KR100389800B1 - 패턴화 레지스트층의 표면결함의 감소방법 - Google Patents
패턴화 레지스트층의 표면결함의 감소방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- (a) 기판표면상에 포지티브형의 화학증폭형 포토레지스트조성물의 층을 형성하는 공정, (b) 상기 포토레지스트층을 화학선으로 패턴노광시키는 공정, (c) 상기 패턴노광된 포토레지스트층을 노광후소성처리하는 공정 및 (d) 상기 노광후소성처리된 후의 포토레지스트층을 수용성 알칼리현상액으로 현상처리하는 공정을 구비해서 기판표면상에 패턴화 포토레지스트층을 제조하는 방법에 있어서,상기 (c)공정의 노광후소성처리 이후 상기 (d)공정의 현상처리 이전에, 상기 포토레지스층을, 산을 함유하는 산성 수용액에 접촉시키는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액의 pH는 3.5이하인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액중의 산의 농도가 0.01 내지 50질량%의 범위인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액중에 함유된 산이 방향족 술폰산인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 4항에 있어서, 상기 산성 수용액중에 함유된 방향족 술폰산이 분자내에 2개의 벤젠핵 또는 1개의 나프탈렌고리구조를 지닌 화합물인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 산성 수용액중에 함유된 방향족 술폰산이 하기 일반식:(식중, R1, R2, R3및 R4는 각각, 독립적으로 수소원자 또는 탄소수 5 내지 20의 알킬기이나, 단, R1, R2, R3및 R4의 적어도 1개는 탄소수 5 내지 20의 알킬기이며, p 및 q는 각각 0, 1 또는 2이나, 단, p+q는 양의 정수임)으로 표시되는 디페닐에테르술폰산인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 상기 디페닐에테르술폰산이 도데실(디페닐에테르)디술폰산인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트층에 상기 산성 수용액을 토출시킴으로써 해당 포토레지스트층과 산성 수용액을 접촉시키는 것을 특징으로 하는 패턴화포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 실온에서 1 내지 90초간 상기 포토레지스트층과 산성 수용액과의 접촉을 유지하는 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액은 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 10항에 있어서, 상기 계면활성제는 N-옥틸-2-피롤리돈인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액중에 함유된 산의 분자량은 200이하인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산성 수용액중에 함유된 산이 불소화 알킬술폰산을 지닌 유기산인 것을 특징으로 하는 패턴화 포토레지스트층의 개량된 제조방법.
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