JPH0428431B2 - - Google Patents
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- JPH0428431B2 JPH0428431B2 JP59123275A JP12327584A JPH0428431B2 JP H0428431 B2 JPH0428431 B2 JP H0428431B2 JP 59123275 A JP59123275 A JP 59123275A JP 12327584 A JP12327584 A JP 12327584A JP H0428431 B2 JPH0428431 B2 JP H0428431B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- system pipe
- substrate
- exhaust system
- waste liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、フオトマスク基板及び半導体基板等
の基板のパターン形成におけるフオトレジスト塗
布・露光後の現像及びエツチングの各工程におい
て使用されるスプレー方法に関する。
の基板のパターン形成におけるフオトレジスト塗
布・露光後の現像及びエツチングの各工程におい
て使用されるスプレー方法に関する。
〔従来の技術〕
スプレー装置は、クリーンルームにおいて使用
されることから、同装置に設置されたドアー（こ
のドアーを通して基板を装置内に出し入れする。）
等の間隙を通じて、現像液又はエツチング液の蒸
発ガスがもれるのを防止しなければならない。こ
の蒸発ガスは、現像及びエツチングのスプレー時
間が通常１分以内であることから、スプレー後の
残余の液から発生する。
されることから、同装置に設置されたドアー（こ
のドアーを通して基板を装置内に出し入れする。）
等の間隙を通じて、現像液又はエツチング液の蒸
発ガスがもれるのを防止しなければならない。こ
の蒸発ガスは、現像及びエツチングのスプレー時
間が通常１分以内であることから、スプレー後の
残余の液から発生する。
そこで、従来のスプレー方法は、スプレー装置
から残余の液を廃出系パイプを通して廃液溜まで
廃出し、その廃出系パイプの途中から排気系パイ
プを通して所定の風速で、残余の液の蒸発ガスを
排気する方法が採用されている。この排気の風速
は、通常、排気系パイプ径50〓mmにおいて８ｍ／
秒程度である。
から残余の液を廃出系パイプを通して廃液溜まで
廃出し、その廃出系パイプの途中から排気系パイ
プを通して所定の風速で、残余の液の蒸発ガスを
排気する方法が採用されている。この排気の風速
は、通常、排気系パイプ径50〓mmにおいて８ｍ／
秒程度である。
一方、スプレー装置は、加圧された液を噴出孔
から基板に向けてスプレーする際、基板表面が正
方形であれば、その対角線方向、円形であれば、
直径方向に細長く扁平した長円弧内に分布させる
と共に、その基板を中心垂直方向を軸にして回転
状態で基板表面に向けて霧状にスプレーさせ、現
像及びエツチングが均一に仕上るようにしてい
る。
から基板に向けてスプレーする際、基板表面が正
方形であれば、その対角線方向、円形であれば、
直径方向に細長く扁平した長円弧内に分布させる
と共に、その基板を中心垂直方向を軸にして回転
状態で基板表面に向けて霧状にスプレーさせ、現
像及びエツチングが均一に仕上るようにしてい
る。
しかしながら、上記スプレーは、前述した排気
の風速により、基板表面でのスプレーの分布及び
その霧状が乱れてしまい、現像及びエツチングの
仕上りにむらが発生し、結局、均一な線幅のパタ
ーンを形成することができなくなる欠点があつ
た。このような欠点は、半導体基板においても同
様であつた。
の風速により、基板表面でのスプレーの分布及び
その霧状が乱れてしまい、現像及びエツチングの
仕上りにむらが発生し、結局、均一な線幅のパタ
ーンを形成することができなくなる欠点があつ
た。このような欠点は、半導体基板においても同
様であつた。
本発明は、上記した欠点を除去するためになさ
れたものであり、基板表面に均一な現像及びエツ
チングを行ない、均一な線幅のパターンを形成す
ることができるスプレー方法を提供することを目
的とする。
れたものであり、基板表面に均一な現像及びエツ
チングを行ない、均一な線幅のパターンを形成す
ることができるスプレー方法を提供することを目
的とする。
本発明のスプレー方法は、排気系パイプの途中
に弁を設置し、この弁が、現像又はエツチングの
スプレー前後において開き、スプレー時において
閉じることを特徴としている。
に弁を設置し、この弁が、現像又はエツチングの
スプレー前後において開き、スプレー時において
閉じることを特徴としている。
このスプレー方法によれば現像又はエツチング
中は、排気系パイプの弁が閉鎖することから、基
板表面でのスプレーの分布及びその霧状を良好に
維持することができ、現像又はエツチングの前後
においては、排気系パイプの弁が開放することか
ら、現像液又はエツチング液の蒸発ガスがスプレ
ー装置内に充満することなく、排気系パイプを通
して排気することができる。
中は、排気系パイプの弁が閉鎖することから、基
板表面でのスプレーの分布及びその霧状を良好に
維持することができ、現像又はエツチングの前後
においては、排気系パイプの弁が開放することか
ら、現像液又はエツチング液の蒸発ガスがスプレ
ー装置内に充満することなく、排気系パイプを通
して排気することができる。
次にフオトマスク基板の現像・エツチング工程
に本発明を使用した場合の実施例を挙げて、本発
明を詳細に説明する。
に本発明を使用した場合の実施例を挙げて、本発
明を詳細に説明する。
第１図は、本発明のスプレー方法を使用する装
置全体の概略図であり、第２図は、この装置の動
作順序を示すタイミングチヤート図である。
置全体の概略図であり、第２図は、この装置の動
作順序を示すタイミングチヤート図である。
本例のフオトマスク基板１は、石英ガラス板に
クロム膜（膜厚：800〓）を被着し、本工程前に
フオトレジスト（米国Hoechst 製AZ1350、膜
厚：4000〓）の塗布と、このレジストに対して所
定のパターンの露光（露光量60ｍＪ／cm2、水銀ラ
ンプ）が行なわれている。この基板１をスプレー
装置２のチヤンバー３内の支持台４に設置し、こ
の支持台４を、モーターの駆動により回転される
回転軸５に連結部６を介して固定している。噴出
孔７は、チヤンバー３の天井に設置され、基板１
の表面に対して一定の角度で向けられ、スプレー
される液が基板１の表面（正方形）上にその対角
線方向に扁平した長円弧内に分布させる構造にな
つている。
クロム膜（膜厚：800〓）を被着し、本工程前に
フオトレジスト（米国Hoechst 製AZ1350、膜
厚：4000〓）の塗布と、このレジストに対して所
定のパターンの露光（露光量60ｍＪ／cm2、水銀ラ
ンプ）が行なわれている。この基板１をスプレー
装置２のチヤンバー３内の支持台４に設置し、こ
の支持台４を、モーターの駆動により回転される
回転軸５に連結部６を介して固定している。噴出
孔７は、チヤンバー３の天井に設置され、基板１
の表面に対して一定の角度で向けられ、スプレー
される液が基板１の表面（正方形）上にその対角
線方向に扁平した長円弧内に分布させる構造にな
つている。
そして、チヤンバー３の底部から廃出系パイプ
８を通して、残余の液９が廃液溜１０内の廃液ろ
過槽１１にまで導き、ここで収容され、この廃液
ろ過槽１１で沈澱物等が除去され、上ずみだけが
廃液として廃出される。
８を通して、残余の液９が廃液溜１０内の廃液ろ
過槽１１にまで導き、ここで収容され、この廃液
ろ過槽１１で沈澱物等が除去され、上ずみだけが
廃液として廃出される。
一方、廃出系パイプ８の途中から、排気系パイ
プ１２が分岐され、この排気系パイプ１２に弁１
３が設けられている。この排気系パイプ１２は廃
液溜１０の上部とも連結パイプ１４を通じて連結
している。排気系パイプ１２内の弁１３の動作
は、電磁弁駆動式の場合には、駆動信号のON−
OFFにより開閉する。排気系パイプ１２内の空
気は、弁１３の開放時に風速８ｍ／秒で矢印の方
向に排気され、弁１３の閉鎖時にその排気を停止
する。
プ１２が分岐され、この排気系パイプ１２に弁１
３が設けられている。この排気系パイプ１２は廃
液溜１０の上部とも連結パイプ１４を通じて連結
している。排気系パイプ１２内の弁１３の動作
は、電磁弁駆動式の場合には、駆動信号のON−
OFFにより開閉する。排気系パイプ１２内の空
気は、弁１３の開放時に風速８ｍ／秒で矢印の方
向に排気され、弁１３の閉鎖時にその排気を停止
する。
そして、排気系パイプ１２内の弁１３は、時刻
T0（０秒）で、フオトレジスト専用現像液が噴出
孔７からスプレーされると同時に閉鎖され、時刻
T1（60秒）で現像液のスプレーが終了すると同時
に開放される。その際、純水が別の噴出孔からス
プレーされる（時刻T1→T2）。次に、弁１３は、
時刻T2（120秒）でエツチング液（硝酸第２セリ
ウムアンモン165ｇ＋過塩素酸50mlを純水で合計
１とした混合液）をもう一つの噴出孔からスプ
レーすると同時に閉鎖され、時刻T3（150秒）で
エツチング液のスプレーが終了すると同時に開放
される。その際、同様に純水がスプレーされる
（時刻T3→T4（210秒））。
T0（０秒）で、フオトレジスト専用現像液が噴出
孔７からスプレーされると同時に閉鎖され、時刻
T1（60秒）で現像液のスプレーが終了すると同時
に開放される。その際、純水が別の噴出孔からス
プレーされる（時刻T1→T2）。次に、弁１３は、
時刻T2（120秒）でエツチング液（硝酸第２セリ
ウムアンモン165ｇ＋過塩素酸50mlを純水で合計
１とした混合液）をもう一つの噴出孔からスプ
レーすると同時に閉鎖され、時刻T3（150秒）で
エツチング液のスプレーが終了すると同時に開放
される。その際、同様に純水がスプレーされる
（時刻T3→T4（210秒））。
以上の実施例において、スプレー対象物はフオ
トマスク基板であつたが、Si等半導体基板に
SiO2等半導体酸化物を被着した基板にフオトレ
ジストを塗布して、所定のパターンでそのフオト
レジストを露出したものであつてもよい。また、
弁の駆動は電磁弁方式に限らず、エア方式であつ
てもよい。
トマスク基板であつたが、Si等半導体基板に
SiO2等半導体酸化物を被着した基板にフオトレ
ジストを塗布して、所定のパターンでそのフオト
レジストを露出したものであつてもよい。また、
弁の駆動は電磁弁方式に限らず、エア方式であつ
てもよい。
以上の通り、本発明のスプレー方法によれば、
現像・エツチング工程中は、排気系パイプの風速
を停止して、スプレーの分布及び霧状を良好に維
持し、現像・エツチングの仕上りを均一にするこ
とができ、その結果、均一な線幅のパターンを形
成することができ、更に、現像・エツチング前後
の工程、例えば純水による洗浄工程においては、
排気系パイプを通じて、スプレー後の残余の液か
ら発生する蒸発ガスを排気することができる。
現像・エツチング工程中は、排気系パイプの風速
を停止して、スプレーの分布及び霧状を良好に維
持し、現像・エツチングの仕上りを均一にするこ
とができ、その結果、均一な線幅のパターンを形
成することができ、更に、現像・エツチング前後
の工程、例えば純水による洗浄工程においては、
排気系パイプを通じて、スプレー後の残余の液か
ら発生する蒸発ガスを排気することができる。
第１図は本発明のスプレー方法を使用する装置
全体の概略図、第２図は本発明のスプレー方法を
示すタイミングチヤート図である。 １……基板、２……スプレー装置、８……廃出
系パイプ、９……残余の液、１０……廃液溜、１
２……排気系パイプ、１３……弁。
全体の概略図、第２図は本発明のスプレー方法を
示すタイミングチヤート図である。 １……基板、２……スプレー装置、８……廃出
系パイプ、９……残余の液、１０……廃液溜、１
２……排気系パイプ、１３……弁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定のパターンで露光されたフオトレジスト
付き基板と、 前記基板を載置する支持台と、現像液及びエツ
チング液のうち何れかの液を噴出する噴出孔とを
チヤンバー内に備えたスプレー装置と、 廃液溜と、 前記チヤンバーの底部と前記廃液溜とを結び、
前記チヤンバー内の残余の液を前記廃液溜へ導い
て廃出する廃出系パイプと、 前記廃出系パイプの途中から分岐し、その内部
に弁を設けて、前記弁を開いた時に所定の風速で
排気する排気系パイプとを用意して、 前記支持台に載置した前記基板をその軸のまわ
りに所定の速度で回転する工程と、 前記弁を閉じて、回転中の前記基板の表面に前
記液を所定時間だけスプレーする工程と、 前記弁を開いて、前記残余の液の蒸発ガスを前
記排気系パイブを通して排気する工程とを含むこ
とを特徴とするスプレー方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12327584A JPS614576A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | スプレ−方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12327584A JPS614576A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | スプレ−方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614576A JPS614576A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH0428431B2 true JPH0428431B2 (ja) | 1992-05-14 |
Family
ID=14856531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12327584A Granted JPS614576A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | スプレ−方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS614576A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61160933A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Nec Corp | 現像処理装置 |
| JPS6314434A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理方法および装置 |
| JPH0719764B2 (ja) * | 1986-07-28 | 1995-03-06 | 大日本スクリ−ン製造株式会社 | 表面洗浄方法 |
| JPH0611023B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法 |
| JP2901364B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1999-06-07 | 山形日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
| JPH0817815A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの製造方法、半導体基板の処理方法、分析方法及び製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146467U (ja) * | 1980-03-28 | 1981-11-05 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP12327584A patent/JPS614576A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS614576A (ja) | 1986-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |