JP2012209299A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される(S2)。その後、水酸基を含まない第1溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第1溶剤に置換される(S4、S5)。その後、水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される(S6)。
【選択図】図5
Description
前記目的を達成するための請求項1記載の発明は、金属膜(M)が形成された基板(W)を処理する基板処理方法であって、水を含むリンス液を基板に供給するリンス液供給工程(S2)と、前記リンス液供給工程が行われた後に、水酸基を含まない第1溶剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換する第1溶剤供給工程(S4,S5)と、前記第1溶剤供給工程が行われた後に、水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を疎水化剤に置換する疎水化剤供給工程(S6)と、を含む、基板処理方法である。基板に供給される疎水化剤は、疎水化剤の液体であってもよいし、疎水化剤の蒸気であってもよい。同様に、基板に供給される第1溶剤は、第1溶剤の液体であってもよいし、第1溶剤の蒸気であってもよい。疎水化剤の蒸気は、疎水化剤が気化したものであってもよいし、疎水化剤の液滴とこの液滴を運ぶキャリアガス(たとえば、窒素ガスなどの不活性ガス)とを含む混合流体であってもよい。第1溶剤の蒸気についても同様である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
この方法によれば、物理的な力が加えられた第1溶剤が基板に供給される。基板に保持されている液体(リンス液またはリンス液を含む液体)は、第1溶剤が基板に沿って流れる力に加えて、第1溶剤に加えられた物理的な力によって基板から除去される。これにより、基板に対する水の残留量を低減することができる。したがって、水が基板に残っていない状態、または水の残留量が極めて少ない状態で、疎水化剤を基板に供給することができる。これにより、基板を十分に疎水化させることができる。そのため、パターンの倒壊を抑制することができる。
この方法によれば、リンス液が供給された基板に第1溶剤が供給される。その後、物理的な力が加えられた第1溶剤が基板に供給される。すなわち、最初の第1溶剤の供給によって基板に保持されている液体(リンス液またはリンス液を含む液体)が除去された後に、物理的な力が加えられた第1溶剤が基板に供給される。そのため、最初の第1溶剤の供給後に極僅かなリンス液が基板に残留していたとしても、物理的な力が加えられた第1溶剤の供給によって、この僅かに残っているリンス液を基板から除去することができる。したがって、水が基板に残っていない状態、または水の残留量が極めて少ない状態で、疎水化剤を基板に供給することができる。これにより、基板を十分に疎水化させることができる。そのため、パターンの倒壊を抑制することができる。
この方法によれば、基板に保持されている液体(リンス液またはリンス液を含む液体)は、第1溶剤が基板に沿って流れる力に加えて、第1溶剤の振動および/または第1溶剤の運動エネルギによって基板から除去される。これにより、基板に対する水の残留量を低減することができる。したがって、水が基板に残っていない状態、または水の残留量が極めて少ない状態で、疎水化剤を基板に供給することができる。これにより、基板を十分に疎水化させることができる。そのため、パターンの倒壊を抑制することができる。
この方法によれば、疎水化剤が基板に供給された後に、基板から液体が除去される。これにより、基板が乾燥する。そして、疎水化剤の供給が終了してから基板の乾燥が終了するまでの間、基板に対する水の接触が防止される。すなわち、疎水化剤の供給が終了してから基板の乾燥が終了するまでの間、水を含む液体または蒸気が基板に供給されない。したがって、疎水化剤が供給された基板に対する水の接触により、基板に対する処理液の接触角が減少することを抑制または防止することができる。これにより、基板を乾燥させるときに、パターンに加わる力(パターンを倒壊させる力)が大きくなることを抑制または防止することができる。そのため、パターンの倒壊を抑制することができる。
この方法によれば、疎水化剤が基板に供給された後に、乾燥剤が基板に供給される。これにより、基板に保持されている液体が乾燥剤に置換される。その後、乾燥剤が基板から除去され、基板が乾燥する。乾燥剤は、水を含んでいないから、疎水化剤が供給された基板に乾燥剤が接触することにより、基板に対する処理液の接触角が減少することを抑制または防止することができる。したがって、基板を乾燥させたときに、パターンが倒壊することを抑制または防止することができる。さらに、乾燥剤は、水よりも沸点が低いから、乾燥に要する時間を短縮することができる。
この方法によれば、第2溶剤と同種の溶剤である第1溶剤が保持された基板に、第2溶剤を含む疎水化剤が供給される。したがって、第1溶剤と疎水化剤とがスムーズに混ざり合い、基板に保持されている第1溶剤がスムーズに疎水化剤に置換される。これにより、第1溶剤から疎水化剤への置換に要する時間を短縮することができる。
この方法によれば、凹部が形成された基板にリンス液が供給される。凹部は、有底筒状であるから、凹部の底にリンス液が残り易い。したがって、疎水化剤が基板に供給される前に、第1溶剤等を基板に供給することにより、凹部の底に溜まっているリンス液を除去して、水が基板に残っていない状態、または水の残留量が極めて少ない状態で、疎水化剤を基板に供給することができる。これにより、基板を十分に疎水化させることができる。そのため、パターンの倒壊を抑制することができる。
図1および図2は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す模式図であり、それぞれ異なる状態を示している。
基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液によって半導体ウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック2(基板保持手段)と、スピンチャック2の上方に配置された遮断板3と、スピンチャック2に保持された基板Wに処理液を供給する処理液供給機構とを備えている。
疎水化剤は、金属を疎水化するメタル系の疎水化剤である。疎水化剤は、配位性の高い疎水化剤である。すなわち、疎水化剤は、主として配位結合によって金属を疎水化する溶剤である。疎水化剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。
図3は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1の電気的構成を説明するためのブロック図である。
疎水化剤供給ユニット18は、疎水化剤の原液が貯留されている疎水化剤タンク28と、希釈溶剤としての第2溶剤(液体)が貯留されている第2溶剤タンク29とを含む。さらに、疎水化剤供給ユニット18は、疎水化剤タンク28に接続された第1配管30と、第2溶剤タンク29に接続された第2配管31と、第1配管30に介装された第1ポンプ32、第1バルブ33、および第1流量調整バルブ34と、第2配管31に介装された第2ポンプ35、第2バルブ36、および第2流量調整バルブ37と、第1配管30および第2配管31に接続された集合配管38とを含む。疎水化剤タンク28には、100%の疎水化剤と第2溶剤との混合液(原液)が貯留されている。
パターンPが形成された基板Wを乾燥させると、基板Wが乾燥していく過程でパターンP同士を引き付ける力が生じて、パターンPが倒壊する場合がある。このときパターンPに加わる力Fは、たとえば、以下の式(1)により表される。
「σ」は、処理液の表面張力であり、「θ」は、接触角であり、「H」は、パターンPの高さであり、「W」は、パターンP間の間隔である。
この式(1)から、処理液の表面張力σが小さいほどパターンPに加わる力Fが減少することが分かる。したがって、処理液の表面張力σを低下させることにより、パターンPに加わる力Fを減少させて、パターンPの倒壊を抑制できる。
すなわち、基板Wを乾燥させる前に基板Wに保持されている処理液の表面張力σを低下させ、さらに、接触角θを90度に近づけることにより、パターンPの倒壊を抑制することができる。したがって、パターンPの倒壊を十分に抑制するために、基板Wの表面全体を十分に疎水化させることが好ましい。
たとえば、前述の実施形態では、水リンス処理(リンス液供給工程)が行われた後であって疎水化処理(疎水化剤供給工程)が行われる前に、第1溶剤リンス処理(水溶性溶剤供給工程)、第2溶剤リンス処理(置換工程)、および第3溶剤リンス処理(物理的置換工程)が順次行われる場合について説明した。しかし、第1溶剤リンス処理と、第2溶剤リンス処理および第3溶剤リンス処理の一方とが省略されてもよい。また、第2溶剤リンス処理および第3溶剤リンス処理の一方が省略されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 スピンチャック(基板保持手段)
6 スピンモータ(乾燥手段)
12 溶剤ノズル(第1溶剤供給手段)
15 超音波振動子(物理力付与手段、振動付与手段)
16 中心軸ノズル(リンス液供給手段、第1溶剤供給手段、疎水化剤供給手段、水溶性溶剤供給手段、非接触状態維持手段、乾燥剤供給手段、流通経路)
17 処理液供給配管(流通経路)
27 制御装置(制御手段)
28 疎水化剤タンク
29 第2溶剤タンク
30 第1配管(流通経路)
38 集合配管(流通経路)
239 液滴生成ノズル(物理力付与手段、液滴生成手段)
M 金属膜
S シリンダ(凹部)
W 基板
Claims (18)
- 金属膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、
水を含むリンス液を基板に供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程が行われた後に、水酸基を含まない第1溶剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換する第1溶剤供給工程と、
前記第1溶剤供給工程が行われた後に、水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を疎水化剤に置換する疎水化剤供給工程と、を含む、基板処理方法。 - 前記リンス液供給工程が行われた後であって、前記第1溶剤供給工程が行われる前に、水に対する溶解度が第1溶剤よりも高い水溶性溶剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を水溶性溶剤に置換する水溶性溶剤供給工程をさらに含む、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記第1溶剤供給工程は、物理的な力が加えられた第1溶剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換する物理的置換工程を含む、請求項1または2記載の基板処理方法。
- 前記第1溶剤供給工程は、前記物理的置換工程が行われる前に、第1溶剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換する置換工程をさらに含む、請求項3記載の基板処理方法。
- 前記物理的置換工程は、振動が加えられた第1溶剤を基板に供給する工程と、運動エネルギが与えられた第1溶剤の液滴を基板に衝突させる工程とのうちの少なくとも一方を含む、請求項3または4記載の基板処理方法。
- 前記疎水化剤供給工程が行われた後に、基板から液体を除去して基板を乾燥させる乾燥工程と、
前記疎水化剤供給工程が終了してから前記乾燥工程が終了するまで基板が水に接触しない状態を維持する非接触状態維持工程と、をさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記非接触状態維持工程は、前記疎水化剤供給工程が行われた後であって、前記乾燥工程が行われる前に、水を含まず、水よりも沸点が低い乾燥剤を基板に供給することにより、基板に保持されている液体を乾燥剤に置換する乾燥剤供給工程を含む、請求項6記載の基板処理方法。
- 前記疎水化剤供給工程は、基板に供給される疎水化剤の原液が貯留されている疎水化剤タンクから当該基板に至る疎水化剤の流通経路で第2溶剤と疎水化剤の原液とを混合し、この混合された第2溶剤と疎水化剤の原液とを当該基板に供給する工程を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 第1溶剤と第2溶剤とは、同種の溶剤である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 有底筒状の凹部が基板に形成されている、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する基板保持手段と、
水を含むリンス液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給するリンス液供給手段と、
水酸基を含まない第1溶剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する第1溶剤供給手段と、
水酸基を含まない第2溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給する疎水化剤供給手段と、
前記リンス液供給手段によってリンス液を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させるリンス液供給工程と、前記リンス液供給工程が行われた後に、前記第1溶剤供給手段によって第1溶剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換させる第1溶剤供給工程と、前記第1溶剤供給工程が行われた後に、前記疎水化剤供給手段によって疎水化剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を疎水化剤に置換させる疎水化剤供給工程と、を実行する制御手段と、を含む、基板処理装置。 - 水に対する溶解度が第1溶剤よりも高い水溶性溶剤を基板に供給する水溶性溶剤供給手段をさらに含み、
前記制御手段は、前記リンス液供給工程が行われた後であって、前記第1溶剤供給工程が行われる前に、前記水溶性溶剤供給手段によって水溶性溶剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を水溶性溶剤に置換させる水溶性溶剤供給工程をさらに実行する、請求項11記載の基板処理装置。 - 前記第1溶剤供給手段から前記基板保持手段に保持されている基板に供給される第1溶剤に物理的な力を加える物理力付与手段をさらに含み、
前記制御手段は、前記物理力付与手段によって物理的な力が加えられた第1溶剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換させる物理的置換工程を含む前記第1溶剤供給工程を実行する、請求項11または12記載の基板処理装置。 - 前記制御手段は、前記物理的置換工程が行われる前に、前記第1溶剤供給手段によって第1溶剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を第1溶剤に置換させる置換工程をさらに含む前記第1溶剤供給工程を実行する、請求項13記載の基板処理装置。
- 前記物理力付与手段は、前記第1溶剤供給手段から前記基板保持手段に保持されている基板に供給される第1溶剤に振動を加える振動付与手段と、前記第1溶剤供給手段から前記基板保持手段に保持されている基板に供給される第1溶剤に運動エネルギを与えて第1溶剤の液滴を生成する液滴生成手段とのうちの少なくとも一方を含む、請求項13または14記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持されている基板から液体を除去して基板を乾燥させる乾燥手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板が水に接触しない状態を維持する非接触状態維持手段と、をさらに含み、
前記制御手段は、前記疎水化剤供給工程が行われた後に、前記基板保持手段に保持されている基板から前記乾燥手段によって液体を除去させて基板を乾燥させる乾燥工程と、前記非接触状態維持手段によって前記疎水化剤供給工程が終了してから前記乾燥工程が終了するまで基板が水に接触しない状態を維持させる非接触状態維持工程と、をさらに実行する、請求項11〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記非接触状態維持手段は、水を含まず、水よりも沸点が低い乾燥剤を基板に供給する乾燥剤供給手段を含み、
前記制御手段は、前記疎水化剤供給工程が行われた後であって、前記乾燥工程が行われる前に、前記乾燥剤供給手段によって乾燥剤を前記基板保持手段に保持されている基板に供給させることにより、基板に保持されている液体を乾燥剤に置換させる乾燥剤供給工程を含む前記非接触状態維持工程を実行する、請求項16記載の基板処理装置。 - 前記疎水化剤供給手段は、前記基板保持手段に保持されている基板に供給される疎水化剤の原液が貯留されている疎水化剤タンクと、前記疎水化剤タンクから前記基板保持手段に保持されている基板に至る疎水化剤の流通経路に供給される第2溶剤が貯留されている第2溶剤タンクと、を含み、前記疎水化剤タンクに貯留されている疎水化剤の原液と前記第2溶剤タンクに貯留されている第2溶剤とを前記流通経路で混合させて、この混合された第2溶剤と疎水化剤の原液とを前記基板保持手段に保持されている基板に供給するように構成されている、請求項11〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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