JP3062634U - レジストパタ―ン付き基板、フォトマスク、及び現像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 厳重な防火防爆設備が不要であるため安全か
つ安価であって、かつ、現像液とリンス液を装置内の貯
蔵タンクに大量に貯蔵できるので生産性が高い現像装置
等を提供する。 【解決手段】 スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプ
ロピルメタクリレートとの共重合体からなるレジスト膜
を基板上に形成してなるレジスト付き基板の現像を行う
現像装置であって、エチレングリコールモノエチルエー
テルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液等の処理
液２８を、前記レジスト付き基板２５の表面に供給する
手段を少なくとも有することを特徴とする現像装置。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案は、レジストパターン付き基板、フォトマスク、及び現像装置等に関す る。

【０００２】

【従来の技術】

現在、半導体装置等を製造するプロセスにおいて、露光の原版としてフォトマ スク（レテイクルを含む、以下同様）が使用されている。フォトマスクは、透明 基板上に遮光膜を形成してなるフォトマスクブランクを用い、この遮光膜をフォ トリソグラフィー技術によって微細加工（パターニング）し、所望の遮光膜パタ ーンを透明基板上に形成して作製される。フォトリソグラフィー技術では、微細 パターンを形成する過程で、レジストが使用されるが、特に露光された（例えば 電子線を照射して露光された）箇所のみが現像により選択的に残留するネガ型レ ジストとして、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレートと の共重合体からなるものであって、その化学構造式が図２に示されるものが使用 されている。

【０００３】 次に、このレジストを用いた現像法及びフォトマスクの製造方法について、図 １を用いて説明する。 図１（ａ）に示す工程では、例えば、正方形状の適宜表面研磨処理した石英基 板などの透明基板２上に、クロムなどからなる遮光膜３を成膜してなるフォトマ スクブランク１を用意する。 次に、図１（ｂ）に示す工程にて、上記遮光膜３上に、スチレンとハロベンゾ イルヒドロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレジスト４を回転 塗布し、その後、ホットプレート等により、１４０℃で１０分間熱処理（乾燥） した後、室温まで冷却して、所望の膜厚を得る。

【０００４】 次に、図１（ｃ）に示す工程にて、電子線露光装置を用い、上記レジスト４に 対して、電子線を所定量、選択的（部分的）に照射して露光する。これにより、 レジスト４の露光された部分は、エネルギーを選択的に加えられ、樹脂が架橋す ることにより高分子化し現像液に不溶となる。 次に、図１（ｄ）に示す工程にて、適宜温度制御された所定の現像液により現 像処理することで、露光がなされた部分のレジストのみが残存し、レジストパタ ーン５が選択的に形成され、レジストパターン付き基板６が得られる。 ここで、現像液として、レジスト４の現像液として公知であり市販されている 、メチルエチルケトンとイソプロピルアルコールが重量比で６７：３３の割合で 混合された組成が用いられてきた。また、リンス液として、レジスト４のリンス 液として公知であり市販されている、メチルエチルケトンとイソプロピルアルコ ールが重量比で３３：６７の割合で混合された組成が用いられてきた。

【０００５】 次に、図１（ｅ）に示す工程にて、レジストパターン５が残存していない部分 のクロム遮光膜３をエッチングによって除去することで、クロム遮光膜がパター ニングされる。その後、図１（ｆ）に示す工程にて、レジストパターン５を剥離 液等で除去することで、石英基板上に所望のクロム遮光膜パターン６が形成され たフォトマスク１１を得ていた。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、周知のように特定のレジストとそのレジスト用の特定の現像液 ・リンス液との組合せから、所定精度及び形態を有するレジストパターン、ひい ては所定精度及び形態を有する遮光膜パターン等が形成できるのであって、例え ば、そのレジスト用の特定の現像液・リンス液の使用が生産中止等の理由ででき なくなると、その特定のレジストからなる所定精度及び形態を有するレジストパ ターン付き基板を得ることは困難となる。つまり、レジストが同じであってもそ の現像液等が異なれば、レジストの溶解性や膨潤作用の相違から微視的構造や形 態、寸法精度が同じであるレジストパターン、ひいては遮光膜パターン等を形成 することは困難である。他のレジスト及びその現像液等を使用すればよいのであ るが、レジストに関しては、一定品質を有し安定して大量に供給され使用されて いる信頼性あるレジストの代替品を探すことは難しい。したがって、レジストを 替えることなく同等の寸法精度及び形態を有するレジストパターン付き基板を得 ることができれば産業上非常に有益である。

【０００７】 また、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレートとの共重 合体からなるレジストの現像液は、上述したように、メチルエチルケトン（ＭＥ Ｋ）を主成分としており、その引火温度は−７℃である。また、前記レジストの リンス液は、上述したように、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を主成分とし ており、その引火温度は１２℃である。そのため、上記レジストの現像、リンス において、特にフォトマスク製造に広く用いられるスプレー法（現像液やリンス 液をスプレー状に噴霧してレジストを現像、リンス処理する方法）では、火災の 危険性が高く、現像装置等において、厳重な防火防爆設備が必要であった。 さらに、この現像液とリンス液は、消防法の第一石油類に属するため、貯蔵庫 以外への保管について４００リットル以上の量に対して法的に規制されている。 レジストの処理を行なうフォトマスク等の生産現場では、安定した処理のために 現像液とリンス液に対して厳しい温度管理を施す必要があり、現像液とリンス液 を貯蔵庫から生産現場に持ち込んだ後も、現像液とリンス液が所定の温度に到達 し安定するまで相当な時間使用できない。このため、生産現場における現像液と リンス液の使用量（使用済みの現像液とリンス液も含めた総量）を４００リット ルに制限された場合、製品の生産性を低下させる要因となっていた。

【０００８】 本考案の目的は、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレー トとの共重合体からなる所定の寸法精度及び形態を有するレジストパターンを基 板上に有するレジストパターン付き基板等を提供することにある。 また、本考案の目的は、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタク リレートとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板の現 像を行う現像装置であって、厳重な防火防爆設備が不要であるため安全かつ安価 であって、かつ、現像液とリンス液を装置内の貯蔵タンクに大量に貯蔵できるの で生産性が高い現像装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するため本考案は以下の構成としてある。

【００１０】 （構成１）基板上にスチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレー トとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレ ングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液で現 像して得られるレジストパターンを基板上に有することを特徴とするレジストパ ターン付き基板。

【００１１】 （構成２）基板上にスチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレー トとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレ ングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液で現 像し、エチレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してな るリンス液でリンスして得られるレジストパターンを基板上に有することを特徴 とするレジストパターン付き基板。

【００１２】 （構成３）基板上にスチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレー トとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレ ングリコールモノエチルエーテル：６０〜８５重量％と酢酸イソアミル：１５〜 ４０重量％とを含有してなる現像液で現像して得られるレジストパターンを基板 上に有することを特徴とするレジストパターン付き基板。

【００１３】 （構成４）基板上にスチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレー トとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレ ングリコールモノエチルエーテル：６０〜８５重量％と酢酸イソアミル：１５〜 ４０重量％とを含有してなる現像液で現像し、エチレングリコールモノエチルエ ーテル：９０〜９５重量％と酢酸イソアミル：５〜１０重量％とを含有してなる リンス液でリンスして得られるレジストパターンを基板上に有することを特徴と するレジストパターン付き基板。

【００１４】 （構成５）構成１乃至４のいずれかに記載のレジストパターン付き基板が、前記 基板上に遮光膜を形成したフォトマスクブランクであることを特徴とするレジス トパターン付きフォトマスクブランク。

【００１５】 （構成６）構成５記載のレジストパターン付きフォトマスクブランクにおける遮 光膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングを施すことによってパター ニングして得られる遮光膜パターンを基板上に有することを特徴とするフォトマ スク。

【００１６】 （構成７）スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレートとの共 重合体からなるレジスト膜を基板上に形成してなるレジスト付き基板の現像を行 う現像装置であって、エチレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミル とを含有してなる現像液を、前記レジスト付き基板の表面に供給する手段を少な くとも有することを特徴とする現像装置。

【００１７】 （構成８）エチレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有し てなるリンス液を、前記レジスト付き基板の表面に供給する手段を有することを 特徴とする構成７記載の現像装置。

【００１８】

【作用】

上記構成１において、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリ レートとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エ チレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液 で現像して得られるレジストパターンを基板上に有するレジストパターン付き基 板は、現像液が異なるのでレジストの溶解性や膨潤作用の相違からレジストパタ ーンの微視的構造（パターン表面の微視的な波打ちなど）やその形態（ウオール プロフィール、シャープネス、コントラストなど）は従来のものと異なるものの 、従来と同等の寸法精度を有するレジストパターン付き基板を得ることができ、 産業上非常に有益である。

【００１９】 上記構成２において、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリ レートとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エ チレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液 及びリンス液で現像、リンスして得られるレジストパターンを基板上に有するレ ジストパターン付き基板は、現像液及びリンスが異なるのでレジストの溶解性や 膨潤作用等の相違からレジストパターンの微視的構造（パターン表面の微視的な 波打ちなど）やその形態（ウオールプロフィール、シャープネス、コントラスト など）は従来のものと異なるものの、従来と同等の寸法精度を有するレジストパ ターン付き基板を得ることができ、産業上非常に有益である。

【００２０】 上記構成３及び４によれば、エチレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イ ソアミルとを特定比率で含有してなる現像液及び／又はリンス液で現像及び／又 はリンスして得られるレジストパターンは、レジストパターンの微視的構造（パ ターン表面の微視的な波打ちなど）やその形態（ウオールプロフィール、シャー プネス、コントラストなど）が制御され、寸法精度も制御されたものとなる。 を基板上に有するレジストパターン付き基板

【００２１】 上記構成５及び６によれば、レジストパターン付きフォトマスクブランクが得 られ、これを加工して遮光膜パターンを基板上に有するフォトマスクが得られる 。

【００２２】 上記構成７及び８に記載の装置で使用する現像液とリンス液は、主成分の引火 温度が４５℃であるため、現像装置等において、従来の現像液とリンス液の使用 に必要とされたほどに厳重な防火防爆設備を必要としない。したがって、安全か つ安価な現像装置が得られる。 また、この現像液とリンス液は、消防法の第三石油類と第二石油類の混合物で あるため、貯蔵庫外でも、少なくとも２０００リットルまでの保管が可能で、従 来の第一石油類を主成分とした現像液、リンス液と比較して少なくとも５倍の量 を保管できる。したがって、現像液とリンス液を装置内の貯蔵タンクに大量に貯 蔵できるので生産性が高い現像装置を提供することができる。

【００２３】

【考案の実施の形態】

本考案の現像液とリンス液を用いたフォトマスク製造方法を図１を参照して説 明する。 図１（ａ）に示す工程では、透明基板２上に遮光膜３を成膜してなるフォトマ スクブランク１を用意する。本実施の形態では、透明基板２としては、合成石英 基板の主表面及び側面を精密研磨して得た６インチ×６インチ×０．２５インチ の基板を使用し、また、遮光膜３は、クロムターゲットを用いて反応性スパッタ リング法により形成した。 なお、透明基板２としては、石英以外に、蛍石、各種ガラス（例えば、ソーダ ライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス）等 が用いられる。また、遮光膜３としては、モリブデンシリサイドのターゲットを 用いて反応性スパッタリング法により形成した遮光膜あるいは半透過性遮光膜（ いわゆるハーフトーン位相シフト膜）等を用いることもできる。

【００２４】 次に、図１（ｂ）に示すように、上記遮光膜３上にレジスト４を回転塗布法等 によって塗布した。詳しくは、レジスト４としては、スチレンとハロベンゾイル ヒドロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレジスト、例えば、ソ マール（株）社製：ＳＥＬ−Ｎ１０００を使用し、熱処理後に０．４μｍの厚さ になるようにスピンコーターとホットプレートを用いてレジスト薄膜を形成した 。 次に、図１（ｃ）に示すように、電子線描画露光装置、例えば、日本電子（株 ）社製：ＪＢＸ７０００を用いて、上記レジスト４に対して、加速電圧２０ｋＶ で３．５μＣ／ｃｍ²のエネルギーを選択的に照射した。

【００２５】 次に、図１（ｄ）に示す工程において、エチレングリコールモノエチルエーテ ルと酢酸イソアミルを重量比６５：３５で混合してなる特定の現像液と、エチレ ングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルを重量比９０：１０で混合し てなる特定のリンス液とを温度２１℃〜２２℃に保持して、スプレー法を適用し て、レジストパターン５を形成した。詳しくは、レジスト４を露光した後に、レ ジスト膜面を上にして支持台に設置させ、回転させた状態で、レジスト膜に向け て、マスクブランクス中央部の上方にやや離れて設置されたスプレーノズルより 、前記特定の現像液を微細なスプレー液滴としてスプレーノズルより約１００ｃ ｃ／ｍｉｎ供給して１分間現像処理し、その後、前記特定のリンス液でリンスし 、回転乾燥させるものである。 なお、本実施の形態では、現像液については、関東化学（株）製エチルセロソ ルブ６５０ｇと関東化学（株）製酢酸イソアミル３５０ｇとを混合したものを使 用し、リンス液については、関東化学（株）製エチルセロソルブ９００ｇと関東 化学（株）製酢酸イソアミル１００ｇとを混合したものを使用した。

【００２６】 図５は本考案の一実施の形態に係る現像・リンス装置の概略構成図、図６は同 装置における処理液供給ユニットの概略構成図である。これらの図において、チ ャンバー２１内に配設された基板支持具２２は回転軸２３に連結具２４を介して 取り付けられ、不図示の駆動モータによって定速回転されるように構成されてい る。基板支持具２２上には、ホルダー２６を介してレジスト付き基板２５が設置 され、この基板２５に対して前記チャンバー２１の天井面に取り付けられたノズ ル２７より現像液やリンス液などの処理液２８を噴射し基板表面全体にわたって 均一にゆきわたるようにしている。処理液２８をノズル２７に供給する処理液供 給ユニット３１は、処理液２８を貯蔵し、加圧送給するための加圧タンク３２と 、加圧タンク３２に加圧ガスＧを送給するための加圧ガス供給管３３と、加圧ガ スＧを所望の一定圧で供給するための圧力調整機能を備えた圧力レギュレータ３ ４と、加圧ガスＧの圧力を表示する圧力計３５と、加圧ガス供給管３３を開閉す る切り替えバルブ３６、３７と、加圧タンク３２内のガス圧を常時監視するため の圧力計３８等で構成されている。加圧ガスＧによって加圧タンク３２内を加圧 すると、内部に貯蔵されている処理液２８は処理液送出管３９に送り込まれ、メ ンテナンス用ストップバルブ４０、流量調整弁付き流量計４１、液体用フィルタ ４２、及びファイナルバルブ４３を経てノズル２７に導かれ、基板２５に向かっ て噴射される。

【００２７】 なお、上記実施の形態ではスプレー方式の装置について述べたが、現像、リン ス方式はスプレー方式に限定されるものではく、通常のホースから流出する水の 如くノズルから現像液やリンス液を流出させる方式であってもよく、ディップ方 式であってもよい。また、図５及び図６では、ノズル２７及び処理液２８を貯蔵 する加圧タンク３２を一つしか図示していないが、現像液とリンス液のノズル２ ７及び処理液２８を貯蔵する加圧タンク３２は別々としてもよく、図５に示すチ ャンバーを現像用とリンス用で別々に設けてもよい。あるいは、エチレングリコ ールモノエチルエーテル用の貯蔵タンクと、酢酸イソアミル用の貯蔵タンクとを 別々に設け、それらの流量を制御する機構と、それらの薬液を均一に混合しノズ ルから流出させる機構とを設けることによって、現像液とリンス液をそれぞれ調 合する必要のない現像・リンス装置を構成できる。この装置においては、現像液 とリンス液を別々の貯蔵タンクに貯蔵する方式の装置に比べ、薬液の補充回数が 少なくて済み、貯蔵できる薬液の総量も多くできる。また、この装置においては 、経過時間に対して現像液やリンス液の調合割合を任意に増減等させて現像やリ ンスを行うことができる。 なお、本考案装置では、その他の周知の現像装置の機構を採用できる。

【００２８】 次に、前記レジストパターン５をマスクとして、硝酸第２セリウムアンモニウ ム１６５ｇと濃度７０％の過塩素酸４２ｍｌに純水を加えて１０００ｍｌとした エッチング液によってウエットエッチングを施して、クロム遮光膜３をパターニ ングした（図１（ｅ））。 最後に、熱硫酸を用いた浸漬法で前記レジストパターン５を剥離した後、図１ （ｆ）に示すように、所望の遮光膜パターン６を有するフォトマスク１１を得た 。

【００２９】 （評価） 上記特定の現像液とリンス液を用いて形成されたレジストパターンを有するレ ジストパターン付き基板を用いて、最終的に得られたフォトマスク上の２μｍ幅 のクロム遮光膜のパターン写真（２μｍパターン（５０００倍））を模式的に示 す図を図３に示す。比較のため、従来技術の欄で説明した従来使用されていた現 像液（メチルエチルケトンとイソプロピルアルコールが重量比で６７：３３の割 合で混合された組成の現像液）と従来使用されていたリンス液（メチルエチルケ トンとイソプロピルアルコールが重量比で３３：６７の割合で混合された組成の リンス液）を用いて同様にして得られたフォトマスク上の２μｍ幅のクロム遮光 膜のパターン写真（２μｍパターン（５０００倍））を模式的に示す図を図４に 示す。これらの図面から、上記特定の現像液とリンス液を使用して作製したフォ トマスクの寸法精度や低倍率での像質は、従来使用されていた現像液及びリンス 液を用いた場合と同等である。ただし、本考案に係るレジストパターン付き基板 におけるレジストパターンは、現像液及びリンス液が異なるため、レジストの溶 解性や膨潤作用等の相違からレジストパターンの微視的構造（高倍率でのパター ン表面の微視的な波打ちなど）やその形態（ウオールプロフィール、シャープネ ス、コントラストなど）が、従来のレジストパターン付き基板におけるレジスト パターンとは異なる。同様に、レジストパターン付き基板から得られるフォトマ スクにおける遮光膜パターンについても両者は、レジストパターンの微視的構造 やその形態が異なるため、遮光膜パターンの微視的構造（パターン表面の微視的 な波打ちなど）やその形態（ウオールプロフィール、シャープネス、コントラス トなど）が異なる。

【００３０】 なお、本考案に係るレジストパターン付き基板は、フォトマスクの製造以外に 、上記レジストを使用する半導体装置の製造や、その他上記レジストを使用して 作製される製品の製造に使用できる。 また、上記特定の現像液及びリンス液の組成は、実施の形態で示した重量比に 限定されず、微視的構造や形態、寸法精度等に応じ適宜調整できる。

【００３１】

【考案の効果】

以上説明したように、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリ レートとの共重合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エ チレングリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液 及びリンス液で現像、リンスして得られるレジストパターンを基板上に有する本 考案のレジストパターン付き基板は、現像液及びリンスが異なるのでレジストの 溶解性や膨潤作用等の相違からレジストパターンの微視的構造（パターン表面の 微視的な波打ちなど）やその形態（ウオールプロフィール、シャープネス、コン トラストなど）は従来のものと異なるものの、従来と同等の寸法精度を有するレ ジストパターン付き基板を得ることができ、産業上非常に有益である。 また、スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプロピルメタクリレートとの共重 合体からなるレジスト膜を形成してなるレジスト付き基板の現像を行う本考案の 現像装置は、厳重な防火防爆設備が不要であるため安全かつ安価であって、かつ 、現像液とリンス液を装置内の貯蔵タンクに大量に貯蔵できるので生産性が高い 現像装置である。

【図面の簡単な説明】

【図１】フォトマスクの製造工程を説明するための図で
ある。

【図２】レジストの化学構造式を示す図である。

【図３】特定の現像液とリンス液を用いて作製したフォ
トマスク上のクロム遮光膜パターンを模式的に示す図で
ある。

【図４】従来使用されていた現像液とリンス液を用いて
作製したフォトマスク上のクロム遮光膜パターンを模式
的に示す図である。

【図５】本考案に係る現像装置の概略構成を示す図であ
る。

【図６】本考案に係る現像装置における処理液供給ユニ
ットの概略構成を示す図である。

【符号の説明】

１ フォトマスクブランク ２ 透明基板 ３ 遮光膜 ４ レジスト ５ レジストパターン ６ 遮光膜パターン ７ レジストパターン付き基板 １１ フォトマスク ２１ チャンバー ２２ 基板支持具 ２３ 回転軸 ２４ 連結具 ２５ レジスト付き基板 ２６ ホルダー ２７ ノズル ２８ 処理液 ３１ 処理液供給ユニット ３２ 加圧タンク ３３ 加圧ガス供給管 ３４ 圧力レギュレータ ３５ 圧力計 ３６、３７ 切り替えバルブ ３８ 圧力計 ３９ 処理液送出管 ４０ メンテナンス用ストップバルブ ４１ 流量調整弁付き流量計 ４２ 液体用フィルタ４２ ４３ ファイナルバルブ

Claims (8)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にスチレンとハロベンゾイルヒド
   ロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレ
   ジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレン
   グリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含
   有してなる現像液で現像して得られるレジストパターン
   を基板上に有することを特徴とするレジストパターン付
   き基板。
2. 【請求項２】 基板上にスチレンとハロベンゾイルヒド
   ロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレ
   ジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレン
   グリコールモノエチルエーテルと酢酸イソアミルとを含
   有してなる現像液で現像し、エチレングリコールモノエ
   チルエーテルと酢酸イソアミルとを含有してなるリンス
   液でリンスして得られるレジストパターンを基板上に有
   することを特徴とするレジストパターン付き基板。
3. 【請求項３】 基板上にスチレンとハロベンゾイルヒド
   ロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレ
   ジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレン
   グリコールモノエチルエーテル：６０〜８５重量％と酢
   酸イソアミル：１５〜４０重量％とを含有してなる現像
   液で現像して得られるレジストパターンを基板上に有す
   ることを特徴とするレジストパターン付き基板。
4. 【請求項４】 基板上にスチレンとハロベンゾイルヒド
   ロキシプロピルメタクリレートとの共重合体からなるレ
   ジスト膜を形成してなるレジスト付き基板を、エチレン
   グリコールモノエチルエーテル：６０〜８５重量％と酢
   酸イソアミル：１５〜４０重量％とを含有してなる現像
   液で現像し、エチレングリコールモノエチルエーテル：
   ９０〜９５重量％と酢酸イソアミル：５〜１０重量％と
   を含有してなるリンス液でリンスして得られるレジスト
   パターンを基板上に有することを特徴とするレジストパ
   ターン付き基板。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載のレジ
   ストパターン付き基板が、前記基板上に遮光膜を形成し
   たフォトマスクブランクであることを特徴とするレジス
   トパターン付きフォトマスクブランク。
6. 【請求項６】 請求項５記載のレジストパターン付きフ
   ォトマスクブランクにおける遮光膜を、レジストパター
   ンをマスクとしてエッチングを施すことによってパター
   ニングして得られる遮光膜パターンを基板上に有するこ
   とを特徴とするフォトマスク。
7. 【請求項７】 スチレンとハロベンゾイルヒドロキシプ
   ロピルメタクリレートとの共重合体からなるレジスト膜
   を基板上に形成してなるレジスト付き基板の現像を行う
   現像装置であって、エチレングリコールモノエチルエー
   テルと酢酸イソアミルとを含有してなる現像液を、前記
   レジスト付き基板の表面に供給する手段を少なくとも有
   することを特徴とする現像装置。
8. 【請求項８】 エチレングリコールモノエチルエーテル
   と酢酸イソアミルとを含有してなるリンス液を、前記レ
   ジスト付き基板の表面に供給する手段を有することを特
   徴とする請求項７記載の現像装置。