JPS6129131A - 酸処理装置において基板に化学薬品を塗布する方法および装置 - Google Patents
酸処理装置において基板に化学薬品を塗布する方法および装置Info
- Publication number
- JPS6129131A JPS6129131A JP14146185A JP14146185A JPS6129131A JP S6129131 A JPS6129131 A JP S6129131A JP 14146185 A JP14146185 A JP 14146185A JP 14146185 A JP14146185 A JP 14146185A JP S6129131 A JPS6129131 A JP S6129131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- spray
- jets
- chemicals
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
- B01F25/00—Flow mixers; Mixers for falling materials, e.g. solid particles
- B01F25/20—Jet mixers, i.e. mixers using high-speed fluid streams
- B01F25/23—Mixing by intersecting jets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
- B05B7/08—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point
- B05B7/0807—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point to form intersecting jets
- B05B7/0846—Spray pistols; Apparatus for discharge with separate outlet orifices, e.g. to form parallel jets, i.e. the axis of the jets being parallel, to form intersecting jets, i.e. the axis of the jets converging but not necessarily intersecting at a point to form intersecting jets with jets being only jets constituted by a liquid or a mixture containing a liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板、たとえば、集積回路チップのような電子
装置の製造で用いるシリコン・ウェファーを処理する酸
処理装置、一層詳しくは、このような基板に化学薬品の
混合物を塗布する装置に関する。
装置の製造で用いるシリコン・ウェファーを処理する酸
処理装置、一層詳しくは、このような基板に化学薬品の
混合物を塗布する装置に関する。
集積回路チップのような電子装置の製造にあたっては、
酸処理装置を用いてシリコン・ウェファーのような基板
を処理している。このような基板の処理は多段階作業で
あり、実施している実際のプロセスに応じて、多種類の
化学薬品を順次にたとえば噴霧によって基板に塗布する
。各化学薬品処理段階を行なった後、水洗用液体、たと
えば水を用いる水洗段階を実施する。液体化学薬品を基
板またはウェファ−に塗布している処理段階の成る時に
、２種類あるいはそれ以上の種類の液体化学薬品を同時
に基板に塗布する。公知のプロセスでは、この後の手順
では、液体化学薬品をたとえば供給管路に沿って設置し
た混合室内で混合する。これらの供給管路は処理室内の
基板に液体化学薬品を向けるスプレー・ポストに化学薬
品を供給する。
酸処理装置を用いてシリコン・ウェファーのような基板
を処理している。このような基板の処理は多段階作業で
あり、実施している実際のプロセスに応じて、多種類の
化学薬品を順次にたとえば噴霧によって基板に塗布する
。各化学薬品処理段階を行なった後、水洗用液体、たと
えば水を用いる水洗段階を実施する。液体化学薬品を基
板またはウェファ−に塗布している処理段階の成る時に
、２種類あるいはそれ以上の種類の液体化学薬品を同時
に基板に塗布する。公知のプロセスでは、この後の手順
では、液体化学薬品をたとえば供給管路に沿って設置し
た混合室内で混合する。これらの供給管路は処理室内の
基板に液体化学薬品を向けるスプレー・ポストに化学薬
品を供給する。
このような基板のためのこのような化学薬品処理段階で
相互に混合され、使用される化学薬品の成るものは非常
に活性があり、特に他の活性の高い化学薬品と混ぜ合わ
した場合に取扱いに危険がある。たとえば、水酸化アン
モニウムをこのような基板の処理に伴なう成る段階にお
いて硝酸と混ぜ合わせなければならない。他の処理段階
では、濃縮塩酸を過酸化水素と混ぜ合わせねばならない
。これら非常に活性のある混合物は、基板に吹付けるた
めに処理室に供給するときに相互に混合した際に危険な
状態を惹起する化学薬品の代表的なものである。
相互に混合され、使用される化学薬品の成るものは非常
に活性があり、特に他の活性の高い化学薬品と混ぜ合わ
した場合に取扱いに危険がある。たとえば、水酸化アン
モニウムをこのような基板の処理に伴なう成る段階にお
いて硝酸と混ぜ合わせなければならない。他の処理段階
では、濃縮塩酸を過酸化水素と混ぜ合わせねばならない
。これら非常に活性のある混合物は、基板に吹付けるた
めに処理室に供給するときに相互に混合した際に危険な
状態を惹起する化学薬品の代表的なものである。
成る種の処理段階で相互に混ぜ合わせなければならない
他の化学薬品としては、混合した後に急速に分解して短
時間でその有効性を失う性質のものがある。たとえば、
水酸化アンモニウムは成る種の処理段階で過酸化水素と
混ぜ合わせることがあり、この化学薬品混合物は混合し
た後にほぼ瞬間的に基板に塗布しなければ、分解が始ま
ってその有効性が小さくなり、実施しているプロセスに
悪影響を与えることになる。
他の化学薬品としては、混合した後に急速に分解して短
時間でその有効性を失う性質のものがある。たとえば、
水酸化アンモニウムは成る種の処理段階で過酸化水素と
混ぜ合わせることがあり、この化学薬品混合物は混合し
た後にほぼ瞬間的に基板に塗布しなければ、分解が始ま
ってその有効性が小さくなり、実施しているプロセスに
悪影響を与えることになる。
本発明の目的は、酸処理において基板の処理に使用され
る非常に活性のある化学薬品の混合を改善して基板の面
に充分に強い化学薬品を確実に存在させ、それによって
、基板面での汚染物または他の化学薬品層の除去を促進
することにある。
る非常に活性のある化学薬品の混合を改善して基板の面
に充分に強い化学薬品を確実に存在させ、それによって
、基板面での汚染物または他の化学薬品層の除去を促進
することにある。
本発明の特徴は、処理室内の別々のスプレー・ポストに
個々の非常に活性のある化学薬品を供給し、これらのス
プレー・ポストから別々に化学薬品を噴射して霧化し、
処理している基板に向けることにある。２つの別々のス
プレｍ−ポストから同時に噴射され、霧化されたこれら
２種の化学薬品は基板の面に直接塗布されるにつれて相
互に完全に混ぜ合わされる。
個々の非常に活性のある化学薬品を供給し、これらのス
プレー・ポストから別々に化学薬品を噴射して霧化し、
処理している基板に向けることにある。２つの別々のス
プレｍ−ポストから同時に噴射され、霧化されたこれら
２種の化学薬品は基板の面に直接塗布されるにつれて相
互に完全に混ぜ合わされる。
基板の面に対して異なった角度で噴射され霧化された化
学薬品の完全な混合のために、基板の面に対して用いら
れるまでこれら化学薬品の強さは完全に保たれる。スプ
レー・ポストは処理室の周壁上に設置され、霧化された
液体化学薬品の噴流は互いに対して斜めの角度で送られ
、その結果、化学薬品の噴流はウェファ−の面のところ
で互いに横切り、完全に混ざり合う。
学薬品の完全な混合のために、基板の面に対して用いら
れるまでこれら化学薬品の強さは完全に保たれる。スプ
レー・ポストは処理室の周壁上に設置され、霧化された
液体化学薬品の噴流は互いに対して斜めの角度で送られ
、その結果、化学薬品の噴流はウェファ−の面のところ
で互いに横切り、完全に混ざり合う。
化学薬品が基板に塗布されつつあるときに基板すなわち
ウェファ−の面のところで非常に活性のある化学薬品を
混合することに“より、化学薬品混合物の反応性が基板
からの汚染物または他の化学薬品層の除去を助ける。処
理室内でのこれら非常に活性のある化学薬品の混合で、
化学薬品間のいかなる激烈な反応の危険も減じる。これ
は、処理室が°通気式となっており、これら非常に活性
のある化学薬品の混合中になんら過剰な圧力または温度
の発生をも防ぐからである。さらに、化学薬品を基板に
向って別々のスプレー・ポストから噴射、霧化するにつ
れてのこれら化学薬品の混合で、基板の面に塗布される
ときに可能な限り短い時間で化学薬品が混合され、その
強さおよび効果性を完全に保って基板の所望の処理を行
なうことができる。
ウェファ−の面のところで非常に活性のある化学薬品を
混合することに“より、化学薬品混合物の反応性が基板
からの汚染物または他の化学薬品層の除去を助ける。処
理室内でのこれら非常に活性のある化学薬品の混合で、
化学薬品間のいかなる激烈な反応の危険も減じる。これ
は、処理室が°通気式となっており、これら非常に活性
のある化学薬品の混合中になんら過剰な圧力または温度
の発生をも防ぐからである。さらに、化学薬品を基板に
向って別々のスプレー・ポストから噴射、霧化するにつ
れてのこれら化学薬品の混合で、基板の面に塗布される
ときに可能な限り短い時間で化学薬品が混合され、その
強さおよび効果性を完全に保って基板の所望の処理を行
なうことができる。
以下、本発明の一形態を第８図の概略図と一緒に第１〜
５図を参照しながら説明し、第２の変形形態を第６．７
図を参照しながら説明する。
５図を参照しながら説明し、第２の変形形態を第６．７
図を参照しながら説明する。
ステンレス鋼製のボウルまたはハウジング１０にカバー
１１が揺動して開くように取付けてあり、これらが基板
１４の酸処理を実施するための処理室１３を構成してい
る。基板１４は互いに隔たって閉じ込められ、室１３の
中央でキャリヤ１５内に置かれている。これらの基板は
、たいていの場合、シリコン・ウェファーであり、最終
的にウェファ−１４で形成される集積回路チップの製造
中に酸処理される。ウェファ−は矢印ａで示す
１ように回転させられる回転軸線とほぼ同心に、互いに
向い合って隔たりかつ整列した状態に保持されている。
１１が揺動して開くように取付けてあり、これらが基板
１４の酸処理を実施するための処理室１３を構成してい
る。基板１４は互いに隔たって閉じ込められ、室１３の
中央でキャリヤ１５内に置かれている。これらの基板は
、たいていの場合、シリコン・ウェファーであり、最終
的にウェファ−１４で形成される集積回路チップの製造
中に酸処理される。ウェファ−は矢印ａで示す
１ように回転させられる回転軸線とほぼ同心に、互いに
向い合って隔たりかつ整列した状態に保持されている。
キャリヤ１５は個々のウェファ−１４の間に隔離リブを
持つ開放骨組である。リテナ・バーまたはりテナ・ロッ
ド１５．１がキャリヤの開放側を横切っていて回転中に
ウェファ−をキャリヤ内に保持する。
持つ開放骨組である。リテナ・バーまたはりテナ・ロッ
ド１５．１がキャリヤの開放側を横切っていて回転中に
ウェファ−をキャリヤ内に保持する。
第２図において、ウェファ−およびキャリヤ１５の回転
軸線は符号１６で示しである。
軸線は符号１６で示しである。
ボウルｌＯはその側壁１０．１を貫いて開口する通気管
１７を有し、また、底壁１０．３を貫いて開口するドレ
ン１０．２も有する。この底壁上には、室１３に噴出し
たすべての液体が集められ、開放ドレン１０．２に排出
される。
１７を有し、また、底壁１０．３を貫いて開口するドレ
ン１０．２も有する。この底壁上には、室１３に噴出し
たすべての液体が集められ、開放ドレン１０．２に排出
される。
複数のスプレー・ポストまたはスプレー−ヘッド１８．
１９．２０がボウルの側壁１０．１に設けたスロット状
の開口内に装着してあり、これらのスプレー・ポストは
ボウルの円周方向に互いに隔たっている。スプレー・ポ
スト１８．１９は処理室１３内にウェファ−１４上にそ
こを横切って液体化学薬品を噴出するようになっている
。ここで、液体化学薬品スプレーｅポスト１８．１９が
茶ｆｊ ＩＩ／の固す白に互いに広（隔たっているので
、そこから発した２つの噴流パターン２１．２２の共通
方向が互いに関して斜めの角度となっていることが重要
である。噴流パターン２１の共通方向間・の角度は、絶
対的というわけではないが１本発明の目的のためには４
５度であるとうまく行くことが゛わかった。噴流パター
ンの角度は広い範囲にわたって、たとえば、２０度から
１２０度あるいはもっと大きな角度まで変えてもよい、
ここで重要なのは、別個の液体化学薬品スプレー・ポス
ト１８．１９からの２つの噴流パターン２１．２２がウ
ェファ−１４の面を横切って拭うときに互いに横切り合
うということである。これにより、別々のスプレｍ−ボ
スト１８．１９からの２種類の液体化学薬品がウェファ
−１４に塗布されるときに完全に混ぜ合わされることに
なる。
１９．２０がボウルの側壁１０．１に設けたスロット状
の開口内に装着してあり、これらのスプレー・ポストは
ボウルの円周方向に互いに隔たっている。スプレー・ポ
スト１８．１９は処理室１３内にウェファ−１４上にそ
こを横切って液体化学薬品を噴出するようになっている
。ここで、液体化学薬品スプレーｅポスト１８．１９が
茶ｆｊ ＩＩ／の固す白に互いに広（隔たっているので
、そこから発した２つの噴流パターン２１．２２の共通
方向が互いに関して斜めの角度となっていることが重要
である。噴流パターン２１の共通方向間・の角度は、絶
対的というわけではないが１本発明の目的のためには４
５度であるとうまく行くことが゛わかった。噴流パター
ンの角度は広い範囲にわたって、たとえば、２０度から
１２０度あるいはもっと大きな角度まで変えてもよい、
ここで重要なのは、別個の液体化学薬品スプレー・ポス
ト１８．１９からの２つの噴流パターン２１．２２がウ
ェファ−１４の面を横切って拭うときに互いに横切り合
うということである。これにより、別々のスプレｍ−ボ
スト１８．１９からの２種類の液体化学薬品がウェファ
−１４に塗布されるときに完全に混ぜ合わされることに
なる。
２種類の液体化学薬品はそれぞれ供給管路または供給パ
イプ２３．２４を通してスプレー・ポス）１８．１９に
供給される。スプレｍ−ボスト１８．１９は加圧不活性
ガス、たとえば、窒素を利用して霧化機能も果たす、窒
素はそれぞれ供給管路または供給パイプ２５．２６を通
じてスプレー・ボス）１８．１９に供給され、液体化学
薬品の噴出粒子をかなりの強さで破壊し、効果的に霧化
する。その方向はほぼ霧状である霧化噴流の噴流パター
ン２１．２２を発生するように決められており、その強
さおよび方向性は高度のものである。
イプ２３．２４を通してスプレー・ポス）１８．１９に
供給される。スプレｍ−ボスト１８．１９は加圧不活性
ガス、たとえば、窒素を利用して霧化機能も果たす、窒
素はそれぞれ供給管路または供給パイプ２５．２６を通
じてスプレー・ボス）１８．１９に供給され、液体化学
薬品の噴出粒子をかなりの強さで破壊し、効果的に霧化
する。その方向はほぼ霧状である霧化噴流の噴流パター
ン２１．２２を発生するように決められており、その強
さおよび方向性は高度のものである。
それぞれのスプレー・ボス）１８．１９からパターン２
１．２２として放出された噴流の結果として、霧化され
た液体化学薬品噴流は、ウェファ−の面に係合し、そこ
を拭ってあらゆる部分を処理するときに乱流効果によっ
て互いに完全に混ざり合うことになる。
１．２２として放出された噴流の結果として、霧化され
た液体化学薬品噴流は、ウェファ−の面に係合し、そこ
を拭ってあらゆる部分を処理するときに乱流効果によっ
て互いに完全に混ざり合うことになる。
スプレー・ポスト２０は全プロセスにおけるいくつかの
プロセス段階の間で基板に水洗用の水を噴射するように
なっており、この間、ノズル１８．１９からの噴流は化
学薬品スプレー・ポスト、供給管路の清掃の目的でかつ
異なった化学薬品に変更する目的で止められる。水洗用
水は供給管路２７を通してスプレー・ポスト２０に供給
される。加圧不活性ガス、たとえば、窒素がスプレー・
ポスト２０に供給管路または供給バイブ２８を通して供
給され、水洗用の水を霧化して処理されつつある基板１
４を完全に浸し、水洗いする。
プロセス段階の間で基板に水洗用の水を噴射するように
なっており、この間、ノズル１８．１９からの噴流は化
学薬品スプレー・ポスト、供給管路の清掃の目的でかつ
異なった化学薬品に変更する目的で止められる。水洗用
水は供給管路２７を通してスプレー・ポスト２０に供給
される。加圧不活性ガス、たとえば、窒素がスプレー・
ポスト２０に供給管路または供給バイブ２８を通して供
給され、水洗用の水を霧化して処理されつつある基板１
４を完全に浸し、水洗いする。
スプレｍ−ポスト１８．１９．２０について一層詳しく
説明すれば、これらスプレーｅポストはほとんど同じで
あり、１つのスプレー・ポストを理解すればすべてのス
プレーｅポストを理解したことになる。液体化学薬品ス
プレー・ポスト１８．１９と水洗用水スプレｍ−ポスト
２０の間には外側配管や接続のみが異なるだけである。
説明すれば、これらスプレーｅポストはほとんど同じで
あり、１つのスプレー・ポストを理解すればすべてのス
プレーｅポストを理解したことになる。液体化学薬品ス
プレー・ポスト１８．１９と水洗用水スプレｍ−ポスト
２０の間には外側配管や接続のみが異なるだけである。
スプレー・ポスト１８はそれをボウル壁１０．１に取付
けるための取付ブラケット２９を有する。前部取付フラ
ンジ３０がガスケット３０．１と一緒にボウル壁１０．
１の内面を押圧しており、スプ′−°ボ″１の後部３１
″ポウ″壁を貫°゛て突出 。
けるための取付ブラケット２９を有する。前部取付フラ
ンジ３０がガスケット３０．１と一緒にボウル壁１０．
１の内面を押圧しており、スプ′−°ボ″１の後部３１
″ポウ″壁を貫°゛て突出 。
しており、処理室１３の外側の供給管路の取付けを行な
っている。
っている。
スプレー・ポスト１８はそこを通して噴出させられる非
常に活性のある化学薬品に対して耐性の大きい不活性プ
ラスチックで作ってあり、テトラフルオロエチレンとし
て知られるプラスチック、すなわち、プラウエア州つイ
リミントン市のｄｕＦｏｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙの登録
商標Ｔｅｆｌ。
常に活性のある化学薬品に対して耐性の大きい不活性プ
ラスチックで作ってあり、テトラフルオロエチレンとし
て知られるプラスチック、すなわち、プラウエア州つイ
リミントン市のｄｕＦｏｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙの登録
商標Ｔｅｆｌ。
ｎと一般に呼ばれているフルオロカーボン物質でスプレ
ー・ポスト１８を作るとよいことがわ力１つだ。
ー・ポスト１８を作るとよいことがわ力１つだ。
スプレｍ−ポスト１８の前面３２にはそこを貫いて開口
する３組のオリフィス゛３３．３４．３５が設けである
。オリフィス３３．３５は液体化学薬品を運び、スプレ
ー・ポスト・ポデー３１の全長にわたって延びるマニホ
ルド３６．３７から供給される。マニホルドはオリフィ
ス３３．３５と交差してそれと連絡しており、また、ス
プレー・ポスト・ポデーの上下両端のところとその中間
のところに配置してあり、管継手４１．４２．４３を螺
合させたポー）４０に開口する供給ダクト３８．３９と
も交差し、それ、と連絡してｌ、Ｘる。上下の管継手４
２．４３は、それぞれ、ドレン・ノ々イブ４４．４５と
接続しており、これらのドレン・パイプはソレノイド作
動式ドレン弁４６を備えており、このドレン弁は開放ド
レン４７に接続してマニホルド３６．３７および供給管
路２３を水洗いするのに使用する。
する３組のオリフィス゛３３．３４．３５が設けである
。オリフィス３３．３５は液体化学薬品を運び、スプレ
ー・ポスト・ポデー３１の全長にわたって延びるマニホ
ルド３６．３７から供給される。マニホルドはオリフィ
ス３３．３５と交差してそれと連絡しており、また、ス
プレー・ポスト・ポデーの上下両端のところとその中間
のところに配置してあり、管継手４１．４２．４３を螺
合させたポー）４０に開口する供給ダクト３８．３９と
も交差し、それ、と連絡してｌ、Ｘる。上下の管継手４
２．４３は、それぞれ、ドレン・ノ々イブ４４．４５と
接続しており、これらのドレン・パイプはソレノイド作
動式ドレン弁４６を備えており、このドレン弁は開放ド
レン４７に接続してマニホルド３６．３７および供給管
路２３を水洗いするのに使用する。
スプレー・ポスト・ポデーはそれの全長にわたって延び
るガス・マニホルド４８も有し、このマニホルドはガス
噴出オリフィス４と交差している。ガス・マニホルド４
８′はその上端に管継手４９を受は入れていて供給管路
２８に接続している。
るガス・マニホルド４８も有し、このマニホルドはガス
噴出オリフィス４と交差している。ガス・マニホルド４
８′はその上端に管継手４９を受は入れていて供給管路
２８に接続している。
水洗用水スプレー・ポスト２０において、供給管継手４
１が水洗用水供給管路２７に接続し、水洗用水スプレー
Φポストでは、他のポート４０がプラグ４９．１で塞が
れている。
１が水洗用水供給管路２７に接続し、水洗用水スプレー
Φポストでは、他のポート４０がプラグ４９．１で塞が
れている。
スプレー・ポスト１８．１９．２０のすべてにおいて、
ガス・マニホルド４８の下端はプラグ５０で塞がれてい
る。
ガス・マニホルド４８の下端はプラグ５０で塞がれてい
る。
第８図の概略ダイアグラムにおいてわかるように、化学
薬品供給管路２３．２４の各々は多数の化学薬品原管路
５１．５２に接続してあり、この化学薬品原管路の各々
はオン・オフ弁５３．５４によって制御される。その結
果、３つの異なった化学薬品源を選択的に供給管路２３
に接続することができ、また、３つより多い化学薬品源
を供給管路２４に選択的に接続することができる。処理
室内の基板１４を横切るときに相互に混ぜ合わされるべ
き化学薬品は別個の供給管路２３．２４を通して供給さ
れることになる。たとえば、水酸化アンモニウムと硝酸
を基板１４に塗布するときに混ぜ合わせようとしている
場合、水酸化アンモニウムを原管路５１の１つに接続し
て化学薬品供給管路２３を通してスプレー・ポスト１８
に供給し、硝酸を原管路５２の１つに接続して弁５４の
１つで制御し、化学薬品供給管路２４を通してスプレー
・ポスト１９に供給することになる。
薬品供給管路２３．２４の各々は多数の化学薬品原管路
５１．５２に接続してあり、この化学薬品原管路の各々
はオン・オフ弁５３．５４によって制御される。その結
果、３つの異なった化学薬品源を選択的に供給管路２３
に接続することができ、また、３つより多い化学薬品源
を供給管路２４に選択的に接続することができる。処理
室内の基板１４を横切るときに相互に混ぜ合わされるべ
き化学薬品は別個の供給管路２３．２４を通して供給さ
れることになる。たとえば、水酸化アンモニウムと硝酸
を基板１４に塗布するときに混ぜ合わせようとしている
場合、水酸化アンモニウムを原管路５１の１つに接続し
て化学薬品供給管路２３を通してスプレー・ポスト１８
に供給し、硝酸を原管路５２の１つに接続して弁５４の
１つで制御し、化学薬品供給管路２４を通してスプレー
・ポスト１９に供給することになる。
同様ｔ、塩酸を基板１４を横切ってそこを拭うときに過
酸化水素と混ぜ合わせるつもりの場合、塩酸を原管路５
３の１つに接続し、成る弁５３で制御し、過酸化水素を
原管路５２の１つを通して供給し、それぞれの弁５４で
制御することになる。
酸化水素と混ぜ合わせるつもりの場合、塩酸を原管路５
３の１つに接続し、成る弁５３で制御し、過酸化水素を
原管路５２の１つを通して供給し、それぞれの弁５４で
制御することになる。
供給管路２５．２６．２８に送る窒素は別々の弁２５．
ｌ、２６．１および２８．１によって制御される。水洗
用水供給管路２７への水洗用の水はオン会オフ弁２７．
１によって制御される。
ｌ、２６．１および２８．１によって制御される。水洗
用水供給管路２７への水洗用の水はオン会オフ弁２７．
１によって制御される。
マニホルドーバ斗プ５５が２つの化学薬品供給管路２３
．２４間に接続してあり、（れらの間には化学薬品の逆
流を防ぐ逆止弁５６が設けである。ガス弁５８によって
制御されるガス源管路５７がマニホルド管路５５および
供給管路２３．２４に不活性ガス、たとえば、窒素を供
給し、水洗サイクル中にこれらの管路のパージを行なう
。水洗用水源管路５９も５にいどる弁すなわち流れ絞り
６０を介してマニホルド管路５５に接続してあり、供給
管路２３．２４およびスプレーφボスト１８．１９に水
洗用の水を与える゛、中央プロセス制御器６２がこのシ
ステム内のすべての弁を制御する。これらの弁はすべて
ンレノイド弁であり、水洗用水の流量を調節するために
手動操作されるニードル弁６０を除いて電気的に制御さ
れる。
．２４間に接続してあり、（れらの間には化学薬品の逆
流を防ぐ逆止弁５６が設けである。ガス弁５８によって
制御されるガス源管路５７がマニホルド管路５５および
供給管路２３．２４に不活性ガス、たとえば、窒素を供
給し、水洗サイクル中にこれらの管路のパージを行なう
。水洗用水源管路５９も５にいどる弁すなわち流れ絞り
６０を介してマニホルド管路５５に接続してあり、供給
管路２３．２４およびスプレーφボスト１８．１９に水
洗用の水を与える゛、中央プロセス制御器６２がこのシ
ステム内のすべての弁を制御する。これらの弁はすべて
ンレノイド弁であり、水洗用水の流量を調節するために
手動操作されるニードル弁６０を除いて電気的に制御さ
れる。
第６．７図に示すマニホルド形態では、ただ１つの基板
すなわちウェファ−６３がハウジング６５で囲まれた処
理室６４内に閉じ込められ、矢印すで示すように回転す
る回転可能真空チャック６７上に保持されている。ハウ
ジング６５は別体の化学薬品スプレー・ポストまたはス
プレｍ−ヘッド１８′、１９′と水洗用水スプレー−ボ
ストすなわちスプレ−０ヘッド２０’とを有し、各スプ
レー・ポストは第１〜５図に関連して説明したようにそ
れぞれ液体供給管路およびガス供給管路と接続している
。処理室６４内でただ１つの基板６３を処理しているが
、室壁の周方向に隔たっている源から噴流パターン２１
′、２２′が発出し、第１図に関連して説明したように
噴流パターン２１′、２２′の方向が互いに斜めの角度
となる。
すなわちウェファ−６３がハウジング６５で囲まれた処
理室６４内に閉じ込められ、矢印すで示すように回転す
る回転可能真空チャック６７上に保持されている。ハウ
ジング６５は別体の化学薬品スプレー・ポストまたはス
プレｍ−ヘッド１８′、１９′と水洗用水スプレー−ボ
ストすなわちスプレ−０ヘッド２０’とを有し、各スプ
レー・ポストは第１〜５図に関連して説明したようにそ
れぞれ液体供給管路およびガス供給管路と接続している
。処理室６４内でただ１つの基板６３を処理しているが
、室壁の周方向に隔たっている源から噴流パターン２１
′、２２′が発出し、第１図に関連して説明したように
噴流パターン２１′、２２′の方向が互いに斜めの角度
となる。
噴流パターンはウェファ−６３を横切って払拭し、互い
に横切り合い、ただ一枚のウェファ−６３に塗布すると
きに互いに完全に混ざり合う。
に横切り合い、ただ一枚のウェファ−６３に塗布すると
きに互いに完全に混ざり合う。
処理し、ただ１種類の化学薬品を処理室内の別個のスプ
レー・ポストに供給してこのような化学薬品を処理され
つつある基板上にかつそこを横切って送り、また、噴流
パターンが斜めの角度で互いに横切り合って別々の化学
薬品を明確に混ぜ合わせることはわかるであろう。その
結果、化薯薬品の反応性は基板の面から汚染物、他の化
学薬品層および粒子を除去し易くする。化学薬品力１基
板の面に塗布されるときにできる暉り瞬間的に互いに混
ぜ合わされるので、２種類の化学薬品を混合する際５の
反応の危険は最小限となる。これは、この混合がぎりぎ
りの瞬間に通気式室内で生じるからである。さらに、成
る例で混合によって生じ／る可能性のある化学薬品の部
内の可能性も最低限となる。
レー・ポストに供給してこのような化学薬品を処理され
つつある基板上にかつそこを横切って送り、また、噴流
パターンが斜めの角度で互いに横切り合って別々の化学
薬品を明確に混ぜ合わせることはわかるであろう。その
結果、化薯薬品の反応性は基板の面から汚染物、他の化
学薬品層および粒子を除去し易くする。化学薬品力１基
板の面に塗布されるときにできる暉り瞬間的に互いに混
ぜ合わされるので、２種類の化学薬品を混合する際５の
反応の危険は最小限となる。これは、この混合がぎりぎ
りの瞬間に通気式室内で生じるからである。さらに、成
る例で混合によって生じ／る可能性のある化学薬品の部
内の可能性も最低限となる。
第１図は本発明による処理室をカバーを取除いた状態で
示す平面図である。 第２図は第１図の２−２線に沿った詳細断面図第３図は
スプレー・ボストの１つおよびその配管接続の拡大詳細
側面図である。 第４図は水洗用水スプレー・ポストおよぼその配管接続
の詳細側面図である。 第５図は第３図のほぼ５−５線に沿った拡大詳細部を示
す図である。 第６図は本発明の変形形態を説明する処理室内を覗いた
頂面図であり、はぼ第７図の６−６線に沿った図でもあ
る。 第７図は第６図のほぼ７−７線に沿った断面図で、カバ
ーを閉じた状態で示す図である。 第８図は処理室のスプレー・ポストに液体化学薬品およ
び水洗用水を供給する接続部および配管の概略ダイアグ
ラムである。 図面において、１０・・・ハウジング、１１−争・カバ
ー、１３・・φ処理室、１４・・・基板、１５・・・キ
ャリヤ、１８．１９．２０・・拳スプレー・ボスト、２
１．２２−−・噴流ハターン、２５．２６−・・供給管
路、２７−・・供給管路、３３．３４．３５・・・オリ
フィス、３６．３７・争・マニホルド、３８．３９φ・
・供給ダクト、４４・・・ドレン・パイプ、４７−・−
開放トレン、４８・・・ガスΦマニホルド、５５・壷・
マニホルド−バイブ、５６ｅ・・逆止弁、５９・φ・水
洗用水源管路、６０・・・ニードル弁
示す平面図である。 第２図は第１図の２−２線に沿った詳細断面図第３図は
スプレー・ボストの１つおよびその配管接続の拡大詳細
側面図である。 第４図は水洗用水スプレー・ポストおよぼその配管接続
の詳細側面図である。 第５図は第３図のほぼ５−５線に沿った拡大詳細部を示
す図である。 第６図は本発明の変形形態を説明する処理室内を覗いた
頂面図であり、はぼ第７図の６−６線に沿った図でもあ
る。 第７図は第６図のほぼ７−７線に沿った断面図で、カバ
ーを閉じた状態で示す図である。 第８図は処理室のスプレー・ポストに液体化学薬品およ
び水洗用水を供給する接続部および配管の概略ダイアグ
ラムである。 図面において、１０・・・ハウジング、１１−争・カバ
ー、１３・・φ処理室、１４・・・基板、１５・・・キ
ャリヤ、１８．１９．２０・・拳スプレー・ボスト、２
１．２２−−・噴流ハターン、２５．２６−・・供給管
路、２７−・・供給管路、３３．３４．３５・・・オリ
フィス、３６．３７・争・マニホルド、３８．３９φ・
・供給ダクト、４４・・・ドレン・パイプ、４７−・−
開放トレン、４８・・・ガスΦマニホルド、５５・壷・
マニホルド−バイブ、５６ｅ・・逆止弁、５９・φ・水
洗用水源管路、６０・・・ニードル弁
Claims (8)
- （１）、酸処理装置において基板を処理する段階で使用
する非常に活性のある化学薬品を混合する方法であって
、 密閉してあるが通気もしてある処理室内に少なくとも一
枚の基板を閉じ込める段階と、 第１の液体化学薬品の第１の方向性のある噴流を第１ス
プレー源から室内の基板に向ける段階と、 同時に第２の液体化学薬品の第２の方向性ある噴流を第
２のスプレー源から室内の基板に向ける段階と からなり、第１、第２の噴流を互いに対して斜めの角度
でかつ基板のところで互いを横切るように方向付けて基
板に塗布しながら互いに全体的に混ぜ合わせることを特
徴とする方法。 - （２）、特許請求の範囲第１項記載の方法において、基
板と第１、第２の方向性ある噴流を互いに対して方向付
けてこれら方向性のある噴流が基板の片面を横切りかつ
その上を拭うようにしたことを特徴とする方法。 - （３）、特許請求の範囲第１項記載の方法において、第
１、第２の噴流を基板周縁を横切りかつ丸い基板の直径
を横切るように方向付けかつ噴流の方向の横方向に延び
るようにしたことを特徴とする方法。 - （４）、特許請求の範囲第１項記載の方法において、多
数の付加的な基板を互いに間隔を置いて向い合いかつ整
列した状態で室内に閉じ込め、前記第１、第２の噴流を
これら多数の基板に、向け、そこで混合を行なうように
したことを特徴とする方法。 - （５）、特許請求の範囲第１項記載の方法において、前
記基板がシリコン・ウェファーであることを特徴とする
方法。 - （６）、酸処理装置において基板に処理用化学薬品を塗
布する装置であって、 通気式処理室を構成し、基板を支える位置決め手段を有
する閉鎖手段と、 この閉鎖手段上に互いに隔たって設けた一対の液体化学
薬品スプレー・ポストであり、異なった方向に向いてい
て異なった方向で位置決め手段に向けかつ基板上に噴流
を放出し、これらの噴流が互いに横切り合って基板に塗
布されるときに液体化学薬品の全体的な混合を行なうよ
うにした一対の液体化学薬品スプレー・ポストと、 これらスプレー・ポストに接続してあり、それぞれのス
プレー・ポストに別々の液体化学薬品を同時に供給する
供給手段と を包含することを特徴とする装置。 - （７）、特許請求の範囲第６項記載の装置において、閉
鎖手段が周壁を有し、スプレー・ポストがこの周壁上に
装着してあることを特徴とする装置。 - （８）、特許請求の範囲第６項記載の装置において、供
給手段が両スプレー・ポストに不活性ガスも供給し、ス
プレー・ポストが不活性ガスを受け、液体噴流に不活性
ガスを噴出し、これらの噴流を霧化してから基板に向け
、そこで混合させる噴出手段を有することを特徴とする
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US626640 | 1984-07-02 | ||
| US06/626,640 US4609575A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Method of apparatus for applying chemicals to substrates in an acid processing system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129131A true JPS6129131A (ja) | 1986-02-10 |
| JPH0234168B2 JPH0234168B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=24511227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14146185A Granted JPS6129131A (ja) | 1984-07-02 | 1985-06-27 | 酸処理装置において基板に化学薬品を塗布する方法および装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4609575A (ja) |
| JP (1) | JPS6129131A (ja) |
| DE (1) | DE3523509A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3735676C1 (de) * | 1987-10-22 | 1988-12-22 | Draegerwerk Ag | Stroemungspruefer |
| DE8804860U1 (de) * | 1988-04-13 | 1988-06-16 | Bäurle, Heinz | Vorrichtung zur Aufnahme mit Hochdruck-Wasser- bzw. -Dampfstrahl zu reinigender Teile |
| US4973379A (en) * | 1988-12-21 | 1990-11-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method of aerosol jet etching |
| US5041229A (en) * | 1988-12-21 | 1991-08-20 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Aerosol jet etching |
| DE3903607A1 (de) * | 1989-02-08 | 1990-08-09 | Leybold Ag | Vorrichtung zum reinigen, pruefen und einordnen von werkstuecken |
| JP2670835B2 (ja) * | 1989-02-10 | 1997-10-29 | 日本シイエムケイ株式会社 | 微細パターン形成用エッチング方法とエッチング装置 |
| US4900395A (en) * | 1989-04-07 | 1990-02-13 | Fsi International, Inc. | HF gas etching of wafers in an acid processor |
| US5087323A (en) * | 1990-07-12 | 1992-02-11 | Idaho Research Foundation, Inc. | Fine line pattern formation by aerosol centrifuge etching technique |
| DE9013668U1 (de) * | 1990-09-29 | 1992-01-30 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung für die Halbleitertechnik |
| US5232328A (en) * | 1991-03-05 | 1993-08-03 | Semitool, Inc. | Robot loadable centrifugal semiconductor processor with extendible rotor |
| DE9103494U1 (de) * | 1991-03-21 | 1992-07-16 | HAMATECH Halbleiter-Maschinenbau und Technologie GmbH, 7137 Sternenfels | Vorrichtung zur Belackung von Substraten |
| US5316035A (en) * | 1993-02-19 | 1994-05-31 | Fluoroware, Inc. | Capacitive proximity monitoring device for corrosive atmosphere environment |
| EP0811083B1 (en) * | 1995-12-19 | 2000-05-31 | FSI International | Electroless deposition of metal films with spray processor |
| US5861064A (en) * | 1997-03-17 | 1999-01-19 | Fsi Int Inc | Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries |
| US6265020B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-07-24 | Shipley Company, L.L.C. | Fluid delivery systems for electronic device manufacture |
| US6340395B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-01-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Salsa clean process |
| JP3662484B2 (ja) * | 2000-08-09 | 2005-06-22 | エム・エフエスアイ株式会社 | ウェット処理方法及びウェット処理装置 |
| DE10115376B4 (de) * | 2001-03-28 | 2006-03-16 | EISENMANN Fördertechnik GmbH & Co. KG | Anlage zum Pulverlackieren von Gegenständen |
| US6589595B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-07-08 | Chemtek, Inc. | Method and apparatus for preventing asphalt from sticking to paving equipment |
| US6685815B2 (en) | 2002-01-14 | 2004-02-03 | Applied Materials Inc. | Electroplating of semiconductor wafers |
| JP4459565B2 (ja) * | 2003-07-07 | 2010-04-28 | 日清紡ホールディングス株式会社 | 静電塗装装置 |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7371022B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-13 | Sokudo Co., Ltd. | Developer endpoint detection in a track lithography system |
| KR101255048B1 (ko) | 2005-04-01 | 2013-04-16 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리 유체를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는데 이용되는 장치용 배리어 구조 및 노즐 장치 |
| CN104319249B (zh) * | 2006-07-07 | 2017-11-07 | Tel Fsi股份有限公司 | 用于处理微电子工件的设备 |
| CN101495248A (zh) * | 2006-07-07 | 2009-07-29 | Fsi国际公司 | 液体气溶胶颗粒去除方法 |
| KR101060664B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2011-08-31 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 하나 이상의 처리유체로 전자소자를 처리하는 장비의 배리어 판 및 벤튜리 시스템의 세정방법 및 관련 장치 |
| KR20110005699A (ko) | 2008-05-09 | 2011-01-18 | 에프에스아이 인터내쇼날 인크. | 개방 동작 모드와 폐쇄 동작 모드사이를 용이하게 변경하는 처리실 설계를 이용하여 마이크로일렉트로닉 워크피이스를 처리하는 공구 및 방법 |
| US11244841B2 (en) | 2017-12-01 | 2022-02-08 | Elemental Scientific, Inc. | Systems for integrated decomposition and scanning of a semiconducting wafer |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE249678C (ja) * | ||||
| US2249205A (en) * | 1934-05-12 | 1941-07-15 | American Anode Inc | Method and apparatus for applying temporary protective coatings to articles |
| US3027869A (en) * | 1957-01-11 | 1962-04-03 | Cleanola Company | Spray apparatus for applying coatings |
| US2956900A (en) * | 1958-07-25 | 1960-10-18 | Alpha Metal Lab Inc | Nickel coating composition and method of coating |
| GB1278268A (en) * | 1968-08-05 | 1972-06-21 | Colin Clayton Mayers | Method and apparatus for polishing glassware |
| US4161356A (en) * | 1977-01-21 | 1979-07-17 | Burchard John S | Apparatus for in-situ processing of photoplates |
| JPS53146574A (en) * | 1977-05-27 | 1978-12-20 | Hitachi Ltd | Etching method for semiconductor element |
| JPS585107B2 (ja) * | 1978-12-27 | 1983-01-29 | ワイケイケイ株式会社 | 小物品の塗装装置 |
| US4286541A (en) * | 1979-07-26 | 1981-09-01 | Fsi Corporation | Applying photoresist onto silicon wafers |
| US4425868A (en) * | 1981-12-28 | 1984-01-17 | Thatcher Glass Corporation | Coating hood |
-
1984
- 1984-07-02 US US06/626,640 patent/US4609575A/en not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14146185A patent/JPS6129131A/ja active Granted
- 1985-07-01 DE DE19853523509 patent/DE3523509A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4609575A (en) | 1986-09-02 |
| DE3523509A1 (de) | 1986-02-27 |
| DE3523509C2 (ja) | 1993-05-19 |
| JPH0234168B2 (ja) | 1990-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6129131A (ja) | 酸処理装置において基板に化学薬品を塗布する方法および装置 | |
| US4682615A (en) | Rinsing in acid processing of substrates | |
| US3990462A (en) | Substrate stripping and cleaning apparatus | |
| CN108074858A (zh) | 基板湿式处理装置 | |
| TWI462146B (zh) | 在用以處理具有一或多種處理流體之微電子工件的工具中用於障壁板及文氏管密封系統之沖洗方法及相關裝置 | |
| JPS63136528A (ja) | 処理液塗布装置 | |
| KR101188293B1 (ko) | 2가지 유체의 분사 노즐 장치 | |
| US9887107B2 (en) | Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces | |
| US4801335A (en) | Rinsing in acid processing of substrates | |
| JPH0240747B2 (ja) | ||
| CN114823431B (zh) | 一种用于清洗晶圆的喷射装置 | |
| JPH03186369A (ja) | 薬液噴霧ノズル | |
| JPH08224510A (ja) | ロボット洗浄装置及びロボット洗浄装置用ノズル | |
| KR20080054147A (ko) | 습식 설비의 약액 분사 장치 | |
| KR20070076527A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US11728185B2 (en) | Steam-assisted single substrate cleaning process and apparatus | |
| JPH01130773A (ja) | 金属線条の洗浄装置 | |
| JP4484861B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP4759395B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| US20030221712A1 (en) | Shower tubing for PRS wet bench | |
| JPS6121755A (ja) | スプレー・ポスト | |
| JPH05347289A (ja) | ウエ−ハ洗浄方法及び装置 | |
| JPH09287874A (ja) | 被処理物の液切り方法 | |
| JPH036013A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002190465A (ja) | 半導体ウエハの表面処理方法及びその装置 |