JP3016795B2 - 銀皮膜の固着性析出方法、銀皮膜及びこれから構成される導電性、反射性または装飾的皮膜 - Google Patents
銀皮膜の固着性析出方法、銀皮膜及びこれから構成される導電性、反射性または装飾的皮膜Info
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は固着性銀皮膜を析出させる方法に関する。
非導電性基板への金属皮膜の析出は金属化すべき部分
を基板に対して特別に調製された洗滌、エツチング、状
態調節、活性化及び金属化浴で処理し、通常の方法で湿
式化学的に行う。この場合にこの表面は洗滌及び状態調
節後まず貴金属を含む溶液で結晶核化が行われ、その後
に活性化された面に従来の方法により金属化が行われ
る。
を基板に対して特別に調製された洗滌、エツチング、状
態調節、活性化及び金属化浴で処理し、通常の方法で湿
式化学的に行う。この場合にこの表面は洗滌及び状態調
節後まず貴金属を含む溶液で結晶核化が行われ、その後
に活性化された面に従来の方法により金属化が行われ
る。
これら処理浴はたいていは水溶液であるが、一部はま
た有機溶剤も含まれる。これら調製剤の欠陥は使用した
化合物のかなり揮発性の時は一部高い毒性があり、これ
は相応した安全防止処置を前提とする。
た有機溶剤も含まれる。これら調製剤の欠陥は使用した
化合物のかなり揮発性の時は一部高い毒性があり、これ
は相応した安全防止処置を前提とする。
湿式化学的方法のもう１つの重大な欠陥は、希望した
固着値を達成するためには、金属化する前に比較的複雑
な前処理手続を講じなければならないことである。この
際それぞれの場合に例えば温度及び処理時間のようなプ
ロセス工学的パラメータを狭い範囲に押えねばならず、
従つて事情によつては広範な工程管理が必要になる。処
理浴の汚染の危険及びこれによつて工程の条件による方
法の変動は大きく、明らかな品質変動の結果になり得
る。処理溶液の腐食性は事情によつてはマスキングラツ
カーまたは被膜に品質低下作用する。
固着値を達成するためには、金属化する前に比較的複雑
な前処理手続を講じなければならないことである。この
際それぞれの場合に例えば温度及び処理時間のようなプ
ロセス工学的パラメータを狭い範囲に押えねばならず、
従つて事情によつては広範な工程管理が必要になる。処
理浴の汚染の危険及びこれによつて工程の条件による方
法の変動は大きく、明らかな品質変動の結果になり得
る。処理溶液の腐食性は事情によつてはマスキングラツ
カーまたは被膜に品質低下作用する。
さらに不利なことは数多くの処理浴及び洗滌水の廃水
技術的処理に対するたいへん大きな出費である。という
のは何倍もの強い腐食性または重金属を含む電解液が使
用されるからである。
技術的処理に対するたいへん大きな出費である。という
のは何倍もの強い腐食性または重金属を含む電解液が使
用されるからである。
時に重要であるのは、種々の種類の基板を金属化すべ
きときに広範な処理適応が必要となる不利な事実であ
る。湿式化学的方法の適用分野は一般に狭く、有機ポリ
マー基板に異る充填材を使用するとき場合によつてはそ
の時大巾な方法変更すら必要となる。被覆すべき材料か
ら他のものえの工程パラメーターの転用は湿式化学的金
属化法の場合可能ではない。
きときに広範な処理適応が必要となる不利な事実であ
る。湿式化学的方法の適用分野は一般に狭く、有機ポリ
マー基板に異る充填材を使用するとき場合によつてはそ
の時大巾な方法変更すら必要となる。被覆すべき材料か
ら他のものえの工程パラメーターの転用は湿式化学的金
属化法の場合可能ではない。
もう１つの公知の析出もしくは被覆の方法は揮発性の
金属化合物の熱分解である。この方法は少なくとも200
℃から1000゜までの非常に高い基板温度を前提とするけ
れどもこれは多くの材料に対して不可かまたは材料損傷
の危険でのみ達成されるにすぎない。
金属化合物の熱分解である。この方法は少なくとも200
℃から1000゜までの非常に高い基板温度を前提とするけ
れどもこれは多くの材料に対して不可かまたは材料損傷
の危険でのみ達成されるにすぎない。
従つて本発明の課題は銀皮膜の固着性析出を比較的低
温でかつ溶剤の非存在下で可能にする方法を提供するこ
とであつた。
温でかつ溶剤の非存在下で可能にする方法を提供するこ
とであつた。
前記課題は本発明により、銀皮膜の固着性析出の方法
においてガス相から析出させることにより解決される。
においてガス相から析出させることにより解決される。
さらに本発明の構成は請求項２以下の特徴から明らか
にすることができる。
にすることができる。
本発明に基づき銀皮膜で被覆した材料は電子工業にお
ける半製品として、例えば絶縁基板に電気的接点の製造
に使用される。他の用途領域では銀の有利な光学的特性
を良好な反射体として使用する。銀は有利には鏡製造で
は反射性金属として、または例えばコンパクトデスクの
ような光メモリー媒体として使用される。さらにまた装
飾的な用途も可能である。すべての用途に対してベース
と銀の間の固着結合が必要とされる。一部は全面的に金
属化した半製品が必要であり、一部では、電子工業で使
用されているように部分的な金属化が望まれている。こ
の他に薄い銀皮膜はまた後から適用すべき無電流または
電気メツキによる金属化、例えば無電流で作用する銀、
ニツケル、金、錫または其の他の電解液に対して活性体
として施すことができる。
ける半製品として、例えば絶縁基板に電気的接点の製造
に使用される。他の用途領域では銀の有利な光学的特性
を良好な反射体として使用する。銀は有利には鏡製造で
は反射性金属として、または例えばコンパクトデスクの
ような光メモリー媒体として使用される。さらにまた装
飾的な用途も可能である。すべての用途に対してベース
と銀の間の固着結合が必要とされる。一部は全面的に金
属化した半製品が必要であり、一部では、電子工業で使
用されているように部分的な金属化が望まれている。こ
の他に薄い銀皮膜はまた後から適用すべき無電流または
電気メツキによる金属化、例えば無電流で作用する銀、
ニツケル、金、錫または其の他の電解液に対して活性体
として施すことができる。
本発明による方法は、湿式化学的加工工程を避けるこ
とにより、公知の方法の不利な点を回避する。本発明に
よれば、ガス相からの銀皮膜の析出はプラズマ中で揮発
性銀化合物を分解することによつて行われる。この場
合、各処理時間により、数百から約2000Åまでの皮膜が
得られる。これは場合により引き続いて、さらに前処理
することなく、有利には化学的銅、金、錫、またはニツ
ケル浴または金属化の後化学的浴、メツキ浴、有利には
銅、ニツケル、金、パラジウムまたはクロム浴で所望の
膜厚さまで補強することができる。
とにより、公知の方法の不利な点を回避する。本発明に
よれば、ガス相からの銀皮膜の析出はプラズマ中で揮発
性銀化合物を分解することによつて行われる。この場
合、各処理時間により、数百から約2000Åまでの皮膜が
得られる。これは場合により引き続いて、さらに前処理
することなく、有利には化学的銅、金、錫、またはニツ
ケル浴または金属化の後化学的浴、メツキ浴、有利には
銅、ニツケル、金、パラジウムまたはクロム浴で所望の
膜厚さまで補強することができる。
より厚い、本発明による方法で製造した、関連ある金
属皮膜の場合メツキによる金属化を直に引き続けること
はまた有利になり得る。
属皮膜の場合メツキによる金属化を直に引き続けること
はまた有利になり得る。
この場合金属組織の発生は公知の方法（アデイテイ
ブ、サブアデイテイブ、サブトラクテイブ技術）によつ
て、例えば基板表面を金属化過程で、金属組織構造を有
すべきその場所のみが露出するようにマスキングによつ
て覆うことにより実施することができる。
ブ、サブアデイテイブ、サブトラクテイブ技術）によつ
て、例えば基板表面を金属化過程で、金属組織構造を有
すべきその場所のみが露出するようにマスキングによつ
て覆うことにより実施することができる。
例えばスクリーン印刷ラツカー、フオトラツカーまた
はフオトレジストフイルムを使用しての、組織構造の他
の実施形も同様に使用することができる。
はフオトレジストフイルムを使用しての、組織構造の他
の実施形も同様に使用することができる。
本発明により使用すべき揮発性のハロゲン含有有機銀
化合物及び過ハロゲン化有機銀化合物は自体公知である
かまたは常法で製造することができる。
化合物及び過ハロゲン化有機銀化合物は自体公知である
かまたは常法で製造することができる。
適しているのは、分解せずにガス相に変り得るすべて
のハロゲン含有有機銀化合物及び過ハロゲン化有機銀化
合物である。
のハロゲン含有有機銀化合物及び過ハロゲン化有機銀化
合物である。
これに類するのは、例えば銀が二重結合OCにある炭素
原子に結合している過ハロゲン化、有利には過フツ化有
機銀化合物である。有利に使用できるのは特に化合物CF
3−CAg−CF−CF3、CF3−CAg−CF2及びペンタフルオロフ
エニル銀である。
原子に結合している過ハロゲン化、有利には過フツ化有
機銀化合物である。有利に使用できるのは特に化合物CF
3−CAg−CF−CF3、CF3−CAg−CF2及びペンタフルオロフ
エニル銀である。
皮膜析出は主として管またはトンネル反応器として、
または平行板反応器及びコロナ放電用反応器として知ら
れている標準のプラズマ反応器で行う。これらの金属皮
膜及び構造の製造には直流ならびに交流または高周波
（マイクロ波を含む）、一般にはKHzまたはMHz範囲でプ
ラズマを発生させることができる。プラズマ室の圧力は
0.2〜1.0hPaである。基板としては例えば有機ポリマー
ならびにセラミツクス（Al2O3、AlN、BN、W2C、B4C及び
其の他）及び石英または石英ガラス及びその混合物のよ
うな無機材質は種々の実施態様で使用される。すなわ
ち、平板、立体的成形体またはフイルムとして、充填材
と共にまたは充填材なしで、一層または複層で使用され
る。さらに銀層を交互に絶縁材で重ねた層構造からな
る、電子工業で使用されている多層回路基板を挙げるこ
とができる。
または平行板反応器及びコロナ放電用反応器として知ら
れている標準のプラズマ反応器で行う。これらの金属皮
膜及び構造の製造には直流ならびに交流または高周波
（マイクロ波を含む）、一般にはKHzまたはMHz範囲でプ
ラズマを発生させることができる。プラズマ室の圧力は
0.2〜1.0hPaである。基板としては例えば有機ポリマー
ならびにセラミツクス（Al2O3、AlN、BN、W2C、B4C及び
其の他）及び石英または石英ガラス及びその混合物のよ
うな無機材質は種々の実施態様で使用される。すなわ
ち、平板、立体的成形体またはフイルムとして、充填材
と共にまたは充填材なしで、一層または複層で使用され
る。さらに銀層を交互に絶縁材で重ねた層構造からな
る、電子工業で使用されている多層回路基板を挙げるこ
とができる。
本発明により使用されるハロゲン含有有機銀化合物及
び過ハロゲン化有機銀化合物はプラズマ反応器にガス状
で、有利には昇華または蒸発によつて導入される。これ
らはこれだけで使用できるが、有利にはまた均一でピン
ホールなしの層を得るためにはキヤリヤーガスで希釈し
て使用することができる。キヤリヤーガスとしてはアル
ゴンまたはヘリウムのような不活性ガスまたは水素のよ
うな還元性ガスが適している。もちろん混合物も使用で
きる。銀化合物の供給は真空を調整した後グロー放電帯
域の外部でキヤリヤーガスの流れに行うので、固有の反
応領域内には均一な混合物が存在する。金属化合物用貯
蔵容器は昇華困難な金属化合物を十分な量でガス流に導
入するためには有利には加熱装置を備える。
び過ハロゲン化有機銀化合物はプラズマ反応器にガス状
で、有利には昇華または蒸発によつて導入される。これ
らはこれだけで使用できるが、有利にはまた均一でピン
ホールなしの層を得るためにはキヤリヤーガスで希釈し
て使用することができる。キヤリヤーガスとしてはアル
ゴンまたはヘリウムのような不活性ガスまたは水素のよ
うな還元性ガスが適している。もちろん混合物も使用で
きる。銀化合物の供給は真空を調整した後グロー放電帯
域の外部でキヤリヤーガスの流れに行うので、固有の反
応領域内には均一な混合物が存在する。金属化合物用貯
蔵容器は昇華困難な金属化合物を十分な量でガス流に導
入するためには有利には加熱装置を備える。
本発明による方法の特別の実施態様は、基板表面を清
滌にしかつ金属層を受入れやすくするために、金属化工
程の前にプラズマ放電内でプラズマエツチング工程を行
うことにある。反応器及び方法の条件の前記実施態様は
原理的にはプラズマ金属化工程と差違はない。
滌にしかつ金属層を受入れやすくするために、金属化工
程の前にプラズマ放電内でプラズマエツチング工程を行
うことにある。反応器及び方法の条件の前記実施態様は
原理的にはプラズマ金属化工程と差違はない。
プラズマエツチング工程では何ら有機金属化合物は使
用しなかつたことは自明である。有利には不活性ガスに
例えば酸素またはテトラフルオロメタン−酸素のような
反応性ガスを添加することができる。
用しなかつたことは自明である。有利には不活性ガスに
例えば酸素またはテトラフルオロメタン−酸素のような
反応性ガスを添加することができる。
さらに本発明による銀皮膜析出用に適した基板として
は例えばガラス、セラミツクス、テフロン、及びアルミ
ニウム、例えばアルミニウム電極のような金属を掲げる
ことができる。
は例えばガラス、セラミツクス、テフロン、及びアルミ
ニウム、例えばアルミニウム電極のような金属を掲げる
ことができる。
次に実施例により本発明を詳細に説明する。
例 反応器形成 平行板形反応器 周 波 数 13.56MHz 基 板 ガラス平板50×50mm 基板温度 120℃ 該装置を試験前に圧力Ｐ＜10Paにポンプで真空にし
た。そこからアルゴン15Pa及び水素10Paを加工部室に導
入した。90〜95℃に加熱した貯蔵容器からCF3−CAg＝CF
−CF3を前記加工部室に昇華させて一定のアルゴン／水
素気流の下でさらに導入した。プラズマは45Wの出力で
発生させた。この析出率は約40Å／分であつた。
た。そこからアルゴン15Pa及び水素10Paを加工部室に導
入した。90〜95℃に加熱した貯蔵容器からCF3−CAg＝CF
−CF3を前記加工部室に昇華させて一定のアルゴン／水
素気流の下でさらに導入した。プラズマは45Wの出力で
発生させた。この析出率は約40Å／分であつた。
高度に輝く良く固着した、比導電率約４・105S・cm+1
を有する銀鏡が得られた。
を有する銀鏡が得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−161763（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−65029（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−11975（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C23C 28/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (11)
- 【請求項１】固着性銀被膜を析出させる方法において、
ハロゲン含有銀有機化合物および過ハロゲン化有機銀化
合物のいずれかから選択される銀化合物を気相で反応器
中に導入し、グロー放電によりプラズマを生成させるこ
とにより基板表面に銀被膜を析出させることを特徴とす
る、固着性銀被膜を析出させる方法。 - 【請求項２】有機銀化合物として銀原子が二重結合CCに
ある炭素原子に結合している過ハロゲン化有機銀化合物
を使用する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】有機銀化合物としてフッ化化合物を使用す
る請求項１記載の方法。 - 【請求項４】有機銀化合物としてCF3−CAg＝CF−CF3を
使用する請求項３記載の方法。 - 【請求項５】有機銀化合物としてCF3−CAg＝CF2を使用
する請求項３記載の方法。 - 【請求項６】有機銀化合物としてペンタフルオロフェニ
ル銀を使用する請求項３記載の方法。 - 【請求項７】有機銀化合物を分解させずにガス相に移行
させる請求項１記載の方法。 - 【請求項８】付加的にキャリヤーガスを使用する請求項
１記載の方法。 - 【請求項９】銀被膜の析出を非導電体または導電性表面
に行う請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】請求項１から９までのいずれか１項記載
の方法により製造された銀被膜。 - 【請求項１１】請求項10記載の銀被膜からなる導電性、
反射性、または装飾的被膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3828211.9 | 1988-08-16 | ||
| DE3828211A DE3828211A1 (de) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | Verfahren zur haftfesten abscheidung von silberfilmen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125873A JPH02125873A (ja) | 1990-05-14 |
| JP3016795B2 true JP3016795B2 (ja) | 2000-03-06 |
Family
ID=6361207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1210236A Expired - Lifetime JP3016795B2 (ja) | 1988-08-16 | 1989-08-16 | 銀皮膜の固着性析出方法、銀皮膜及びこれから構成される導電性、反射性または装飾的皮膜 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5019415A (ja) |
| EP (1) | EP0357918B1 (ja) |
| JP (1) | JP3016795B2 (ja) |
| AT (1) | AT396944B (ja) |
| CA (1) | CA1336249C (ja) |
| DE (2) | DE3828211A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| US5149596A (en) * | 1990-10-05 | 1992-09-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Vapor deposition of thin films |
| US5506059A (en) * | 1993-05-14 | 1996-04-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Metallic films and articles using same |
| DE4438777A1 (de) * | 1994-10-18 | 1996-05-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung elektrischer Schaltungsträger |
| US6221440B1 (en) | 1994-10-18 | 2001-04-24 | Atotech Deutschland Gmbh | Process for plating metal coating |
| US5674606A (en) * | 1995-04-06 | 1997-10-07 | Parker-Hannifin Corporation | Electrically conductive flame retardant materials and methods of manufacture |
| AT405842B (de) | 1998-06-19 | 1999-11-25 | Miba Gleitlager Ag | Verfahren zum aufbringen einer metallischen schicht auf eine polymeroberfläche eines werkstückes |
| US20040031404A1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-02-19 | John Dixon | Seamless embossing shim |
| JP5200304B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2013-06-05 | 国立大学法人群馬大学 | プラスチックへの銀担持方法及びプラスチックの銀担体、銀イオン水の製造方法 |
| FR2964118B1 (fr) * | 2010-08-31 | 2013-10-11 | Gerflor | Revetement de sols avec des proprietes antiderapantes et son procede de fabrication |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US2501563A (en) * | 1946-02-20 | 1950-03-21 | Libbey Owens Ford Glass Co | Method of forming strongly adherent metallic compound films by glow discharge |
| GB791777A (en) * | 1954-11-24 | 1958-03-12 | Gen Electric | Improvements relating to the growing of single crystals |
| US3087838A (en) * | 1955-10-05 | 1963-04-30 | Hupp Corp | Methods of photoelectric cell manufacture |
| US4226896A (en) * | 1977-12-23 | 1980-10-07 | International Business Machines Corporation | Plasma method for forming a metal containing polymer |
| DE2941896A1 (de) * | 1979-10-17 | 1981-04-30 | Ruhrchemie Ag, 4200 Oberhausen | Verfahren zur herstellung von haftfaehigen schichten auf polyolefinen |
| DE3510982A1 (de) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin | Herstellung metallischer strukturen auf nichtleitern |
| JPH0627327B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1994-04-13 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | Ｉｂ族金属の付着方法 |
-
1988
- 1988-08-16 DE DE3828211A patent/DE3828211A1/de active Granted
-
1989
- 1989-07-19 DE DE89113191T patent/DE58906243D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-19 EP EP89113191A patent/EP0357918B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-09 AT AT0190989A patent/AT396944B/de not_active IP Right Cessation
- 1989-08-15 CA CA000608433A patent/CA1336249C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-16 JP JP1210236A patent/JP3016795B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-16 US US07/394,828 patent/US5019415A/en not_active Expired - Fee Related
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| ATA190989A (de) | 1993-05-15 |
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