JPS6013076A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS6013076A JPS6013076A JP58121761A JP12176183A JPS6013076A JP S6013076 A JPS6013076 A JP S6013076A JP 58121761 A JP58121761 A JP 58121761A JP 12176183 A JP12176183 A JP 12176183A JP S6013076 A JPS6013076 A JP S6013076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- base body
- thin film
- plasma cvd
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は被成膜基体を効率よく、均一に加熱するプラズ
マＣＶＤ装置に関するものである。
マＣＶＤ装置に関するものである。
薄膜の製造装置の１つとして近年脚光を浴びているもの
にプラズマＣＶＤ装置がある。この装置は、減圧された
反′応室に薄膜形成用の原料がスを供給し、プラズマを
生起させて、反応室内に配置された加熱される基体上に
薄膜を形成するもので、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。この装置で例えばシランガス（５ｉＨ４
）を原料ガスとして作製した非晶質硅素膜は、非晶質硅
素の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく高抵抗
でかつ光導電性が大きい為、電子写真用感光体として有
効である。しかしこのプラズマＣＶＤ装置によって非晶
質硅素を作製する場合に膜の電気的及び光学的特性が被
成膜基体の温度に強く依存するため、膜形成時の基体の
温度の均一性が重要な問題となる。またプラズマの状態
も反応室内の温度に依存し、反応室内に基体よシも温度
が高い部分が存在する場合には基体温度が同じでも前述
のよ多温度の高い部分によってプラズマ状態が変化し、
結果として膜の特性も変化する。電子写真用感光体の様
な円筒状基体に成膜するプラズマＣＶＤ装置として例え
ば第１図の様なプラズマＣＶＤ装置が知られている。図
中、１紘反応室を構成する真空槽、２はその排気口、３
は該真空槽内に配置された中空二重壁構造の円筒形電極
、４は該電極と同心に配置され対向電極を構成している
被成膜基体、５は該基体を支持する軸、６は上記の電極
および基体を取囲むシールド円筒、７および８社上下の
シールド蓋を示す。円筒状基体４の内部には加熱ヒータ
９が配置されて、基体を内部よシ加熱する。基体の取シ
付けられている軸５は回転し、膜の均一化が計られてい
る。
にプラズマＣＶＤ装置がある。この装置は、減圧された
反′応室に薄膜形成用の原料がスを供給し、プラズマを
生起させて、反応室内に配置された加熱される基体上に
薄膜を形成するもので、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。この装置で例えばシランガス（５ｉＨ４
）を原料ガスとして作製した非晶質硅素膜は、非晶質硅
素の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく高抵抗
でかつ光導電性が大きい為、電子写真用感光体として有
効である。しかしこのプラズマＣＶＤ装置によって非晶
質硅素を作製する場合に膜の電気的及び光学的特性が被
成膜基体の温度に強く依存するため、膜形成時の基体の
温度の均一性が重要な問題となる。またプラズマの状態
も反応室内の温度に依存し、反応室内に基体よシも温度
が高い部分が存在する場合には基体温度が同じでも前述
のよ多温度の高い部分によってプラズマ状態が変化し、
結果として膜の特性も変化する。電子写真用感光体の様
な円筒状基体に成膜するプラズマＣＶＤ装置として例え
ば第１図の様なプラズマＣＶＤ装置が知られている。図
中、１紘反応室を構成する真空槽、２はその排気口、３
は該真空槽内に配置された中空二重壁構造の円筒形電極
、４は該電極と同心に配置され対向電極を構成している
被成膜基体、５は該基体を支持する軸、６は上記の電極
および基体を取囲むシールド円筒、７および８社上下の
シールド蓋を示す。円筒状基体４の内部には加熱ヒータ
９が配置されて、基体を内部よシ加熱する。基体の取シ
付けられている軸５は回転し、膜の均一化が計られてい
る。
電極及び基体は、外側で、シールド円筒６及び上下の蓋
７及び８によシミ気的にシールドして、反応プラズマを
とじ込めている。これら全体の系は、真空槽１によシ覆
われておシ真空ポンプによシ排気口２から排気される。
７及び８によシミ気的にシールドして、反応プラズマを
とじ込めている。これら全体の系は、真空槽１によシ覆
われておシ真空ポンプによシ排気口２から排気される。
プラズマ分解される原料ガスは電極３の中空部に外部よ
シ供給され電極の内側に明けられた孔を通し、プラズマ
中に放出され、分解又は重合されて基体４の表面に堆積
して、該基体４の表面上に成膜する。
シ供給され電極の内側に明けられた孔を通し、プラズマ
中に放出され、分解又は重合されて基体４の表面に堆積
して、該基体４の表面上に成膜する。
上記のような従来のプラズマＣＶＤ装置においては、被
成膜基体が加熱ヒータ９からの輻射熱によって加熱され
ているために基体中に温度分布が生じやすく、さらに基
体の温度よシもヒータ部の温度の方がはるかに高いため
にプラズマの不均一も起こシやすい。従ってその結果、
基体上に堆積した膜の電気的及び光学的特性にも不均一
が生じやすくなる。
成膜基体が加熱ヒータ９からの輻射熱によって加熱され
ているために基体中に温度分布が生じやすく、さらに基
体の温度よシもヒータ部の温度の方がはるかに高いため
にプラズマの不均一も起こシやすい。従ってその結果、
基体上に堆積した膜の電気的及び光学的特性にも不均一
が生じやすくなる。
本発明の目的は、上述のプラズマＣＶＤ装置の欠点を排
除し、被成膜基体のまわ）に基体よシも温度の高い部分
を生ずることなしに、基板を効率よく均一に加熱するよ
うにしたプラズマＣＶＤ装置を提供しようとすることで
ある。
除し、被成膜基体のまわ）に基体よシも温度の高い部分
を生ずることなしに、基板を効率よく均一に加熱するよ
うにしたプラズマＣＶＤ装置を提供しようとすることで
ある。
本発明の特徴とするところは、上記の如きプラズマＣＶ
Ｄ装置において、導電性の被成膜基体に直接電流を流し
或いは基体裏面に予め一体に形成された加熱用ヒータに
電流を流すことによって、基体を直接加熱する為の基体
加熱用の電流供給手段を設け、反応室内に基体よ多温度
の高い部分を生ずることなしに被成膜基体を直接加熱す
ることにある。
Ｄ装置において、導電性の被成膜基体に直接電流を流し
或いは基体裏面に予め一体に形成された加熱用ヒータに
電流を流すことによって、基体を直接加熱する為の基体
加熱用の電流供給手段を設け、反応室内に基体よ多温度
の高い部分を生ずることなしに被成膜基体を直接加熱す
ることにある。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明を実施するプラズマＣＶＤ装置の一例
を示す。第２図中、第１図に示すものと対応する部分は
同一の符号によって指示して、その詳細な説明は省略す
る。第１図に示した従来の装置と第２図に示す装置との
違いは前者が加熱ヒータ９の輻射熱によって被成膜基体
４を加熱しているのに対し、後者では回転軸５を利用し
て基体４に直接電流を流すか、基体の裏面に一体に形成
したヒータに電流を流すことによって基体を加熱してい
るという点にある。従って第２図に示す装置には第１図
の従来のプラズマＣＶＤ装置において使用される加熱ヒ
ータ９は存在せず、第２図の回転軸５内に絶縁シールさ
れた導線を通し、これを介してヒータ用電源１０によっ
て基体４に直接電流を流すか、又は基体裏面に一体に設
けたヒータに電流を流すことによって基体を加熱する。
を示す。第２図中、第１図に示すものと対応する部分は
同一の符号によって指示して、その詳細な説明は省略す
る。第１図に示した従来の装置と第２図に示す装置との
違いは前者が加熱ヒータ９の輻射熱によって被成膜基体
４を加熱しているのに対し、後者では回転軸５を利用し
て基体４に直接電流を流すか、基体の裏面に一体に形成
したヒータに電流を流すことによって基体を加熱してい
るという点にある。従って第２図に示す装置には第１図
の従来のプラズマＣＶＤ装置において使用される加熱ヒ
ータ９は存在せず、第２図の回転軸５内に絶縁シールさ
れた導線を通し、これを介してヒータ用電源１０によっ
て基体４に直接電流を流すか、又は基体裏面に一体に設
けたヒータに電流を流すことによって基体を加熱する。
第１図に示すプラズマＣＶＤ装置と同様に、電極３及び
基体４は、外側で、シールド円筒６及び上下の蓋７及び
８によシミ気的にシールドして、反応プラズマをとじ込
めていて、これら全体の系は、真空槽ｌによ゛シ覆われ
ておシ真空ポンプによシ排気口２から排気される。プラ
ズマ分解又は重合される原料ガスは電極３の中空部に外
部よシ供給され電極の内側に明けられた孔を通し、プラ
ズマ中に放出され、分解又は重合されて基体４の表面に
薄膜を形成する。
基体４は、外側で、シールド円筒６及び上下の蓋７及び
８によシミ気的にシールドして、反応プラズマをとじ込
めていて、これら全体の系は、真空槽ｌによ゛シ覆われ
ておシ真空ポンプによシ排気口２から排気される。プラ
ズマ分解又は重合される原料ガスは電極３の中空部に外
部よシ供給され電極の内側に明けられた孔を通し、プラ
ズマ中に放出され、分解又は重合されて基体４の表面に
薄膜を形成する。
第２図に示す装置において、基体４に直接電流を流す場
合には基体が導電性でなければならない。
合には基体が導電性でなければならない。
このとき基体材料としては、例えばＮｉＣｒ ％ステン
レス、ＡＬＣｒ、 Ｍｏ、 Ａｕｓ Ｎｂｓ Ｔａ、
Ｖｓ Ｔ１、ＰＬ％Ｐｄ等の金属又はこれ醇の合金が挙
げられる。
レス、ＡＬＣｒ、 Ｍｏ、 Ａｕｓ Ｎｂｓ Ｔａ、
Ｖｓ Ｔ１、ＰＬ％Ｐｄ等の金属又はこれ醇の合金が挙
げられる。
基体裏面にヒータを一体に設ける場合には基体は導電性
であっても電気絶縁性であっても良い。導電性基体とし
ては上記金属又は合金が材料として挙げられ、電気絶縁
性基体としてはポリエステル、ポリエチレン、ポリカー
ゴネート、セルキーズアセテート、ポリゾロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、４リスチレン、ポ
リアミド等め合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、
セラミック、紙等が通常使用される。勿論、これ等の基
体材料は、加熱によって変形、変質等の膜形成に悪影響
を及はさない程度の温度以下に加熱される必要がある。
であっても電気絶縁性であっても良い。導電性基体とし
ては上記金属又は合金が材料として挙げられ、電気絶縁
性基体としてはポリエステル、ポリエチレン、ポリカー
ゴネート、セルキーズアセテート、ポリゾロピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、４リスチレン、ポ
リアミド等め合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、
セラミック、紙等が通常使用される。勿論、これ等の基
体材料は、加熱によって変形、変質等の膜形成に悪影響
を及はさない程度の温度以下に加熱される必要がある。
従って耐熱性に優れた材質を用いるのが良い。これ等の
電気絶縁性基体は、好適にはその一方の表面を導電処理
され、該導電処理された表面側に非晶質硅素等の薄膜が
設けられるのが望ましい。
電気絶縁性基体は、好適にはその一方の表面を導電処理
され、該導電処理された表面側に非晶質硅素等の薄膜が
設けられるのが望ましい。
例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ。
ＡＺＩ Ｃｒ ＋ ＭＯＨＡｕ ｒ Ｉ ｒ ｒ Ｎｂ
＋ Ｔａ Ｔ ｖＩ Ｔｌ ｒ Ｐ ＊ ＋ Ｐｄ
ｒＩｎ２０２． ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０□＋ ５
ｎ０２ ）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｌＣｒ、 Ａｔ、Ａｇ、 ｐｂ、
Ｚｎ、 ＮＬ Ａｕ、 Ｃｒ ｒＭｏ、 Ｉｒ、 Ｎ
ｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉｎ Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。
＋ Ｔａ Ｔ ｖＩ Ｔｌ ｒ Ｐ ＊ ＋ Ｐｄ
ｒＩｎ２０２． ＳｎＯ２，ＩＴＯ（Ｉｎ２０□＋ ５
ｎ０２ ）等から成る薄膜を設けることによって導電性
が付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂
フィルムであれば、ＮｌＣｒ、 Ａｔ、Ａｇ、 ｐｂ、
Ｚｎ、 ＮＬ Ａｕ、 Ｃｒ ｒＭｏ、 Ｉｒ、 Ｎ
ｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉｎ Ｐｔ等の金属の薄膜を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面
に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理して
、その表面に導電性が付与される。
基体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
例えば、プラズマＣＶＤ装置によって作製した薄膜番電
子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。
形状とし得、所望によって、その形状は決定されるが、
例えば、プラズマＣＶＤ装置によって作製した薄膜番電
子写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速
複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望
ましい。
基体裏面にヒータを一体に設ける場合には、例えばＮｉ
Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ等のヒータ線を基体裏面に一定ノ９
ターン状に配線するか、又はＮｉＣｒ、 Ｗ、 Ｍｏ等
金属薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・クツタリ／
グ等で、又はラミネート処理によって基体裏面に全面又
は一定ノぐターン状に設けて、ヒータとする。
Ｃｒ、 Ｗ、 Ｍｏ等のヒータ線を基体裏面に一定ノ９
ターン状に配線するか、又はＮｉＣｒ、 Ｗ、 Ｍｏ等
金属薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス・クツタリ／
グ等で、又はラミネート処理によって基体裏面に全面又
は一定ノぐターン状に設けて、ヒータとする。
尚ここで基体が導電性の場合にはヒータを設ける前に裏
面の電気絶縁処理が必要であシ、これは例えばポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーブネート、セルローズア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリスチレン、ポリイミド等のコーティン
グによって行なう。また導電性基体裏面にヒータ線を一
定パターン状に配線する場合には裏面に電気絶縁処理を
施こさずに絶縁シールされたヒータ線を使用してもよい
。上記のプラズマＣＶＤ装置による薄膜の形成は、基体
上に非晶質硅素膜を形成する他に、原料ガスに５ＩＨ４
＋ ＮＨ３等によシ窒化硅素膜、５ＩＨ４＋Ｏ□によシ
酸化硅素膜ＳｉＨ４＋ ＣｅＨ４又は５ＩＨ４＋ＣＨ４
等によシ炭化硅素膜の成膜等に利用可能である。
面の電気絶縁処理が必要であシ、これは例えばポリエス
テル、ポリエチレン、ポリカーブネート、セルローズア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリスチレン、ポリイミド等のコーティン
グによって行なう。また導電性基体裏面にヒータ線を一
定パターン状に配線する場合には裏面に電気絶縁処理を
施こさずに絶縁シールされたヒータ線を使用してもよい
。上記のプラズマＣＶＤ装置による薄膜の形成は、基体
上に非晶質硅素膜を形成する他に、原料ガスに５ＩＨ４
＋ ＮＨ３等によシ窒化硅素膜、５ＩＨ４＋Ｏ□によシ
酸化硅素膜ＳｉＨ４＋ ＣｅＨ４又は５ＩＨ４＋ＣＨ４
等によシ炭化硅素膜の成膜等に利用可能である。
前述のように、本発明はｆ−）ズマＣｖＤ装置内に被成
膜基体加熱のために基体から独立したヒータを設けずに
基体に直接電流を流すか、基体裏面に一体に設けられた
ヒータに電流を流すことによって、装置内に基体よシも
温度の高い部分を作らず、効率よく均一に基体を加熱す
ることが可能となシ、これによって基体全面に電気的、
光学的に均一な薄膜を形成することが可能となる。
膜基体加熱のために基体から独立したヒータを設けずに
基体に直接電流を流すか、基体裏面に一体に設けられた
ヒータに電流を流すことによって、装置内に基体よシも
温度の高い部分を作らず、効率よく均一に基体を加熱す
ることが可能となシ、これによって基体全面に電気的、
光学的に均一な薄膜を形成することが可能となる。
第１図は従来の円筒基体用プラズマＣＶＤ装置の説明図
、 第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例の
説明図である。 ｌ・・・真空槽 ２・・・排気口 ３・・・円筒形電極 ４・・・被成膜基体５・・・回転
軸 ６・・・シールド円筒７．８・・・シールドＭ９・
・・加ｓ ヒ−タ１０・・・ヒータ用電源
、 第２図は本発明に係るプラズマＣＶＤ装置の一実施例の
説明図である。 ｌ・・・真空槽 ２・・・排気口 ３・・・円筒形電極 ４・・・被成膜基体５・・・回転
軸 ６・・・シールド円筒７．８・・・シールドＭ９・
・・加ｓ ヒ−タ１０・・・ヒータ用電源
Claims (1)
- 減圧された反応室に薄膜形成用の原料ガスを供給し、プ
ラズマを生起させて、反応室内に配置された加熱される
基体上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、
導電性の基体に直接電流を流し或いは基体裏面に一体に
形成されたヒータに電流を流すことによって基体を直接
加熱する為の基体加熱用の電流供給手段を設けたことを
特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121761A JPS6013076A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58121761A JPS6013076A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013076A true JPS6013076A (ja) | 1985-01-23 |
Family
ID=14819226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58121761A Pending JPS6013076A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013076A (ja) |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP58121761A patent/JPS6013076A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0387372A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP2000073173A (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPS6013076A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3372647B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3513206B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPH0627948B2 (ja) | 光導電部材 | |
| JPS59191065A (ja) | 光導電部材 | |
| JP3135031B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP3387616B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS622544A (ja) | 無声放電型ガスプラズマ処理装置 | |
| JPS6013075A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS63243278A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
| JP3606399B2 (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JP2531649B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH058272B2 (ja) | ||
| JPS6086277A (ja) | 放電による堆積膜の形成方法 | |
| JPH01298173A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜製造方法 | |
| JP2994658B2 (ja) | マイクロ波ｃｖｄ法による堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法 | |
| JP3402952B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPH0645882B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
| JPH0565590B2 (ja) | ||
| JP2608410B2 (ja) | グロー放電分解装置 | |
| JPS5854345A (ja) | アモルフアスシリコン電子写真感光体の製造方法 | |
| JPH07288233A (ja) | 堆積膜形成装置 | |
| JPS62256966A (ja) | 成膜装置 |