JPS59104643A - ホトレジストの現像方法 - Google Patents
ホトレジストの現像方法Info
- Publication number
- JPS59104643A JPS59104643A JP21505982A JP21505982A JPS59104643A JP S59104643 A JPS59104643 A JP S59104643A JP 21505982 A JP21505982 A JP 21505982A JP 21505982 A JP21505982 A JP 21505982A JP S59104643 A JPS59104643 A JP S59104643A
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- JP
- Japan
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- developing
- photoresist
- pressure
- rinsing
- water column
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置のホトレジスト素子パターンを均一
に現像させる方法に関する。
に現像させる方法に関する。
近年、半導体装置の素子パターンは複雑かつ微細化とな
）、それに伴なって各半導体装置の製造プロセスに新規
製造技術が採用されて来ている。
）、それに伴なって各半導体装置の製造プロセスに新規
製造技術が採用されて来ている。
その中でホトレジストとして、従来４μｍルール以上の
素子パターン設計には、；【ガティブレジストが一般に
使用されていた。しかし近年４μｍルール以下の素子パ
ターン設計が一般的となシ、これらの製造フロセスにポ
ジティブレジスト又はディーグ系レジスト、更には電子
ビーム系レジストが使用され始めている。これらはネカ
ティブレジストに比べて公知の如く４μｍ以下の素子パ
ターン形成に有効であることは知られている。しかし、
いくら微細化の素子パターンに上記レジスト類が有効で
あっても、素子パターン寸法のばらつきが大きくてはこ
れらの特長を最大限に生かすことができ々かった。特に
ホトレジスト技術において、微細化素子パターン形成に
高解像力、高感度のホトレジスト類及び目合せ露光機を
使用してもホトレジスト素子パターン形成の現像工程で
素子パターンの解像力が損われたり、素子パターンのば
らつきを発生させる欠点があっては、これらの新規ホト
レジスト技術は生されなかった。
素子パターン設計には、；【ガティブレジストが一般に
使用されていた。しかし近年４μｍルール以下の素子パ
ターン設計が一般的となシ、これらの製造フロセスにポ
ジティブレジスト又はディーグ系レジスト、更には電子
ビーム系レジストが使用され始めている。これらはネカ
ティブレジストに比べて公知の如く４μｍ以下の素子パ
ターン形成に有効であることは知られている。しかし、
いくら微細化の素子パターンに上記レジスト類が有効で
あっても、素子パターン寸法のばらつきが大きくてはこ
れらの特長を最大限に生かすことができ々かった。特に
ホトレジスト技術において、微細化素子パターン形成に
高解像力、高感度のホトレジスト類及び目合せ露光機を
使用してもホトレジスト素子パターン形成の現像工程で
素子パターンの解像力が損われたり、素子パターンのば
らつきを発生させる欠点があっては、これらの新規ホト
レジスト技術は生されなかった。
従来、現像方法としては浸漬法又はスプレー法又はシャ
ワー法の現像方法によシ、ホトレジストの素子パターン
を形成するのが一般的でおった。
ワー法の現像方法によシ、ホトレジストの素子パターン
を形成するのが一般的でおった。
どの手法も現像するだけにはどの方法も有効であるが、
ホトレジスト素子パターンの形状及びばらつきを再現性
良く得る為には半導体装置を形成させる半導体ウェハー
を１枚づつスプレー現像するのが適当、かつ有効であっ
た。しかし近年使用され始めている３μｍ以下の素子パ
ターンを形成する場合、設計上及び製造プロセス上の余
裕度が厳しくなるもの程、スプレー現像では半導体ウェ
ハー上に形成されるホトレジスト素子パターンのばらつ
きを小さく押さえるのが難しくなる欠点があった。例え
ば本発明者によれば３μｍ幅以下の素子パターンを形成
する際、従来の現像方法の技術で形成すると±０．３μ
ｍ以上のばらつきとなってくる。一般的に３μｍ以下の
素子パターン寸法を形成するには設計上から１０．２μ
ｍ以下に押えないと半導体装置の特性ばらつきを生ずる
原因となる欠点があった。しかるに、従来法のスプレー
現像では半導体ウニ・・−上に吹きつけるスプレー圧力
及びスプレー粒子の大きさ並びにスプレー吹きつけ径に
よってホトレジスト素子パターンの寸法とばらつきが変
化するばかシか、更には現像臭気を除く為に現像室をダ
クトで適当に吸引している為に、スプレー状態の変化を
発生させる欠点を生じていた。
ホトレジスト素子パターンの形状及びばらつきを再現性
良く得る為には半導体装置を形成させる半導体ウェハー
を１枚づつスプレー現像するのが適当、かつ有効であっ
た。しかし近年使用され始めている３μｍ以下の素子パ
ターンを形成する場合、設計上及び製造プロセス上の余
裕度が厳しくなるもの程、スプレー現像では半導体ウェ
ハー上に形成されるホトレジスト素子パターンのばらつ
きを小さく押さえるのが難しくなる欠点があった。例え
ば本発明者によれば３μｍ幅以下の素子パターンを形成
する際、従来の現像方法の技術で形成すると±０．３μ
ｍ以上のばらつきとなってくる。一般的に３μｍ以下の
素子パターン寸法を形成するには設計上から１０．２μ
ｍ以下に押えないと半導体装置の特性ばらつきを生ずる
原因となる欠点があった。しかるに、従来法のスプレー
現像では半導体ウニ・・−上に吹きつけるスプレー圧力
及びスプレー粒子の大きさ並びにスプレー吹きつけ径に
よってホトレジスト素子パターンの寸法とばらつきが変
化するばかシか、更には現像臭気を除く為に現像室をダ
クトで適当に吸引している為に、スプレー状態の変化を
発生させる欠点を生じていた。
本発明は上述の欠点を除去し、極めて高い再現性で半導
体装置のホトレジスト素子パターンを得るホトレジスト
の現像方法について提供するものである。
体装置のホトレジスト素子パターンを得るホトレジスト
の現像方法について提供するものである。
本発明においては、半導体装置のホトレジストの潜在的
素子パターンを目合せ露光工程で形成後、次工程の現像
工程でホトレジスト素子パターンを形成する工程におい
て、現像は表面張力効果を利用した静止現像又は表面張
力効果がくずれない程度に回転させている際に現像室０
〜ｌＱｍｍｏｆＷａｔｅｒの圧力となるようにタクト吸
引し、次に連続シーケンシャルで行なうリンスはスプレ
ー又はシャワー状態で処理する際にｌＱｍｍ□ｆＷａｔ
ｅｒ〜３ Ｑｍｍ ｏ ｆ ｗａｔｅｒとなる圧力で
ダクト吸引をコントロールすることを特徴とする。又、
これらはティーグ系レジストと電子ビーム系レジストと
ポジティブレジストに適用することを特徴とする。
素子パターンを目合せ露光工程で形成後、次工程の現像
工程でホトレジスト素子パターンを形成する工程におい
て、現像は表面張力効果を利用した静止現像又は表面張
力効果がくずれない程度に回転させている際に現像室０
〜ｌＱｍｍｏｆＷａｔｅｒの圧力となるようにタクト吸
引し、次に連続シーケンシャルで行なうリンスはスプレ
ー又はシャワー状態で処理する際にｌＱｍｍ□ｆＷａｔ
ｅｒ〜３ Ｑｍｍ ｏ ｆ ｗａｔｅｒとなる圧力で
ダクト吸引をコントロールすることを特徴とする。又、
これらはティーグ系レジストと電子ビーム系レジストと
ポジティブレジストに適用することを特徴とする。
本発明によれは現像方法と現像室のダクト吸引量を適確
に管理しホトレジスト素子パターンを現像する際、現像
液の劣化を防ぐと伴に均一な現像速度を保つことによっ
て従来よシ再現性良く均一にホトレジスト素子パターン
を半導体装置に形成することができる。
に管理しホトレジスト素子パターンを現像する際、現像
液の劣化を防ぐと伴に均一な現像速度を保つことによっ
て従来よシ再現性良く均一にホトレジスト素子パターン
を半導体装置に形成することができる。
次に、図面を用いて従来の現像方法と本発明による現像
方法を説明する。
方法を説明する。
第１図は従来のホトレジストの現像方法の例を示す図で
ある。第１図（ａ）において、半導体装置が形成される
半導体ウェハー１が真空チャック２に支持され、現像カ
ップ３と現像、リンス廃液器４よりタクト吸引５を常時
性ない、現像カップ３の上面に設けられた現像ノズル６
とリンスノズル７から一定時間現像液とリンス液が半導
体ウェハー１に潜在的素子パターンを形成したホトレジ
スト膜８に吹きつけられる。これらの現像液、リンス液
は現像処理室の中で回転９にょシ処理され、次に乾燥回
転によシ所望のホトレ“シスト素子パターンが得られる
。第１図中）は半導体ウェハーｌとホトレジスト膜８が
真空チャック２に支持されたまま回転９によυ現像、リ
ンス、乾燥の一連を回転数と時間どで簡単にシーケンス
として示した図である。これらの一連シーケンスにおい
て常時ダクト吸引５をしていることを示すダクト吸引メ
ータ１０を示している。
ある。第１図（ａ）において、半導体装置が形成される
半導体ウェハー１が真空チャック２に支持され、現像カ
ップ３と現像、リンス廃液器４よりタクト吸引５を常時
性ない、現像カップ３の上面に設けられた現像ノズル６
とリンスノズル７から一定時間現像液とリンス液が半導
体ウェハー１に潜在的素子パターンを形成したホトレジ
スト膜８に吹きつけられる。これらの現像液、リンス液
は現像処理室の中で回転９にょシ処理され、次に乾燥回
転によシ所望のホトレ“シスト素子パターンが得られる
。第１図中）は半導体ウェハーｌとホトレジスト膜８が
真空チャック２に支持されたまま回転９によυ現像、リ
ンス、乾燥の一連を回転数と時間どで簡単にシーケンス
として示した図である。これらの一連シーケンスにおい
て常時ダクト吸引５をしていることを示すダクト吸引メ
ータ１０を示している。
一方、本発明のホトレジストの現像方法について実施例
を説明する。第２図は本発明のホトレジストの現像方法
の例を示す図である。第２図（ａ）において半導体ウェ
ハー１１が真空チャック１２に支持さね、現像カップ１
３と廃液皿１４の現像処理宰で廃液皿１４よシダクト吸
引１５を行なう。
を説明する。第２図は本発明のホトレジストの現像方法
の例を示す図である。第２図（ａ）において半導体ウェ
ハー１１が真空チャック１２に支持さね、現像カップ１
３と廃液皿１４の現像処理宰で廃液皿１４よシダクト吸
引１５を行なう。
このタクト吸引１５に用けられたダクト吸引メータ２０
によってダクト吸引量を監視する。現像カップ１３の上
面に設けられた現像ノズル１６とリンスノズル１７より
各々の処理液がホトレジスト膜１８上に滴下又は吹きつ
けて所望のホトレジスト素子パターンが得られる。本発
明の特徴は従来法では半導体ウェハー１１を回転１９に
よって回しながらスプレー現像を行なっていた、又、こ
の際特にダクト吸引メータ２０を用けず適当なダクト吸
引或いはダクト吸引メータ２０を設置しても常時、現像
、リンス、乾燥の一連シーケンスで同値のダクト吸引１
５を行なっていた。この為、特にホトレジスト素子パタ
ーンを現像で得る際にスプレー状態時に現像成分である
溶剤がダクト吸引１５に引っばられ、常時同量の現像液
がホトレジスト膜１８上に吹きつけられない欠点があっ
た。
によってダクト吸引量を監視する。現像カップ１３の上
面に設けられた現像ノズル１６とリンスノズル１７より
各々の処理液がホトレジスト膜１８上に滴下又は吹きつ
けて所望のホトレジスト素子パターンが得られる。本発
明の特徴は従来法では半導体ウェハー１１を回転１９に
よって回しながらスプレー現像を行なっていた、又、こ
の際特にダクト吸引メータ２０を用けず適当なダクト吸
引或いはダクト吸引メータ２０を設置しても常時、現像
、リンス、乾燥の一連シーケンスで同値のダクト吸引１
５を行なっていた。この為、特にホトレジスト素子パタ
ーンを現像で得る際にスプレー状態時に現像成分である
溶剤がダクト吸引１５に引っばられ、常時同量の現像液
がホトレジスト膜１８上に吹きつけられない欠点があっ
た。
この対策の為に現像時間を長くしたりスプレー圧力を上
げる等の処置を行なっていた。しかしながらこのどの方
法を用いても現像液を多量に使用したシスプレー圧を高
くした為にレジストパターンが現像中に剥れる問題を生
じた、又、スプレー圧を高めたシ、現像時間を長くする
と、それに伴なってダクト吸引１５を筒くシないと現像
臭気が現像処理室よシ外部に飛び出る問題があった。本
発明方法はこれらの問題点を解決するものである。
げる等の処置を行なっていた。しかしながらこのどの方
法を用いても現像液を多量に使用したシスプレー圧を高
くした為にレジストパターンが現像中に剥れる問題を生
じた、又、スプレー圧を高めたシ、現像時間を長くする
と、それに伴なってダクト吸引１５を筒くシないと現像
臭気が現像処理室よシ外部に飛び出る問題があった。本
発明方法はこれらの問題点を解決するものである。
すなわち第１の特徴は前記従来法の問題点である現像方
法を常時スプレーでホトレジスト膜１８に吹きつけてい
たのを、半導体ウェハー１１上のホトレジスト膜工８全
面に現像ノズル１６よシ滴下又はスプレー又はシャワー
にょシ一定量表面張力効果によシ広がる程度に形成し、
その後静止現像又は現像液がホトレジスト膜１８全面よ
りこぼれ落ちない程度に回転１９を加える。この際第２
の特徴として、ダクト吸引メータ２ｏは０〜１０ｍｒｒ
ｔｏｆ Ｗａｔｅｒにする方法である。
法を常時スプレーでホトレジスト膜１８に吹きつけてい
たのを、半導体ウェハー１１上のホトレジスト膜工８全
面に現像ノズル１６よシ滴下又はスプレー又はシャワー
にょシ一定量表面張力効果によシ広がる程度に形成し、
その後静止現像又は現像液がホトレジスト膜１８全面よ
りこぼれ落ちない程度に回転１９を加える。この際第２
の特徴として、ダクト吸引メータ２ｏは０〜１０ｍｒｒ
ｔｏｆ Ｗａｔｅｒにする方法である。
この方法の詳細を更に第２図（ｂ）によって説明する。
第２図（ｂｌは半導体ウェハー１１とホトレジスト膜１
８が真空チャック１２に支持されたまま回転１９による
ホトレジストの現像の回転数と時間を簡単に７−ケンス
として示した図である。これらの一連７−ケンスで説明
すると、上述の方法で現像液は半導体ウェハー１１上の
ホトレジストｄ１８全面に表面張力にょシ現像液が広が
った状態で静止又は表面状態がくずれない程度例えは、
１００〜３００ＲＰｍ程度に回転させる。この状態でダ
クト吸引メータ３ｏはＯ〜Ｉ Ｑ Ｉｒｍ ｏｆ Ｗａ
ｔｅｒにする。この場合、従来法の様に高いダクト吸引
を行なうと現像成分の醪剤はダクト吸引によ＃）揮発し
、現像速度のばらつきを生ずる。特にディープ系と電子
ビーム系の現像液は有機系例えばケトンとキシレン系の
現像成分とする為に著しく劣化しやすい。又、ポジティ
ブレジスト例えば水酸化テトラメチルアンモニウム糸の
無似であった場合、或いは有機系でもダクト吸引が強い
とホトレジスト１８上に表面張力で形成した現像状態が
くずれてしまう。本発明者によれは常時スプレーをして
いる訳ではないのでタクト吸引は０″′であってもまっ
たく臭気の問題発生がない。この様な現像方法を採用す
ることによってホトレジスト素子パターンは外部からの
スプレーによるたたきっけ及びダクト吸引の強さによる
玩像速展の劣化を発生することなく、非常に微細なホト
レジスト素子パターンを得ることができる。次に一連の
シーケンスであるリンス工程においてスプレー又はシャ
ワー又は連続滴下方法によ多処理する。この場合のリン
スはスプレ又はシャワー又は連続滴下であれ、常時リン
ス時開広連続処理する。本発明の実験によれは、リンス
は現像と同方式では現像液を完全に除去することが難し
く、レジスト素子パターン以外の領域、すなわちレジス
トを溶解した領域に玩像液の薄い被膜又はリンス液が残
存し、レジスト素子パターンの解像度を低下させるばか
りか、次工程のエソテング工程で急影響を与える。これ
ら対策の為にリンスは一定時間連続処理をする。
８が真空チャック１２に支持されたまま回転１９による
ホトレジストの現像の回転数と時間を簡単に７−ケンス
として示した図である。これらの一連７−ケンスで説明
すると、上述の方法で現像液は半導体ウェハー１１上の
ホトレジストｄ１８全面に表面張力にょシ現像液が広が
った状態で静止又は表面状態がくずれない程度例えは、
１００〜３００ＲＰｍ程度に回転させる。この状態でダ
クト吸引メータ３ｏはＯ〜Ｉ Ｑ Ｉｒｍ ｏｆ Ｗａ
ｔｅｒにする。この場合、従来法の様に高いダクト吸引
を行なうと現像成分の醪剤はダクト吸引によ＃）揮発し
、現像速度のばらつきを生ずる。特にディープ系と電子
ビーム系の現像液は有機系例えばケトンとキシレン系の
現像成分とする為に著しく劣化しやすい。又、ポジティ
ブレジスト例えば水酸化テトラメチルアンモニウム糸の
無似であった場合、或いは有機系でもダクト吸引が強い
とホトレジスト１８上に表面張力で形成した現像状態が
くずれてしまう。本発明者によれは常時スプレーをして
いる訳ではないのでタクト吸引は０″′であってもまっ
たく臭気の問題発生がない。この様な現像方法を採用す
ることによってホトレジスト素子パターンは外部からの
スプレーによるたたきっけ及びダクト吸引の強さによる
玩像速展の劣化を発生することなく、非常に微細なホト
レジスト素子パターンを得ることができる。次に一連の
シーケンスであるリンス工程においてスプレー又はシャ
ワー又は連続滴下方法によ多処理する。この場合のリン
スはスプレ又はシャワー又は連続滴下であれ、常時リン
ス時開広連続処理する。本発明の実験によれは、リンス
は現像と同方式では現像液を完全に除去することが難し
く、レジスト素子パターン以外の領域、すなわちレジス
トを溶解した領域に玩像液の薄い被膜又はリンス液が残
存し、レジスト素子パターンの解像度を低下させるばか
りか、次工程のエソテング工程で急影響を与える。これ
ら対策の為にリンスは一定時間連続処理をする。
この為にリンス時はダクト吸引メータ４０を１０ｍｍ
ｏｆ ｗａｔｅｒ 〜３Ｑｍｍｏｆ ｗａｔｅｒ程度に
することが望しい。リンス液はｌＱｎｌｍ ｏｆ ｗａ
ｔｅｒ以下では臭気が現像処理室よシ漏れる。又、、３
Ｑｍｍｏｆｗａｔｅｒ以上ではダクト吸引が強過ぎてリ
ンス液がレジスト膜１８全面へ均一に当らない場合が発
生する。
ｏｆ ｗａｔｅｒ 〜３Ｑｍｍｏｆ ｗａｔｅｒ程度に
することが望しい。リンス液はｌＱｎｌｍ ｏｆ ｗａ
ｔｅｒ以下では臭気が現像処理室よシ漏れる。又、、３
Ｑｍｍｏｆｗａｔｅｒ以上ではダクト吸引が強過ぎてリ
ンス液がレジスト膜１８全面へ均一に当らない場合が発
生する。
以上の所望ホトレジスト素子パターンを得た後の乾燥は
リンス時と同根のタクト吸引量で良い。
リンス時と同根のタクト吸引量で良い。
このダクト吸引量は現像、リンス後の乾燥であり、特に
制約はない、） 以上の様に不発明によれば極めて再明、性の良いかつ、
高精度のホトレジスト素子パターン、特に３μｍ以下の
パターン形成、例えばディープ系レジストと電子ビーム
系レジストとポジティブレジスト等の現像方法に有効で
ある。
制約はない、） 以上の様に不発明によれば極めて再明、性の良いかつ、
高精度のホトレジスト素子パターン、特に３μｍ以下の
パターン形成、例えばディープ系レジストと電子ビーム
系レジストとポジティブレジスト等の現像方法に有効で
ある。
第１図は従来のホトレジストの現像方法を説明する為の
図であり、第２図は本発明の詳細な説明する為の図であ
る。 同、図において、１．１１・・・・・・半導体ウェハー
、２．１２・・・・・・真空チャック、３．１３・・・
・・・現像カップ、４．１４・・・・・・廃液皿、５，
１５・・・・・・タクト吸引、６．１６・・・・・・現
像ノズル、７．１７・・・・・リンスノズル、８１１８
・・・・・・レジスト１１．９．１９・・・・・・回転
、２０，３０．４０・・・・・・ダクト吸引メータ９゜
（ｄ）５ Ｏ ｎ間 （ｂ） 矛２１ 図 時間 （１）） 、ｆ−２関
図であり、第２図は本発明の詳細な説明する為の図であ
る。 同、図において、１．１１・・・・・・半導体ウェハー
、２．１２・・・・・・真空チャック、３．１３・・・
・・・現像カップ、４．１４・・・・・・廃液皿、５，
１５・・・・・・タクト吸引、６．１６・・・・・・現
像ノズル、７．１７・・・・・リンスノズル、８１１８
・・・・・・レジスト１１．９．１９・・・・・・回転
、２０，３０．４０・・・・・・ダクト吸引メータ９゜
（ｄ）５ Ｏ ｎ間 （ｂ） 矛２１ 図 時間 （１）） 、ｆ−２関
Claims (3)
- （１）半導体装置のホトレジストの潜在的素子パターン
を目合せ露光工程で形成後、次工程の現像工程でホトレ
ジスト素子パターンを形成する工程において、現像中は
現像室を水柱０から水柱１０ｍｍの圧力となるようにダ
クト吸引し、次に連続シーケンシャルで行々うリンス工
程で現像室を水柱ＩＱｍｍから３ Ｑ ｍｍの圧力とな
るようにダクト吸引をすることを特徴とするホトレジス
の」、像方法、。 - （２）前記ダクト吸引において現像は表面張力効果を利
用した静止現像又は表面張力効果がくずれない程度に回
転させている際に、現像室を水柱０から水柱ＩＱｍｍの
圧力とし、次のリンスはスプレー又はシャワー状態で処
理する際に水柱１０ｍｍから３ Ｑ ｍｍの圧力となる
ようにダクト吸引をコントロールすることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のホトレジストの現像方
法。 - （３） ホトレジストはティープ系レジスト、電子ビ
ーム系レジストもしくはポジティブレジストであること
を特徴とする特許針１求の範囲第（１）項もしくは第（
２）項記載のホトレジストの現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505982A JPS59104643A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | ホトレジストの現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21505982A JPS59104643A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | ホトレジストの現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59104643A true JPS59104643A (ja) | 1984-06-16 |
| JPH021298B2 JPH021298B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=16666073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21505982A Granted JPS59104643A (ja) | 1982-12-08 | 1982-12-08 | ホトレジストの現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59104643A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252439A2 (en) * | 1986-07-04 | 1988-01-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
| JPS63168026A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPS63168025A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
-
1982
- 1982-12-08 JP JP21505982A patent/JPS59104643A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252439A2 (en) * | 1986-07-04 | 1988-01-13 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method and apparatus for surface treating of substrates |
| JPS63168026A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
| JPS63168025A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH021298B2 (ja) | 1990-01-11 |
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