JPH10111561A - 流体噴射装置 - Google Patents
流体噴射装置Info
- Publication number
- JPH10111561A JPH10111561A JP28125496A JP28125496A JPH10111561A JP H10111561 A JPH10111561 A JP H10111561A JP 28125496 A JP28125496 A JP 28125496A JP 28125496 A JP28125496 A JP 28125496A JP H10111561 A JPH10111561 A JP H10111561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- control valve
- fluid
- nozzle
- pipe
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フオトマスクの製造工程において、ノズル
(スプレイ)から処理液を噴射させ処理を行う現像処理
装置、エッチング処理装置であって、ノズル(スプレ
イ)からの処理液の噴射を停止した後の、処理液の液垂
れの発生がない装置を提供する。 【解決手段】 流体を圧送して供給する第1の配管と、
第1の配管からの流体の通過を開閉して制御する第1の
制御弁と、第1の制御弁を経て吐出された流体をノズル
へ供給する第2の配管とを備えた、ノズルから流体を噴
射する流体噴射装置であって、第1の制御弁とノズルと
の間の第2の配管を分岐し、第2の制御弁を介して減圧
部を連結して設けており、流体の噴射停止時には、第1
の制御弁を閉じると同時に、ないし第1の制御弁を閉じ
た後に、第2の制御弁を開いて、第2の配管を介して減
圧部側に流体を吸引して、ノズル内に残った流体を外部
に排出するものである。
(スプレイ)から処理液を噴射させ処理を行う現像処理
装置、エッチング処理装置であって、ノズル(スプレ
イ)からの処理液の噴射を停止した後の、処理液の液垂
れの発生がない装置を提供する。 【解決手段】 流体を圧送して供給する第1の配管と、
第1の配管からの流体の通過を開閉して制御する第1の
制御弁と、第1の制御弁を経て吐出された流体をノズル
へ供給する第2の配管とを備えた、ノズルから流体を噴
射する流体噴射装置であって、第1の制御弁とノズルと
の間の第2の配管を分岐し、第2の制御弁を介して減圧
部を連結して設けており、流体の噴射停止時には、第1
の制御弁を閉じると同時に、ないし第1の制御弁を閉じ
た後に、第2の制御弁を開いて、第2の配管を介して減
圧部側に流体を吸引して、ノズル内に残った流体を外部
に排出するものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,ノズルから流体を
噴射する流体噴射装置に関するもので、特に、IC、L
SI等の半導体素子の製造に用いられるフオトマスクの
製造における、現像液やエッチング液の噴射装置に関す
る。
噴射する流体噴射装置に関するもので、特に、IC、L
SI等の半導体素子の製造に用いられるフオトマスクの
製造における、現像液やエッチング液の噴射装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化と軽薄短小の
傾向から、ASICに代表される種々のLSIには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
た。上記ASIC等のLSIは、一般には、機能、論理
設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フオトマス
クパターン用のパターンを作製し、これを用いてフオト
マスクを作製した後、フオトマスクのパターンをウエハ
上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製プ
ロセスを行うという長い工程を経て作製されるものであ
るが、LSIの高集積化、高機能化に伴い、フオトマス
クのパターンの微細化、高精度化が求められるようにな
ってきた。
傾向から、ASICに代表される種々のLSIには、ま
すます高集積化、高機能化が求められるようになってき
た。上記ASIC等のLSIは、一般には、機能、論理
設計、回路設計、レイアウト設計等を経て、フオトマス
クパターン用のパターンを作製し、これを用いてフオト
マスクを作製した後、フオトマスクのパターンをウエハ
上に縮小投影露光等により転写して、半導体素子作製プ
ロセスを行うという長い工程を経て作製されるものであ
るが、LSIの高集積化、高機能化に伴い、フオトマス
クのパターンの微細化、高精度化が求められるようにな
ってきた。
【0003】ところで、フオトマスクは、一般には、図
6に示すようにして作製されていた。即ち、石英等のガ
ラス基板610上にクロム、モリブデンなどを主体とす
る遮光層620を略全面に形成し(図6(a))、遮光
層620上にg線(436nm)やi線(365nm)
などの紫外線または電子線等の電離放射線640に感応
するレジスト630を塗布し(図6(b))、g線やi
線または電子線等の電離放射線640を用いてレジスト
630を選択的に露光して所望の絵柄をもつ潜像を形成
し(図6(c))、現像処理を行い所望形状のレジスト
パターン631を得た(図6(d))後、必要に応じて
ディスカム処理を施し、ベイキング処理を行い、レジス
トパターン631を耐腐蝕膜としてエッチングを行って
遮光層620からなる遮光層パターン621を形成し
(図6(e))、更にでレジストパターン631の除
去、洗浄処理等を行い、フオトマスク600は作製され
ていた。(図6(f))
6に示すようにして作製されていた。即ち、石英等のガ
ラス基板610上にクロム、モリブデンなどを主体とす
る遮光層620を略全面に形成し(図6(a))、遮光
層620上にg線(436nm)やi線(365nm)
などの紫外線または電子線等の電離放射線640に感応
するレジスト630を塗布し(図6(b))、g線やi
線または電子線等の電離放射線640を用いてレジスト
630を選択的に露光して所望の絵柄をもつ潜像を形成
し(図6(c))、現像処理を行い所望形状のレジスト
パターン631を得た(図6(d))後、必要に応じて
ディスカム処理を施し、ベイキング処理を行い、レジス
トパターン631を耐腐蝕膜としてエッチングを行って
遮光層620からなる遮光層パターン621を形成し
(図6(e))、更にでレジストパターン631の除
去、洗浄処理等を行い、フオトマスク600は作製され
ていた。(図6(f))
【0004】フオトマスクはこのようにして作製される
が、LSIの高集積化、高機能化に伴う、フオトマスク
のパターンの微細化、高精度化の要求に対応するため、
図6に示す製造方法における現像処理、エッチング処理
においても、改善が求められるようになってきた。図6
に示す現像処理はレジストパターンを形成する際に、基
板を回転させながら、現像液、リンス液をレジスト面に
スプレイ(ノズル)から噴射してかけて行うもので、図
6に示すエッチング処理は遮光層パターンを形成する際
に、基板を回転させながら、エッチング液、リンス液を
遮光層面にスプレイ(ノズル)から噴射してかけて行う
ものであり、これらはウエット処理(プロセス)とも言
われる。これらのウエット処理においては、図4に示す
ように、処理液480をポンプあるいは加圧タンクを用
いて圧力をかけて供給し、開閉弁(制御弁)430を介
してノズル(スプレイ)410から噴射する噴射装置4
00が用いられていた。図4中、420、422は配
管、450は処理槽、460は基板ホルダー、470は
フオトマスク基板、480は処理液、490は給液用加
圧タンクであり、フオトマスク基板470は基板ホルダ
ー460に固定された状態で回転しながら処理される。
そして、開閉弁(制御弁)430はシーケンサーなどの
マイコンで制御されているのが普通であり、マイコンか
らの指令を受けて開閉する電磁弁あるいは空圧を利用し
て開閉するエアー弁を介して、処理液480の噴射、噴
射停止を制御していた。
が、LSIの高集積化、高機能化に伴う、フオトマスク
のパターンの微細化、高精度化の要求に対応するため、
図6に示す製造方法における現像処理、エッチング処理
においても、改善が求められるようになってきた。図6
に示す現像処理はレジストパターンを形成する際に、基
板を回転させながら、現像液、リンス液をレジスト面に
スプレイ(ノズル)から噴射してかけて行うもので、図
6に示すエッチング処理は遮光層パターンを形成する際
に、基板を回転させながら、エッチング液、リンス液を
遮光層面にスプレイ(ノズル)から噴射してかけて行う
ものであり、これらはウエット処理(プロセス)とも言
われる。これらのウエット処理においては、図4に示す
ように、処理液480をポンプあるいは加圧タンクを用
いて圧力をかけて供給し、開閉弁(制御弁)430を介
してノズル(スプレイ)410から噴射する噴射装置4
00が用いられていた。図4中、420、422は配
管、450は処理槽、460は基板ホルダー、470は
フオトマスク基板、480は処理液、490は給液用加
圧タンクであり、フオトマスク基板470は基板ホルダ
ー460に固定された状態で回転しながら処理される。
そして、開閉弁(制御弁)430はシーケンサーなどの
マイコンで制御されているのが普通であり、マイコンか
らの指令を受けて開閉する電磁弁あるいは空圧を利用し
て開閉するエアー弁を介して、処理液480の噴射、噴
射停止を制御していた。
【0005】処理液を噴射するノズル410は、図5に
示すように、ノズルチップ412とノズルホルダー41
4にて形成されているのが一般的であり、処理液480
の噴射停止をする場合、瞬時に処理液を止めることが困
難で、開閉弁430を閉じてからも、配管内422内の
残圧により処理液480が滴下する液垂れが発生する。
このため処理液480の噴射停止を時間通りに制御がで
きなく、且つ、この液垂れが処理基板470に当たる
際、当たる領域が均一でなく局所的になるため、形成さ
れるパターンに寸法バラツキが発生するという問題があ
る。また、スピン乾燥中の処理基板(フオトマスク基板
470)に液垂れが当たることにより、放電破壊が発生
したりするとも言われている。尚、処理槽450内は、
排気をするために、通常、負圧になっており、且つ、処
理槽450の振動などの影響もあり、ノズル410から
液垂れが起こり易い状態になっている。
示すように、ノズルチップ412とノズルホルダー41
4にて形成されているのが一般的であり、処理液480
の噴射停止をする場合、瞬時に処理液を止めることが困
難で、開閉弁430を閉じてからも、配管内422内の
残圧により処理液480が滴下する液垂れが発生する。
このため処理液480の噴射停止を時間通りに制御がで
きなく、且つ、この液垂れが処理基板470に当たる
際、当たる領域が均一でなく局所的になるため、形成さ
れるパターンに寸法バラツキが発生するという問題があ
る。また、スピン乾燥中の処理基板(フオトマスク基板
470)に液垂れが当たることにより、放電破壊が発生
したりするとも言われている。尚、処理槽450内は、
排気をするために、通常、負圧になっており、且つ、処
理槽450の振動などの影響もあり、ノズル410から
液垂れが起こり易い状態になっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、図4に示
す噴射装置400の場合、開閉弁(制御弁)430を閉
じてノズル410からの噴射を停止させた後に、処理液
480が滴下する液垂れの発生があり、この液垂れが、
処理におけるパターン形成精度低下の一因となり問題と
なっていた。本発明は、このような状況のもと、特に、
フオトマスクの製造工程において、ノズル(スプレイ)
から処理液を噴射させ処理を行う、ウエット処理タイプ
の現像処理装置、エッチング処理装置で、ノズル(スプ
レイ)からの処理液の噴射停止後の、処理液の液垂れの
発生がない装置を提供しようとするものである。
す噴射装置400の場合、開閉弁(制御弁)430を閉
じてノズル410からの噴射を停止させた後に、処理液
480が滴下する液垂れの発生があり、この液垂れが、
処理におけるパターン形成精度低下の一因となり問題と
なっていた。本発明は、このような状況のもと、特に、
フオトマスクの製造工程において、ノズル(スプレイ)
から処理液を噴射させ処理を行う、ウエット処理タイプ
の現像処理装置、エッチング処理装置で、ノズル(スプ
レイ)からの処理液の噴射停止後の、処理液の液垂れの
発生がない装置を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の流体噴射装置
は、流体を圧送して供給する第1の配管と、第1の配管
からの流体の通過を開閉して制御する第1の制御弁と、
第1の制御弁を経て吐出された流体をノズルへ供給する
第2の配管とを備えた、ノズルから流体を噴射する流体
噴射装置であって、第1の制御弁とノズルとの間の第2
の配管を分岐し、第2の制御弁を介して減圧部を連結し
て設けており、流体の噴射停止時には、第1の制御弁を
閉じると同時に、ないし第1の制御弁を閉じた後に、第
2の制御弁を開いて、第2の配管を介して減圧部側に流
体を吸引して、ノズル内に残った流体を外部に排出する
ものであることを特徴とするものである。そして、上記
において、第1の制御弁および第2の制御弁が、電磁弁
ないしエアー弁であることを特徴とするものである。そ
してまた、上記第1の制御弁および第2の制御弁に代
え、第1の制御弁および第2の制御弁が一体となった制
御弁を用いたことを特徴とするものである。また、上記
において、第1の制御弁、第2の制御弁および第2の配
管に代え、第1の制御弁、第2の制御弁および第2の配
管が一体となり、且つ、第2の配管に相当する部分が極
めて短い制御弁を用い、該制御弁に直接ノズルを接続し
ていることを特徴とするものである。そして、上記の流
体噴射装置がフオトマスク製造用の現像装置であり、流
体が現像液ないしリンス液であることを特徴とするもの
であり、流体噴射装置がフオトマスク製造用のエッチン
グ装置であり、流体がエッチング液ないしリンス液であ
ることを特徴とするものである。
は、流体を圧送して供給する第1の配管と、第1の配管
からの流体の通過を開閉して制御する第1の制御弁と、
第1の制御弁を経て吐出された流体をノズルへ供給する
第2の配管とを備えた、ノズルから流体を噴射する流体
噴射装置であって、第1の制御弁とノズルとの間の第2
の配管を分岐し、第2の制御弁を介して減圧部を連結し
て設けており、流体の噴射停止時には、第1の制御弁を
閉じると同時に、ないし第1の制御弁を閉じた後に、第
2の制御弁を開いて、第2の配管を介して減圧部側に流
体を吸引して、ノズル内に残った流体を外部に排出する
ものであることを特徴とするものである。そして、上記
において、第1の制御弁および第2の制御弁が、電磁弁
ないしエアー弁であることを特徴とするものである。そ
してまた、上記第1の制御弁および第2の制御弁に代
え、第1の制御弁および第2の制御弁が一体となった制
御弁を用いたことを特徴とするものである。また、上記
において、第1の制御弁、第2の制御弁および第2の配
管に代え、第1の制御弁、第2の制御弁および第2の配
管が一体となり、且つ、第2の配管に相当する部分が極
めて短い制御弁を用い、該制御弁に直接ノズルを接続し
ていることを特徴とするものである。そして、上記の流
体噴射装置がフオトマスク製造用の現像装置であり、流
体が現像液ないしリンス液であることを特徴とするもの
であり、流体噴射装置がフオトマスク製造用のエッチン
グ装置であり、流体がエッチング液ないしリンス液であ
ることを特徴とするものである。
【0008】
【作用】本発明の流体噴射装置は、このような構成にす
ることにより、ノズル(スプレイ)から処理液を噴射さ
せ処理を行う流体噴射装置において、ノズル(スプレ
イ)からの処理液の噴射停止後の、処理液の液垂れの発
生がない装置の提供を可能としている。特に、フオトマ
スクの製造工程における、ノズル(スプレイ)から処理
液を噴射させ処理を行うウエット処理の現像処理装置、
エッチング処理装置であって、処理液の液垂れの発生が
ない装置の提供を可能としており、これにより、高い精
度のレジストパターンの作成、遮光層パターンの作成を
可能としている。具体的には、流体を圧送して供給する
第1の配管と、第1の配管からの流体の通過を開閉して
制御する第1の制御弁と、第1の制御弁を経て吐出され
た流体をノズルへ供給する第2の配管とを備えた、ノズ
ルから流体を噴射する流体噴射装置であって、第1の制
御弁とノズルとの間の第2の配管を分岐し、第2の制御
弁を介して減圧部を連結して設けており、流体の噴射停
止時には、第1の制御弁を閉じると同時に、ないし第1
の制御弁を閉じた後に、第2の制御弁を開いて、第2の
配管を介して減圧部側に流体を吸引して、ノズル内に残
った流体を外部に排出するものであることによりこれを
達成している。そして、第1の制御弁および第2の制御
弁が、電磁弁ないしエアー弁とすることにより、制御し
易いものとしている。また、第1の制御弁および第2の
制御弁に代え、第1の制御弁および第2の制御弁が一体
となった制御弁を用いることにより、第1の制御弁、第
2の制御弁および第2の配管に代え、第1の制御弁、第
2の制御弁および第2の配管が一体となり、且つ、第2
の配管に相当する部分が極めて短い制御弁を用い、該制
御弁に直接ノズルを接続していることにより、装置全体
を比較的簡単構造としている。
ることにより、ノズル(スプレイ)から処理液を噴射さ
せ処理を行う流体噴射装置において、ノズル(スプレ
イ)からの処理液の噴射停止後の、処理液の液垂れの発
生がない装置の提供を可能としている。特に、フオトマ
スクの製造工程における、ノズル(スプレイ)から処理
液を噴射させ処理を行うウエット処理の現像処理装置、
エッチング処理装置であって、処理液の液垂れの発生が
ない装置の提供を可能としており、これにより、高い精
度のレジストパターンの作成、遮光層パターンの作成を
可能としている。具体的には、流体を圧送して供給する
第1の配管と、第1の配管からの流体の通過を開閉して
制御する第1の制御弁と、第1の制御弁を経て吐出され
た流体をノズルへ供給する第2の配管とを備えた、ノズ
ルから流体を噴射する流体噴射装置であって、第1の制
御弁とノズルとの間の第2の配管を分岐し、第2の制御
弁を介して減圧部を連結して設けており、流体の噴射停
止時には、第1の制御弁を閉じると同時に、ないし第1
の制御弁を閉じた後に、第2の制御弁を開いて、第2の
配管を介して減圧部側に流体を吸引して、ノズル内に残
った流体を外部に排出するものであることによりこれを
達成している。そして、第1の制御弁および第2の制御
弁が、電磁弁ないしエアー弁とすることにより、制御し
易いものとしている。また、第1の制御弁および第2の
制御弁に代え、第1の制御弁および第2の制御弁が一体
となった制御弁を用いることにより、第1の制御弁、第
2の制御弁および第2の配管に代え、第1の制御弁、第
2の制御弁および第2の配管が一体となり、且つ、第2
の配管に相当する部分が極めて短い制御弁を用い、該制
御弁に直接ノズルを接続していることにより、装置全体
を比較的簡単構造としている。
【0009】
【実施の形態】本発明の流体噴射装置を図を用いて説明
する。図1は本発明の流体噴射装置の実施の形態を示し
た図である。図1中、100は噴射装置、110はノズ
ル、120は第1の配管、122は第2の配管、130
は第1の制御弁、132は第2の制御弁、140は減圧
部、150は処理槽、160は載置台、170は処理基
材(基板)、180は流体である。本発明の流体噴射装
置においては、ノズルから噴射を行っている場合には、
第1の制御弁130は開かれ、第2の制御弁132は閉
じられた状態で、流体180は、図1の矢印方向に圧力
がかけられ、第1の配管120、第1の制御弁130、
第二の配管122、ノズル110へと送られ、ノズル1
10から噴射される。また、ノズルからの噴射を停止し
ている場合には、第1の制御弁130は閉じられ、第2
の制御弁132は開かれた状態で、流体180は、図1
の矢印方向に圧力がかけられているが、第1の配管12
0内の流体180は第1の制御弁130にて、その進行
を停止される。一方、第2の配管122内の流体180
は、第2の制御弁132を介して減圧部140側に吸引
されるが、ノズル110内の流体180も第2の配管1
22、第2の制御弁132を介して減圧部140側に吸
引されるため、ノズルからの噴射を停止した後のノズル
110からの液垂れの発生は無い。流体を供給するため
の加圧は、ポンプまたは加圧タンクを用いて行う。ま
た、減圧部140は、真空ポンプまたは真空(減圧)配
管に接続し、吸引トラップやフィルターを介して、配管
122内ないしノズル110内の流体を吸引する。この
ように、第2の配管122に分岐して、第2の制御弁1
32を介して減圧部140へと連結しており、図6に示
す噴射装置600において問題となった、ノズルからの
噴射停止後の液垂れの発生を無くしている。
する。図1は本発明の流体噴射装置の実施の形態を示し
た図である。図1中、100は噴射装置、110はノズ
ル、120は第1の配管、122は第2の配管、130
は第1の制御弁、132は第2の制御弁、140は減圧
部、150は処理槽、160は載置台、170は処理基
材(基板)、180は流体である。本発明の流体噴射装
置においては、ノズルから噴射を行っている場合には、
第1の制御弁130は開かれ、第2の制御弁132は閉
じられた状態で、流体180は、図1の矢印方向に圧力
がかけられ、第1の配管120、第1の制御弁130、
第二の配管122、ノズル110へと送られ、ノズル1
10から噴射される。また、ノズルからの噴射を停止し
ている場合には、第1の制御弁130は閉じられ、第2
の制御弁132は開かれた状態で、流体180は、図1
の矢印方向に圧力がかけられているが、第1の配管12
0内の流体180は第1の制御弁130にて、その進行
を停止される。一方、第2の配管122内の流体180
は、第2の制御弁132を介して減圧部140側に吸引
されるが、ノズル110内の流体180も第2の配管1
22、第2の制御弁132を介して減圧部140側に吸
引されるため、ノズルからの噴射を停止した後のノズル
110からの液垂れの発生は無い。流体を供給するため
の加圧は、ポンプまたは加圧タンクを用いて行う。ま
た、減圧部140は、真空ポンプまたは真空(減圧)配
管に接続し、吸引トラップやフィルターを介して、配管
122内ないしノズル110内の流体を吸引する。この
ように、第2の配管122に分岐して、第2の制御弁1
32を介して減圧部140へと連結しており、図6に示
す噴射装置600において問題となった、ノズルからの
噴射停止後の液垂れの発生を無くしている。
【0010】
【実施例】更に、実施例を挙げて本発明を詳しく説明す
る。実施例の流体噴射装置は、フオトマスク製造用の現
像装置である。図2は、実施例の流体噴射装置の構成を
示した概略図である。図2中、200は噴射装置、21
0はノズル、220、220A、222、223、22
4、225、226は配管、230、232は制御弁、
240は減圧部、242はフィルタ、250は処理槽、
260は基板ホルダー、270はフオトマスク基板、2
80は処理液(現像液またはリンス液)、290は給液
用加圧タンク、292は吸引トラップである。本実施例
の流体噴射装置は、レジストを一面に塗布したフオトマ
スク基板を、電子線露光装置等により描画露光した後の
現像処理を行う現像装置であり、フオトマスク基板を基
板ホルダーに載せて回転しながら、処理液をレジスト面
側にノズル210より噴射してかけながら現像処理を行
うものである。
る。実施例の流体噴射装置は、フオトマスク製造用の現
像装置である。図2は、実施例の流体噴射装置の構成を
示した概略図である。図2中、200は噴射装置、21
0はノズル、220、220A、222、223、22
4、225、226は配管、230、232は制御弁、
240は減圧部、242はフィルタ、250は処理槽、
260は基板ホルダー、270はフオトマスク基板、2
80は処理液(現像液またはリンス液)、290は給液
用加圧タンク、292は吸引トラップである。本実施例
の流体噴射装置は、レジストを一面に塗布したフオトマ
スク基板を、電子線露光装置等により描画露光した後の
現像処理を行う現像装置であり、フオトマスク基板を基
板ホルダーに載せて回転しながら、処理液をレジスト面
側にノズル210より噴射してかけながら現像処理を行
うものである。
【0011】本実施例装置の動作を以下簡単に説明す
る。ノズル210から噴射する場合は、制御弁230は
開かれ、制御弁232は閉じられている。この状態で給
液用加圧タンク290は加圧されているため、処理液2
80は、給液用加圧タンク290から、配管220、制
御弁230、配管222を介してノズル210へと流
れ、ノズル210から噴射される。ノズル210からの
噴射を停止する場合は、制御弁230は閉じられ、制御
弁232は開かれる。この状態で給液用加圧タンク29
0は加圧されているため、処理液280は、給液用加圧
タンク290から、配管220、制御弁230へと流れ
ようとするが、制御弁230が閉じられているためここ
で流れはストップされる。一方、配管222側に分岐し
て設けられた制御弁232は開かれているので、配管2
22側の処理液280は、配管223、制御弁232、
配管224、吸引トラップ292、配管225、フィル
タ242、配管226を介して減圧部240側に吸引さ
れる。同時に、ノズル210内の処理液280も配管2
22、配管223、制御弁232、配管224、吸引ト
ラップ292、配管225 フィルタ242、配管22
5を介して減圧部240側に吸引される。このように、
配管222に分岐して、制御弁232を介して減圧部2
40へと連結していることにより、図6に示す装置にお
いて問題となった、ノズルからの噴射停止後の液垂れの
発生を無くしている。
る。ノズル210から噴射する場合は、制御弁230は
開かれ、制御弁232は閉じられている。この状態で給
液用加圧タンク290は加圧されているため、処理液2
80は、給液用加圧タンク290から、配管220、制
御弁230、配管222を介してノズル210へと流
れ、ノズル210から噴射される。ノズル210からの
噴射を停止する場合は、制御弁230は閉じられ、制御
弁232は開かれる。この状態で給液用加圧タンク29
0は加圧されているため、処理液280は、給液用加圧
タンク290から、配管220、制御弁230へと流れ
ようとするが、制御弁230が閉じられているためここ
で流れはストップされる。一方、配管222側に分岐し
て設けられた制御弁232は開かれているので、配管2
22側の処理液280は、配管223、制御弁232、
配管224、吸引トラップ292、配管225、フィル
タ242、配管226を介して減圧部240側に吸引さ
れる。同時に、ノズル210内の処理液280も配管2
22、配管223、制御弁232、配管224、吸引ト
ラップ292、配管225 フィルタ242、配管22
5を介して減圧部240側に吸引される。このように、
配管222に分岐して、制御弁232を介して減圧部2
40へと連結していることにより、図6に示す装置にお
いて問題となった、ノズルからの噴射停止後の液垂れの
発生を無くしている。
【0012】次に、本実施例の変形例を挙げる。図3は
変形例の概略図である。図3中、300は噴射装置、3
10はノズル、320、320A、322、323、3
24、325は配管、330は制御弁(制御3方弁とも
言う)、340は減圧部、342はフィルタ、350は
処理槽、360は基板ホルダー、370はフオトマスク
基板、380は処理液(現像液またはリンス液)、39
0は給液用加圧タンク、392は吸引トラップである。
変形例は、実施例の噴射装置200における、2つの制
御弁230、制御弁232に代え、制御弁230、制御
弁232を一体化した1つの制御弁330を用いたもの
であり、他の点については実施例の噴射装置と同じであ
る。変形例の噴射装置300も、機能的には実施例の噴
射装置200と同じであり、ノズル310の噴射停止後
の液垂れの発生がないものとしている。
変形例の概略図である。図3中、300は噴射装置、3
10はノズル、320、320A、322、323、3
24、325は配管、330は制御弁(制御3方弁とも
言う)、340は減圧部、342はフィルタ、350は
処理槽、360は基板ホルダー、370はフオトマスク
基板、380は処理液(現像液またはリンス液)、39
0は給液用加圧タンク、392は吸引トラップである。
変形例は、実施例の噴射装置200における、2つの制
御弁230、制御弁232に代え、制御弁230、制御
弁232を一体化した1つの制御弁330を用いたもの
であり、他の点については実施例の噴射装置と同じであ
る。変形例の噴射装置300も、機能的には実施例の噴
射装置200と同じであり、ノズル310の噴射停止後
の液垂れの発生がないものとしている。
【0013】更に、図2に示す、実施例の噴射装置20
0において、制御弁230、制御弁232および配管2
22に代え、制御弁230、制御弁232および配管2
22が一体となり、且つ、第2の配管に相当する部分が
極めて短くした制御弁を用い、該制御弁に直接ノズルを
接続しても良い。この場合は、図3に示す噴射装置30
0において、配管322が無い構造と同じであり、装置
全体をより簡単構造とできる。
0において、制御弁230、制御弁232および配管2
22に代え、制御弁230、制御弁232および配管2
22が一体となり、且つ、第2の配管に相当する部分が
極めて短くした制御弁を用い、該制御弁に直接ノズルを
接続しても良い。この場合は、図3に示す噴射装置30
0において、配管322が無い構造と同じであり、装置
全体をより簡単構造とできる。
【0014】
【発明の効果】本発明は、上記のように、ノズルから流
体を噴射する流体噴射装置であって、従来問題となって
いたノズルからの液垂れの発生が無い、噴射装置の提供
を可能としている。特に、フオトマスクの製造工程にお
ける現像処理、エッチング処理に、この噴射装置を適用
することにより、液垂れに起因した、パターン形成精度
低下を無くすことができ、結果として、フオトマスクの
高精度化、微細化に対応できるものとしている。
体を噴射する流体噴射装置であって、従来問題となって
いたノズルからの液垂れの発生が無い、噴射装置の提供
を可能としている。特に、フオトマスクの製造工程にお
ける現像処理、エッチング処理に、この噴射装置を適用
することにより、液垂れに起因した、パターン形成精度
低下を無くすことができ、結果として、フオトマスクの
高精度化、微細化に対応できるものとしている。
【図1】実施の形態を示した図
【図2】実施例の噴射装置の概略図
【図3】変形例の噴射装置の概略図
【図4】従来のの噴射装置の概略図
【図5】ノズルおよびノズルブロックの概略図
【図6】フオトマスクの製造工程図
100 噴射装置 110 ノズル 120 第1の配管 122 第2の配管 130 第1の制御弁 132 第2の制御弁 140 減圧部 150 処理槽 160 載置台 170 処理基材(基板) 180 流体 200 噴射装置 210 ノズル 220、220A、222、223、224、225、
226 配管 230、232 制御弁 240 減圧部 242 フィルタ 250 処理槽 260 基板ホルダー 270 フオトマスク基板 280 処理液(現像液またはリ
ンス液) 290 給液用加圧タンク 292 吸引トラップ 300 噴射装置 310 ノズル 320、320A、322、323、324、325
配管 330 制御弁 340 減圧部 342 フィルタ 350 処理槽 360 基板ホルダー 370 フオトマスク基板 380 処理液(現像液またはリ
ンス液) 390 給液用加圧タンク 392 吸引トラップ 400 噴射装置 410 ノズル 412 ノズルチップ 414 ノズルホルダー 420、422 配管 430 開閉弁(制御弁) 450 処理槽 460 基板ホルダー 470 フオトマスク基板 480 処理液 490 給液用加圧タンク 600 フオトマスク 610 ガラス基板 620 遮光層 621 遮光層パターン 630 レジスト 631 レジストパターン 640 電離放射線
226 配管 230、232 制御弁 240 減圧部 242 フィルタ 250 処理槽 260 基板ホルダー 270 フオトマスク基板 280 処理液(現像液またはリ
ンス液) 290 給液用加圧タンク 292 吸引トラップ 300 噴射装置 310 ノズル 320、320A、322、323、324、325
配管 330 制御弁 340 減圧部 342 フィルタ 350 処理槽 360 基板ホルダー 370 フオトマスク基板 380 処理液(現像液またはリ
ンス液) 390 給液用加圧タンク 392 吸引トラップ 400 噴射装置 410 ノズル 412 ノズルチップ 414 ノズルホルダー 420、422 配管 430 開閉弁(制御弁) 450 処理槽 460 基板ホルダー 470 フオトマスク基板 480 処理液 490 給液用加圧タンク 600 フオトマスク 610 ガラス基板 620 遮光層 621 遮光層パターン 630 レジスト 631 レジストパターン 640 電離放射線
Claims (6)
- 【請求項1】 流体を圧送して供給する第1の配管と、
第1の配管からの流体の通過を開閉して制御する第1の
制御弁と、第1の制御弁を経て吐出された流体をノズル
へ供給する第2の配管とを備えた、ノズルから流体を噴
射する流体噴射装置であって、第1の制御弁とノズルと
の間の第2の配管を分岐し、第2の制御弁を介して減圧
部を連結して設けており、流体の噴射停止時には、第1
の制御弁を閉じると同時に、ないし第1の制御弁を閉じ
た後に、第2の制御弁を開いて、第2の配管を介して減
圧部側に流体を吸引して、ノズル内に残った流体を外部
に排出するものであることを特徴とする流体噴射装置。 - 【請求項2】 請求項1において、第1の制御弁および
第2の制御弁が、電磁弁ないしエアー弁であることを特
徴とする流体噴射装置。 - 【請求項3】 請求項1ないし2において、第1の制御
弁および第2の制御弁に代え、第1の制御弁および第2
の制御弁が一体となった制御弁を用いたことを特徴とす
る流体噴射装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし2において、第1の制御
弁、第2の制御弁および第2の配管に代え、第1の制御
弁、第2の制御弁および第2の配管が一体となり、且
つ、第2の配管に相当する部分が極めて短い制御弁を用
い、該制御弁に直接ノズルを接続していることを特徴と
する流体噴射装置。 - 【請求項5】 請求項1ないし4において、流体噴射装
置がフオトマスク製造用の現像装置であり、流体が現像
液ないしリンス液であることを特徴とする流体噴射装
置。 - 【請求項6】 請求項1ないし4において、流体噴射装
置がフオトマスク製造用のエッチング装置であり、流体
がエッチング液ないしリンス液であることを特徴とする
流体噴射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28125496A JPH10111561A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 流体噴射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28125496A JPH10111561A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 流体噴射装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10111561A true JPH10111561A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17636516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28125496A Pending JPH10111561A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 流体噴射装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10111561A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515807A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エーエスエムエル ホールデイング エヌ.ブイ. | 液だれなしノズル装置 |
KR20140082427A (ko) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 표면 처리 장치 및 처리방법 |
JP2016182540A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 旭有機材株式会社 | 液体吐出装置 |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP28125496A patent/JPH10111561A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007515807A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-06-14 | エーエスエムエル ホールデイング エヌ.ブイ. | 液だれなしノズル装置 |
KR20140082427A (ko) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판 표면 처리 장치 및 처리방법 |
JP2016182540A (ja) * | 2015-03-25 | 2016-10-20 | 旭有機材株式会社 | 液体吐出装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7237581B2 (en) | Apparatus and method of dispensing photosensitive solution in semiconductor device fabrication equipment | |
KR100187445B1 (ko) | 웨이퍼 세정 방법 및 장치 | |
JPH10303106A (ja) | 現像処理装置およびその処理方法 | |
TWI635436B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR100252224B1 (ko) | 반도체장치 제조설비의 포토레지스트 셕크백장치 | |
JPH11340119A (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JPH10111561A (ja) | 流体噴射装置 | |
US6612319B1 (en) | Low defect EBR nozzle | |
JP3542880B2 (ja) | 液供給装置 | |
US20050211267A1 (en) | Rinse nozzle and method | |
KR20100026388A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 및 방법 | |
JP2002362945A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3424137B2 (ja) | フオトマスク製造用スピン処理装置 | |
KR20070013462A (ko) | 포토레지스트 패턴의 형성방법 | |
TWI566311B (zh) | 半導體機台與其操作方法 | |
KR100701996B1 (ko) | 반도체 디바이스 제조용 노광 설비 | |
JPS60247642A (ja) | スプレ−方法 | |
KR100591156B1 (ko) | 스핀 코터 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2004134448A (ja) | 半導体製造用現像装置 | |
JPH09260265A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
KR100640944B1 (ko) | 반도체 제조용 포토 장치 및 방법 | |
KR20060011438A (ko) | 반도체 소자 제조용 현상 장치 및 방법 | |
KR19990012243A (ko) | 현상장치의 배수 가능한 현상액 수집 탱크 및 그 배수방법 | |
KR200191716Y1 (ko) | 세정수 분사와 현상액 분사를 동시에 할 수 있는 일체형현상노즐 | |
KR200266739Y1 (ko) | 희석액의 스플래시 방지를 위한 배관 구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030527 |