JPH058272B2 - - Google Patents
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- JPH058272B2 JPH058272B2 JP16733584A JP16733584A JPH058272B2 JP H058272 B2 JPH058272 B2 JP H058272B2 JP 16733584 A JP16733584 A JP 16733584A JP 16733584 A JP16733584 A JP 16733584A JP H058272 B2 JPH058272 B2 JP H058272B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマCVD装置に関し、さらに
詳しくはプラズマCVD法によるアモルフアスシ
リコン膜等を成膜するのに好適な装置に関する。
詳しくはプラズマCVD法によるアモルフアスシ
リコン膜等を成膜するのに好適な装置に関する。
（従来の技術）
プラズマCVD（plasma chemical vapor
deposition）法は、原料ガスをグロー放電分解す
ることにより、基板上に非晶質膜を形成させる方
法としてよく知られている。
deposition）法は、原料ガスをグロー放電分解す
ることにより、基板上に非晶質膜を形成させる方
法としてよく知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、たとえばプラズマCVD法によ
りアモルフアスシリコンを基板上に成膜する場合
アモルフアスシリコン膜が基板のみならず、反応
容器内壁にも付着する難点がある。例えばドラム
状基板にアモルフアスシリコン膜を形成し電子写
真用感光体を作製する場合、長時間成膜すると、
反応容器内壁に付着したアモルフアスシリコン膜
が次第に剥離して基板上に付着して、膜のピンホ
ール、凹み等の膜欠陥を引き起こす。これはアモ
ルフアスシリコン膜が次第に堆積するにつれて膜
応力が増加し内壁から剥離するためである。
りアモルフアスシリコンを基板上に成膜する場合
アモルフアスシリコン膜が基板のみならず、反応
容器内壁にも付着する難点がある。例えばドラム
状基板にアモルフアスシリコン膜を形成し電子写
真用感光体を作製する場合、長時間成膜すると、
反応容器内壁に付着したアモルフアスシリコン膜
が次第に剥離して基板上に付着して、膜のピンホ
ール、凹み等の膜欠陥を引き起こす。これはアモ
ルフアスシリコン膜が次第に堆積するにつれて膜
応力が増加し内壁から剥離するためである。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、このような難点の改良されたプ
ラズマCVD装置を得るべく種々検討した結果、
本発明に到達した。
ラズマCVD装置を得るべく種々検討した結果、
本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、真空反応容器内壁
に、筒状基板と対向電極を設け、グロー放電によ
りガス状物質を分解して基板上に薄膜を形成させ
る装置において、上記対向電極及び／又は上記反
応容器内壁を有機高分子膜で被覆したことを特徴
とするプラズマCVD装置にある。
に、筒状基板と対向電極を設け、グロー放電によ
りガス状物質を分解して基板上に薄膜を形成させ
る装置において、上記対向電極及び／又は上記反
応容器内壁を有機高分子膜で被覆したことを特徴
とするプラズマCVD装置にある。
以下、本発明を詳細に説明する。
第１図は、本発明に係るプラズマCVD装置を
用いて、電子写真感光体を作成する場合の一実施
態様を示すものであり、真空反応容器５内に電子
写真感光体用の円筒状基板１が支持治具上に置か
れる。この基板は、ヒーター３により、室温〜
600℃程度の範囲で加熱が可能であり、通常、ア
ルミニウム、銅、ニツケル、タンタル、ステンレ
ス鋼等の金属から選ばれる。
用いて、電子写真感光体を作成する場合の一実施
態様を示すものであり、真空反応容器５内に電子
写真感光体用の円筒状基板１が支持治具上に置か
れる。この基板は、ヒーター３により、室温〜
600℃程度の範囲で加熱が可能であり、通常、ア
ルミニウム、銅、ニツケル、タンタル、ステンレ
ス鋼等の金属から選ばれる。
この真空反応容器内を排気口７を通じて真空ポ
ンプで排気した後、原料ガス導入口６よりシリコ
ンを含む原料ガス（SiH4等）を導入し、圧力
10-2〜10Torr程度になるように排気速度を調節
した後、対向電極２と基板１との間に電源４によ
り、直流又は交流電圧を印加し、グロー放電を生
じさせる。
ンプで排気した後、原料ガス導入口６よりシリコ
ンを含む原料ガス（SiH4等）を導入し、圧力
10-2〜10Torr程度になるように排気速度を調節
した後、対向電極２と基板１との間に電源４によ
り、直流又は交流電圧を印加し、グロー放電を生
じさせる。
この装置において、対向電極２及び／又は真空
反応容器５内壁は有機高分子膜で被膜されてい
る。この高分子膜としては、基板が通常300℃程
度にまで加熱されるので、この輻射熱に耐えるも
のが使用される。
反応容器５内壁は有機高分子膜で被膜されてい
る。この高分子膜としては、基板が通常300℃程
度にまで加熱されるので、この輻射熱に耐えるも
のが使用される。
有機高分子としては具体的には、ポリイミド、
トリアジン系の耐熱性樹脂等が挙げられ、また、
比較的低温の基板加熱の場合には、四フツ化エチ
レン樹脂、ポリエチレンテレフタレート等が挙げ
られる。これらの高分子膜で被覆するに際して
は、フイルムコート、あるいは塗布方式が採用さ
れる。被覆の厚みは通常、数μ〜数百μ程度で十
分である。
トリアジン系の耐熱性樹脂等が挙げられ、また、
比較的低温の基板加熱の場合には、四フツ化エチ
レン樹脂、ポリエチレンテレフタレート等が挙げ
られる。これらの高分子膜で被覆するに際して
は、フイルムコート、あるいは塗布方式が採用さ
れる。被覆の厚みは通常、数μ〜数百μ程度で十
分である。
上記被覆は、好ましくは電極及び／又は反応容
器内壁以外の反応系部位、たとえば支持治具、等
にもなされ得る。
器内壁以外の反応系部位、たとえば支持治具、等
にもなされ得る。
本発明装置を用いて薄膜を形成させる場合、さ
らに、上記反応容器を100〜300℃、好ましくは
150〜250℃に加熱することにより、基板以外の部
位（反応容器内壁）に付着する薄膜の剥離防止の
効果を一層向上させることができる。
らに、上記反応容器を100〜300℃、好ましくは
150〜250℃に加熱することにより、基板以外の部
位（反応容器内壁）に付着する薄膜の剥離防止の
効果を一層向上させることができる。
本装置において、筒状基板は、円筒状に限ら
ず、断面が角形、だ円形等の任意の形（筒状）を
とりうる。また、この基板はそのまま薄膜を形成
して用いることができるが、基板上にシート状基
板をとりつけ、薄膜形成後に取りはずして用いる
こともできる。
ず、断面が角形、だ円形等の任意の形（筒状）を
とりうる。また、この基板はそのまま薄膜を形成
して用いることができるが、基板上にシート状基
板をとりつけ、薄膜形成後に取りはずして用いる
こともできる。
さらに対向電極の形状は、円筒状、棒状、板状
等、基板内壁との間の電界を均一にするために任
意の形状をとりうる。また、基板を加熱するため
に前記のようにヒーターを通常基板の内側に設け
ることができる。
等、基板内壁との間の電界を均一にするために任
意の形状をとりうる。また、基板を加熱するため
に前記のようにヒーターを通常基板の内側に設け
ることができる。
一方、基板は回転可能にすることにより、膜の
均一性をさらに向上させることができる。さら
に、対向電極の上下部に、たとえばメツシユ状の
トラツプを設け、微粉の除去、ガスの均一化に役
立てることができる。
均一性をさらに向上させることができる。さら
に、対向電極の上下部に、たとえばメツシユ状の
トラツプを設け、微粉の除去、ガスの均一化に役
立てることができる。
また、電源は直流、交流、高周波のいずれであ
つてもよく、原料ガスの導入等の堆積法自体は、
この分野で通常用いられている方法を採用しう
る。
つてもよく、原料ガスの導入等の堆積法自体は、
この分野で通常用いられている方法を採用しう
る。
（発明の効果）
本発明に係るプラズマCVD装置によれば、電
極及び／又は反応容器壁とアモルフアスシリコン
膜との応力が緩和され、アモルフアスシリコン膜
が電極及び／又は容器壁から剥離しにくくなり基
板上にフレークとして付着しないのでピンホール
等の膜欠陥が少い良好な薄膜を作製することがで
きる。たとえば、基板上の薄膜の膜厚が15μ＞と
なつてもピンホール等の膜欠陥のない良好な膜が
得られ、特に電子写真感光体のドラム作製に好適
である。
極及び／又は反応容器壁とアモルフアスシリコン
膜との応力が緩和され、アモルフアスシリコン膜
が電極及び／又は容器壁から剥離しにくくなり基
板上にフレークとして付着しないのでピンホール
等の膜欠陥が少い良好な薄膜を作製することがで
きる。たとえば、基板上の薄膜の膜厚が15μ＞と
なつてもピンホール等の膜欠陥のない良好な膜が
得られ、特に電子写真感光体のドラム作製に好適
である。
第１図は、本発明に係るプラズマCVD装置の
一例を示す概略図である。 １……基板、２……対向電極、５……反応容
器。
一例を示す概略図である。 １……基板、２……対向電極、５……反応容
器。
Claims (1)
- １ 真空反応容器内に、筒状基板と対向電極を設
け、グロー放電によりガス状物質を分解して基板
上に薄膜を形成させる装置において、上記対向電
極及び／又は上記反応容器内壁を有機高分子膜で
被覆したことを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16733584A JPS6148569A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16733584A JPS6148569A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6148569A JPS6148569A (ja) | 1986-03-10 |
| JPH058272B2 true JPH058272B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=15847823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16733584A Granted JPS6148569A (ja) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6148569A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668151B2 (ja) * | 1988-06-30 | 1994-08-31 | 日本真空技術株式会社 | 真空用部材内部の真空接触面処理方法 |
| JPH04112009U (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-29 | トヤマ産機株式会社 | 溶着装置 |
| US6805952B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
| JP4594137B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2010-12-08 | 株式会社アルバック | 皮膜形成装置及び有機高分子皮膜の形成方法 |
-
1984
- 1984-08-10 JP JP16733584A patent/JPS6148569A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6148569A (ja) | 1986-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |