JPS614576A - スプレ−方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、フｔ１−マスク基板及び半導体基板等の基板
のパターン形成におけるフォトレジスト塗布・露光後の
現像及びエツチングの各工程において使用されるスプレ
ー方法に関する。

〔従来の技術〕

スプレー装置は、クリーンルームにおいて使用されるこ
とから、同装置に設置されたドアー（このドアーを通し
て基板を装置内に出し入れする。）等の間隙を通じて、
現像液又はエツチング液の蒸発ガスがもれるのを防止し
なければならない。この蒸発ガスは、現像及びエツチン
グのスプレー時間が通常１分以内であることから、スプ
レー後の残余の液から発生する。

そこで、従来のスプレー方法は、スプレー装置から残余
の液を廃出系パイプを通して廃液溜まで廃出し、その廃
出系パイプの途中から排気系パイプを通して所定の風速
で、残余の液の蒸発ガスを排気する方法が採用されてい
る。この排気の風速は、通常、排気系パイプ径５０φｍ
ｍにおいて８ｍ／秒程度である。

一方、スプレー装置は、加圧された液を噴出孔から基板
に向けてスプレーする際、基板表面が正方形であれば、
その対角線方向、円形であれば、直径方向に細長く扁平
した長円弧内に分布させると共に、その基板を中心垂直
方向を軸にして回転状態で基板表面に向けて霧状にスプ
レーさせ、現像及びエツチングが均一に仕上るようにし
ている。

しかしながら、ト記スプレーは、前述した排気の風速に
Ｊ：す、基板表面でのスプレーの分布及びその霧状が乱
れてしまい、現像及びエツチングの仕上りにむらが発生
し、結局、均一な線幅のパターンを形成することができ
なくなる欠点があった。

このような欠点は、半導体基板においても同様であった
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、上記した欠点を除去するためになされたもの
であり、基板表面に均一な現像及びエツチングを行ない
、均一な線幅のパターンを形成することができるスプレ
ー方法を提供することを目的とづる。

〔問題点を解決覆るための手段〕 本発明のスプレー方法は、排気系パイプの途中に弁を設
置し、この弁が、現像又はエツチングのスプレー前後に
おいて開き、スプレー時において閉じることを特徴とし
ている。

このスプレー方法によれば現像又はエツチング中は、排
気系パイプの弁が閉鎖覆ることから、基板表面でのスプ
レーの分布及びその霧状を良好に維持することができ、
現像又はエツチングの前後においては、排気系パイプの
弁が開放することから、現像液又はエツチング液の蒸発
ガスがスプレー装置内に充満することなく、排気系パイ
プを通して排気することができる。

〔実施例〕

次にフォトマスク基板の現像・エツチング工程に本発明
を使用した場合の実施例を挙げて、本発明の詳細な説明
する。

第１図は、本発明のスプレー方法を使用する装置全体の
概略図であり、第２図は、この装置の動作順序を示すタ
イミングチャート図である。

本例のフォトマスク基板１は、６英ガラス板にクロムＩ
Ｉ！Ｊ（膜厚：８００人）を被着し、本工程前にフォト
レジスト（米国ＨＯｅＣｈＳｔ製ＡＺ１３５０．膜厚：
　　　　１４０００人）の塗布と、このレジストに対し
て所定のパターンの露光（露光１６０ｍＪ／ｃｄ、水銀
ランプ）が行なわれている。この基板１をスプレー装置
２のチャンバー３内の支持台４に設置し、この支持台４
を、モーターの駆動により回転される回転軸５に連結部
６を介して固定している。噴出孔７は、ヂャンバ−３の
天井に設置され、基板１の表面に対して一定の角度で向
けられ、スプレーされる液が基板１０表面〈正方形）上
にその対角線方向に扁平した長円弧内に分布させる構造
になっている。

そして、チレンバ−３の底部から廃山系バイブ８を通し
て、残余の液９が廃液溜１０内の廃液ろ過槽１１にまで
導き、ここで収容され、この廃液ろ過槽１１で沈澱物等
が除去され、上ずみだけが廃液として廃山される。

一方、廃山系パイプ８の途中から、排気系パイプ１２が
導入され、この排気系パイプ１２に弁１３が介在してい
る。この排気系パイプ１２は廃液溜１０の上部とも連結
パイプ１４を通じて連結している。排気系パイプ１２内
の弁１３の動作は、電磁弁駆動式の場合には、駆動信号
のＯＮ−ＯＦＦにより開、Ｉする。排気系パイプ１２内
の空気は、弁１３の開放時に風速８ｍ／秒で矢印の方向
に排気され、弁１３の閉鎖時にその排気を停止する。

そして、排気系パイプ１２内の弁１３は、時刻Ｔ。

（０秒）で、フォトレジスト専用現像液が噴出孔７から
スプレーされると同時に閉鎖され、時刻Ｔ、　　（６０
秒）で現像液のスプレーが終了すると同時に開放される
。その際、純水が別の噴出孔からスプレーされる（時刻
■１→Ｔ２　）。次に、弁１３は、時刻Ｔ２（１２０秒
）でエツチング液（硝酸第２セリウムアンモン１６５ｇ
＋過塩素酸５０ｄを純水で合計１１とした混合液）をも
う一つの噴出孔からスプレーすると同時に閉鎖され、時
刻Ｔ３　　（１５０秒）でエツチング液のスプレーが終
了すると同時に開放される。その際、同様に純水がスプ
レーされる（時刻Ｔ３→Ｔ４　（２１０秒））。

以上の実施例において、スプレー対象物はフォトマスク
基板であったが、Ｓｉ等半導体基板に５１０２等半導体
酸化物を被着した基板にフォトレシストを塗布して、所
定のパターンでそのフォトレジス１−を露光したもので
あってもよい。また、弁の駆動は電磁弁方式に限らず、
エア方式であってもよい。

〔効果〕

以上の通り、本発明のスプレー方法によれば、現像・エ
ツチング工程中は、排気系パイプの風速を停止して、ス
プレーの分布及び霧状を良好に維持し、現像・エツチン
グの仕上りを均一にすることができ、その結果、均一な
線幅のパターンを形成することができ、更に、現像・エ
ツチング萌後の工程、例えば純水による洗浄工程におい
ては、排気系パイプを通じて、スプレー後の残余の液か
ら発生する蒸発ガスを排気することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスプレー方法を使用する装置全体の概
略図、第２図は本発明のスプレー方法を示すタイミング
チャート図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）所定のパターンで露光されたフォトレジスト付き
   基板の表面に向けて、現像液又はエッチング液の何れか
   の液をスプレーするスプレー装置から残余の液を廃出系
   パイプを通して廃液溜に廃出し、前記廃出系パイプの途
   中から排気系パイプを通して所定の風速で、残余の液の
   蒸発ガスを排気する方法において、前記排気系パイプの
   途中に弁を設置すると共に、前記弁が、前記液をスプレ
   ーする前後に開き、かつ前記液をスプレーする時に閉じ
   ることを特徴とするスプレー方法。