KR950029863A - 반도체 웨이퍼의 현상방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에서 감광막이 도포된 반도체 웨이퍼를 현상하는 방법에 관한 것으로, 스프레이노즐이 장착된 현상기에 적용하는 종래의 웨이퍼 현상방법을 막대형 노즐이 장착된 현상기에 적용하면 웨이퍼회전시 균일하게 도포된 현상액의 균일도포성이 파손되어 군집형 파티클이 생성되고 패턴불량을 야기시키기 때문에 웨이퍼를 미리 공회전시킨 후 회전하는 상태에서 막대형 노즐을 통해 현상액(Developer)을 웨이퍼에 도포하고, 소정시간동안 웨이퍼를 정체시킨 다음 순수(D. I. water)가 공급된 이후부터 다시 웨이퍼를 회전시켜 세착(Rinse)한 다음 회전하는 상태에서 건조(Dry)시키므로써 패턴의 불량을 방지할 수 있는 막대형 노즐이 장착된 현상기에 적용할 수 있는 반도체 웨이퍼의 현상방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 웨이퍼의 현상방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A 및 제1B도는 종래 반도체 웨이퍼의 현상방법을 설명하기 위한 웨이퍼 및 노즐의 구조도, 제1C도는 제1B도의 막대형 노즐의 전면도, 제1D도는 파티클이 발생된 웨이퍼의 평면도.

Claims (3)

1. 반도체 웨이퍼의 현상방법에 있어서, 감광막이 도포된 웨이퍼(1)를 막대형 노즐(4)이 장착된 현상기내에 장착시킨 후 상기 웨이퍼(1)를 공회전시키는 제1단계 공정과, 상기 단계로부터 회전하는 상기 웨이퍼(1)에 현상액을 도포하는 제2단계 공정과, 상기 단계로부터 웨이퍼(1)를 정지시키고 정체 현상을 진행시키는 제3단계공정과, 상기 단계로부터 현상된 찌꺼기 제거를 위해 순수를 공급하며, 웨이퍼(1)를 다시 회전시켜 세척하는 제4단계 공정과, 상기 단계로부터 세척공정 후 남아있는 순수를 웨이퍼의 회전상태에서 건조시키는 제5단계로 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 세척공정시 웨이퍼에 도포된 현상액의 균일성 파손을 방지하기 위하여, 순수가 공급된 이후부터 웨이퍼(1)를 회전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼(1) 공회전은 1 내지 5초, 상기 현상액 도포는 5 내지 10초, 상기 정체현상은 10 내지 100초, 상기 세척은 10 내지 50초, 그리고 상기 순수 건조는 10 내지 30초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 현상방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.