JP2911254B2 - 塗布方法及び塗布装置 - Google Patents
塗布方法及び塗布装置Info
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- JP2911254B2 JP2911254B2 JP13796891A JP13796891A JP2911254B2 JP 2911254 B2 JP2911254 B2 JP 2911254B2 JP 13796891 A JP13796891 A JP 13796891A JP 13796891 A JP13796891 A JP 13796891A JP 2911254 B2 JP2911254 B2 JP 2911254B2
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- Coating Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液体と気体を混合して噴
霧して被処理体に塗布する塗布方法及び塗布装置に関す
る。
霧して被処理体に塗布する塗布方法及び塗布装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体ウェハ上に薄膜状の電
子回路パターンを形成するパターン形成工程では、半導
体ウェハ上に形成された薄膜上に薄膜状にレジスト膜を
塗布し、この膜を所望のパターンが形成されたマスクを
通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジスト
パターンを形成する。その後レジストパターンをマスク
としてエッチングして薄膜を所望の電子回路パターンに
形成した後、マスクとして使用したレジストを除去して
いる。パターン形成工程における現像工程ではパターン
の精度を向上させるため、均一に現像が行えるよう半導
体ウェハ上に現像液を気体と混合して均一に噴霧して現
像液の均一塗布を行うスプレー式の現像装置が多用され
ている。
子回路パターンを形成するパターン形成工程では、半導
体ウェハ上に形成された薄膜上に薄膜状にレジスト膜を
塗布し、この膜を所望のパターンが形成されたマスクを
通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジスト
パターンを形成する。その後レジストパターンをマスク
としてエッチングして薄膜を所望の電子回路パターンに
形成した後、マスクとして使用したレジストを除去して
いる。パターン形成工程における現像工程ではパターン
の精度を向上させるため、均一に現像が行えるよう半導
体ウェハ上に現像液を気体と混合して均一に噴霧して現
像液の均一塗布を行うスプレー式の現像装置が多用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような現像装置
は、現像液を供給する供給ノズルの外周にその先端に空
洞を有して包囲するように気体供給ノズルを備えた二重
管のノズルを設け、前記空洞で液体と気体を混合して噴
霧状にして回転する半導体ウェハ上に塗布を行ってい
る。
は、現像液を供給する供給ノズルの外周にその先端に空
洞を有して包囲するように気体供給ノズルを備えた二重
管のノズルを設け、前記空洞で液体と気体を混合して噴
霧状にして回転する半導体ウェハ上に塗布を行ってい
る。
【０００４】しかしながら、塗布終了後ノズルの内外壁
に現像液が付着し、ノズルを伝わって半導体ウェハ上に
滴れてしまった。この液滴は現像むらとなってしまうた
め、塗布終了後液体供給を停止し、気体供給ノズルから
気体のみをしばらくの間噴出させて対処していた。しか
しながら、図４に示すようにノズル１から吹出される気
体でノズル１の外壁に付着した液体２は外壁に沿って上
方に膨大部が逃げてしまい、気体の吹出を停止した後は
図５に示すように液体２の膨大部が下方になり、液滴と
なって半導体ウェハ上に滴下してしまった。この気体の
噴出しは２０〜３０秒程行っても満足な液滴防止は行え
ず、歩留りが悪かった。
に現像液が付着し、ノズルを伝わって半導体ウェハ上に
滴れてしまった。この液滴は現像むらとなってしまうた
め、塗布終了後液体供給を停止し、気体供給ノズルから
気体のみをしばらくの間噴出させて対処していた。しか
しながら、図４に示すようにノズル１から吹出される気
体でノズル１の外壁に付着した液体２は外壁に沿って上
方に膨大部が逃げてしまい、気体の吹出を停止した後は
図５に示すように液体２の膨大部が下方になり、液滴と
なって半導体ウェハ上に滴下してしまった。この気体の
噴出しは２０〜３０秒程行っても満足な液滴防止は行え
ず、歩留りが悪かった。
【０００５】上記の欠点を解消するために、本発明は粘
度の小さい液体を噴霧して塗布する場合であっても液滴
が生じず、しかも歩留りのよい塗布を行える塗布方法及
び塗布装置を提供することを目的とする。
度の小さい液体を噴霧して塗布する場合であっても液滴
が生じず、しかも歩留りのよい塗布を行える塗布方法及
び塗布装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の塗布方法は、先端内壁に拡散孔を有する液
体供給ノズルへ送出される液体と、液体供給ノズルの先
端を包囲して設けられ る気体供給ノズルへ供給される気
体とを拡散孔に於いて混合し、被処理体に噴霧して塗布
する際、液体及び気体を所定時間供給する工程後、液体
の供給を停止し気体を所定時間供給する工程を経て、液
体供給ノズル及び気体供給ノズルの先端部分の内外壁に
付着する液体を所定時間吸引する工程を行うものであ
る。
め、本発明の塗布方法は、先端内壁に拡散孔を有する液
体供給ノズルへ送出される液体と、液体供給ノズルの先
端を包囲して設けられ る気体供給ノズルへ供給される気
体とを拡散孔に於いて混合し、被処理体に噴霧して塗布
する際、液体及び気体を所定時間供給する工程後、液体
の供給を停止し気体を所定時間供給する工程を経て、液
体供給ノズル及び気体供給ノズルの先端部分の内外壁に
付着する液体を所定時間吸引する工程を行うものであ
る。
【０００７】また、本願発明の塗布装置は、液体供給系
から液体が供給され先端内壁に拡散孔を有する液体供給
ノズルと、液体供給ノズルを包囲して設けられ、気体供
給系から送出され拡散孔から液体を霧状にして噴出させ
る気体を供給する気体供給ノズルとを備えた塗布装置に
おいて、気体供給ノズルに接続される吸引装置を設けた
ものであり、好ましくは、液体供給ノズルの拡散孔の開
き角度が４５度から９０度であるものである。
から液体が供給され先端内壁に拡散孔を有する液体供給
ノズルと、液体供給ノズルを包囲して設けられ、気体供
給系から送出され拡散孔から液体を霧状にして噴出させ
る気体を供給する気体供給ノズルとを備えた塗布装置に
おいて、気体供給ノズルに接続される吸引装置を設けた
ものであり、好ましくは、液体供給ノズルの拡散孔の開
き角度が４５度から９０度であるものである。
【０００８】
【作用】液体供給ノズルから供給される液体と、液体供
給ノズルの先端に空洞、即ち拡散孔を有して設けられる
気体供給ノズルから供給される気体を空洞で混合し、噴
霧し被処理体に塗布する。塗布終了後、気体供給ノズル
を吸引装置に接続しノズルの内外壁に付着した液体をノ
ズル内部に吸引してしまう。そのため、液滴となって被
処理体上に滴下することなく、しかも吸引している間に
被処理体は次工程に搬送でき、効率的な塗布を行うこと
ができる。更に、液体供給ノズルの拡散孔が所定の角度
を有するため、液体を霧状として噴出できると共に、噴
霧が横方向に拡らがらず、適切な噴霧状態とすることが
できる。
給ノズルの先端に空洞、即ち拡散孔を有して設けられる
気体供給ノズルから供給される気体を空洞で混合し、噴
霧し被処理体に塗布する。塗布終了後、気体供給ノズル
を吸引装置に接続しノズルの内外壁に付着した液体をノ
ズル内部に吸引してしまう。そのため、液滴となって被
処理体上に滴下することなく、しかも吸引している間に
被処理体は次工程に搬送でき、効率的な塗布を行うこと
ができる。更に、液体供給ノズルの拡散孔が所定の角度
を有するため、液体を霧状として噴出できると共に、噴
霧が横方向に拡らがらず、適切な噴霧状態とすることが
できる。
【０００９】
【実施例】本発明の塗布方法及び塗布装置を半導体ウェ
ハ製造工程におけるパターン形成工程の現像装置に適用
した一実施例を図面を参照して説明する。図１に示す現
像装置３は、現像液を供給する現像液供給系４及び現像
液を霧状にするために混合されるＮ2等の気体を供給す
る気体供給系５を備える。現像液供給系４は現像液流パ
イプに順次現像液供給体６、流量計７、フィルタ８、エ
アバルブ９を備え、ノズル１０に連結される。気体供給
系５は現像液を霧状にするためのＮ2等の気体流パイプ
に気体供給体１１、流量計１２、フィルタ１３を備え、
３方弁１４を介してノズル１０に連結される。ノズル１
０は図２に示すように、現像液供給系４に接続される液
体供給ノズル１５と液体供給ノズル１５の先端部を包囲
する気体供給系５に接続される気体供給ノズル１６を備
えた２重管構造に構成され、液体供給ノズル１５の先端
孔内壁に設けられる拡散孔１７の空洞で現像液とＮ2等
の気体が混合されて現像液が霧状に噴出されるようにな
っている。この拡散孔１７の開き角度は小さ過ぎると霧
状にならず、大き過ぎると横方向に無駄な噴出があるた
め、スプレー形状上例えば４５〜９０度程度が望まし
い。さらに図１に示す３方弁１４には吸引装置１８が接
続される。吸引装置１８はエア供給体１９に接続された
エジェクタ（空気圧式真空装置）２０から成り、エジェ
クタ２０はミストトラップ２１を介して排気系例えば排
気ポンプ及びドレイン２２に分岐接続される。
ハ製造工程におけるパターン形成工程の現像装置に適用
した一実施例を図面を参照して説明する。図１に示す現
像装置３は、現像液を供給する現像液供給系４及び現像
液を霧状にするために混合されるＮ2等の気体を供給す
る気体供給系５を備える。現像液供給系４は現像液流パ
イプに順次現像液供給体６、流量計７、フィルタ８、エ
アバルブ９を備え、ノズル１０に連結される。気体供給
系５は現像液を霧状にするためのＮ2等の気体流パイプ
に気体供給体１１、流量計１２、フィルタ１３を備え、
３方弁１４を介してノズル１０に連結される。ノズル１
０は図２に示すように、現像液供給系４に接続される液
体供給ノズル１５と液体供給ノズル１５の先端部を包囲
する気体供給系５に接続される気体供給ノズル１６を備
えた２重管構造に構成され、液体供給ノズル１５の先端
孔内壁に設けられる拡散孔１７の空洞で現像液とＮ2等
の気体が混合されて現像液が霧状に噴出されるようにな
っている。この拡散孔１７の開き角度は小さ過ぎると霧
状にならず、大き過ぎると横方向に無駄な噴出があるた
め、スプレー形状上例えば４５〜９０度程度が望まし
い。さらに図１に示す３方弁１４には吸引装置１８が接
続される。吸引装置１８はエア供給体１９に接続された
エジェクタ（空気圧式真空装置）２０から成り、エジェ
クタ２０はミストトラップ２１を介して排気系例えば排
気ポンプ及びドレイン２２に分岐接続される。
【００１０】このような構成の現像装置３を用いて現像
を行うには３方弁１４を切換えて気体供給系５と気体供
給ノズル１６とを連結させ現像液供給系４から流量例え
ば０．４〜１．２ｌ／ｍｉｎ．で供給し、気体供給系５
を同時に作動させ気体例えば不活性ガスである窒素Ｎ2
ガスを流す。尚、この場合同時でなく気体を先に噴出さ
せてもよい。ノズル１０からスピンチャック２４に載置
された半導体ウェハ２３（図１）上に温度２３℃の現像
液を霧状に噴出させ塗布する。図３に示すように時間ｔ
1経時後例えば２〜５秒後、現像液供給系４を停止さ
せ、さらにｔ2経時後例えば５〜１０秒後３方弁１４を
切換えて吸引装置１８と気体供給ノズル１６を連結さ
せ、気体供給体１１を停止させると同時に吸引装置１８
を作動させる。吸引装置１８はエア供給体１９からエジ
ェクタ２０に送風すると３方弁１４側の配管が負圧にな
ってノズル１０から吸引される。この時ノズル１０の先
端部の内外壁に付着した現像液は空気と共に吸引されエ
ジェクタ２０からミストトラップ２１に導入されて除去
され、除去された現像液はドレイン２２に排出される。
ｔ3時間例えば５〜１０秒間吸引が行われた後、吸引装
置１８を停止する。尚、現像液噴出後半導体ウェハ２３
は所定時間、静止又は回転状態で現像処理され、その後
高速回転させて現像液の振切り、洗浄が行なわれる。エ
ア供給体１９が作動している間に処理済の半導体ウェハ
２３は次工程へ搬送され、未処理の半導体ウェハが搬入
される。そのため、ｔ2のＮ2の吸出し時間、ｔ3の吸引
時間は配管の長さにもよるが、例えばそれぞれ１０秒ほ
どで終了するため、半導体ウェハがスピンチャック２４
上に設置されていた従来の２０〜３０秒の吹出し時間の
間に次工程を行ない、歩留りを向上させることができ
る。
を行うには３方弁１４を切換えて気体供給系５と気体供
給ノズル１６とを連結させ現像液供給系４から流量例え
ば０．４〜１．２ｌ／ｍｉｎ．で供給し、気体供給系５
を同時に作動させ気体例えば不活性ガスである窒素Ｎ2
ガスを流す。尚、この場合同時でなく気体を先に噴出さ
せてもよい。ノズル１０からスピンチャック２４に載置
された半導体ウェハ２３（図１）上に温度２３℃の現像
液を霧状に噴出させ塗布する。図３に示すように時間ｔ
1経時後例えば２〜５秒後、現像液供給系４を停止さ
せ、さらにｔ2経時後例えば５〜１０秒後３方弁１４を
切換えて吸引装置１８と気体供給ノズル１６を連結さ
せ、気体供給体１１を停止させると同時に吸引装置１８
を作動させる。吸引装置１８はエア供給体１９からエジ
ェクタ２０に送風すると３方弁１４側の配管が負圧にな
ってノズル１０から吸引される。この時ノズル１０の先
端部の内外壁に付着した現像液は空気と共に吸引されエ
ジェクタ２０からミストトラップ２１に導入されて除去
され、除去された現像液はドレイン２２に排出される。
ｔ3時間例えば５〜１０秒間吸引が行われた後、吸引装
置１８を停止する。尚、現像液噴出後半導体ウェハ２３
は所定時間、静止又は回転状態で現像処理され、その後
高速回転させて現像液の振切り、洗浄が行なわれる。エ
ア供給体１９が作動している間に処理済の半導体ウェハ
２３は次工程へ搬送され、未処理の半導体ウェハが搬入
される。そのため、ｔ2のＮ2の吸出し時間、ｔ3の吸引
時間は配管の長さにもよるが、例えばそれぞれ１０秒ほ
どで終了するため、半導体ウェハがスピンチャック２４
上に設置されていた従来の２０〜３０秒の吹出し時間の
間に次工程を行ない、歩留りを向上させることができ
る。
【００１１】以上の説明は現像液塗布方法の説明であっ
て、本発明は現像方法に限らず洗浄液、レジスト液、磁
性粉液等ノズルからの液状物の塗布方法であれば他の液
体を用いた工程に適用できる。
て、本発明は現像方法に限らず洗浄液、レジスト液、磁
性粉液等ノズルからの液状物の塗布方法であれば他の液
体を用いた工程に適用できる。
【００１２】
【発明の効果】上記の説明からも明らかなように、本発
明の塗布方法及び塗布装置によれば、ノズル先端部内に
て塗布液と気体を混合させて霧状にして、適切に、適量
を被処理体に噴霧し塗布液を供給した後、ノズル外壁等
に付着した残液を吸引することにより、液滴が生じず高
品位な製品を、しかも歩留りよく製造することができ
る。
明の塗布方法及び塗布装置によれば、ノズル先端部内に
て塗布液と気体を混合させて霧状にして、適切に、適量
を被処理体に噴霧し塗布液を供給した後、ノズル外壁等
に付着した残液を吸引することにより、液滴が生じず高
品位な製品を、しかも歩留りよく製造することができ
る。
【図１】本発明の塗布方法及び塗布装置を適用した現像
装置の構成図。
装置の構成図。
【図２】図１に示す一実施例の要部の断面図。
【図３】図１に示す現像装置を用いた現像方法のタイム
チャート。
チャート。
【図４】従来の方法の説明図。
【図５】従来の方法の説明図。
１５・・・・・・液体供給ノズル １６・・・・・・気体供給ノズル １７・・・・・・拡散孔 １８・・・・・・吸引装置 ２３・・・・・・半導体ウェハ（被処理体）
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B05D 1/02 B05B 7/02 - 7/24 B05C 11/10 H01L 21/30 564 G03F 7/16 502
Claims (3)
- 【請求項１】先端内壁に拡散孔を有する液体供給ノズル
へ送出される液体と、前記液体供給ノズルの先端を包囲
して設けられる気体供給ノズルへ供給される気体とを前
記拡散孔に於いて混合し、被処理体に噴霧して塗布する
際、前記液体及び前記気体を所定時間供給する工程後、
前記液体の供給を停止し前記気体を所定時間供給する工
程を経て、前記液体供給ノズル及び前記気体供給ノズル
の先端部分の内外壁に付着する前記液体を所定時間吸引
する工程を行うことを特徴とする塗布方法。 - 【請求項２】液体供給系から液体が供給され先端内壁に
拡散孔を有する液体供給ノズルと、前記液体供給ノズル
を包囲して設けられ、気体供給系から送出され前記拡散
孔から前記液体を霧状にして噴出させる気体を供給する
気体供給ノズルとを備えた塗布装置において、前記気体
供給ノズルに接続される吸引装置を設けたことを特徴と
する塗布装置。 - 【請求項３】前記液体供給ノズルの前記拡散孔の開き角
度が４５度から９０度であることを特徴とする請求項２
記載の塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13796891A JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13796891A JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363170A JPH04363170A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2911254B2 true JP2911254B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=15210952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13796891A Expired - Fee Related JP2911254B2 (ja) | 1991-06-10 | 1991-06-10 | 塗布方法及び塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2911254B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105195382A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-30 | 林榕浩 | 一种点胶装置 |
-
1991
- 1991-06-10 JP JP13796891A patent/JP2911254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105195382A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-12-30 | 林榕浩 | 一种点胶装置 |
| CN105195382B (zh) * | 2015-08-19 | 2017-12-22 | 韦凤艳 | 一种点胶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363170A (ja) | 1992-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |