JPH04363170A - 塗布方法及び塗布装置 - Google Patents
塗布方法及び塗布装置Info
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- JPH04363170A JPH04363170A JP13796891A JP13796891A JPH04363170A JP H04363170 A JPH04363170 A JP H04363170A JP 13796891 A JP13796891 A JP 13796891A JP 13796891 A JP13796891 A JP 13796891A JP H04363170 A JPH04363170 A JP H04363170A
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液体と気体を混合して噴
霧して被処理体に塗布する液体塗布方法に関する。
霧して被処理体に塗布する液体塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体ウェハ上に薄膜状の電
子回路パターンを形成するパターン形成工程では、半導
体ウェハ上に形成された薄膜上に薄膜状にレジスト膜を
塗布し、この膜を所望のパターンが形成されたマスクを
通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジスト
パターンを形成する。その後レジストパターンをマスク
としてエッチングして薄膜を所望の電子回路パターンに
形成した後、マスクとして使用したレジストを除去して
いる。パターン形成工程における現像工程ではパターン
の精度を向上させるため、均一に現像が行えるよう半導
体ウェハ上に現像液を気体と混合して均一に噴霧して現
像液の均一塗布を行うスプレー式の現像装置が多用され
ている。
子回路パターンを形成するパターン形成工程では、半導
体ウェハ上に形成された薄膜上に薄膜状にレジスト膜を
塗布し、この膜を所望のパターンが形成されたマスクを
通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジスト
パターンを形成する。その後レジストパターンをマスク
としてエッチングして薄膜を所望の電子回路パターンに
形成した後、マスクとして使用したレジストを除去して
いる。パターン形成工程における現像工程ではパターン
の精度を向上させるため、均一に現像が行えるよう半導
体ウェハ上に現像液を気体と混合して均一に噴霧して現
像液の均一塗布を行うスプレー式の現像装置が多用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような現像装置は
、現像液を供給する供給ノズルの外周にその先端に空洞
を有して包囲するように気体供給ノズルを備えた二重管
のノズルを設け、前記空洞で液体と気体を混合して噴霧
状にして回転する半導体ウェハ上に塗布を行っている。
、現像液を供給する供給ノズルの外周にその先端に空洞
を有して包囲するように気体供給ノズルを備えた二重管
のノズルを設け、前記空洞で液体と気体を混合して噴霧
状にして回転する半導体ウェハ上に塗布を行っている。
【０００４】しかしながら、塗布終了後ノズルの内外壁
に現像液が付着し、ノズルを伝わって半導体ウェハ上に
滴れてしまった。この液滴は現像むらとなってしまうた
め、塗布終了後液体供給を停止し、気体供給ノズルから
気体のみをしばらくの間噴出させて対処していた。しか
しながら、図４に示すようにノズル１から吹出される気
体でノズル１の外壁に付着した液体２は外壁に沿って上
方に膨大部が逃げてしまい、気体の吹出を停止した後は
図５に示すように液体２の膨大部が下方になり、液滴と
なって半導体ウェハ上に滴下してしまった。この気体の
噴出しは２０〜３０秒程行っても満足な液滴防止には行
えず、歩留りが悪かった。
に現像液が付着し、ノズルを伝わって半導体ウェハ上に
滴れてしまった。この液滴は現像むらとなってしまうた
め、塗布終了後液体供給を停止し、気体供給ノズルから
気体のみをしばらくの間噴出させて対処していた。しか
しながら、図４に示すようにノズル１から吹出される気
体でノズル１の外壁に付着した液体２は外壁に沿って上
方に膨大部が逃げてしまい、気体の吹出を停止した後は
図５に示すように液体２の膨大部が下方になり、液滴と
なって半導体ウェハ上に滴下してしまった。この気体の
噴出しは２０〜３０秒程行っても満足な液滴防止には行
えず、歩留りが悪かった。
【０００５】上記の欠点を解消するために、本発明は粘
度の小さい液体を噴霧して塗布する場合であっても液滴
が生じず、しかも歩留りのよい塗布を行える液体塗布方
法を提供することを目的とする。
度の小さい液体を噴霧して塗布する場合であっても液滴
が生じず、しかも歩留りのよい塗布を行える液体塗布方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の液体塗布方法は、液体供給ノズルから送出
される液体及び先端内壁に拡散孔を有し前記液体供給ノ
ズルを包囲する気体供給ノズルにより供給される気体を
前記拡散孔に於いて混合し、被処理体に噴霧して塗布す
る際に、前記液体の供給を停止した後、前記気体供給ノ
ズルで前記液体を吸引するものである。
め、本発明の液体塗布方法は、液体供給ノズルから送出
される液体及び先端内壁に拡散孔を有し前記液体供給ノ
ズルを包囲する気体供給ノズルにより供給される気体を
前記拡散孔に於いて混合し、被処理体に噴霧して塗布す
る際に、前記液体の供給を停止した後、前記気体供給ノ
ズルで前記液体を吸引するものである。
【０００７】
【作用】液体供給ノズルから供給される液体と、液体供
給ノズルの先端に空洞を有して設けられる気体供給ノズ
ルから供給される気体を空洞で混合し、噴霧し被処理体
に塗布する。塗布終了後、気体供給ノズルを吸引装置に
接続しノズルの内外壁に付着した液体をノズル内部に吸
引してしまう。そのため、液滴となって被処理体上に滴
下することなく、しかも吸引している間に被処理体は次
工程に搬送でき、効率的な塗布を行うことができる。
給ノズルの先端に空洞を有して設けられる気体供給ノズ
ルから供給される気体を空洞で混合し、噴霧し被処理体
に塗布する。塗布終了後、気体供給ノズルを吸引装置に
接続しノズルの内外壁に付着した液体をノズル内部に吸
引してしまう。そのため、液滴となって被処理体上に滴
下することなく、しかも吸引している間に被処理体は次
工程に搬送でき、効率的な塗布を行うことができる。
【０００８】
【実施例】本発明の液体塗布方法を半導体ウェハ製造工
程におけるパターン形成工程の現像装置に適用した一実
施例を図面を参照して説明する。図１に示す現像装置３
は、現像液を供給する現像液供給系４及び現像液を霧状
にするために混合されるＮ２等の気体を供給する気体供
給系５を備える。現像液供給系４は現像液流パイプに順
次現像液供給体６、流量計７、フィルタ８、エアバルブ
９を備え、ノズル１０に連結される。気体供給系５は現
像液を霧状にするためのＮ２等の気体流パイプに気体供
給体１１、流量計１２、フィルタ１３を備え、３方弁１
４を介してノズル１０に連結される。ノズル１０は図２
に示すように、現像液供給系４に接続される液体供給ノ
ズル１５と液体供給ノズル１５の先端部を包囲する気体
供給系５に接続される気体供給ノズル１６を備えた２重
管構造に構成され、液体供給ノズル１５の先端孔内壁に
設けられる拡散孔１７の空洞で現像液とＮ２等の気体が
混合されて現像液が霧状に噴出されるようになっている
。この拡散孔１７の開き角度は小さ過ぎると霧状になら
ず、大き過ぎると横方向に無駄な噴出があるため、スプ
レー形状上例えば４５〜９０度程度が望ましい。さらに
図１に示す３方弁１４には吸引装置１８が接続される。 吸引装置１８はエア供給体１９に接続されたエジェクタ
（空気圧式真空装置）２０から成り、エジェクタ２０は
ミストトラップ２１を介して排気系例えば排気ポンプ及
びドレイン２２に分岐接続される。
程におけるパターン形成工程の現像装置に適用した一実
施例を図面を参照して説明する。図１に示す現像装置３
は、現像液を供給する現像液供給系４及び現像液を霧状
にするために混合されるＮ２等の気体を供給する気体供
給系５を備える。現像液供給系４は現像液流パイプに順
次現像液供給体６、流量計７、フィルタ８、エアバルブ
９を備え、ノズル１０に連結される。気体供給系５は現
像液を霧状にするためのＮ２等の気体流パイプに気体供
給体１１、流量計１２、フィルタ１３を備え、３方弁１
４を介してノズル１０に連結される。ノズル１０は図２
に示すように、現像液供給系４に接続される液体供給ノ
ズル１５と液体供給ノズル１５の先端部を包囲する気体
供給系５に接続される気体供給ノズル１６を備えた２重
管構造に構成され、液体供給ノズル１５の先端孔内壁に
設けられる拡散孔１７の空洞で現像液とＮ２等の気体が
混合されて現像液が霧状に噴出されるようになっている
。この拡散孔１７の開き角度は小さ過ぎると霧状になら
ず、大き過ぎると横方向に無駄な噴出があるため、スプ
レー形状上例えば４５〜９０度程度が望ましい。さらに
図１に示す３方弁１４には吸引装置１８が接続される。 吸引装置１８はエア供給体１９に接続されたエジェクタ
（空気圧式真空装置）２０から成り、エジェクタ２０は
ミストトラップ２１を介して排気系例えば排気ポンプ及
びドレイン２２に分岐接続される。
【０００９】このような構成の現像装置３を用いて現像
を行うには３方弁１４を切換えて気体供給系５と気体供
給ノズル１６とを連結させ現像液供給系４から流量例え
ば０．４〜１．２ｌ／ｍｉｎ．で供給し、気体供給系５
を同時に作動させ気体例えば不活性ガスである窒素Ｎ２
ガスを流す。尚、この場合同時でなく気体を先に噴出さ
せてもよい。ノズル１０からスピンチャック２４に載置
された半導体ウェハ２３（図１）上に温度２３℃の現像
液を霧状に噴出させ塗布する。図３に示すように時間ｔ
１経時後例えば２〜５秒後、現像液供給系４を停止させ
、さらにｔ２経時後例えば５〜１０秒後３方弁１４を切
換えて吸引装置１８と気体供給ノズル１６を連結させ、
気体供給体１１を停止させると同時に吸引装置１８を作
動させる。吸引装置１８はエア供給体１９からエジェク
タ２０に送風すると３方弁１４側の配管が負圧になって
ノズル１０から吸引される。この時ノズル１０の先端部
の内外壁に付着した現像液は空気と共に吸引されエジェ
クタ２０からミストトラップ２１で現像液が除去され、
除去された現像液はドレイン２２に排出される。ｔ３時
間例えば５〜１０秒間吸引が行われた後停止する。 尚、現像液噴出後半導体ウェハ２３は所定時間、静止又
は回転状態で現像処理され、その後高速回転させて現像
液の振切り、洗浄が行なわれる。エア供給体１９が作動
している間に処理済の半導体ウェハ２３は次工程へ搬送
され、未処理の半導体ウェハが搬入される。そのため、
ｔ２のＮ２の吸出し時間、ｔ３の吸引時間は配管の長さ
にもよるが、例えばそれぞれ１０秒ほどで終了するため
、半導体ウェハはそのまま設置されていた従来の２０〜
３０秒の吹出し時間の間に次工程を行ない、歩留りを向
上させることができる。
を行うには３方弁１４を切換えて気体供給系５と気体供
給ノズル１６とを連結させ現像液供給系４から流量例え
ば０．４〜１．２ｌ／ｍｉｎ．で供給し、気体供給系５
を同時に作動させ気体例えば不活性ガスである窒素Ｎ２
ガスを流す。尚、この場合同時でなく気体を先に噴出さ
せてもよい。ノズル１０からスピンチャック２４に載置
された半導体ウェハ２３（図１）上に温度２３℃の現像
液を霧状に噴出させ塗布する。図３に示すように時間ｔ
１経時後例えば２〜５秒後、現像液供給系４を停止させ
、さらにｔ２経時後例えば５〜１０秒後３方弁１４を切
換えて吸引装置１８と気体供給ノズル１６を連結させ、
気体供給体１１を停止させると同時に吸引装置１８を作
動させる。吸引装置１８はエア供給体１９からエジェク
タ２０に送風すると３方弁１４側の配管が負圧になって
ノズル１０から吸引される。この時ノズル１０の先端部
の内外壁に付着した現像液は空気と共に吸引されエジェ
クタ２０からミストトラップ２１で現像液が除去され、
除去された現像液はドレイン２２に排出される。ｔ３時
間例えば５〜１０秒間吸引が行われた後停止する。 尚、現像液噴出後半導体ウェハ２３は所定時間、静止又
は回転状態で現像処理され、その後高速回転させて現像
液の振切り、洗浄が行なわれる。エア供給体１９が作動
している間に処理済の半導体ウェハ２３は次工程へ搬送
され、未処理の半導体ウェハが搬入される。そのため、
ｔ２のＮ２の吸出し時間、ｔ３の吸引時間は配管の長さ
にもよるが、例えばそれぞれ１０秒ほどで終了するため
、半導体ウェハはそのまま設置されていた従来の２０〜
３０秒の吹出し時間の間に次工程を行ない、歩留りを向
上させることができる。
【００１０】以上の説明は現像液塗布方法の説明であっ
て、本発明は現像方法に限らず洗浄液、レジスト液、磁
性粉液等ノズルからの液状物の塗布方法であれば他の液
体を用いた工程に適用できる。
て、本発明は現像方法に限らず洗浄液、レジスト液、磁
性粉液等ノズルからの液状物の塗布方法であれば他の液
体を用いた工程に適用できる。
【００１１】
【発明の効果】上記の説明からも明らかなように、本発
明の液体塗布方法によれば、ノズル先端部内にて被塗布
液と気体を混合させて霧状にして被塗布液を供給した後
、ノズル外壁等に付着した残液を吸引することにより、
液滴が生じず高品位な製品を、しかも歩留りよく製造す
ることができる。
明の液体塗布方法によれば、ノズル先端部内にて被塗布
液と気体を混合させて霧状にして被塗布液を供給した後
、ノズル外壁等に付着した残液を吸引することにより、
液滴が生じず高品位な製品を、しかも歩留りよく製造す
ることができる。
【図１】本発明の液体塗布方法を適用するための現像装
置の構成図
置の構成図
【図２】図１に示す一実施例の要部の断面図
【図３】図
１に示す現像装置を用いた現像方法のタイムチャート
１に示す現像装置を用いた現像方法のタイムチャート
【図４】従来の方法の説明図
【図５】従来の方法の説明図
１５・・・・・・液体供給ノズル
１６・・・・・・気体供給ノズル
１７・・・・・・拡散孔
１８・・・・・・吸引装置
Claims (1)
- 【請求項１】液体供給ノズルから送出される液体及び先
端内壁に拡散孔を有し前記液体供給ノズルを包囲する気
体供給ノズルにより供給される気体を前記拡散孔に於い
て混合し、被処理体に噴霧して塗布する際に、前記液体
の供給を停止した後、前記気体供給ノズルで前記液体を
吸引することを特徴とする液体塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13796891A JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13796891A JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363170A true JPH04363170A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2911254B2 JP2911254B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15210952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13796891A Expired - Fee Related JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911254B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105195382B (zh) * | 2015-08-19 | 2017-12-22 | 韦凤艳 | 一种点胶装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP13796891A patent/JP2911254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2911254B2 (ja) | 1999-06-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |
|
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