JPH02220428A - ホトレジストの塗布方法及び装置 - Google Patents
ホトレジストの塗布方法及び装置Info
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- JPH02220428A JPH02220428A JP4024289A JP4024289A JPH02220428A JP H02220428 A JPH02220428 A JP H02220428A JP 4024289 A JP4024289 A JP 4024289A JP 4024289 A JP4024289 A JP 4024289A JP H02220428 A JPH02220428 A JP H02220428A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子形成方法に係り、特に大面積基板に
ホトレジストを均一に塗布する方法及び装置に関する。
ホトレジストを均一に塗布する方法及び装置に関する。
近年の半導体装置、特に液晶平面デイスプレィにおける
薄膜半導体（以下、 Ｔ Ｆ Ｔ ： Ｔｈ１ｎ Ｆｉ
ｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓと総称する）基板には、高
密度化。
薄膜半導体（以下、 Ｔ Ｆ Ｔ ： Ｔｈ１ｎ Ｆｉ
ｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓと総称する）基板には、高
密度化。
大面積化が強く要望されている。このため各種半導体製
造装置は、高精度化、大型化の方向にある。
造装置は、高精度化、大型化の方向にある。
従来半導体素子の微細パターン形成には写真食刻法が用
いられており、ホトレジスト塗布方法としては、スピン
コード法、ロールコート法等がある。
いられており、ホトレジスト塗布方法としては、スピン
コード法、ロールコート法等がある。
なお、この種の方法として関連するものには例えば半導
体研究振興会編集・半導体研究−１４巻。
体研究振興会編集・半導体研究−１４巻。
第５１頁から第６８頁、工業調査会発行が挙げられる。
上記従来技術前者のスピンコード法においては、基板中
央部に滴下したホトレジストを遠心力により基板周辺に
延ばし、必要外のホトレジストを基板外に跳ばし捨てて
しまうため、ホトレジストの使用量が多いという問題が
あった。また、平面デイスプレィに用いる角型基板にホ
トレジストを均一に塗布するのは難しかった。また、後
者のロールコート法においては、基板とロラーの平行度
を均一にするのが難しく、またロラー表面を均一に平坦
に保つのが難しく、対角１５インチ以上の基板に１μｍ
以下の膜厚のホトレジストを均一に塗布するのは困難で
あった。
央部に滴下したホトレジストを遠心力により基板周辺に
延ばし、必要外のホトレジストを基板外に跳ばし捨てて
しまうため、ホトレジストの使用量が多いという問題が
あった。また、平面デイスプレィに用いる角型基板にホ
トレジストを均一に塗布するのは難しかった。また、後
者のロールコート法においては、基板とロラーの平行度
を均一にするのが難しく、またロラー表面を均一に平坦
に保つのが難しく、対角１５インチ以上の基板に１μｍ
以下の膜厚のホトレジストを均一に塗布するのは困難で
あった。
本発明の目的は大面積角型基板にホトレジストを均一に
塗布する方法及び装置を提供することにある。
塗布する方法及び装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、ホトレジスト溶剤ガス陽圧雰囲気中で、角
型基板の一辺よりホトレジストを随時必要量ずつ滴下し
なから、その後方よりホトレジスト溶剤ガス又は不活性
ガス又はホトレジストを溶解しない液体を吹付け、吹付
は圧力によりホトレジストを均一に膜厚を延ばすことに
より、達成される。
型基板の一辺よりホトレジストを随時必要量ずつ滴下し
なから、その後方よりホトレジスト溶剤ガス又は不活性
ガス又はホトレジストを溶解しない液体を吹付け、吹付
は圧力によりホトレジストを均一に膜厚を延ばすことに
より、達成される。
ガス又は液体の吹出し圧力はスピンコード法の遠心力の
ように働く、また、ホトレジスト滴下は必要量のみを随
時滴下するので捨てるホトレジストはほとんどなくなる
。それによって本方法及び装置によれば必要最小限量の
ホトレジストで大面積角型基板上においても均一な膜厚
でホトレジストを塗布することができるので、大型基板
においても微細パターンを形成することができる。
ように働く、また、ホトレジスト滴下は必要量のみを随
時滴下するので捨てるホトレジストはほとんどなくなる
。それによって本方法及び装置によれば必要最小限量の
ホトレジストで大面積角型基板上においても均一な膜厚
でホトレジストを塗布することができるので、大型基板
においても微細パターンを形成することができる。
また、ホトレジスト溶剤ガスを陽圧にするとホトレジス
ト溶剤の揮発が抑制されるため、ホトレジストは硬化を
抑制されるので、ホトレジストの粘性は変化しなくなる
。それによって、ガス又は液体圧力によりホトレジスト
を均一に延ばすことが出来る。
ト溶剤の揮発が抑制されるため、ホトレジストは硬化を
抑制されるので、ホトレジストの粘性は変化しなくなる
。それによって、ガス又は液体圧力によりホトレジスト
を均一に延ばすことが出来る。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図の１は平面デイスプレィパネルに用いる例えば石
英、ガラス、プラスチック等の基板である。２は基板固
定用のサセプタであり、サセプタ２上に基板１をのせ、
吸引吸着法等により固定する。前記基板１上にレジスト
滴下ノズル３及びガス又は液体吹付はノズル４がサセプ
タ２と平行にガイドレール５に設けてあり、ガイドレー
ル上をスムーズに移動するよう設置しである。また、チ
ャンバー６にはホトレジスト溶剤ガス又は不活性ガス人
ロアと排気口８が設けてあり、排気口８にはチャンバー
内を陽圧になるように調節する弁９が設置しである。ホ
トレジスト塗布は基板の端Ａよりホトレジストを滴下し
ながらホトレジスト溶剤ガス又は不活性ガス等により、
ホトレジスト滴下した後方より、ガス圧力によってホト
レジストを均一な膜厚に延ばしていく、また、さらに均
一な膜厚にしたい場合は、−度しシスト塗布した基板面
上をレジストを滴下せずに、ガスのみを吹付け、ガスノ
ズル４を基板にそって何度か往復させることによりさら
に均一な膜厚となる効果がある。
英、ガラス、プラスチック等の基板である。２は基板固
定用のサセプタであり、サセプタ２上に基板１をのせ、
吸引吸着法等により固定する。前記基板１上にレジスト
滴下ノズル３及びガス又は液体吹付はノズル４がサセプ
タ２と平行にガイドレール５に設けてあり、ガイドレー
ル上をスムーズに移動するよう設置しである。また、チ
ャンバー６にはホトレジスト溶剤ガス又は不活性ガス人
ロアと排気口８が設けてあり、排気口８にはチャンバー
内を陽圧になるように調節する弁９が設置しである。ホ
トレジスト塗布は基板の端Ａよりホトレジストを滴下し
ながらホトレジスト溶剤ガス又は不活性ガス等により、
ホトレジスト滴下した後方より、ガス圧力によってホト
レジストを均一な膜厚に延ばしていく、また、さらに均
一な膜厚にしたい場合は、−度しシスト塗布した基板面
上をレジストを滴下せずに、ガスのみを吹付け、ガスノ
ズル４を基板にそって何度か往復させることによりさら
に均一な膜厚となる効果がある。
次に、他の実施例を第２図により説明する。第２図のご
とく、レジスト滴下ノズル１０及びガス吹出しノズル１
１を固定し、基板１２を前記レジスト滴下ノズル１０及
びガス吹出しノズル１１の下をノズル１０及び１１にそ
って平行に移動することにより１滴下したホトレジスト
を延ばす装置及び方法である０本実施例によれば基板送
り速度とホトレジスト滴下時間とタイミングを調節する
ことにより連続塗布も出来る効果がある。
とく、レジスト滴下ノズル１０及びガス吹出しノズル１
１を固定し、基板１２を前記レジスト滴下ノズル１０及
びガス吹出しノズル１１の下をノズル１０及び１１にそ
って平行に移動することにより１滴下したホトレジスト
を延ばす装置及び方法である０本実施例によれば基板送
り速度とホトレジスト滴下時間とタイミングを調節する
ことにより連続塗布も出来る効果がある。
また、他の実施例として、第１図においてガス吹付はノ
ズル４よりホトレジストを溶解しない液体を吹付けても
同等の効果がある。
ズル４よりホトレジストを溶解しない液体を吹付けても
同等の効果がある。
本発明によれば、大面積角型基板においても、基板上に
ホトレジストを必要最小限量で均一な膜厚に塗布するこ
とが出来るのでホト工程のホトレジスト使用量を少なく
でき、基板の単価が下がり。
ホトレジストを必要最小限量で均一な膜厚に塗布するこ
とが出来るのでホト工程のホトレジスト使用量を少なく
でき、基板の単価が下がり。
また、均一な薄い膜厚のホトレジストを塗布出来るため
微細加工が容易になる効果がある。
微細加工が容易になる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の縦断面図、第１図（
ｂ）は第１の実施例における平面図、第２図は第２実施
例における縦断面図である。 １・・・基板、２・・・サセプタ、３・・・レジスト滴
下ノズル、４・・・ガス吹出しノズル、５・・・ガイド
レール、６・・・チャンバー ７・・・ガス入口、８・
・・排気口、９尾１図
ｂ）は第１の実施例における平面図、第２図は第２実施
例における縦断面図である。 １・・・基板、２・・・サセプタ、３・・・レジスト滴
下ノズル、４・・・ガス吹出しノズル、５・・・ガイド
レール、６・・・チャンバー ７・・・ガス入口、８・
・・排気口、９尾１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体製造工程のホトレジスト塗布工程において、
基板上に滴下したホトレジストを前記滴下したホトレジ
スト後方より、ガス又は液体の吹付け圧力により前記ホ
トレジストを基板上に均一に塗布することを特徴とする
ホトレジストの塗布方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、ホトレジストを塗
布する雰囲気をホトレジスト溶剤雰囲気又は不活性ガス
とし、陽圧であることを特徴とするホトレジスト塗布装
置。 ３、特許請求の範囲第１項に記載のホトレジストの塗布
方法において、吹付けガスをホトレジスト溶剤ガス又は
不活性ガスであることを特徴とするホトレジスト塗布装
置。 ４、特許請求の範囲第１項に記載のホトレジストの塗布
方法において、ホトレジストに吹付ける液体をホトレジ
ストを溶解しない液体であることを特徴とするホトレジ
スト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4024289A JPH02220428A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | ホトレジストの塗布方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4024289A JPH02220428A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | ホトレジストの塗布方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02220428A true JPH02220428A (ja) | 1990-09-03 |
Family
ID=12575246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4024289A Pending JPH02220428A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | ホトレジストの塗布方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02220428A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6231917B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming liquid film |
| JP2002164272A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
| US6475285B2 (en) | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| US6800569B2 (en) | 2002-01-30 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| US6960540B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film formation method, semiconductor element and method thereof, and method of manufacturing a disk-shaped storage medium |
| US7125584B2 (en) | 1999-09-27 | 2006-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a liquid film on a substrate |
| US7371434B2 (en) | 2001-07-26 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid film forming method and solid film forming method |
| CN106054535A (zh) * | 2015-04-08 | 2016-10-26 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 用于将涂层施加到基板的方法与设备 |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP4024289A patent/JPH02220428A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6231917B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-05-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming liquid film |
| US6372285B2 (en) | 1998-06-19 | 2002-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of forming liquid film |
| US6660091B2 (en) | 1998-06-19 | 2003-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for forming liquid film |
| US7125584B2 (en) | 1999-09-27 | 2006-10-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a liquid film on a substrate |
| US6475285B2 (en) | 2000-03-28 | 2002-11-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Deposition apparatus |
| US6960540B2 (en) | 2000-04-27 | 2005-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film formation method, semiconductor element and method thereof, and method of manufacturing a disk-shaped storage medium |
| JP2002164272A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 塗布方法及び塗布装置 |
| US7371434B2 (en) | 2001-07-26 | 2008-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid film forming method and solid film forming method |
| US6800569B2 (en) | 2002-01-30 | 2004-10-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| US7312018B2 (en) | 2002-01-30 | 2007-12-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| US7604832B2 (en) | 2002-01-30 | 2009-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| US8071157B2 (en) | 2002-01-30 | 2011-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method, film forming apparatus, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor apparatus |
| CN106054535A (zh) * | 2015-04-08 | 2016-10-26 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 用于将涂层施加到基板的方法与设备 |
| CN106054535B (zh) * | 2015-04-08 | 2021-04-27 | 苏斯微技术光刻有限公司 | 用于将涂层施加到基板的方法与设备 |
| TWI754612B (zh) * | 2015-04-08 | 2022-02-11 | 德商蘇士微科技印刷術股份有限公司 | 用於將塗料施加到基板的方法及裝置 |
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