TW594380B - Method for decreasing surface defects of patterned resist layer - Google Patents

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594380 A7 B7 五、發明說明（1 ) 發明之背景 本發明關於一種形成於基材表面上光阻層之處理方法 ，其使用降低圖案化光阻層之表面缺陷其可以使用特殊的 檢測儀器檢知之正性化學放大光阻組成物。 隨著近幾年半導體裝置業界朝向高上加高的積體化趨 向，設計準則0.18微米之LSI之量產已經工業化並且設計 準則0.15微米之LSI量產很快就會開始。 當基材表面上光阻層之石版影印圖案之方法係用於半 導體裝置之製造時，本質上光阻層之圖案化曝光用短波長 光線以完成圖案化光阻層之高圖案解析度。在此顧慮之下 ，用於早期發展階段之石版影印技術之波長436奈米g-光 譜光線爲圖案化曝光光線係利用波長3 65奈米之1-光譜光線 取代其跟著再被波長248奈米之KrF激光器雷射光束取代其 構成現代石版影印技術中圖案化曝光的主流。再者，現在 有人希望以193奈米之ArF激光器雷射光束爲將來的圖案化 曝光光線而且現在致力於石版影印法不只使用KrF激光器 雷射光束而且還有ArF激光器雷射光束的方法而且適用於 該方法之光阻材料將使用這些激光器雷射光束。 如眾所皆知的，換言之，早期用作主流的光阻組成物 係正性的光阻組成物，其包含novolak樹脂當作樹脂成分而 萘醌二疊氮硫酸酯化合物當作光敏感成分。這類的光阻組 成物，無論如何，可能難以配合使用KrF激光器雷射光束 或更短波長之其他光源之石版影印圖案作業的技術需求。 以上提到的光阻組成物的這個問題可以藉著使用所謂化學 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------r----裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4- 594380 A7 B7 五、發明說明（2 ) 放大光阻組成物而克服，其包含正性化學放大物，其中樹 脂成分在曝光區域之鹼溶性將隨著與輻射敏感酸產生劑產 生的酸反應而增加，以及負性化學放大物，其中樹脂成分 在曝光區域之鹼溶性將隨著與輻射敏感酸產生劑產生的酸 反應而降低。 在此開發出適合化學放大光阻組成物之需求包括對於 圖案化曝光光線之高敏感度、高圖案解析度及圖案化光阻 層之耐熱性，焦注於縱向深度、圖案化光阻層橫切面之正 交程度、及儲存安定性，亦即對抗圖案化光阻層在圖案依 照圖案曝光及該光阻層之後曝光烘烤處理期間還有基材依 存性，其意指光阻組成物對含有不同本質例如絕緣材料， 例如氮化矽，半導體材料，例如，複晶矽，及陶瓷材料， 例如，氮化鈦之表面層基材之適應力，受到胺類化合物及 此類之物污染之橫切面降解的安定性。換言之，圖案化光 阻層之橫切面將受到光阻層生成彼上之基材表面之本性而 影響。 除了上述關於化學放大光阻組成物之特性以外還有表 面缺陷的問題其必須克服以便達到高品質圖案化光阻層。 上述圖案化光阻層之表面缺陷係失調的光阻圖案例如 光阻圖案與光罩圖案不相吻合、浮渣或灰塵顆粒之沉積、 光阻圖案線間的短路等等可從以上利用特殊的表面缺陷檢 知器（舉例來說，KLA型，由KLA公司製造）藉著垂直地檢 查圖案化光阻層而偵知。 當上述表面缺陷的數量大時半導體裝置之產量大大地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----·---^-裴--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·· - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594380 A7 B7 五、發明說明（3 ) 減少了而且即使符合傳統對於光阻組成物需求，該半導體 裝置仍無法展現優良的特性。由此，半導體裝置之製造方 法中急於解決的重要的技術問題之一在於如何降低表面缺 陷。除非要解決的表面缺陷問題之外，在同樣的半導體裝 置製造中會遭遇到更大的困難。 先前發明者可以藉著改質正性光阻溶液的配方成功地 降低此圖案化光阻層之表面缺陷的發生達某個程度。無論 如何，在石版影印圖案技術方面其係極理想的方法如果表 面缺陷的問題可以有效解決而無需這樣的正性光阻溶液配 方之改良的話。 發明總結 根據本發明有一個目的在於提供一個簡單的並且方便 的方法，其藉著使用正性化學放大光阻組成物以便有效地 並且可靠地降低圖案化光阻層之表面缺陷而用於基材表面 上光阻層之表面處理，無需藉著使用該光阻組成物進行任 何光阻組成物配方及石版影印方法條件之改質。 由此，本發明用於降低圖案化光阻層之表面缺陷的方 法包含，在基材表面上包含在基材表面上形成光阻層之正 性化學放大光阻組成物之光阻層之石版影印圖案方法中， 透過產生圖案光罩依圖案外形將光阻層暴露於光化射線， 對於此依圖案外形曝光的光阻層施以後曝光烘烤處理並且 在後曝光烘烤處理後用鹼性顯影劑水溶液使該光阻層顯影 ，藉著使光阻層與酸水溶液接觸對後曝光烘烤處理之後的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -——-------Γ 丨— I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -6- 594380 A7 ___B7 五、發明說明（4 ) 光阻層施以酸處理。 上述光阻層的酸處理係藉著將承載圖光阻層之基材浸 入水性酸溶液或利用水性酸溶液旋轉塗佈或流動塗佈光阻 層而引發。在這個酸處理中，光阻層係保持與水性酸溶液 接觸時間長度宜介於1至9 0秒之間。 發明之詳細敘述 如以上所述，本發明用於降低形成於基材表面上圖案 化光阻層之表面缺陷方法之範圍包含於後曝光烘烤處理之 後但是在顯影處理之前的光阻層酸處理的外加步驟中。除 了外加步驟以外，石版影印圖案步驟的其他步驟剛好與傳 統使用正性化學放大光阻組成物之步驟相同。 光阻層形成於彼上之基材通常係半導體矽晶圓。發明 方法可以應用之光阻組成物係正性化學放大光阻組成物， 其包含，當作基本成分，（A)由酸可分離的降低溶解度基 團團取代樹脂羥基之樹脂合成物及（B)對輻射敏感的酸產 生劑。除了上述的二成分光阻組成物以外，本發明之方法 也可以應用於三成分正性化學放大光阻組成物，其包含鹼 溶性樹脂成分例如novolaks及聚羥苯乙烯，低分子量酚化 合物例如以三級丁氧羰基甲基取代羥基爲酸可分離的降低 溶解度基團團之雙酚類及三酚類’其可以與酸反應形成自 由羧基而分離得到化合物鹼溶性之增加，以及對輻射敏感 的酸產生劑。 上述之成分（A)係含酚羥基或羧基之化合物’彼之羧基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------I 装--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594380 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 由酸可分離的取代基取代可以降低樹脂合成物在鹼性顯影 劑水溶液中的溶解度並且可以藉著與依圖案外形暴露於光 化射線產生的酸反應分離以增加化合物之鹼溶性。成分（A) 通常係聚合的樹脂合成物但是也可以係依據需求而定的低 分子量化合物。 當作成分（A)之樹脂合成物係均聚物或共聚物例如聚羥 苯乙烯其羥基之大部份氫原子係由酸可分離的降低溶解度 基團團取代，列舉實例如二級丁氧簾基類、三級丁基類、 烷氧基烷基類例如乙氧乙基及甲氧基丙基類及環醚基類例 如四氫哌喃基及四氫呋喃基。 尤其適宜當作成分（A)之樹脂合成物係聚羥苯乙烯其羥 基之大部份氫原子係由選自三級丁氧羰基、三級丁基、烷 氧基烷基及環醚基之取代基團所取代。此聚羥苯乙烯爲主 的樹脂合成物包括羥基之氫原子有5至60%係由三級丁氧碳 基類取代之聚羥苯乙烯類，羥基之氫原子有5至6〇%由四氫 哌喃基類取代之聚羥苯乙烯類，之聚羥苯乙烯類羥基之氫 原子有5至6 0 %由1 -乙氧乙基類取代之聚羥苯乙烯類，由羥 苯乙烯單元之莫耳數中有10至49 %其羥基之氫原子由三級 丁氧羰基類取代、氫基苯乙烯單元之莫耳數中有1〇至49 % 其羥基之氫原子由1-乙氧乙基類取代及2至80 %莫耳之未取 代羥苯乙烯單兀組成之共聚物類，由羥苯乙烯單元之莫耳 數中有1 〇至4 9 %其羥基之氫原子由三級丁基類取代、氫基 苯乙烯單元之莫耳數中有10至49 %其羥基之氫原子由i_乙 氧乙基類取代及2至80 %莫耳之未取代羥苯乙烯單元組成之 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） ---------；------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -8 - 594380 A7 B7 五、發明說明（6 ) -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 共聚物類，由羥苯乙烯單元之莫耳數中有10至49%其羥基 之氫原子由四氫哌喃基類取代、氫基苯乙烯單元之莫耳數 中有10至49 %其羥基之氫原子由丨_乙氧乙基類取代及2至 80%旲耳之未取代羥苯乙烯單元組成之共聚物類及此類之物 〇 當該光阻組成物利用ArF激光器雷射光束當作依圖案 外形曝光光源用於石版影印圖案化作業時，尤其適合於光 阻組成物中當作成分（A)之樹脂合成物包括那些包含聚環脂 族烴基之丙烯酸酯單體單元及當作主鏈結構成分之丙烯酸 酯單體單元，例如甲基丙烯酸丁內酯_3_酯及丙烯酸2_甲基 金剛烷二甲酯，及含酸可分離的降低溶解度基團之聚環脂 族烴基之樹脂類，例如由降箔烯_羧酸之三級丁酯爲主鏈 結構衍化成之基團。 這些樹脂合成物可以單獨或依需求合倂兩種或更多使 用。適宜者樹脂成分當作成分（A)之重量平均分子量係介於 2000至50000或，更佳者，從5000至15000，其假設光阻 組成物爲二成分型雖然如上所述發明方法應用範圍包括三 成分型光阻組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用與成分（A)合倂使用之正性化學放大光阻組成物的另 一個基本原料成分（B)係對輻射敏感的酸產生劑其以光化射 線輻射時釋放出酸。已知當作先前技藝之化學放大光阻組 成物中的酸產生劑之不同化合物可以用於此不需特別加以 限制，其包括二偶氮甲烷化合物、硝基苯化合物、磺酸酯 化合物、鏺鹽化合物、苯偶姻甲苯磺酸化合物、含鹵三氮 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - 594380 A7 B7 五、發明說明（7 ) 六環化合物、含氰基胯磺酸化合物及此類之物，其中特別 適合的係二偶氮甲烷化合物及含鹵烷基磺酸爲陰離子之鏺 鹽化合物，其中鹵烷基含有1至1 5個碳原子。 適用於此之二偶氮甲烷化合物之特定實施例包括雙（對 甲苯磺基）二偶氮甲烷、雙（1,1-二甲基乙基磺基）二偶氮甲烷 、雙（環己基磺基）二偶氮甲烷及雙（2,4-二甲基苯基磺基）二 偶氮甲烷。上述鐵鹽之特定實施例包括二苯基碘鑰三氟甲 烷磺酸、（4-甲氧基苯基）碘鐵三氟甲烷磺酸、雙（4-三級丁 基苯基）碘鑰九氟丁烷磺酸、（4-甲氧基苯基）二苯基銃三氟 甲烷磺酸、（4-三級丁基苯基）二苯基锍三氟甲烷磺酸及三苯 基鏡九氟丁院礦酸。 本發明之方法應用之化學放大光阻組成物中，這些對 輻射敏感的酸產生劑可以任意單獨或以兩種或多種合倂的 方式使用。在光阻組成物中當作成分（B)之酸產生劑的用量 對每100份重量之成分（A)而言係從0.5至30份重量或，較 佳地，從1至10份重量。當成分（B)之用量太少時，可能難 以完成完整的圖案然而，當彼之用量太多時，光阻組成物 可能難以得到均勻溶液的形態因爲化合物有限的溶解度造 成光阻組成物儲存安定性減弱了，如果可以得到的話。 發明方法應用之正性化學放大光阻組成物係任意與各 別限量的不同已知添加物例如羧酸類、含磷氧酸類、胺化 物及此類之物任意的混合在一起。光阻組成物將上述的基 本及任意原料溶解於有機溶劑中以均勻溶液形態使用的確 方便。適用於此之有機溶解實施例包括酮類例如丙酮、甲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----1---；---裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594380 A7 B7____ 五、發明說明（8 ) ---------7--裝--- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 乙酮、環己酮、甲異戊酮及2-庚酮、多羥醇類及彼之衍生 物例如乙二醇、乙二醇一醋酸酯、一縮二乙二醇、一縮二 乙二醇一醋酸酯及一縮二丙二醇一醋酸酯還有彼之一甲基 、一乙基、一丙基、一丁基及一苯基酯類，環醚類例如二 噁烷及酯類例如乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸曱酯、醋酸乙 酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲 酯及甲氧基丙酸乙酯。這些有機溶劑可以任意單獨或以兩 種或多種混合物的方式使用。 將發明方法應用至正性化學放大光阻組成物之光阻層 時，藉著使用光阻溶液形成於基材表面上之光阻層係透過 載有圖案的光罩依圖案外形暴露於光化射線例如KrF激光 器雷射光束下接著後曝光烘烤處理（PEB)。這些處理大體上 可以相同於石版影印圖案作業之方法使用傳統正性化學放 大光阻組成物來進行。 在發明方法中，後曝光烘烤處理之後的光阻層係施以 酸處理以便大大地降低圖案化光阻層受顯影處理而形成的 表面缺陷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 換言之，發明者推測在光阻層表面上發現之成分（A)中 酸可分離的降低溶解度基團經酸處理除去後，移除表面上 的鹼不溶性物質的結果可以降低缺陷，因爲適當的假設係 光阻組成物中鹼不溶性物質係沉澱於鹼化物顯影處理後之 淸水沖洗過程中以便在顯影處理形成缺陷後沉積於圖案化 光阻層之表面上。 因此對用於上述酸處理中的酸溶液有一個需求在於酸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 594380 A7 B7 五、發明說明（11 ) 其中Ri、R2、R3及R4係，各別獨立的，氫原子或含5至20 個碳原子之烷基但是R1、R2、R3及R4中至少一個以上係含 5至20個碳原子之烷基，下標p及q係，各別獨立的，〇、 1或2但是p + q不是零◦在以上定義的二苯基醚爲主的磺酸 類之中，以減少酸處理至1 0秒或更短之可能性來自最適宜 的係由此通式代表之一烷基二苯基醚二磺酸類 ----^--------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R5係含5至20個碳原子之烷基。 重要的是酸化物形成酸性水溶液在室溫下具有輕微的 蒸發性在酸處理期間不會蒸發損失。舉例來說，當酸化物 分子量爲200以上或從200至1 000之範圍內時，酸化物這 樣低的蒸發性便可以獲得。 上述的酸性水溶液係任意地與已知的不含磺酸基團之 表面活性劑混合，目的在於改良光阻層與水溶液之潤溼性 並且使分配機噴嘴噴射之溶液量降至最少。N-辛基-2-吡啶 酮係一個適用於此目的之表面活性劑之實施例。 雖然，如上述的，根據本發明酸處理之時間長度必須 夠長以完全分離在光阻層表面上含酸可分離的降低溶解度 基團之樹脂合成物之降低溶解度基團，以半導體裝置量產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 594380 A7 B7 五、發明說明（12 ) 之生產量來看長間長度應該儘可能短。從實際的觀點來看 ，酸處理進行1至90秒或者，較佳地，1至60秒。要注意 後曝光烘烤處理之後的光阻層之酸處理具有降低鹼化物顯 影劑水溶液對光阻層表面接觸角之效果。 根據發明方法之酸處理係一種方法其中光阻層之表面 係藉著將溶液噴在表面上、藉著將基材表面上之光阻層浸 於溶液中或者藉著將溶液應用於光阻層表面而與水性酸溶 液接觸。由於需要高生產量，半導體裝置之製造方法中宜 將水性酸溶液應用於光阻層表面，舉例來說，藉著分配機 噴嘴噴射酸溶液之下旋轉塗佈，因爲彼不需特別的額外設 備。 本發明之方法可應用於任何型式特別調配用於圖案化 曝光的正性化學放大光阻組成物之光阻層，其藉著使用KrF 激光器雷射光束、X-射線及電子束而無需特別限制。 根據本發明之方法，光阻層在後曝光烘烤處理之後的 酸處理得到極理想的結果降低顯影後光阻層之表面缺陷。 在半導體裝置之製造技術中該趨勢的結果朝向細上加細的 圖案化，光阻層圖案化之精細度必需係0.1 5微米或更細。 對此增加圖案化精細度之需求只有在正性化學放大光 阻組成物中利用含酸可分離的降低溶解度基團爲基本成分 以增加比例之取代羥基之降低溶解度基團來取代羥基樹脂 原料才可以達成，無論如何，圖案化光阻層內的表面缺陷 如趨勢般增加以致增加比例自然限制不得造成使難於獲得 高圖案解析度之圖案化光阻層。藉著進行本發明之方法， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----1------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 594380 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13 ) 缺陷增加的這個問題得以解決，連含樹脂原料之光阻組成 物配方其取代羥基之降低溶解度基團之比例增加以致能夠 獲得能進一步增加圖案化光阻層解析度之正性化學放大光 阻組成物。 在以下，本發明之方法將利用實施例及比較實施例的 方式更詳細地說明，無論如何，其不得以任何方式限制發 明之範圍。 實施例1 一種正性化學放大光阻組成物溶液係藉由溶解製備， 以500份重量丙二醇一甲基醚醋酸醋、30份重量具有重量 平均分子量爲1 0000之第一種聚羥苯乙烯樹脂，其40%之羥 基氫原子係由四氫哌喃基取代、70份重量具有重量平均分 子量爲10000之第二種聚烴苯乙烯樹脂，其40%之羥基氫原 子係由乙氧乙基取代、5份重量之雙（環己基磺基）二偶氮甲 烷、1份重量之雙（4-三級丁基苯基）碘鑰三氟甲烷磺酸酯、 0.1份重量之三乙胺及0.5份重量之水楊酸，接著溶液以0.2 微米孔徑之濾膜過濾。 分別地，兩種酸性水溶液1及2係製備其中溶液1係藉 由溶解2克分子量爲500之超氟烷基辛基磺酸於100克水中 製成而且具有酸鹼度爲1.7而溶液2則藉由混合溶液1及 0.051克的N-辛基-2-吡啶酮（SurfadoneLPlOO，ISP日本公 司的產品）而製成並且具有酸鹼度爲2.0。 一片6英吋半導體矽晶圓係利用以上製備之光阻溶液 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： -16- 594380 A7 B7 五、發明說明（14 ) 旋轉塗佈，接著在90 °C下加熱90秒得到乾燥膜厚爲0.7微 米的光阻層。該光阻層透過放大投影曝光機（FPA-3000EX3 型’ Canon公司製造）在載有圖案之光罩依圖案暴露於KrF 激光器雷射光束下，接著於90 °C下後曝光烘烤處理90秒。 經過後曝光烘烤處理之後的光阻層整個表面係於旋轉 器上利用以上製備之酸性水溶液1及2在室溫下由分配機 噴嘴噴出塗覆3 0秒。之後，該光阻層利用2.3 8質量％之氫 氧化四甲基銨水溶液當作顯影劑溶液於23 °C下顯影處理60 秒，接著用水沖洗6 0秒。 對於酸性水溶液1及2每一個由此獲得之線及空白圖案 化光阻層係於掃描式電子顯微鏡下檢查截面圖形以發現物 品的正交性。再者，檢查線及空白圖案化光阻層之1:1臨界 圖案解析度、光敏感度，其係得到0.2 5微米線寬之線及空 白圖案之極小曝光照度，及表面缺陷之數目以得到臨界解 析度爲0.20微米之結果，光敏感度爲35毫焦/平方公分而且 酸性水溶液1及2各個之表面缺陷爲1 — 5。光阻層內之表面 缺陷之計算係利用表面缺陷測試機（KLA型，KLA公司製造 )來進行。 爲比較故’控制實驗以相同方法進行，如以上除了刪 除利用酸性水溶液之酸處理以外。結果係臨界解析度及光 敏感度與酸處理的例子一樣好，而表面缺陷之數目有1 〇 〇 〇 〇 之多。 實施例2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 594380 A7 B7 五、發明說明（15 ) 四種酸性水溶液3至6係製備，其中酸鹼度爲2.0之溶 液3係分子量爲498之十二烷基（二苯基醚）二磺酸之0.5質 量％水溶液而且以此式表示

----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 酸鹼度爲1.82之溶液4係分子量爲150之三氟甲烷磺酸之 0.5質量％水溶液，酸鹼度爲1.67-之溶液5係三氟甲烷磺酸 之1.0質量％水溶液而酸鹼度爲1.9之溶液6係分子量爲76 之乙醇酸之5.0質量％水溶液。 經過後曝光烘烤處理之後光阻層之酸處理大體上與實 施例1使用以上製備之酸性水溶液3至6中其中之一種以 相同之方法進行除了酸處理之時間長度由1 0秒代替30秒之 外。 在這四個實驗中獲得的結果係圖案化光阻層之截面圖 形、臨界解析度及光敏感度每個都與實施例1中的一樣好 ，而溶液之缺陷數目係0-5而溶液4-6每個的則爲10000。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18-

Claims (1)

1. 594380 Α8 Β8 C8 D8 92. 3. 21 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 第9 0 1 0 2 2 5 6號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國92年3月Θ日修正 1.一種在基材表面上製備圖案化光阻層之方法，包 含的步驟爲（a)在基材表面上形成一層正性化學放大光阻 組成物，（b)使光阻層依圖案暴露於光化射線下，（c)以 依圖案曝光之光阻層進行後曝光烘烤處理及（d)以後曝光 烘烤處理之後的光阻層利用鹼性顯影劑水溶液進行顯影處 理，其特徵在於使該光阻層在步驟（c)後曝光烘烤處理之 後，在步驟（d)顯影處理之前，與內含酸之酸性水溶液接 觸。 2 ·如申請專利範圍第丨項之方法，其中酸性水溶液 之酸鹼度爲3.5或更低。 3 _如申請專利範圍第1項之方法，其中該酸在酸性 水溶液中之濃度分布於0.01至50質量％之間。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中包含於酸性 水溶液中的酸係一種芳香族磺酸。 5 ·如申請專利範圍第4項之方法，其中包含於該酸 性水溶液中的芳香族磺酸係一種分子中含兩個苯核或萘環 結構之化合物。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中包含於該酸 性水溶液中的芳香族磺酸係由以下通式表示的一種二苯醚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格ϋ0χ297公楚） ΙΤΙ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tT f 594380 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 磺酸

   ----------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中R1 ' R2、R3及R4係，各別獨立的，氫原子或含5至 20個碳原子之烷基但是fy、R3及r4中至少一個係含 5至20個碳原子之烷基，下標p及q係，各別獨立的，〇 、1或2但是p + q係正數。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法，其中該二苯醚磺 酸係十二烷基（二苯醚）二磺酸。 8 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該光阻層係 藉著噴射溶液於光阻層而與酸性水溶液接觸。 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該光阻層係 於室溫下與酸性水溶液保持接觸達一段長達1至9〇秒的 時間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該酸性水 溶液包含表面活性劑。 1 1 ·如申請專利範圍第10項之方法，其中該表面 活性劑係N-辛基-2-吡啶酮。 1 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中包含於該 酸性水溶液中的酸之分子量爲200以上。 1 3 .如申請專利範圍第1項之方法，其中包含於該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 Οχ297公瘦） 594380 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 酸性水溶液中的酸係一種含截化院基細酸之有機酸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）