CN101495248A - 液体气溶胶颗粒去除方法 - Google Patents

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Abstract

通过包括以下步骤的方法从基材(13)的表面上除去颗粒：使包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴在足以从该表面上除去颗粒的力下接触该表面。

Description

液体气溶胶颗粒去除方法
本申请要求于2006年7月7日提交的标题为″液体气溶胶颗粒去除方法″的美国临时申请序列号60/819,179的利益，该申请在此全文引入作为参考。
发明领域
本发明涉及从基材去除颗粒。更具体地说，本发明涉及用包含表面活性化合物的液体气溶胶从基材除去颗粒的用途。
发明背景
在微电子器件，例如包括半导体晶片和其它微电子器件的那些微电子器件的加工中，在加工的各个阶段中任一个，基材表面清洁度在几乎所有加工方面变得越来越关键。表面清洁度按许多方法度量并且将颗粒存在和/或水斑点视为可能影响微电子器件制造的污染物。微电子器件包括，例如，在加工任何阶段的半导体晶片和器件例如平面显示器、微电机系统(MEMS)、高级电气互连系统、光学组件和器件、海量数据存储器件的组件(盘驱动件)等。一般而言，为了使从半导体晶片制造器件的生产率最大化和满足对这些器件确定的质量标准，同时以有效果和高效率的加工步骤这样进行，这些基材上越来越小的颗粒的量的减少是希望的。
微电子器件的湿法加工中的代表性步骤包括微电子器件蚀刻、冲洗和干燥。本文所使用的湿法加工包括浸渍加工，其中让微电子器件的至少一部分经历浸渍一段所需时间，和喷雾加工，其中将加工流体(包括冲洗流体)散布到器件表面上。微电子器件加工通常包括一系列离散步骤例如包括清洁和/或湿蚀刻步骤接着冲洗和干燥。这些步骤可以包括将适合的处理化学品涂覆到基材表面上，例如气态或液态清洁液或蚀刻或氧化剂。然后优选通过后续冲洗步骤除去这些清洁液或蚀刻或氧化剂，该冲洗步骤使用冲洗流体例如去离子水(DI水)以稀释和最终冲走早先涂覆的物质。通过足够的蚀刻去除硅表面上的天然氧化物通常使该硅表面从亲水性改变并且导致此种HF最后蚀刻的表面为疏水性表面。
在浸渍加工的情况下，将一个或多个基材从冲洗槽(众所周知，例如级联型冲洗器)提起或让液体落入容器内可以在器件被充分地冲洗之后进行以使该器件与冲洗液体分离。对于喷雾加工，将冲洗流体散布到器件表面上保持确定的期间，与此同时和/或此后，以有效从器件表面甩去该冲洗流体的速度使该器件(或以堆叠体形式在转盘上的多个器件)转动或旋转。在浸渍或喷雾加工中，此种冲洗/干燥工艺的目标是有效地干燥被加工的器件，即以物理方式除去尽可能多的冲洗流体，以减少在冲洗之后留下来待从该器件表面蒸发的流体的量。冲洗流体的蒸发可能留下曾悬浮在流体内的任何污染物或颗粒。
对于在冲洗步骤之后冲洗流体从微电子器件的增强分离或去除，已经开发了引入某些化合物的技术，所述化合物在和接近流体与器件表面的分离点处在冲洗流体内产生表面张力梯度。这样的效果(通常称作马兰各尼效应)是增强冲洗流体(通常是DI水)在浸渍分离中将器件与液浴分离或在喷雾散布的情况下使器件旋转的作用下从该器件表面流下的能力。采用这些技术已经发现在亲水性或疏水性器件表面上冲洗流体的去除被增强。影响表面张力和产生此种表面张力梯度的化合物是已知的并且包括异丙醇(IPA)、1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇和乙二醇。参见例如，对于浸渍型容器，Mohindra等人的美国专利号5,571,337，对于旋转散布设备，Leenaars等人的美国专利号5,271,774，它们中的每一篇使用马兰各尼效应作为冲洗流体去除的一部分。
获得其中加工流体从水平转动基材的更好去除的基材的尝试在Mertens等人的美国专利号6,568,408中进行了描述。描述了可控制地产生清晰界定的液体-蒸气边界的方法和设备，该边界连同移动液体和蒸气输送喷嘴一起跨越基材表面。如Mertens等人的专利所述，通过蒸气向该边界的特定输送理论上在此种边界内产生表面张力梯度，因为该蒸气可混容在该液体内以便增强基于马兰各尼效应的液体去除。此种系统对亲水性表面可能是更有效的，但是显著地增加系统的复杂性和在足够冲洗流体去除的情况下达到冲洗所需要的控制方式。此种系统的有效性对于完全疏水性表面，例如HF持续蚀刻的硅晶片显著地更低，其中仍希望减少污染物，例如小颗粒。
上面指出的Leenaars等人的美国专利号5,271,774描述了在基材表面被冲洗并在该基材表面上留下水膜层(因为水膜层自然地形成于亲水性晶片表面上)接着转动之后向基材表面输送有机溶剂蒸气的设备和方法。将有机溶剂蒸气引入加工腔室，优选由蒸汽温度控制的不饱和蒸气。′774专利的图2、3和5示出了从基材表面上的冲洗水膜开始接着该膜破由于接触到有机溶剂蒸气而碎成较稠液滴的程序。然后，该液滴更容易地从表面通过转动甩掉。然而，该有机溶剂蒸气的作用是从水膜产生液滴，因为此种薄膜层可能地提供在亲水性表面上，此种作用在用水冲洗疏水性表面的情况中是不作要求的，因为相同的效果自然地产生。对于疏水性表面，冲洗水由于该器件表面的性质而在该表面上成珠子液滴。同样，仍需要改进污染物在所有表面上的减少，但是尤其是对疏水性器件表面。
例如，提高颗粒去除效率(PRE)同时使基材的氧化物(例如二氧化硅)损失与损坏最小化是合乎需要的。常规上，从微电子基材除去颗粒依靠某些化学品和/或物理作用(例如兆声)。许多常规方法的缺陷是它们由于化学作用过度地蚀刻基材和/或由于物理作用过度地破坏基材。例如，常规的单基材喷雾处理器可以清洁基材同时提供较低破坏，因为它们主要依赖化学作用，然而它们倾向于过度地蚀刻。
美国专利申请公开号2002/0170573中描述了器件例如半导体晶片的冲洗和加工方法，其中使用表面张力降低剂冲洗该器件。该方法可以包括后续干燥步骤，该后续干燥步骤优选包括在至少部分干燥期间使用表面张力降低剂。
喷雾加工系统中的增强冲洗方法在标题为：APPARATUS AND METHODFOR SPIN DRYING A MICROELECTRONIC SUBSTRATE的美国申请序列号11/096,935中进行了描述。在其中描述的方法中，将干燥增强物质输送到加工腔室内的气体环境中以致该干燥提高物质按小于其饱和点的所需浓度存在于该加工腔室的气体环境内，从而为该干燥增强物质设定露点。当至少在该冲洗步骤的最终一部分期间散布时，控制冲洗流体的温度到小于该加工腔室内的干燥增强物质的露点。
加工一个或多个半导体晶片的方法在美国专利申请公开号2005/0000549中进行了描述，其中该一个或多个晶片在气态抗静电剂的存在下加工。加工可以包括在气态抗静电剂存在下进行一个或多个化学处理、冲洗和/或干燥步骤。干燥步骤还可以包括将干燥增强物质，例如异丙醇，引入加工腔室。
已经发行了与其中喷嘴朝基材射出液滴的清洁设备构型有关的许多专利。如此提供的设备据说除去与基材表面粘附的污染物。参见美国专利号5,873,380；5,918,817；5,934,566；6,048,409和6,708,903。其中所公开的喷口包括各种喷嘴构型。这些公开内容考虑散布液滴，该液滴包含是纯水的液体，或有时是洗涤液的附加化学品(在美国专利号6,048,409第9栏第67行到第9栏第1行公开是除纯水以外的酸或碱化学品)。
发明概述
已经发现可以通过一种方法从基材表面除去颗粒，该方法包括使包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴在足以从该表面上除去颗粒的力下接触该表面。已经发现，将表面活性化合物引入气溶胶液滴的组合物与使该气溶胶液滴与表面有力接触的组合出人意料地提供出众的颗粒去除效果。因此，一方面，待施加到基材上的组合物的选择令人惊奇地提高气溶胶在基材上的有力冲击以便去除颗粒的有效性。类似地，将包含表面活性化合物的组合物作为有力的液体气溶胶施加到基材上与将包含表面活性化合物的相同组合物作为温和冲洗物相比提供优异的颗粒去除效果。虽然不希望受理论束缚，但是应相信表面活性化合物在液滴中的存在降低液滴组合物当它撞击基材表面时的表面张力，从而使该液滴当与该表面冲击时进一步铺展和提高颗粒去除有效性。
在本发明的一个实施方案中，该液体气溶胶液滴包含水并且在该液滴形成时还包含表面活性化合物。虽然不希望受理论束缚，应相信在气溶胶液滴形成时水和表面活性化合物的组合提供该表面活性化合物在该液滴内的优异引入和分布。
在本发明的一个实施方案中，在液滴形成之前将表面活性化合物引入气溶胶液滴的液体。在一个更优选的实施方案中，如下将表面活性化合物在气溶胶液滴的形成期间引入该气溶胶液滴的液体：让包含水的液体组合物的至少一个料流与含表面活性化合物蒸气的气体的至少一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
在本发明的另一个实施方案中，在没有表面活性化合物的情况下形成液体气溶胶液滴，并让它在接触所述表面之前穿过含表面活性化合物的气氛。
本发明基材清洁方法是独特的，因为它使用物理颗粒去除作用，而不会过度破坏基材。有利地，此种雾化液体可用于微电子加工设备以获得迄今无法获得的清洁结果，例如达到非一般的颗粒去除效率(″PRE″)，而不会损失不希望量的氧化物和不会过度破坏基材。在本发明的一个实施方案中，本发明方法提供与不使用本发明方法的类似系统相比改进的PRE。因此，可以观察到大于3％，更优选大于5％的对包括本发明方法的完整清洁过程的PRE改进。
附图简述
收入并构成本申请一部分的附图举例说明了本发明的若干方面并且连同实施方案的描述一起用来解释本发明的原理。附图简要描述如下：
图1是可以进行本发明方法的设备的示意图。
图2是进行本发明方法的一个实施方案的喷雾棒的剖面图。
当前优选的实施方案的详细描述
下面描述的本发明实施方案没有穷举或将本发明限制到以下详细描述中公开的精确形式的意图。相反，所选定并描述的实施方案的目的是使得可以便于本领域技术人员领会和理解本发明的原理和实践。
如上所述，本发明考虑通过使包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴在足以从该表面上除去颗粒的力下接触表面来去除颗粒。因为将液体气溶胶液滴强制引导至基材表面，所以按超过用相同组合物通过常规冲洗从该表面冲洗掉的颗粒量的方式从该基材除去颗粒。例如，常规上如下试验颗粒的去除：首先通过让该表面暴露到含颗粒的喷雾或浴中施加氮化硅颗粒。当仅用本文描述的组合物冲洗该试验表面时(没有被视为总处理制度一部分的附加清洁步骤)，除去的颗粒的数目通常小于试验规程的误差界限。相比之下，本发明方法当没有用其它清洁步骤而是用有效除去颗粒的足够量力进行时可以按优选大于40％，更优选大于50％，最优选大于60％的统计上显著的方式除去颗粒。
具有待清洁的表面的基材优选是要求高清洁度的微电子器件，是指在执行本发明方法之后该基材的表面应该基本上不含或具有数目显著减小的不希望的颗粒杂质。这些基材的实例包括在任何加工阶段(无论原始，用任何部件蚀刻，涂覆，或与作为集成电路器件的导体引线或迹线集成)的半导体晶片，和器件例如平面显示器、微电机系统(MEMS)、微电子掩模、高级电气互连系统、光学组件和器件、海量数据存储器件的组件(盘驱动件)、引线框、卫生器材、盘和头等。
本发明方法可以作为正对基材执行的其它处理方法的一部分进行，在任何给定方法之前或之后进行。可以对基材执行的附加方法包括浸渍方法步骤、喷雾方法步骤或它们的组合。本发明方法主要是喷雾方法步骤，并且容易地并入仅包括喷雾方法步骤的基材制备规程，这归因于通过将基材布置在喷雾方法工具配置中并在同一配置中进行所有处理而使操控程序最少化的效率。本发明方法可以在具有基材的工具中进行，该基材以单基材配置提供或以用于处理多个基材的配置提供，按堆叠体或转盘阵列或两者。
优选在处理期间使基材转动以在处理过程期间提供对气溶胶液滴的足够且优选均匀的接触。优选地，使基材转动，同时按基本上水平的方式将它取向，但是认为也可以按与水平倾斜的角度(包括垂直)支撑微电子器件。可以将气溶胶液滴散布到转动微电子器件的中心区域或朝它的一个边缘或另一边或中间的任何地方散布，其中优选颗粒去除操作有效地根据预定条件处理该微电子器件的所需表面一段确定的时间以获得清洁的器件。
当与表面接触时液体气溶胶液滴包含水和表面活性化合物。在一个实施方案中，液体气溶胶液滴的非表面活性化合物液体与常规冲洗流体组成相同，该常规冲洗流体可以包含可以散布到微电子器件表面上和有效地冲洗器件表面以减少污染物和/或在前施加的加工液体或气体的任何流体。该液体优选是DI水，而是任选地可以包括一种或多种处理组件，即处理表面的成分。此种包含处理组分的液体组合物的一个实例是SC-1组合物，它是氢氧化铵/过氧化氢/水组合物。
表面活性化合物选自异丙醇、乙醇、甲醇、1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇、乙二醇、四氢呋喃、丙酮、全氟己烷、己烷和乙醚。尤其优选的表面活性化合物是异丙醇。
在本发明的一个实施方案中，表面活性化合物以大约0.1-大约3vol％的浓度存在于液体气溶胶液滴中。在本发明的另一个实施方案中，表面活性化合物以大约1-大约3vol％的浓度存在于液体气溶胶液滴中。
液体气溶胶液滴可以由任何合适的技术形成，例如在推进剂的压力下推动流体经过阀门，如在常规的气溶胶喷雾器中，或更优选通过让液体或液体和气体的料流碰撞。适合用于制备液体气溶胶液滴的喷嘴的实例包括美国专利号5,873,380；5,918,817；5,934,566；6,048,409和6,708,903中示出的那些。
气体可以是任何合适的气体，尤其包括非反应性的或相对非反应性的气体例如氮气、压缩干空气、二氧化碳和稀有气体例如氩气。
在一个优选的实施方案中，通过将表面活性化合物引入气体来为液滴提供该化合物。在一个实施方案中，液体气溶胶液滴如下形成：让包含水的液体组合物的至少一个料流与含表面活性化合物蒸气的气体的至少一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。在另一个实施方案中，液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流与含表面活性化合物蒸气的气体的一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴，该液体组合物的两个料流中至少之一包含水。
优选地，表面活性化合物在气体中作为大约1-3vol％存在。高于大约3％的表面活性化合物量一般引入处理复杂化，例如该化合物从气体中冷凝，除非加热供应线。此外，更高的表面活性化合物浓度倾向于提高燃烧性关注。可以按任何所需方式将表面活性化合物引入气体，例如将该气体鼓泡经过表面活性化合物的溶液。
或者，在散布经过液体孔之前将表面活性化合物作为液体中的成分提供。在这个实施方案中，优选将表面活性化合物作为预混合溶液提供，该预混合溶液以预稀释的方式提供给工具。或者，可以将表面活性化合物供给工具内的液体并且在喷雾嘴上游或在喷雾嘴供给。然而，这一实施方案是不太优选的，因为表面活性化合物将必然地作为浓缩组合物存在于储器中的工具中并存在于含高度浓缩表面活性化合物的供应线中。高度浓缩表面活性化合物在工具中的存在一般是不太合乎需要的，这归因于燃烧性和混合控制关注。在一个实施方案中，液体气溶胶液滴如下形成：让包含水和表面活性化合物的液体组合物的至少一个料流与至少一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。在另一个实施方案中，液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流与一个气流碰撞，该液体组合物的两个流路中至少之一包含水和表面活性化合物，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。在又一个实施方案中，液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流碰撞，该液体组合物的两个料流中至少之一包含水和表面活性化合物，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
在本发明的实施方案中，当在没有表面活性化合物的情况下形成液体气溶胶液滴时，在形成液体气溶胶液滴并将其朝表面引导之前在加工腔室中产生含表面活性化合物的气氛。按目前对技术人员显而易见的任何方式制备该含表面活性化合物的气氛。在本发明的一个实施方案中，表面活性化合物存在于基材表面上。在本发明的另一个实施方案中，表面活性化合物按满足该表面活性化合物在基材表面上冷凝的水平存在于该气氛中。在本发明的另一个实施方案中，表面活性化合物按小于饱和点的水平存在于该气氛中，以致避免该表面活性化合物在该表面上冷凝。
本发明的一个实施方案示意性地在图1中示出，该图示出了用于进行本发明的改进喷雾加工系统10。在系统10中，晶片13(例如，作为具体的微电子器件)被支撑在由旋转发动机15驱动的可旋转卡盘14上。系统10的这一部分对应于常规喷雾加工机。喷雾加工机一般是已知的，并且能够通过使晶片在回转台或转盘上旋转或转动(绕着它们自己的轴线或绕着共轴)用离心力除去液体。适合于根据本发明采用的示例性喷雾加工机在美国专利号6,406,551和6,488,272中进行了描述，它们以其全文充分在此引入作为参考。喷雾加工机型机器可以从FSIInternational，Inc.of Chaska，MN获得，例如以商品名
Figure A20078002822400121
或
Figure A20078002822400122
中一种或多种获得。适合于根据本发明采用的单晶片喷雾加工机系统的另一个实例可以从SEZ AG，Villach，Austria获得并且以商品名SEZ 323销售。适合于根据本发明采用的工具系统的另一个实例在2006年3月15日提交的标题为BARRIER STRUCTURE AND NOZZLE DEVICEFOR USE IN TOOLS USED TO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITHONE OR MORE TREATMENT FLUIDS的美国专利申请序列号11/376,996中进行了描述。
喷雾棒20包括多个喷嘴以将液体气溶胶液滴引导至晶片13上。经过管线23从液体供应储器22提供液体，并且类似地经过管线25从气体供应储器24提供气体。喷雾棒20优选配备有多个喷嘴以产生气溶胶液滴。在一个优选的实施方案中，当喷雾棒20在晶片13上方布置时，在喷雾棒20中以大约3.5mm的间距在对应于晶片半径或晶片全直径的位置提供喷嘴。任选地可以在喷嘴与晶片外边缘处的间距相比以更靠近转动轴线的不同间距提供喷嘴。优选的喷雾棒构型在2006年7月7日提交的标题为BARRIER STRUCTURE AND NOZZLE DEVICE FOR USE IN TOOLSUSED TO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONE OR MORETREATMENT FLUIDS的美国专利申请序列号60/819,133；以及2007年6月20日提交的标题为BARRIER STRUCTURE AND NOZZLE DEVICE FOR USEIN TOOLS USED TO PROCESS MICROELECTRONIC WORKPIECES WITH ONEOR MORE TREATMENT FLUIDS的美国专利申请序列号[案卷号FSI0202/US]中进行了描述。
喷雾棒30的剖视图在图2中示出，该图说明了本发明的优选喷嘴构型。在这一构型中，液体散布孔32和34向内引导以提供碰撞液流42和44。气体散布孔36如这一实施方案所示位于液体散布孔32和34之间，以致气流46与液流42和44碰撞。由于这种碰撞，雾化发生，从而形成液体气溶胶液滴48。对本发明来说，一组装配用来提供互相碰撞以形成液体气溶胶液滴料流或分布的液体孔和气体孔认为是喷嘴。在一个实施方案中，液体散布孔32和34具有大约0.020-大约0.030英寸的直径。在另一个实施方案中，当在与晶片的中心到晶片的中间半径对应的位置位于喷雾棒中时，液体散布孔32和34具有大约0.026英寸的直径，并且从晶片的中半径到晶片的外边缘具有大约0.026英寸的直径。在本发明的一个实施方案中，气体散布孔36具有大约0.010-大约0.030英寸，优选大约0.020英寸的直径。
料流的位置、方向和料流的相对力经选择以优选所得的液体气溶胶液滴的定向流动，以致该液滴被引导至基材表面来进行所需的颗粒去除。在一个实施方案中，使液体气溶胶液滴以与晶片表面垂直的角度接触该表面。在另一个实施方案中，使液体气溶胶液滴以与晶片表面呈大约10到小于90度的角度接触该晶片表面。在另一个实施方案中，使液体气溶胶液滴以与晶片表面呈大约30到大约60度的角度接触该晶片表面。在一个优选的实施方案中，在气溶胶液滴与晶片表面接触期间该晶片以大约250-大约1000RPM的速度旋转。在一个实施方案中，液滴与晶片的接触方向与围绕晶片旋转轴线的同心圆对准，或在另一个实施方案中，可以部分或完全地远离晶片的旋转轴取向。系统10优选采用适合的控制设备(未显示)来监测和/或控制流体流动、流体压力、流体温度、这些的组合等中的一种或多种以在执行待达到的特定工艺目标中获得所需工艺参数。
本发明方法可以在基材加工规程的任何阶段使用，包括在各种处理步骤例如清洁、遮盖、蚀刻和其它其中希望去除颗粒的加工步骤之前或之间使用。在本发明的一个优选的实施方案中，使用所述气溶胶液滴的本发明方法属于最终冲洗步骤之前的清洁步骤。
在完成本文所述的颗粒去除步骤之后，优选冲洗基材并且还进行干燥步骤，该干燥步骤至少包括在结束冲洗流体散布之后继续转动微电子器件一段确定的时间以从器件表面甩掉冲洗流体。可以加热或可以没有加热的干燥气体例如氮气的输送在干燥步骤期间也是优选的。优选继续进行该干燥步骤为使基材表面足够干燥所必需的长度以按所需的最终污染程度(基于任何特定的应用)获得令人满意的产物。采用亲水性表面，可测量的薄液膜仍可能存在于一部分或全部器件表面上。可以在微电子器件以与冲洗步骤相同或不同的转数/分下转动的同时执行所述干燥步骤。
实施例
现将参照以下举例说明本发明原理和实践的实施例描述了本发明的代表性实施方案。
实施例1
用液体去离子水气溶胶工艺清洁六个氮化硅颗粒攻击的晶片，该气溶胶工艺使用在气溶胶中的单晶片旋转模件，该气溶胶通过使DI水以(1LPM)的流率与干N2气流以120slm的流率碰撞产生。用相同的气溶胶工艺清洁五个颗粒攻击的晶片，其中通过使DI水以(1LPM)的流率与1％IPA/N2气流以120slm的流率碰撞产生气溶胶。所有晶片在大约15分钟的时帧内加工。使用KLA-Tencor SPl/TBI测量工具对大于65nm的尺寸进行颗粒测量。颗粒去除效率从用干N2时的平均61.7％改进到用在N2中的1％IPA蒸气时的平均66.8％。
实施例2
在这一实施例中，通过旋转沉积用氮化硅颗粒污染200mm晶片，然后允许晶片在环境条件下静置以″熟化″24小时。用液体去离子水气溶胶工艺清洁五个氮化硅颗粒攻击的晶片，该气溶胶工艺使用在气溶胶中的单晶片旋转模件，该气溶胶通过使DI水以1LPM的流率与干N2气流以200slm的流率碰撞产生。用相同的气溶胶工艺清洁六个颗粒攻击的晶片，其中通过使DI水以1LPM的流率与3％IPA/N2气流以200slm的流率碰撞产生气溶胶。表1中报道的颗粒去除效率是在每一条件下全部晶片轮次的平均值。
表1
Figure A20078002822400151
将本文引用的所有专利、专利申请(包括临时申请)和出版物引入公参考，就像将它们单独引入那样。除非另有说明，所有份和百分率按体积计并且所有分子量是重均分子量。上述详细描述仅是出于理解的清楚而给出的。不应从该描述理解不必要的限制。本发明不限于显示和描述的精确细节，因为对本领域技术人员明显的改变将包括在由权利要求限定的本发明内。

Claims (20)

1.从基材表面除去颗粒的方法，包括使包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴在足以从该表面上除去颗粒的力下接触该表面。
2.权利要求1的方法，其中该液体气溶胶液滴在该液滴形成时包含水和表面活性化合物。
3.权利要求2的方法，其中该液体气溶胶液滴如下形成：让包含水的液体组合物的至少一个料流与含表面活性化合物蒸气的气体的至少一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
4.权利要求2的方法，其中该液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流与含表面活性化合物蒸气的气体的一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴，该液体组合物的两个料流中至少之一包含水。
5.权利要求2的方法，其中该液体气溶胶液滴如下形成：让包含水和表面活性化合物的液体组合物的至少一个料流与至少一个气流碰撞，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
6.权利要求2的方法，其中该液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流与一个气流碰撞，该液体组合物的两个流路中至少之一包含水和表面活性化合物，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
7.权利要求3的方法，其中该气体选自氮气、压缩干空气、二氧化碳和氩气。
8.权利要求4的方法，其中该气体选自氮气、压缩干空气、二氧化碳和氩气。
9.权利要求5的方法，其中该气体选自氮气、压缩干空气、二氧化碳和氩气。
10.权利要求2的方法，其中该液体气溶胶液滴如下形成：让液体组合物的两个料流碰撞，该液体组合物的两个流路中至少之一包含水和表面活性化合物，从而形成包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴。
11.权利要求1的方法，其中在没有表面活性化合物的情况下形成液体气溶胶液滴，并让它在接触所述表面之前穿过含表面活性化合物的气氛。
12.权利要求1的方法，其中该表面活性化合物选自异丙醇、乙醇、甲醇、1-甲氧基-2-丙醇、二丙酮醇、乙二醇、四氢呋喃、丙酮、全氟己烷、己烷和乙醚。
13.权利要求1的方法，其中该表面活性化合物是异丙醇。
14.权利要求1的方法，其中当与所述表面接触时所述液体气溶胶液滴以大约0.1-大约3vol％的浓度包含表面活性化合物。
15.权利要求1的方法，其中当与所述表面接触时所述液体气溶胶液滴以大约1-大约3vol％的浓度包含表面活性化合物。
16.权利要求1的方法，其中当与所述表面接触时所述液体气溶胶液滴由DI水和表面活性化合物构成。
17.权利要求1的方法，其中该液体气溶胶液滴还包含处理组分。
18.权利要求17的方法，其中该处理组分包括氢氧化铵和过氧化氢。
19.权利要求3的方法，其中该表面活性化合物以大约1-大约3vol％的浓度存在于气体中。
20.权利要求4的方法，其中该表面活性化合物以大约1-大约3vol％的浓度存在于气体中。
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