレジストが露光されたものが含まれる
。所定液とは、本発明のスプレー方法を現像工程で使用
する場合はフォトレジスト専用の現像液、エツチング工
程で使用する場合は所定のエツチング液（本例：硝酸第
２セリウムアンモン１６５ｑ十過塩素酸５０ｄを純水で
合計１克とした混合液）、洗浄工程で使用する場合は所
定の洗浄液（本例二純水）であり、また、フォトレジス
ト塗布工程で使用する場合はフォトレジスト液である。
（実施例）
次に、フォトマスク基板の現像、エツチング及び洗浄の
各工程のうち、現像工程に本発明を使用した場合の実施
例を挙げて、本発明を説明する。
各工程のうち、現像工程に本発明を使用した場合の実施
例を挙げて、本発明を説明する。
第１図は本発明のスプレー方法を使用する装置の概略図
であり、第２図はこの装置の動作順序を示すタイミング
チャート図である。
であり、第２図はこの装置の動作順序を示すタイミング
チャート図である。
本例のフォトマスク基板１は、石英ガラス板にクロム膜
（膜厚：８００人）を被着したもので、本工程前に、米
国ＨＯｅＣｈＳｔ製ＡＺ１３５０フォトレジスト（膜厚
： ４０００人）の塗布と、このレジストに対して所定
パターンの露光（露光量６０ｍＪ／ ａａ 、水銀ラン
プ）が行なわれている。この基板１をチャンバー２内の
支持台３に設置し、この支持台３をモーター４の駆動に
より回転させる。このモーター４の駆動は制御回路５の
信号Ｓ１の供給により行なわれる。現像液６は、制御回
路５の信号Ｓ２により駆動されるポンプ７によって、送
出系パイプ８を通して吸い上げられ、フィルター９（フ
ィルター孔径０．２μ−）を介して、ポンプ７の摺動部
等から発生したダストを除去し、チャンバー２の天井に
設置された噴出孔１０まで送出され、この噴出孔１０か
ら基板１の表面に向けて噴出される。
（膜厚：８００人）を被着したもので、本工程前に、米
国ＨＯｅＣｈＳｔ製ＡＺ１３５０フォトレジスト（膜厚
： ４０００人）の塗布と、このレジストに対して所定
パターンの露光（露光量６０ｍＪ／ ａａ 、水銀ラン
プ）が行なわれている。この基板１をチャンバー２内の
支持台３に設置し、この支持台３をモーター４の駆動に
より回転させる。このモーター４の駆動は制御回路５の
信号Ｓ１の供給により行なわれる。現像液６は、制御回
路５の信号Ｓ２により駆動されるポンプ７によって、送
出系パイプ８を通して吸い上げられ、フィルター９（フ
ィルター孔径０．２μ−）を介して、ポンプ７の摺動部
等から発生したダストを除去し、チャンバー２の天井に
設置された噴出孔１０まで送出され、この噴出孔１０か
ら基板１の表面に向けて噴出される。
そして、フィルター９の出口側に、送出系パイプ８の他
に洗出孔１１を設け、この洗出孔１１から売出系パイプ
１２を通して電磁弁１３まで導き、この電磁弁１３は制
御回路５の信号Ｓ３の供給により駆動して、開放される
。
に洗出孔１１を設け、この洗出孔１１から売出系パイプ
１２を通して電磁弁１３まで導き、この電磁弁１３は制
御回路５の信号Ｓ３の供給により駆動して、開放される
。
廃山系バイブ１２の径（本例： １５ｍｍ（１））は、
望まり、 ＜ Ｇ、ｔｌｌｔ出孔ＩＱノ径（本例： ０
．５ｍｍ０） ヨリ１０倍以上に選定して、電磁弁１３
の開放時には、現像液６がポンプ７の所定の圧力の下で
、売出系パイプ１２の方にのみ廃出されることになる。
望まり、 ＜ Ｇ、ｔｌｌｔ出孔ＩＱノ径（本例： ０
．５ｍｍ０） ヨリ１０倍以上に選定して、電磁弁１３
の開放時には、現像液６がポンプ７の所定の圧力の下で
、売出系パイプ１２の方にのみ廃出されることになる。
次に、このスプレー装置の動作順序は、信号Ｓ１により
モーター４を駆動して、基板１を予め回転させた状態で
、第２図で示す通り行なわれる。
モーター４を駆動して、基板１を予め回転させた状態で
、第２図で示す通り行なわれる。
すなわち、Ｎ１１弁１３は時刻ｉｏ （０秒）で信号Ｓ
３により開放（ＯＮ）Ｌ、、時刻ｔ１ （２秒）を経過
後、時刻ｔ２ （７秒）で信号Ｓ３を解いて閉鎖（０Ｆ
Ｆ）する。ポンプ７は前記時刻ｔ１ （２秒）で信号Ｓ
２により駆動し、フィルター９の内部にあ系バイブ１２
を通して廃出し、時刻ｔ２ （７秒）で電磁弁１３の閉
鎖と同時に、フィルター９から送出系パイプ８を通して
噴出孔１０から、現像液６を基板１の表面に向けて噴出
する。なお、ポンプ７の駆動の開始時刻ｔ１は、電磁弁
１３の開始時刻１゜と同時でもよいことから、一般的に
時刻ｔｏから時刻ｔ２前、すなわち１ｏ≦ｔｌ ＜ｔ２
である。
３により開放（ＯＮ）Ｌ、、時刻ｔ１ （２秒）を経過
後、時刻ｔ２ （７秒）で信号Ｓ３を解いて閉鎖（０Ｆ
Ｆ）する。ポンプ７は前記時刻ｔ１ （２秒）で信号Ｓ
２により駆動し、フィルター９の内部にあ系バイブ１２
を通して廃出し、時刻ｔ２ （７秒）で電磁弁１３の閉
鎖と同時に、フィルター９から送出系パイプ８を通して
噴出孔１０から、現像液６を基板１の表面に向けて噴出
する。なお、ポンプ７の駆動の開始時刻ｔ１は、電磁弁
１３の開始時刻１゜と同時でもよいことから、一般的に
時刻ｔｏから時刻ｔ２前、すなわち１ｏ≦ｔｌ ＜ｔ２
である。
ポンプ７は時刻ｔｓ（６７秒）まで駆動し続け、この時
刻ｔｓ（６７秒）でその駆動を停止（ＯＦＦ ）する際
、電磁弁１３を再度開放（ＯＮ） Ｌ、て、慣性として
送出系パイプ８とフィルター９内に残留した現像液６を
売出系パイプ１２を通して廃出する。そして、電磁弁１
３は時刻ｔ６（７２秒）で信号Ｓ３を解いて閉鎖する。
刻ｔｓ（６７秒）でその駆動を停止（ＯＦＦ ）する際
、電磁弁１３を再度開放（ＯＮ） Ｌ、て、慣性として
送出系パイプ８とフィルター９内に残留した現像液６を
売出系パイプ１２を通して廃出する。そして、電磁弁１
３は時刻ｔ６（７２秒）で信号Ｓ３を解いて閉鎖する。
本発明によるスプレー方法は、以上のような動作順序に
することにより、送出系の立ち上り時間と立ち下り時間
をそれぞれ１秒以下にして、実質上除去することにより
、その間の安定状態と同様に所定の流速（“噴出孔１０
．１９．２８の孔径０．５（１）。
することにより、送出系の立ち上り時間と立ち下り時間
をそれぞれ１秒以下にして、実質上除去することにより
、その間の安定状態と同様に所定の流速（“噴出孔１０
．１９．２８の孔径０．５（１）。
において、６０〜８０ｃｃ／ｍ１ｎ）を確保して、現像
液を霧状に噴出することができる。
液を霧状に噴出することができる。
以上の実施例は、本発明を現像工程に使用した例である
が、エツチング工程又は洗浄工程においても、液が変わ
るだけで本発明を同様に使用することができる。
が、エツチング工程又は洗浄工程においても、液が変わ
るだけで本発明を同様に使用することができる。
また、本発明によるスプレー方法は、本例のフォトレジ
ストの塗布工程においても同様に使用することができる
。
ストの塗布工程においても同様に使用することができる
。
次に、本発明を現像、エツチング及び洗浄の各工程を連
続して使用する実施例について説明する。
続して使用する実施例について説明する。
本例のスプレー装置は第３図で示され、現像液のスプレ
ー系については第１図に示した同一符号をもって、その
説明を省略する。また、洗浄液のスプレー系については
、１５が洗浄液、１６がポンプ、１７が送出系パイプ、
１８がフィルター、１９が噴出孔、２０がフィルター１
８の出口側の洗出孔、２１が売出系パイプ、２２が電磁
弁、Ｓ４がポンプ１６の駆動信号及びＳ５が電磁弁２２
の駆動信号であり、エツチング液のスプレー系について
は、２３がエツチング液、２４がポンプ、２５が送出系
パイプ、２６がフィルター、２７が噴出孔、２８がフィ
ルター２６の出口側の洗出孔、１２９が売出系パイプ、
３０が電磁弁、Ｓ６がポンプ２４の駆動信号、Ｓ７が電
磁弁３０の駆動信号である。
ー系については第１図に示した同一符号をもって、その
説明を省略する。また、洗浄液のスプレー系については
、１５が洗浄液、１６がポンプ、１７が送出系パイプ、
１８がフィルター、１９が噴出孔、２０がフィルター１
８の出口側の洗出孔、２１が売出系パイプ、２２が電磁
弁、Ｓ４がポンプ１６の駆動信号及びＳ５が電磁弁２２
の駆動信号であり、エツチング液のスプレー系について
は、２３がエツチング液、２４がポンプ、２５が送出系
パイプ、２６がフィルター、２７が噴出孔、２８がフィ
ルター２６の出口側の洗出孔、１２９が売出系パイプ、
３０が電磁弁、Ｓ６がポンプ２４の駆動信号、Ｓ７が電
磁弁３０の駆動信号である。
洗浄液１５及びエツチング液２３の各スプレー系の動作
は、現像液６のスプレー系のものと同様である。
は、現像液６のスプレー系のものと同様である。
次に、本例のスプレー装置の動作順序は、先ず、現像工
程については前述した第２図のタイミングチャート図と
同様である。
程については前述した第２図のタイミングチャート図と
同様である。
次の洗浄工程において、前述した現像工程のポンプ７の
駆動停止時刻ｔｓ（６７秒）より前に、すなわち時刻ｔ
３（６０秒）で電磁弁２２を信号Ｓ５により開放（ＯＮ
）Ｌ、、前記時刻ｔ５（６７秒）で信号Ｓ５を解いて閉
鎖（ＯＦＦ）する。その間、ポンプ１６を時刻ｔ４（６
２秒）で信号Ｓ４により駆動しくここでも、一般的には
ｔ３≦ｔ４＜ｔ５である。
駆動停止時刻ｔｓ（６７秒）より前に、すなわち時刻ｔ
３（６０秒）で電磁弁２２を信号Ｓ５により開放（ＯＮ
）Ｌ、、前記時刻ｔ５（６７秒）で信号Ｓ５を解いて閉
鎖（ＯＦＦ）する。その間、ポンプ１６を時刻ｔ４（６
２秒）で信号Ｓ４により駆動しくここでも、一般的には
ｔ３≦ｔ４＜ｔ５である。
）、フィルター１８の内部にある不用な液や空気を売出
系パイプ２１を通して廃出し、前記時刻ｔ５（６７秒）
で電磁弁２２の閉鎖と同時に、フィルター１８から送出
系パイプ１１を通して洗浄液１５を噴出孔１９から基板
１の表面に向けて噴出する。ポンプ１６は時刻ｔ９ （
１２７秒）まで駆動し続番プ、この時刻ｔ９でその駆動
を停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁２２を再度開放（Ｏ
Ｎ＞シて、送出系パイプ１７とフィルター１８内に残留
した洗浄液１５を売出系パイプ２１を通して廃出する。
系パイプ２１を通して廃出し、前記時刻ｔ５（６７秒）
で電磁弁２２の閉鎖と同時に、フィルター１８から送出
系パイプ１１を通して洗浄液１５を噴出孔１９から基板
１の表面に向けて噴出する。ポンプ１６は時刻ｔ９ （
１２７秒）まで駆動し続番プ、この時刻ｔ９でその駆動
を停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁２２を再度開放（Ｏ
Ｎ＞シて、送出系パイプ１７とフィルター１８内に残留
した洗浄液１５を売出系パイプ２１を通して廃出する。
そして、電磁弁２２は時刻ｔ１゜（１３２秒）で信号Ｓ
５を解いて閉鎖する。
５を解いて閉鎖する。
次のエツチング工程においても、前述した洗浄工程のポ
ンプ１６の駆動停止時刻ｊ９（１２７秒）より前に、す
なわち時刻ｔ７ （１２０秒）で電磁弁３０を信号８７
により開放（ＯＮ）Ｌ、時刻ｔ、、（１２７秒）で信号
Ｓ７を解いて閉鎖（ＯＦＦ ）する。その間、ポンプ２
４を時刻ｔａ （１２２秒）で信号Ｓ６により駆動しく
ここでも、一般的にはｔ７≦ｔ６＜ｔ９である。）、フ
ィルター２６内の不用な液や空気を売出系パイプ２９を
通して廃出し、前記時刻ｔ９ （１２７秒）で電磁弁３
０の閉鎖と同時に、フィルター２６から送出系パイプ２
５を通して噴出孔２７から、エツチング液２３を基板１
の表面に向けて噴出する。ポンプ２４は時刻ｔ１３（１
５７秒）まで駆動し続け、この時刻ｔ１３でその駆動を
停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁３０を再度開放（ＯＮ
）Ｌ／て、送出系パイプ２５とフィルター２６内に残留
したエツチング液２３を売出系パイプ２９を通して廃出
する。そして電磁弁３０は時刻ｔ１４（１６２秒）で信
号＄７を解いて閉鎖する。
ンプ１６の駆動停止時刻ｊ９（１２７秒）より前に、す
なわち時刻ｔ７ （１２０秒）で電磁弁３０を信号８７
により開放（ＯＮ）Ｌ、時刻ｔ、、（１２７秒）で信号
Ｓ７を解いて閉鎖（ＯＦＦ ）する。その間、ポンプ２
４を時刻ｔａ （１２２秒）で信号Ｓ６により駆動しく
ここでも、一般的にはｔ７≦ｔ６＜ｔ９である。）、フ
ィルター２６内の不用な液や空気を売出系パイプ２９を
通して廃出し、前記時刻ｔ９ （１２７秒）で電磁弁３
０の閉鎖と同時に、フィルター２６から送出系パイプ２
５を通して噴出孔２７から、エツチング液２３を基板１
の表面に向けて噴出する。ポンプ２４は時刻ｔ１３（１
５７秒）まで駆動し続け、この時刻ｔ１３でその駆動を
停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁３０を再度開放（ＯＮ
）Ｌ／て、送出系パイプ２５とフィルター２６内に残留
したエツチング液２３を売出系パイプ２９を通して廃出
する。そして電磁弁３０は時刻ｔ１４（１６２秒）で信
号＄７を解いて閉鎖する。
次の洗浄工程においても、前述したエツチング工程のポ
ンプ２４の駆動停止時刻ｔ１３（１５７秒）より前に、
すなわち時刻ｔ １１（１５０秒）で電磁弁２２を信号
Ｓ５により開放（ＯＮ）Ｌ、、時刻ｔ１３（１５７秒）
で信号Ｓ５を解いて閉鎖（ＯＦＦ ）する。その間、ポ
ンプ１６を時刻ｔ１２（１５２秒）で信号Ｓ４により駆
動しくここでも、一般的には、ｔ１１≦ｔ１２〈ｔ１３
である。）、フィルター１８の不用な液や空気を売出系
パイプ２１を通して廃出し、前記時刻ｔ１３（１５７秒
）で電磁弁２２を閉鎖すると同時に、洗浄液１５を噴出
孔１９から基板１の表面に向けて噴出する。ポンプ１６
は時刻ｔ１５（２１７秒）まで駆動し続け、この時刻°
ｔ１．でその駆動を停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁２
２を再度開放（ＯＮ）Ｌ、て、送出系パイプ１７とフィ
ルター１８内に残留した洗浄液１５を売出系バイブ２１
を通して廃出する。そして電磁弁２２は時刻ｔ１６（２
２５秒）で解いて閉鎖する。
ンプ２４の駆動停止時刻ｔ１３（１５７秒）より前に、
すなわち時刻ｔ １１（１５０秒）で電磁弁２２を信号
Ｓ５により開放（ＯＮ）Ｌ、、時刻ｔ１３（１５７秒）
で信号Ｓ５を解いて閉鎖（ＯＦＦ ）する。その間、ポ
ンプ１６を時刻ｔ１２（１５２秒）で信号Ｓ４により駆
動しくここでも、一般的には、ｔ１１≦ｔ１２〈ｔ１３
である。）、フィルター１８の不用な液や空気を売出系
パイプ２１を通して廃出し、前記時刻ｔ１３（１５７秒
）で電磁弁２２を閉鎖すると同時に、洗浄液１５を噴出
孔１９から基板１の表面に向けて噴出する。ポンプ１６
は時刻ｔ１５（２１７秒）まで駆動し続け、この時刻°
ｔ１．でその駆動を停止（ＯＦＦ ）する際、電磁弁２
２を再度開放（ＯＮ）Ｌ、て、送出系パイプ１７とフィ
ルター１８内に残留した洗浄液１５を売出系バイブ２１
を通して廃出する。そして電磁弁２２は時刻ｔ１６（２
２５秒）で解いて閉鎖する。
本例のスプレー方法は、現像、洗浄、エツチング及び洗
浄の各工程において、前実施例と同様に所定の流速をも
って霧状に噴出すると共に、各工程を順次連続して、か
つ工程間に待ち時間を置くことなく瞬時に行なうことが
できる。
浄の各工程において、前実施例と同様に所定の流速をも
って霧状に噴出すると共に、各工程を順次連続して、か
つ工程間に待ち時間を置くことなく瞬時に行なうことが
できる。
以上の通り、本発明のスプレー方法によれば、スプレー
する際の立ち上り時間とその終了時の立ち下り時間とを
実質的に除去して、瞬時に安定状態に入り、所定の流速
を確保して、所定液を霧状に噴出することができ、特に
、レジスト露光後め現像、エツチング、洗浄の一連の各
工程において使用した場合、均一な線幅のパターンを形
成することができる。
する際の立ち上り時間とその終了時の立ち下り時間とを
実質的に除去して、瞬時に安定状態に入り、所定の流速
を確保して、所定液を霧状に噴出することができ、特に
、レジスト露光後め現像、エツチング、洗浄の一連の各
工程において使用した場合、均一な線幅のパターンを形
成することができる。
第１図は本発明のスプレー方法を現像工程において使用
するスプレー装置の概略図、第２図は前記現像工程のタ
イミングチャート図、第３図は本発明のスプレー方法を
現像、洗浄、エツチング及び洗浄の一連の各工程におい
て使用するスプレー装置の概略図、並びに第４図は前記
一連の各工程のタイミングチャート図である。
するスプレー装置の概略図、第２図は前記現像工程のタ
イミングチャート図、第３図は本発明のスプレー方法を
現像、洗浄、エツチング及び洗浄の一連の各工程におい
て使用するスプレー装置の概略図、並びに第４図は前記
一連の各工程のタイミングチャート図である。
Claims (1)
- （１） 基板をチャンバー内の支持台に設置し、モータ
ーにより前記支持台を回転させた状態で、所定液をポン
プの駆動によりフィルターを介して前記チャンバーの噴
出孔まで送出して、前記所定液を前記噴出孔から前記基
板の表面に向けて噴出するスプレー方法において、前記
フィルター内め不用な液又は空気を、電磁弁を介して、
前記電磁弁の開放時に廃出し、前記ポンプの駆動を、前
記電磁弁の開放時から閉鎖時前までの時間内で開始する
と共に、前記電磁弁の閉鎖の経過後まで持続し、かつ前
記ポンプの駆動を停止する際に前記電磁弁を再度開放し
て、前記所定液を前記電磁弁の閉鎖時から前記再度の開
放時まで実質的に噴出す′ることを特徴と゛するスプレ
ー方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10543484A JPS60247642A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | スプレ−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10543484A JPS60247642A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | スプレ−方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247642A true JPS60247642A (ja) | 1985-12-07 |
| JPH0439664B2 JPH0439664B2 (ja) | 1992-06-30 |
Family
ID=14407482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10543484A Granted JPS60247642A (ja) | 1984-05-24 | 1984-05-24 | スプレ−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247642A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252439A2 (en) * | 1986-07-04 | 1988-01-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
| JPH01244618A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法 |
| JPH02253264A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Konica Corp | 感光材料の処理装置 |
| JPH0794407A (ja) * | 1994-09-01 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8993255B2 (en) | 2008-10-10 | 2015-03-31 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Protein having fructosyl valyl histidine oxidase activity, modified protein, and use of the protein or the modified protein |
-
1984
- 1984-05-24 JP JP10543484A patent/JPS60247642A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252439A2 (en) * | 1986-07-04 | 1988-01-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
| JPH01244618A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給方法 |
| JPH0752710B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1995-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法 |
| JPH02253264A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Konica Corp | 感光材料の処理装置 |
| JPH0794407A (ja) * | 1994-09-01 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0439664B2 (ja) | 1992-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |