JPH0645242A - レジスト塗布方法及びその装置 - Google Patents
レジスト塗布方法及びその装置Info
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- JPH0645242A JPH0645242A JP19806792A JP19806792A JPH0645242A JP H0645242 A JPH0645242 A JP H0645242A JP 19806792 A JP19806792 A JP 19806792A JP 19806792 A JP19806792 A JP 19806792A JP H0645242 A JPH0645242 A JP H0645242A
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- conveyor
- coating
- coating method
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＬＳＩ等の半導体製造に用いるウェ
ハのレジスト塗布方法及びその装置に係り、レジストの
塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化を目的とす
る。 【構成】ＣＰＵ１の指令により、レジスト５は吹付部１
７より、ＣＰＵ１及びコンベヤ制御装置７により駆動す
るコンベヤ８上のウェハに吹き付けられる、レジスト膜
厚検知装置９はウェハ６上のレジスト５の膜厚を測定
し、吹付部１７及びコンベヤ制御装置７へフィ−ドバッ
クをかけ、常に一定なレジスト膜厚となるように最適化
する。 【効果】上記構成により、レジスト塗布むらの低減及び
レジスト塗布の高速化が図れる。また、ウェハの歩留ま
りが向上し、高品質なウェハができるため、ステッパ等
におけるウェハの高精度アライメントが可能となる効果
がある。
ハのレジスト塗布方法及びその装置に係り、レジストの
塗布むらの低減及びレジスト塗布の高速化を目的とす
る。 【構成】ＣＰＵ１の指令により、レジスト５は吹付部１
７より、ＣＰＵ１及びコンベヤ制御装置７により駆動す
るコンベヤ８上のウェハに吹き付けられる、レジスト膜
厚検知装置９はウェハ６上のレジスト５の膜厚を測定
し、吹付部１７及びコンベヤ制御装置７へフィ−ドバッ
クをかけ、常に一定なレジスト膜厚となるように最適化
する。 【効果】上記構成により、レジスト塗布むらの低減及び
レジスト塗布の高速化が図れる。また、ウェハの歩留ま
りが向上し、高品質なウェハができるため、ステッパ等
におけるウェハの高精度アライメントが可能となる効果
がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ等の半導体の製造
に使用するウェハへのレジスト塗布方法及びその装置に
係り、特にレジストを吹付部より霧状に吹き出して、連
続的に移動するコンベア上のウェハに吹き付け、レジス
トの塗布むらの低減とレジストの高速化が図れるレジス
ト塗布方法及びその装置に関する。
に使用するウェハへのレジスト塗布方法及びその装置に
係り、特にレジストを吹付部より霧状に吹き出して、連
続的に移動するコンベア上のウェハに吹き付け、レジス
トの塗布むらの低減とレジストの高速化が図れるレジス
ト塗布方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレジスト塗布装置を図５を用いて
説明する。ウェハ６はウェハ吸着及び回転装置１６に吸
着されて固定される。ウェハ吸着及び回転装置１６を回
転方向１５ａの方向に回転させながら、レジスト５をノ
ズル１９を通じてウェハ６の中央に塗布すると、回転に
よる遠心力によりレジスト５はウェハ６の外周方向６ｇ
に向かって拡散して行き、ウェハ６へのレジスト５の塗
布ができる。
説明する。ウェハ６はウェハ吸着及び回転装置１６に吸
着されて固定される。ウェハ吸着及び回転装置１６を回
転方向１５ａの方向に回転させながら、レジスト５をノ
ズル１９を通じてウェハ６の中央に塗布すると、回転に
よる遠心力によりレジスト５はウェハ６の外周方向６ｇ
に向かって拡散して行き、ウェハ６へのレジスト５の塗
布ができる。
【０００３】しかし、従来のレジスト塗布装置では、ウ
ェハ６のオリフラ部６ｆ付近でレジスト５の塗布むらが
起きたり、ウェハ吸着及び回転装置１６にウェハ６を出
し入れするために、レジストの塗布に時間がかかったり
するという問題点があった。
ェハ６のオリフラ部６ｆ付近でレジスト５の塗布むらが
起きたり、ウェハ吸着及び回転装置１６にウェハ６を出
し入れするために、レジストの塗布に時間がかかったり
するという問題点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明で解決しようと
している問題点は、レジスト塗布むらの発生及び長時間
にわたるウェハへのレジスト塗布である。
している問題点は、レジスト塗布むらの発生及び長時間
にわたるウェハへのレジスト塗布である。
【０００５】従って、本発明の目的は、レジスト塗布む
らの発生の低減及びウェハへのレジスト塗布の高速化を
図ることにある。
らの発生の低減及びウェハへのレジスト塗布の高速化を
図ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、レジストを吹付部より高速に吹き出して、高速で移
動するコンベヤ上のウェハに吹き付ける技術的手段を採
用した。
に、レジストを吹付部より高速に吹き出して、高速で移
動するコンベヤ上のウェハに吹き付ける技術的手段を採
用した。
【０００７】上記技術的手段を採用することにより、ウ
ェハの全面に均一にレジストの塗布ができ、かつレジス
ト塗布の高速化が図れる。
ェハの全面に均一にレジストの塗布ができ、かつレジス
ト塗布の高速化が図れる。
【０００８】また、レジストを空気と混合してウェハ上
に吹き付けることによってもウェハ上の全面に均一にレ
ジストの塗布ができる。
に吹き付けることによってもウェハ上の全面に均一にレ
ジストの塗布ができる。
【０００９】レジストをイオン化し、ウェハ下方より吸
引することによっても、ウェハの全面に均一にレジスト
の塗布ができる。
引することによっても、ウェハの全面に均一にレジスト
の塗布ができる。
【００１０】さらに、コンベヤ上のレジスト塗布開始地
点のレジストの溶媒の分圧を１００％とし、レジスト塗
布終了地点の分圧を０％とすることによっても、ウェハ
の全面に均一にレジストの塗布ができる。
点のレジストの溶媒の分圧を１００％とし、レジスト塗
布終了地点の分圧を０％とすることによっても、ウェハ
の全面に均一にレジストの塗布ができる。
【００１１】ウェハの工程に応じて、上記のレジストと
空気の混合、レジストのイオン化、レジストの溶媒の分
圧の変化（１００％→０％）を選択して使用することに
よっても、ウェハの全面に均一にレジストの塗布ができ
る。
空気の混合、レジストのイオン化、レジストの溶媒の分
圧の変化（１００％→０％）を選択して使用することに
よっても、ウェハの全面に均一にレジストの塗布ができ
る。
【００１２】
【作用】前記目的を達成するために、レジストを吹付部
より高速に吹き出して、高速で移動するコンベヤ上のウ
ェハに吹き付ける方式とした。
より高速に吹き出して、高速で移動するコンベヤ上のウ
ェハに吹き付ける方式とした。
【００１３】レジストを吹付部より高速に吹き出すこと
により、レジストを塗布装置内で霧状の粒子に変化させ
ることができる。よって、ウェハの全面に均一にレジス
ト粒子を付着させることができ、塗布むらの低減が図れ
る。また、レジストをイオン化させることにより、ウェ
ハ直前でのレジスト粒子間の凝結を防ぐことができるた
め、さらに均一なレジストの塗布が可能となる。
により、レジストを塗布装置内で霧状の粒子に変化させ
ることができる。よって、ウェハの全面に均一にレジス
ト粒子を付着させることができ、塗布むらの低減が図れ
る。また、レジストをイオン化させることにより、ウェ
ハ直前でのレジスト粒子間の凝結を防ぐことができるた
め、さらに均一なレジストの塗布が可能となる。
【００１４】レジストの溶媒の分圧を塗布開始地点で１
００％、終了地点で０％になるようにコントロ−ルする
と、ウェハの移動中にウェハ全面に均一なレジスト膜の
形成ができるため、均一なレジストの塗布が可能とな
る。
００％、終了地点で０％になるようにコントロ−ルする
と、ウェハの移動中にウェハ全面に均一なレジスト膜の
形成ができるため、均一なレジストの塗布が可能とな
る。
【００１５】前記のレジストと空気の混合、レジストの
イオン化、レジストの溶媒の分圧の変化をウェハの工程
によって選択できるようにすると、ウェハの工程間での
レジスト塗布の平均化ができる。
イオン化、レジストの溶媒の分圧の変化をウェハの工程
によって選択できるようにすると、ウェハの工程間での
レジスト塗布の平均化ができる。
【００１６】さらに、ウェハを高速で移動するコンベヤ
の上に搭載することにより、ウェハ１枚毎の交換の必要
がなくなり、レジスト塗布がコンベヤ上で連続的に行え
るようになり、レジスト塗布の高速化が図れる。
の上に搭載することにより、ウェハ１枚毎の交換の必要
がなくなり、レジスト塗布がコンベヤ上で連続的に行え
るようになり、レジスト塗布の高速化が図れる。
【００１７】
【実施例】図１は、本発明の基本実施例であるレジスト
塗布装置図の全体図である。レジスト塗布装置全体の制
御を行うのがＣＰＵ１，混合部２はＣＰＵ１から指令で
レジスト材料タンク３のレジスト材料と溶媒タンク４の
溶媒の混合を行う。混合部２で混合されたレジスト５は
吹付部１７を通ってウェハ６へ吹き付けられる。コンベ
ヤ制御装置７はＣＰＵ１からの指令を受けてコンベヤ８
を駆動させる。コンベヤの進行方向８ａは図１の通りで
ある。レジスト膜厚検知装置９はレジスト膜圧の情報を
ＣＰＵ１へ送る。以下、図１の動作を説明する。レジス
ト材料と溶媒は各々、レジスト材料タンク３及び溶媒タ
ンク４より混合部２へ送られ、ＣＰＵ１の指令により所
定の割合で混合される。混合されたレジスト５は吹付部
１７を通ってＣＰＵ１によって決定された吹付圧、吹付
速度で、ＣＰＵ１及びコンベヤ制御装置７で指令された
速度で動くコンベヤ８上のウェハ６へ所定の量だけ吹付
けられる。レジスト５を吹き付けられたウェハ６はレジ
スト膜厚検知装置９により膜厚が測定され、その情報は
ＣＰＵ１へ送られ、適正かどうかの判断がなされ、もし
適正でないときには、混合部２、吹付部１７及びコンベ
ヤ制御装置７へ指令を送り、常に一定のレジスト膜厚を
保つ。
塗布装置図の全体図である。レジスト塗布装置全体の制
御を行うのがＣＰＵ１，混合部２はＣＰＵ１から指令で
レジスト材料タンク３のレジスト材料と溶媒タンク４の
溶媒の混合を行う。混合部２で混合されたレジスト５は
吹付部１７を通ってウェハ６へ吹き付けられる。コンベ
ヤ制御装置７はＣＰＵ１からの指令を受けてコンベヤ８
を駆動させる。コンベヤの進行方向８ａは図１の通りで
ある。レジスト膜厚検知装置９はレジスト膜圧の情報を
ＣＰＵ１へ送る。以下、図１の動作を説明する。レジス
ト材料と溶媒は各々、レジスト材料タンク３及び溶媒タ
ンク４より混合部２へ送られ、ＣＰＵ１の指令により所
定の割合で混合される。混合されたレジスト５は吹付部
１７を通ってＣＰＵ１によって決定された吹付圧、吹付
速度で、ＣＰＵ１及びコンベヤ制御装置７で指令された
速度で動くコンベヤ８上のウェハ６へ所定の量だけ吹付
けられる。レジスト５を吹き付けられたウェハ６はレジ
スト膜厚検知装置９により膜厚が測定され、その情報は
ＣＰＵ１へ送られ、適正かどうかの判断がなされ、もし
適正でないときには、混合部２、吹付部１７及びコンベ
ヤ制御装置７へ指令を送り、常に一定のレジスト膜厚を
保つ。
【００１８】前記動作により、常に均一にレジストの塗
布が行えウェハの出し入れが不要なため、レジスト塗布
むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
布が行えウェハの出し入れが不要なため、レジスト塗布
むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
【００１９】図２は、吹付部１７の第１の実施例であ
る。混合部２で混合されたレジスト５はレジストタンク
１１に送られる。空気吹込部１０は、空気吹込ノズル１
０ａより空気を吸い込む。レジストタンク１１は吹付ノ
ズル１７ａにつながっており、吹付ノズル１７ａよりレ
ジスト５が出る。レジスト５は、ＣＰＵ１，コンベヤ制
御装置によって駆動するコンベヤ８上のウェハ６に吹き
付けられる。レジスト膜圧検知装置９はレジスト膜圧の
測定をする。
る。混合部２で混合されたレジスト５はレジストタンク
１１に送られる。空気吹込部１０は、空気吹込ノズル１
０ａより空気を吸い込む。レジストタンク１１は吹付ノ
ズル１７ａにつながっており、吹付ノズル１７ａよりレ
ジスト５が出る。レジスト５は、ＣＰＵ１，コンベヤ制
御装置によって駆動するコンベヤ８上のウェハ６に吹き
付けられる。レジスト膜圧検知装置９はレジスト膜圧の
測定をする。
【００２０】次に、図２の動作を説明する。空気吸込部
１０はＣＰＵ１の指令により、空気吸込ノズル１０ａよ
り空気を吸い込み、吸付ノズル１７ａより空気を出す。
この際、レジストタンク１１のレジスト５も一緒に吸い
出されるため、吹付ノズル１７ａより出るレジスト５は
空気と混合された霧状の粒子（粒子寸法0.1mm以下）と
なる。霧状の粒子となったレジスト５はＣＰＵ１，コン
ベヤ制御装置７によって駆動するコンベヤ８上のウェハ
６の全面に所定の量だけ付着する。レジスト膜厚検知装
置９はウェハ６の全面に付着したレジスト５の膜厚を測
定し、ＣＰＵ１にその情報を送る。ＣＰＵ１はその情報
をもとに、レジストの吹き付け圧、吹き付け速度、及び
コンベヤ８の速度の最適化を行い、その情報を吹付部１
７及びコンベヤ制御装置７に送り、常にレジスト膜厚を
一定に保つ。
１０はＣＰＵ１の指令により、空気吸込ノズル１０ａよ
り空気を吸い込み、吸付ノズル１７ａより空気を出す。
この際、レジストタンク１１のレジスト５も一緒に吸い
出されるため、吹付ノズル１７ａより出るレジスト５は
空気と混合された霧状の粒子（粒子寸法0.1mm以下）と
なる。霧状の粒子となったレジスト５はＣＰＵ１，コン
ベヤ制御装置７によって駆動するコンベヤ８上のウェハ
６の全面に所定の量だけ付着する。レジスト膜厚検知装
置９はウェハ６の全面に付着したレジスト５の膜厚を測
定し、ＣＰＵ１にその情報を送る。ＣＰＵ１はその情報
をもとに、レジストの吹き付け圧、吹き付け速度、及び
コンベヤ８の速度の最適化を行い、その情報を吹付部１
７及びコンベヤ制御装置７に送り、常にレジスト膜厚を
一定に保つ。
【００２１】前記動作により、常に均一にレジストの塗
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジスト塗
布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジスト塗
布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
【００２２】図３は、吹付部１７の第２の実施例であ
る。混合部２で混合されたレジスト５はレジストタンク
１１へ送られる。レジスト５はレジストタンク１１へ送
られる。レジストタンク１１のレジスト５はイオン化装
置１２でイオン化される。イオン化されたレジスト５は
吹付ノズル１７ａを通ってイオン粒子１３になる。イオ
ン粒子１３はイオン吸引装置１４でＣＰＵ１，コンベヤ
制御装置７で駆動するコンベヤ８上のウェハ６に吸着す
る。イオン粒子１３が吸着したウェハ６はレジスト膜厚
検知装置９で膜厚が測定される。
る。混合部２で混合されたレジスト５はレジストタンク
１１へ送られる。レジスト５はレジストタンク１１へ送
られる。レジストタンク１１のレジスト５はイオン化装
置１２でイオン化される。イオン化されたレジスト５は
吹付ノズル１７ａを通ってイオン粒子１３になる。イオ
ン粒子１３はイオン吸引装置１４でＣＰＵ１，コンベヤ
制御装置７で駆動するコンベヤ８上のウェハ６に吸着す
る。イオン粒子１３が吸着したウェハ６はレジスト膜厚
検知装置９で膜厚が測定される。
【００２３】次に、図３の動作を説明する。ＣＰＵ１の
指令により、混合部２のレジスト５はレジストタンク１
１に送られる。レジストタンク１１のレジスト５はイオ
ン化装置１２へ送られ、ＣＰＵ１の指令により所定の変
化速度でイオン化される。イオン化されたレジスト５は
吹付ノズル１７ａを通り、イオン粒子１３はイオン吸引
装置１４により、ＣＰＵ１，コンベヤ制御装置７で駆動
するコンベヤ８上のウェハ６に所定の量だけ吸着する。
レジスト膜厚検知装置はウェハ６の全面に吸着したレジ
スト５の膜厚を測定し、ＣＰＵ１にその情報を送る。Ｃ
ＰＵ１は、その情報をもとにレジスト５のイオン化速
度、イオン吸引装置１４の吸引速度、コンベヤ８の速度
の最適化を行い、その情報を吹付部１７及びコンベヤ制
御装置７に送り、常にレジスト膜圧を一定に保つ。
指令により、混合部２のレジスト５はレジストタンク１
１に送られる。レジストタンク１１のレジスト５はイオ
ン化装置１２へ送られ、ＣＰＵ１の指令により所定の変
化速度でイオン化される。イオン化されたレジスト５は
吹付ノズル１７ａを通り、イオン粒子１３はイオン吸引
装置１４により、ＣＰＵ１，コンベヤ制御装置７で駆動
するコンベヤ８上のウェハ６に所定の量だけ吸着する。
レジスト膜厚検知装置はウェハ６の全面に吸着したレジ
スト５の膜厚を測定し、ＣＰＵ１にその情報を送る。Ｃ
ＰＵ１は、その情報をもとにレジスト５のイオン化速
度、イオン吸引装置１４の吸引速度、コンベヤ８の速度
の最適化を行い、その情報を吹付部１７及びコンベヤ制
御装置７に送り、常にレジスト膜圧を一定に保つ。
【００２４】前記動作により、常に均一なレジストの塗
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジストの
塗布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジストの
塗布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
【００２５】図４は、吹付部１７の第３の実施例であ
る。混合部２のレジスト５は、吹付部１７の吹付ノズル
１７ａを通り、溶媒分圧勾配槽１８へ出る。溶媒分圧勾
配槽１８へ出たレジスト５はＣＰＵ１の指令で溶媒分圧
制御装置１５により、ＣＰＵ１，コンベヤ制御装置７の
指令で駆動するコンベヤ８の各地点のウェハ６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ上で異なる分圧を保つ。
る。混合部２のレジスト５は、吹付部１７の吹付ノズル
１７ａを通り、溶媒分圧勾配槽１８へ出る。溶媒分圧勾
配槽１８へ出たレジスト５はＣＰＵ１の指令で溶媒分圧
制御装置１５により、ＣＰＵ１，コンベヤ制御装置７の
指令で駆動するコンベヤ８の各地点のウェハ６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ上で異なる分圧を保つ。
【００２６】次に、図４の動作を説明する。レジスト５
はＣＰＵ１の指令ににより混合部か２から、吹付部１７
の吹付ノズル１７ａを通り、レジスト分圧勾配槽１８へ
出る。ＣＰＵ１，溶媒分圧制御装置１８より、溶媒分圧
勾配槽１８中の溶媒分圧はレジスト塗布開始地点で１０
０％、終了地点で０％（大気圧）になるように制御され
るため、終了地点でレジスト５は完全にウェハ６ｅに付
着させることができる。このため、例えば、ウェハ６ａ
で分圧１００％、ウェハ６ｂで分圧７５％、ウェハ６ｃ
で分圧５０％、ウェハ６ｄで分圧２５％、ウェハ６ｅで
分圧０％と設定できる。レジスト膜厚検知装置９はウェ
ハ６ｅの全面に付着したレジスト５の膜厚を測定し、Ｃ
ＰＵ１にその情報を送る。ＣＰＵ１はその情報をもとに
溶媒分圧制御装置１５を通して、溶媒分圧勾配の最適化
を行い、またコンベヤ制御装置７を通してコンベヤ８の
速度の最適化を行い、常にレジスト膜厚を一定に保つ。
はＣＰＵ１の指令ににより混合部か２から、吹付部１７
の吹付ノズル１７ａを通り、レジスト分圧勾配槽１８へ
出る。ＣＰＵ１，溶媒分圧制御装置１８より、溶媒分圧
勾配槽１８中の溶媒分圧はレジスト塗布開始地点で１０
０％、終了地点で０％（大気圧）になるように制御され
るため、終了地点でレジスト５は完全にウェハ６ｅに付
着させることができる。このため、例えば、ウェハ６ａ
で分圧１００％、ウェハ６ｂで分圧７５％、ウェハ６ｃ
で分圧５０％、ウェハ６ｄで分圧２５％、ウェハ６ｅで
分圧０％と設定できる。レジスト膜厚検知装置９はウェ
ハ６ｅの全面に付着したレジスト５の膜厚を測定し、Ｃ
ＰＵ１にその情報を送る。ＣＰＵ１はその情報をもとに
溶媒分圧制御装置１５を通して、溶媒分圧勾配の最適化
を行い、またコンベヤ制御装置７を通してコンベヤ８の
速度の最適化を行い、常にレジスト膜厚を一定に保つ。
【００２７】前記動作により、常に均一なレジストの塗
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジストの
塗布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
布が行え、ウェハの出し入れが不要なため、レジストの
塗布むらの低減とレジスト塗布の高速化が図れる。
【００２８】
【発明の効果】本発明はレジストの塗布むらの低減及び
レジスト塗布の高速化が図れる効果がある。また、レジ
ストの塗布むらの低減により、ウェハの歩留まりが向上
し、高品質なウェハができるため、ステッパ等における
ウェハの高精度アライメントが可能となる効果がある。
レジスト塗布の高速化が図れる効果がある。また、レジ
ストの塗布むらの低減により、ウェハの歩留まりが向上
し、高品質なウェハができるため、ステッパ等における
ウェハの高精度アライメントが可能となる効果がある。
【図１】本発明のレジスト塗布装置の実施例を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の吹付部でレジストと空気の混合を実現
する実施例を示す図である。
する実施例を示す図である。
【図３】本発明の吹付部でレジストのイオン化を実現す
る実施例を示す図である。
る実施例を示す図である。
【図４】本発明の吹付部でレジストの溶媒の分圧の変化
を実現する実施例を示す図である。
を実現する実施例を示す図である。
【図５】従来のレジスト塗布装置を示す図である。
１…ＣＰＵ、２…混合部、５…レジスト、６…ウェハ、
７…コンベヤ制御装置、８…コンベヤ、９…レジスト膜
厚検知装置、１０…空気吸込部、１２…イオン化装置、
１４…イオン吸引装置、１５…溶媒分圧制御装置、１６
…ウェハ吸着及び回転装置、１７…吹付部、１８…溶媒
分圧勾配層、１９…ノズル。
７…コンベヤ制御装置、８…コンベヤ、９…レジスト膜
厚検知装置、１０…空気吸込部、１２…イオン化装置、
１４…イオン吸引装置、１５…溶媒分圧制御装置、１６
…ウェハ吸着及び回転装置、１７…吹付部、１８…溶媒
分圧勾配層、１９…ノズル。
Claims (5)
- 【請求項１】レジストを吹付部より霧状に吹き出して、
連続的に移動するコンベヤ上のウェハに吹き付けること
を特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項２】請求項１において、レジストを空気と混合
して、吹付ノズルより高速に吹き出すことによりウェハ
にレジストを吹き付けることを特徴とするレジスト塗布
方法。 - 【請求項３】請求項１において、レジストをイオン化さ
せ、レジストのイオン粒子を吸引して、ウェハにレジス
トを吸着させることを特徴とするレジスト塗布方法。 - 【請求項４】請求項１において、コンベヤの始発点にお
けるレジストの溶媒の分圧を１００％とし、コンベヤの
終点におけるレジストの溶媒の分圧を０％（大気圧）と
して、コンベヤ上のウェハが塗布開始地点から終了地点
に移動する間にレジスト塗布ができることを特徴とする
レジスト塗布方法。 - 【請求項５】ウェハの工程に応じて、請求項２の塗布方
法と請求項３の塗布方法と請求項４の塗布方法の選択が
可能であることを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19806792A JPH0645242A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | レジスト塗布方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19806792A JPH0645242A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | レジスト塗布方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645242A true JPH0645242A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16384976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19806792A Pending JPH0645242A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | レジスト塗布方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645242A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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