JPH0611023B2 - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
- Publication number
- JPH0611023B2 JPH0611023B2 JP61311166A JP31116686A JPH0611023B2 JP H0611023 B2 JPH0611023 B2 JP H0611023B2 JP 61311166 A JP61311166 A JP 61311166A JP 31116686 A JP31116686 A JP 31116686A JP H0611023 B2 JPH0611023 B2 JP H0611023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- developing
- processed
- processing chamber
- rotation speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の現像方法に関
する。
する。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ等の被処理基板の現像処理を行な
う現像装置では、表面にフォトレジスト等の感光性膜が
形成された被処理基板が配置される処理室と、この処理
室内から排気する手段と、被処理基板と現像液とを所定
の現像時間の間接触させ、感光性膜に所定の化学変化を
生じさせて現像を行なう手段とを備えている。
う現像装置では、表面にフォトレジスト等の感光性膜が
形成された被処理基板が配置される処理室と、この処理
室内から排気する手段と、被処理基板と現像液とを所定
の現像時間の間接触させ、感光性膜に所定の化学変化を
生じさせて現像を行なう手段とを備えている。
そして、処理室内に配置された載置台上に半導体ウエハ
等の被処理基板を配置して、現像液、純水等のリンス液
を順次スプレーノズル等から被処理基板に供給して、現
像を行なう。また、現像液は、通常人体に大して悪影響
を及ぼすものが多いため、スプレー等によってこの現像
液が飛散しないように、処理中は、常に10〜20mmＨ2Ｏ
程度の排気量で排気装置等により処理室内からの排気が
行なわれている。
等の被処理基板を配置して、現像液、純水等のリンス液
を順次スプレーノズル等から被処理基板に供給して、現
像を行なう。また、現像液は、通常人体に大して悪影響
を及ぼすものが多いため、スプレー等によってこの現像
液が飛散しないように、処理中は、常に10〜20mmＨ2Ｏ
程度の排気量で排気装置等により処理室内からの排気が
行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上述の従来の現像装置を用いた現像方法
では、特に被処理基板が大型化すると、被処理基板面内
で、現像状態が不均一となり、例えば精密写真技術を用
いて、半導体ウエハ上に微細パターンを形成する場合等
では、半導体ウエハ面に形成される線幅等が不均一にな
るという問題があった。
では、特に被処理基板が大型化すると、被処理基板面内
で、現像状態が不均一となり、例えば精密写真技術を用
いて、半導体ウエハ上に微細パターンを形成する場合等
では、半導体ウエハ面に形成される線幅等が不均一にな
るという問題があった。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、大型の被処理基板でも面内の現像状態が均一となる
ように現像処理を行なうことができ、半導体ウエハ上に
微細パターンを形成する場合でも、半導体ウエハ面に形
成される線幅等を均一化することのできる現像方法を提
供しようとするものである。
で、大型の被処理基板でも面内の現像状態が均一となる
ように現像処理を行なうことができ、半導体ウエハ上に
微細パターンを形成する場合でも、半導体ウエハ面に形
成される線幅等を均一化することのできる現像方法を提
供しようとするものである。
［発明の構成］ （問題点を解決するための手段） すなわち本発明の現像方法は、表面に感光性膜が形成さ
れた被処理基板が配置される処理室内を、所定の排気量
で排気しつつ、回転テーブルに保持された前記被処理基
板を第１の回転速度で回転させながら現像液を前記被処
理基板表面に供給する工程と、前記回転テーブルを停止
させ、前記処理室内を前記現像液供給工程より排気量を
減少させ、または排気を停止し、前記被処理基板を前記
現象液で現像する工程と、前記処理室内を所定の排気量
で排気すると共に、前記回転テーブルを前記第１の回転
速度より速い第２の回転速度で回転させつつ、前記被処
理基板表面にリンス液を供給する工程と、前記リンス液
の供給を停止した後、前記回転テーブルを前記第２の回
転速度より速い第３の回転速度で回転させ、前記被処理
基板表面を乾燥させる工程とを有することを特徴とす
る。
れた被処理基板が配置される処理室内を、所定の排気量
で排気しつつ、回転テーブルに保持された前記被処理基
板を第１の回転速度で回転させながら現像液を前記被処
理基板表面に供給する工程と、前記回転テーブルを停止
させ、前記処理室内を前記現像液供給工程より排気量を
減少させ、または排気を停止し、前記被処理基板を前記
現象液で現像する工程と、前記処理室内を所定の排気量
で排気すると共に、前記回転テーブルを前記第１の回転
速度より速い第２の回転速度で回転させつつ、前記被処
理基板表面にリンス液を供給する工程と、前記リンス液
の供給を停止した後、前記回転テーブルを前記第２の回
転速度より速い第３の回転速度で回転させ、前記被処理
基板表面を乾燥させる工程とを有することを特徴とす
る。
（作用） 縦軸を現像液温度、横軸を現像時間とした第４図のグラ
フは、本発明者等が実測した６インチの半導体ウエハを
従来の現像方法を用いて現像した場合の設定温度25℃の
現像液の温度変化を示すもので、実線Ａ、点線Ｂ、一転
鎖線Ｃは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央部から周
辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から周辺方向
へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を示してい
る。このグラフに示されるように、現像液の温度は、被
処理基板周辺部へ向かうにしたがって、急激に低下して
おり、この現像液の温度低下が被処理基板の現像状態の
不均一さの原因となっていることが判明した。
フは、本発明者等が実測した６インチの半導体ウエハを
従来の現像方法を用いて現像した場合の設定温度25℃の
現像液の温度変化を示すもので、実線Ａ、点線Ｂ、一転
鎖線Ｃは、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央部から周
辺方向へ30mm離れた位置、さらにこの位置から周辺方向
へ30mm離れた位置における現像液の温度変化を示してい
る。このグラフに示されるように、現像液の温度は、被
処理基板周辺部へ向かうにしたがって、急激に低下して
おり、この現像液の温度低下が被処理基板の現像状態の
不均一さの原因となっていることが判明した。
本発明の現像方法では、被処理基板と現像液とを接触さ
せ、感光性膜に所定の化学変化を生じさせる現像工程
を、排気を停止または他の処理中よりも排気量を減少さ
せて行なっており、現像液の温度低下を抑制し、現像液
の被処理基板の面内における温度不均一の発生を抑制し
ているため、現像状態の均一化を図ることができる。
せ、感光性膜に所定の化学変化を生じさせる現像工程
を、排気を停止または他の処理中よりも排気量を減少さ
せて行なっており、現像液の温度低下を抑制し、現像液
の被処理基板の面内における温度不均一の発生を抑制し
ているため、現像状態の均一化を図ることができる。
（実施例） 以下本発明の現像方法を図面を参照して実施例について
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の現像方法を適用した一実施例の現像
装置１の構成を示している。この実施例における現像装
置１では、処理室２内に半導体ウエハ等の被処理基板３
を真空チャック等により吸着保持する載置台４が配置さ
れており、この載置台４には、被処理基板３を載置台４
とともに回転させる回転機構５が接続されている。
装置１の構成を示している。この実施例における現像装
置１では、処理室２内に半導体ウエハ等の被処理基板３
を真空チャック等により吸着保持する載置台４が配置さ
れており、この載置台４には、被処理基板３を載置台４
とともに回転させる回転機構５が接続されている。
載置台４上方には、ノズル６ａとリンスノズル７ａが配
置されており、これらのノズル６ａ、７ａを介して、現
像液供給部６およびリンス液供給部７から被処理基板３
へ向けて現像液およびリンス液が供給される。
置されており、これらのノズル６ａ、７ａを介して、現
像液供給部６およびリンス液供給部７から被処理基板３
へ向けて現像液およびリンス液が供給される。
また、処理室２の下部には、廃液排出用開口８と、排気
装置９に接続された排気用開口１０が配置されており、
排気装置９と排気用開口１０との間には、排気路の開閉
を行なうシャッタ１１が介挿されている。
装置９に接続された排気用開口１０が配置されており、
排気装置９と排気用開口１０との間には、排気路の開閉
を行なうシャッタ１１が介挿されている。
そして、載置台４、回転機構５、現像液供給部６、リン
ス液供給部７、シャッタ１１は、それぞれマイクロコン
ピュータ等からなる制御部１２に接続され、この制御部
１２によって制御される。
ス液供給部７、シャッタ１１は、それぞれマイクロコン
ピュータ等からなる制御部１２に接続され、この制御部
１２によって制御される。
上記構成の現像装置１を用いた一実施例の現像方法につ
いて述べる。
いて述べる。
すなわち、まず、図示しない搬送装置等により被処理基
板３を載置台４上に載置し、載置台４の真空チャックを
作動し、被処理基板３を載置台４上に吸着保持する。
板３を載置台４上に載置し、載置台４の真空チャックを
作動し、被処理基板３を載置台４上に吸着保持する。
次に、回転機構５により被処理基板３を例えば10rpm〜4
0rpmで回転させ、現像液供給部６により、ノズル６ａか
らスプレースキャンしながら被処理基板３へ向けて現像
液を供給する。この間は、シャッタ１１を開とし、10〜
20mmH20程度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
0rpmで回転させ、現像液供給部６により、ノズル６ａか
らスプレースキャンしながら被処理基板３へ向けて現像
液を供給する。この間は、シャッタ１１を開とし、10〜
20mmH20程度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
この後、回転およびスプレースキャンを停止し、あらか
じめ設定された例えば30秒等の所定の現像時間の間、パ
ドル現像により、被処理基板表面に形成されたフォトレ
ジスト等の感光性膜の現像を行なう。この現像工程中
は、制御部１２によってシャッタ１１を閉塞し、処理室
２内からの排気を停止する。
じめ設定された例えば30秒等の所定の現像時間の間、パ
ドル現像により、被処理基板表面に形成されたフォトレ
ジスト等の感光性膜の現像を行なう。この現像工程中
は、制御部１２によってシャッタ１１を閉塞し、処理室
２内からの排気を停止する。
しかる後、上記現像液の供給工程時の回転速度より速い
回転速度、例えば500rpm〜2000rpm程度の回転数で被処
理基板３を回転させ、リンス液供給部７によりリンスノ
ズル７ａから純水等のリンス液を被処理基板３表面に供
給する。この時は、シャッタ１１を開とし、10〜20mmH2
0程度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
回転速度、例えば500rpm〜2000rpm程度の回転数で被処
理基板３を回転させ、リンス液供給部７によりリンスノ
ズル７ａから純水等のリンス液を被処理基板３表面に供
給する。この時は、シャッタ１１を開とし、10〜20mmH2
0程度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
上記リンス操作を、例えば10秒〜20秒程度の所定時間行
なった後、リンス液の供給を停止して、被処理基板３の
回転を、現像工程時の回転速度より速い回転速度、例え
ば3000rpm〜5000rpm程度の回転数に上昇させて被処理基
板３表面に付着した液体を遠心力により除去し、乾燥さ
せる。この間もシャッタ１１を開とし、10〜20mmH20程
度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
なった後、リンス液の供給を停止して、被処理基板３の
回転を、現像工程時の回転速度より速い回転速度、例え
ば3000rpm〜5000rpm程度の回転数に上昇させて被処理基
板３表面に付着した液体を遠心力により除去し、乾燥さ
せる。この間もシャッタ１１を開とし、10〜20mmH20程
度の排気量で処理室２からの排気を行なう。
被処理基板３の乾燥が終了すると、回転機構５を停止
し、図示しない搬送装置によって、被処理基板３を処理
室２内から搬出する。
し、図示しない搬送装置によって、被処理基板３を処理
室２内から搬出する。
縦軸を現像液温度、横軸を現像時間とした第２図のグラ
フは、この実施例の現像方法において実測した６インチ
の半導体ウエハを現像した場合の設定温度25℃の現像液
の温度変化を示すもので、実線Ｄ、点線Ｅ、一点鎖線Ｆ
は、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央部から周辺方向
へ30mm離れた位置、さらにこの位置から周辺方向へ30mm
離れた位置における現像液の温度変化を示している。
フは、この実施例の現像方法において実測した６インチ
の半導体ウエハを現像した場合の設定温度25℃の現像液
の温度変化を示すもので、実線Ｄ、点線Ｅ、一点鎖線Ｆ
は、それぞれ半導体ウエハ中央部、中央部から周辺方向
へ30mm離れた位置、さらにこの位置から周辺方向へ30mm
離れた位置における現像液の温度変化を示している。
このグラフに示されるように、この実施例の現像装置で
は、第４図のグラフに示した従来の現像装置の場合に比
べて、現像中の現像液の温度低下が少なく、また、半導
体ウエハの中央部、周辺部等の位置の違いによる現像液
の温度の差も少なくすることができる。
は、第４図のグラフに示した従来の現像装置の場合に比
べて、現像中の現像液の温度低下が少なく、また、半導
体ウエハの中央部、周辺部等の位置の違いによる現像液
の温度の差も少なくすることができる。
なお、この実施例では、現像時間中の処理室２内からの
排気をほとんどゼロとしたが、縦軸を半導体ウエハ面内
に形成された線幅のバラツキ、横軸を排気量とした第３
図のグラフに実線Ｇで示すように、従来の現像方法にお
ける排気量10〜20mmH20を現像工程中は、5mmH20以下、
好ましくは1mmH20以下に減少させても、従来に比べて現
像状態を均一化することができる。
排気をほとんどゼロとしたが、縦軸を半導体ウエハ面内
に形成された線幅のバラツキ、横軸を排気量とした第３
図のグラフに実線Ｇで示すように、従来の現像方法にお
ける排気量10〜20mmH20を現像工程中は、5mmH20以下、
好ましくは1mmH20以下に減少させても、従来に比べて現
像状態を均一化することができる。
［発明の効果］ 上述のように、本発明の現像方法では、大型の被処理基
板でも従来の現像方法に比べて基板面内の現像状態が均
一となるように現像処理を行なうことができ、半導体ウ
エハ上に微細パターンを形成する場合でも、半導体ウエ
ハ面に形成される線幅等を均一化することができる。
板でも従来の現像方法に比べて基板面内の現像状態が均
一となるように現像処理を行なうことができ、半導体ウ
エハ上に微細パターンを形成する場合でも、半導体ウエ
ハ面に形成される線幅等を均一化することができる。
第１図は本発明の現像方法を適用した一実施例の現像装
置を示す構成図、第２図は第１図に示す現像装置を用い
て実施した現像処理における現像液の温度変化を示すグ
ラフ、第３図は半導体ウエハ面内に形成された線幅のバ
ラツキと排気量との関係を示すグラフ、第４図は従来の
現像方法における現像液の温度変化を示すグラフであ
る。 １……現像装置、２……処理室、３……被処理基板、４
……載置台、６……現像液供給部、９……排気装置、１
０……排気用開口、１１……シャッタ、１２……制御
部。
置を示す構成図、第２図は第１図に示す現像装置を用い
て実施した現像処理における現像液の温度変化を示すグ
ラフ、第３図は半導体ウエハ面内に形成された線幅のバ
ラツキと排気量との関係を示すグラフ、第４図は従来の
現像方法における現像液の温度変化を示すグラフであ
る。 １……現像装置、２……処理室、３……被処理基板、４
……載置台、６……現像液供給部、９……排気装置、１
０……排気用開口、１１……シャッタ、１２……制御
部。
Claims (2)
- 【請求項１】表面に感光性膜が形成された被処理基板が
配置される処理室内を、所定の排気量で排気しつつ、回
転テーブルに保持された前記被処理基板を第１の回転速
度で回転させながら現像液を前記被処理基板表面に供給
する工程と、 前記回転テーブルを停止させ、前記処理室内を前記現像
液供給工程より排気量を減少させ、または排気を停止
し、前記被処理基板を前記現象液で現像する工程と、 前記処理室内を所定の排気量で排気すると共に、前記回
転テーブルを前記第１の回転速度より速い第２の回転速
度で回転させつつ、前記被処理基板表面にリンス液を供
給する工程と、 前記リンス液の供給を停止した後、前記回転テーブルを
前記第２の回転速度より速い第３の回転速度で回転さ
せ、前記被処理基板表面を乾燥させる工程と を有することを特徴とする現像方法。 - 【請求項２】現像工程中の処理室内からの排気量を、少
なくとも5mmH20以下とする特許請求の範囲第１項記載の
現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311166A JPH0611023B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311166A JPH0611023B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140195A Division JPH088211B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像方法 |
| JP1140095A Division JPH088210B2 (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168025A JPS63168025A (ja) | 1988-07-12 |
| JPH0611023B2 true JPH0611023B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=18013886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311166A Expired - Lifetime JPH0611023B2 (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0611023B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5596945A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method |
| JPS5666044A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| JPS5888749A (ja) * | 1981-11-24 | 1983-05-26 | Hitachi Ltd | 現像装置 |
| JPS59104643A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Nec Corp | ホトレジストの現像方法 |
| JPS614576A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-10 | Hoya Corp | スプレ−方法 |
| JPS61157380A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Fujitsu Ltd | 回転処理装置 |
| JPS61160933A (ja) * | 1985-01-08 | 1986-07-21 | Nec Corp | 現像処理装置 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61311166A patent/JPH0611023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63168025A (ja) | 1988-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |