JPH0660412B2 - 薄膜形成法 - Google Patents
薄膜形成法Info
- Publication number
- JPH0660412B2 JPH0660412B2 JP61193934A JP19393486A JPH0660412B2 JP H0660412 B2 JPH0660412 B2 JP H0660412B2 JP 61193934 A JP61193934 A JP 61193934A JP 19393486 A JP19393486 A JP 19393486A JP H0660412 B2 JPH0660412 B2 JP H0660412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- thin film
- substrate
- glow discharge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は炭素膜やフッ化炭素膜などの薄膜を金属やセラ
ミック上などに形成する薄膜形成法に関する。
ミック上などに形成する薄膜形成法に関する。
（従来技術） 従来、固体材料の表面に薄膜を形成したり、コーティン
グ処理をして材料を保護したり材料表面の接着性や撥水
性を向上させる技術が知られている。
グ処理をして材料を保護したり材料表面の接着性や撥水
性を向上させる技術が知られている。
たとえば、炭素材料は耐熱性や対摩耗性にすぐれ、高い
熱伝導性を有し、自己潤滑性があることから、薄膜にし
て軸受や工具などの表面を被覆したり、放熱機能を高め
るために電子回路基板表面を被覆したりすることが考え
られている。
熱伝導性を有し、自己潤滑性があることから、薄膜にし
て軸受や工具などの表面を被覆したり、放熱機能を高め
るために電子回路基板表面を被覆したりすることが考え
られている。
またフッ化炭素膜はそのすぐれた撥水性や潤滑性が知ら
れており、これらの性質を利用した家庭用品や工業品が
作られている。
れており、これらの性質を利用した家庭用品や工業品が
作られている。
ところで固体材料の表面処理法の一つに低温プラズマを
利用した薄膜形成技術が知られている。
利用した薄膜形成技術が知られている。
前述した炭素膜については、たとえば特開昭５９−２６
９０６号や特開昭６０−２１０５９７号に最近の製造技
術が開示されている。前者においては、真空容器内にお
いて炭化水素系物質をＲＦ高周波電界の作用によりプラ
ズマ状とし、シリコン基板およびスライドガラス基板上
にアモルファス炭素膜を析出形成させ、後者においては
Ｃ≦２０の炭化水素を原料とし、Ｈ２ガスとの混合ガス
を１０９〜１０12Ｈｚのマイクロ波を使用し低圧（１０
０〜１０-2Torr）下にてプラズマ化し、ＳｉまたはＳｉ
化合物基板上にダイヤモンド薄膜を生成させる。
９０６号や特開昭６０−２１０５９７号に最近の製造技
術が開示されている。前者においては、真空容器内にお
いて炭化水素系物質をＲＦ高周波電界の作用によりプラ
ズマ状とし、シリコン基板およびスライドガラス基板上
にアモルファス炭素膜を析出形成させ、後者においては
Ｃ≦２０の炭化水素を原料とし、Ｈ２ガスとの混合ガス
を１０９〜１０12Ｈｚのマイクロ波を使用し低圧（１０
０〜１０-2Torr）下にてプラズマ化し、ＳｉまたはＳｉ
化合物基板上にダイヤモンド薄膜を生成させる。
いずれの方法においても高度の真空雰囲気が必要であ
り、そのための装置が高価となり、特に大面積の表面処
理となると設備が著しく高価となり、実用上問題があっ
た。
り、そのための装置が高価となり、特に大面積の表面処
理となると設備が著しく高価となり、実用上問題があっ
た。
一方、前述したフッ化炭素膜については、たとえば特公
昭６０−３２１２０号に、１０-1〜１０-2ミリバールの
真空雰囲気内で直流または交流の高電圧を印加してグロ
ー放電させながら加熱蒸発するフッ素樹脂を金属表面に
蒸着させてフッ素樹脂の薄膜を形成する方法が開示され
ている。この場合も高度の真空雰囲気を必要とするので
設備が高価になるという問題がある。
昭６０−３２１２０号に、１０-1〜１０-2ミリバールの
真空雰囲気内で直流または交流の高電圧を印加してグロ
ー放電させながら加熱蒸発するフッ素樹脂を金属表面に
蒸着させてフッ素樹脂の薄膜を形成する方法が開示され
ている。この場合も高度の真空雰囲気を必要とするので
設備が高価になるという問題がある。
（発明の目的および構成） 本発明は上記の点にかんがみてなされたもので、大気圧
に近い圧力下で炭素膜やフッ化炭素膜などの薄膜を形成
することを可能にすることを目的とし、この目的を達成
するために、２００Torrから２気圧の範囲内の圧力下
で、９０％以上の希ガスと膜成分を含む気体との混合ガ
スをグロー放電によりプラズマ状となし、基板上に薄膜
として形成するものである。
に近い圧力下で炭素膜やフッ化炭素膜などの薄膜を形成
することを可能にすることを目的とし、この目的を達成
するために、２００Torrから２気圧の範囲内の圧力下
で、９０％以上の希ガスと膜成分を含む気体との混合ガ
スをグロー放電によりプラズマ状となし、基板上に薄膜
として形成するものである。
（実施例） 以下に本発明の実施例を説明する。
第１図は本発明により、炭素膜を形成する装置の概略線
図である。
図である。
１は内部が大気圧に維持された反応容器で、内部中央に
内筒２が伸び内筒２の上部にプラズマ重合に関与する希
ガスと炭化水素などとの混合ガス３が供給される供給口
２ａが設けられている。また内筒２の下端近くには対極
（高電圧極）４が設けられ、この対極４には高電圧入力
部５を介してＲＦ発振器６からＲＦ（無線周波）周波数
をもつ電力が供給される。反応容器１の上部には混合ガ
スの排出口１ａが設けられている。
内筒２が伸び内筒２の上部にプラズマ重合に関与する希
ガスと炭化水素などとの混合ガス３が供給される供給口
２ａが設けられている。また内筒２の下端近くには対極
（高電圧極）４が設けられ、この対極４には高電圧入力
部５を介してＲＦ発振器６からＲＦ（無線周波）周波数
をもつ電力が供給される。反応容器１の上部には混合ガ
スの排出口１ａが設けられている。
反応容器１の底には試料極（低電圧極）として作用する
たとえばステンレスのような導電性支持基板７が設けら
れ、その上にカプトンなどの絶縁材料から成る絶縁板８
が置かれ、その上に炭素膜を形成すべき基板９が置かれ
る。支持基板７は通常はアースされている。１０は反応
容器の外側に巻いた銅箔の外部電極を示すが、この外部
電極１０があれば支持基板７は導電性である必要はな
い。
たとえばステンレスのような導電性支持基板７が設けら
れ、その上にカプトンなどの絶縁材料から成る絶縁板８
が置かれ、その上に炭素膜を形成すべき基板９が置かれ
る。支持基板７は通常はアースされている。１０は反応
容器の外側に巻いた銅箔の外部電極を示すが、この外部
電極１０があれば支持基板７は導電性である必要はな
い。
第２図は反応容器１の底部に置かれる基板９の様子を示
したものである。
したものである。
反応容器１の内部圧力は従来のこの種の装置よりはるか
に高い２００Torrから２気圧の範囲内で用いることがで
きるが大気圧で利用することが最も好ましい。
に高い２００Torrから２気圧の範囲内で用いることがで
きるが大気圧で利用することが最も好ましい。
反応に用いられる混合ガスは、ヘリウム、ネオン、アル
ゴンなどの希ガスと、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ンなどの炭化水素ガスと、反応の初期において炭素膜中
に侵入する水素を引抜くためのハロゲン化炭化水素、ハ
ロゲン、酸素、水素、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＦ４などの水
素引抜きガスとから成り、成分比率は希ガスが９０％以
上、その他のガスが１０％以下である。希ガスは１種類
だけでなく他の希ガスとの混合気体でもよい。
ゴンなどの希ガスと、メタン、エタン、プロパン、ブタ
ンなどの炭化水素ガスと、反応の初期において炭素膜中
に侵入する水素を引抜くためのハロゲン化炭化水素、ハ
ロゲン、酸素、水素、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＦ４などの水
素引抜きガスとから成り、成分比率は希ガスが９０％以
上、その他のガスが１０％以下である。希ガスは１種類
だけでなく他の希ガスとの混合気体でもよい。
この種の薄膜形成に利用されるプラズマはグロー放電、
コロナ放電、無声放電、アーク放電など各種の放電によ
り形成されるが、グロー放電を除く他の放電はストリー
マと呼ばれる火花柱が形成されやすく電流が局部的に流
れ、結果的に一方の電極を構成する固体材料（本発明に
おける基板９に相当する）の特定場所にエネルギーが集
中して材料表面に多数のピンホールを生じ膜質を著しく
低下せしめる。そこでこのような欠陥を伴わないグロー
放電が望まれるが、通常グロー放電は大気圧に近い圧力
下では容易に生じない。
コロナ放電、無声放電、アーク放電など各種の放電によ
り形成されるが、グロー放電を除く他の放電はストリー
マと呼ばれる火花柱が形成されやすく電流が局部的に流
れ、結果的に一方の電極を構成する固体材料（本発明に
おける基板９に相当する）の特定場所にエネルギーが集
中して材料表面に多数のピンホールを生じ膜質を著しく
低下せしめる。そこでこのような欠陥を伴わないグロー
放電が望まれるが、通常グロー放電は大気圧に近い圧力
下では容易に生じない。
ところが希ガスは放電により励起され易く、多くの準安
定状態を有していて励起状態の活性粒子を多く作ること
ができる。高い励起状態の活性粒子が高密度に存在する
と炭化水素やハロゲン化炭化水素の解離度をあげること
が容易になる。また希ガス中ではイオンが拡散し易くな
るために放電を広げる機能もある。本発明は希ガスのこ
のような性質に着目して大気圧に近い圧力下でのグロー
放電を可能にしている。
定状態を有していて励起状態の活性粒子を多く作ること
ができる。高い励起状態の活性粒子が高密度に存在する
と炭化水素やハロゲン化炭化水素の解離度をあげること
が容易になる。また希ガス中ではイオンが拡散し易くな
るために放電を広げる機能もある。本発明は希ガスのこ
のような性質に着目して大気圧に近い圧力下でのグロー
放電を可能にしている。
本発明で炭素膜を形成する基板９としては金属材料、セ
ラミックスまたはガラスなどの無機材料、あるいは高分
子材料などの有機材料であり、金属材料を試料とし導電
性の支持基板７を用いる場合は放電の局所化を防ぐため
に絶縁板８が必要であるが、非導電性材料の場合は絶縁
板８は不要である。
ラミックスまたはガラスなどの無機材料、あるいは高分
子材料などの有機材料であり、金属材料を試料とし導電
性の支持基板７を用いる場合は放電の局所化を防ぐため
に絶縁板８が必要であるが、非導電性材料の場合は絶縁
板８は不要である。
次に本発明により炭素膜を形成した実施例を示す。
ＨｅとＣＨ４を９９：１の割合で混合して成る混合ガス
を毎分４，０００ｃｍ３の流速で１気圧（７６０Torr）
の反応容器内に通しガラス基板（常温）上に炭素膜を形
成した。反応時間は１０分であり、膜成長速度は０．７
ミクロン／１０分であった。反応中は試料表面全体にグ
ロー放電が認められ、ガラス基板上に形成された膜は褐
色、均一であった。
を毎分４，０００ｃｍ３の流速で１気圧（７６０Torr）
の反応容器内に通しガラス基板（常温）上に炭素膜を形
成した。反応時間は１０分であり、膜成長速度は０．７
ミクロン／１０分であった。反応中は試料表面全体にグ
ロー放電が認められ、ガラス基板上に形成された膜は褐
色、均一であった。
一方、混合ガス中の希ガスの成分割合を変えて反応容器
内のプラズマの状況を観測したところ次のような結果が
認められた。Ｈｅ：ＣＨ４の割合が、９７：３、９５：
５では広がりのあるグロー放電が生ずるが、９２：８に
なるとグロー放電の広がりが狭くなり、９０：１０にな
るとグロー放電に代ってコロナ放電が観測された。成分
割合が８９．５：１０．５になると火花放電が観測され
た。
内のプラズマの状況を観測したところ次のような結果が
認められた。Ｈｅ：ＣＨ４の割合が、９７：３、９５：
５では広がりのあるグロー放電が生ずるが、９２：８に
なるとグロー放電の広がりが狭くなり、９０：１０にな
るとグロー放電に代ってコロナ放電が観測された。成分
割合が８９．５：１０．５になると火花放電が観測され
た。
次に本発明によるフッ化炭素膜を形成する場合について
説明する。
説明する。
第１図の装置を用い、混合ガスとして次の（イ）〜
（ニ）のいずれかを用いる。ただし、希ガスはヘリウ
ム、ネオン、アルゴンの単体または混合体であるが、膜
に対するスパッタリングを最小とするため質量の軽いヘ
リウムが望ましい。
（ニ）のいずれかを用いる。ただし、希ガスはヘリウ
ム、ネオン、アルゴンの単体または混合体であるが、膜
に対するスパッタリングを最小とするため質量の軽いヘ
リウムが望ましい。
（イ）希ガスと炭化水素ガスとフッ素の混合ガス（フッ
素に代えてＮＦ３またはＳＦ６でもよい） （ロ）上記（イ）に膜中の水素引抜き用のフッ素以外の
ハロゲンまたは水素を加えた混合ガス （ハ）希ガスとフッ代炭化水素（ＣＦ４を含む）と炭化
水素の混合ガス （ニ）上記（ハ）に膜中の水素引抜き用のフッ素以外の
ハロゲンまたは水素を加えた混合ガス 次に本発明に従ってフッ化炭素膜を形成した実施例を説
明する。
素に代えてＮＦ３またはＳＦ６でもよい） （ロ）上記（イ）に膜中の水素引抜き用のフッ素以外の
ハロゲンまたは水素を加えた混合ガス （ハ）希ガスとフッ代炭化水素（ＣＦ４を含む）と炭化
水素の混合ガス （ニ）上記（ハ）に膜中の水素引抜き用のフッ素以外の
ハロゲンまたは水素を加えた混合ガス 次に本発明に従ってフッ化炭素膜を形成した実施例を説
明する。
ＣＨ４とＣＦ４とＨｅとを１：１：９８の割合で混合し
て成る混合ガスを毎分４，０００ｃｍ３の流速で１気圧
（７６０Torr）の反応容器内に通しステンレス薄板（常
温）上にフッ化炭素膜を形成した。反応時間は２分であ
り、形成された膜は褐色であった。この実験で混合ガス
の成分中ＣＦ４の割合を増していくと、グロー放電の広
がりが次第に狭くなっていき、ＣＨ4:ＣＦ４：Ｈｅが
１：９：９０になると、グロー放電がコロナ放電に変っ
てしまうことが確認された。
て成る混合ガスを毎分４，０００ｃｍ３の流速で１気圧
（７６０Torr）の反応容器内に通しステンレス薄板（常
温）上にフッ化炭素膜を形成した。反応時間は２分であ
り、形成された膜は褐色であった。この実験で混合ガス
の成分中ＣＦ４の割合を増していくと、グロー放電の広
がりが次第に狭くなっていき、ＣＨ4:ＣＦ４：Ｈｅが
１：９：９０になると、グロー放電がコロナ放電に変っ
てしまうことが確認された。
第１の実施例に従って作った炭素膜（厚さ７４３７Å）
および第２の実施例に従って作ったフッ化炭素膜（厚さ
約１００Å）について赤外分光分析器を用いて赤外光の
透過度を測定した結果は第３図（イ）および（ロ）に示
すようになる。この分析結果から、炭化水素（ＣＨ）の
赤外吸収波長である ３０００．０ｃｍ-1（３３，８９８Å）とフッ化炭素の
赤外吸収波長である１１９９．１ｃｍ-1（８３，３９５
Å）に透過度の落込みが認められ、炭素膜とフッ化炭素
膜の存在が確認できる。
および第２の実施例に従って作ったフッ化炭素膜（厚さ
約１００Å）について赤外分光分析器を用いて赤外光の
透過度を測定した結果は第３図（イ）および（ロ）に示
すようになる。この分析結果から、炭化水素（ＣＨ）の
赤外吸収波長である ３０００．０ｃｍ-1（３３，８９８Å）とフッ化炭素の
赤外吸収波長である１１９９．１ｃｍ-1（８３，３９５
Å）に透過度の落込みが認められ、炭素膜とフッ化炭素
膜の存在が確認できる。
本発明により形成される薄膜の１つであるフッ化炭素膜
はすぐれた撥水性を有することが従来から知られている
ので、凝縮型熱交換器のフィンに本発明の方法でフッ化
炭素膜を形成すれば撥水性のすぐれた滴状凝縮面が得ら
れフィンに水滴が付着しにくくなり、熱交換能力の低下
を防止することができる。
はすぐれた撥水性を有することが従来から知られている
ので、凝縮型熱交換器のフィンに本発明の方法でフッ化
炭素膜を形成すれば撥水性のすぐれた滴状凝縮面が得ら
れフィンに水滴が付着しにくくなり、熱交換能力の低下
を防止することができる。
以上本発明を炭素膜とフッ化炭素膜について例示した
が、本発明はたとえば窒化けい素膜、アモルファスシリ
コン、炭化けい素膜などその他の薄膜の形成にも同様に
適用することができることはもちろんである。
が、本発明はたとえば窒化けい素膜、アモルファスシリ
コン、炭化けい素膜などその他の薄膜の形成にも同様に
適用することができることはもちろんである。
（発明の効果） 以上説明したように、本発明においては、２００Torrか
ら２気圧の範囲内の圧力下で、９０％の以上の希ガスと
膜成分を含む気体との混合ガスをグロー放電によりプラ
ズマ状となし、基板上に薄膜として形成するようにした
ので、真空雰囲気を形成するための真空ポンプ、真空バ
ルブ、特殊な溶接を要するベルジャーなどの真空設備が
不要となり、設備コストを大幅に低くできる。さらに薄
膜を形成する基板の面積が大きくても大気圧下の設備で
間に合うのでコスト上有利である。また圧力が高いので
従来法より膜成長速度も大きくなる。
ら２気圧の範囲内の圧力下で、９０％の以上の希ガスと
膜成分を含む気体との混合ガスをグロー放電によりプラ
ズマ状となし、基板上に薄膜として形成するようにした
ので、真空雰囲気を形成するための真空ポンプ、真空バ
ルブ、特殊な溶接を要するベルジャーなどの真空設備が
不要となり、設備コストを大幅に低くできる。さらに薄
膜を形成する基板の面積が大きくても大気圧下の設備で
間に合うのでコスト上有利である。また圧力が高いので
従来法より膜成長速度も大きくなる。
なお、本発明によればグロー放電によるプラズマを利用
した方法であるから熱交換器の放熱フィンのような複雑
な形状の基板面にも低コストで薄膜を均一にコーティン
グすることができる。
した方法であるから熱交換器の放熱フィンのような複雑
な形状の基板面にも低コストで薄膜を均一にコーティン
グすることができる。
第１図は本発明による薄膜形成法を実施する装置の概略
線図、第２図は第１図に示した装置の部分拡大斜視図、
第３図は本発明により形成した薄膜の赤外分光分析の結
果を示すグラフである。 １……反応容器、２……内筒、２ａ……混合ガス供給
口、３……混合ガス、４……対極、６……ＲＦ発振器、
７……支持基板（試料極）、８……絶縁板、９……基
板、１０……外部電極
線図、第２図は第１図に示した装置の部分拡大斜視図、
第３図は本発明により形成した薄膜の赤外分光分析の結
果を示すグラフである。 １……反応容器、２……内筒、２ａ……混合ガス供給
口、３……混合ガス、４……対極、６……ＲＦ発振器、
７……支持基板（試料極）、８……絶縁板、９……基
板、１０……外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】２００Torrから２気圧の範囲内の圧力下
で、９０％以上の希ガスと膜成分を含む気体との混合ガ
スをグロー放電によりプラズマ状となし、基板上に薄膜
として形成することを特徴とする薄膜形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193934A JPH0660412B2 (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 薄膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61193934A JPH0660412B2 (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 薄膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350478A JPS6350478A (ja) | 1988-03-03 |
| JPH0660412B2 true JPH0660412B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=16316173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61193934A Expired - Lifetime JPH0660412B2 (ja) | 1986-08-21 | 1986-08-21 | 薄膜形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660412B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59187697A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-24 | 株式会社クラレ | 紙用内添剤 |
| JPH0672308B2 (ja) * | 1988-07-04 | 1994-09-14 | 新技術事業団 | 大気圧プラズマ反応方法 |
| JPH0748480B2 (ja) * | 1988-08-15 | 1995-05-24 | 新技術事業団 | 大気圧プラズマ反応方法 |
| JP2719184B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜形成法 |
| JP2719183B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1998-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 薄膜形成装置 |
| JP2749630B2 (ja) * | 1989-04-24 | 1998-05-13 | 住友電気工業株式会社 | プラズマ表面処理法 |
| JPH04337076A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Yuuha Mikakutou Seimitsu Kogaku Kenkyusho:Kk | 高圧力下でのプラズマ及びラジカルｃｖｄ法による高速成膜方法 |
| WO1994014303A1 (en) * | 1992-12-09 | 1994-06-23 | Satiko Okazaki | Method and apparatus for atmospheric pressure glow discharge plasma treatment |
| US6835523B1 (en) | 1993-05-09 | 2004-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating |
| DE69609244T2 (de) * | 1995-03-31 | 2001-03-08 | Ceramoptec Gmbh | Verfahren zur Herstellung diamantartiger Beschichtungen |
| US6936310B1 (en) | 1999-04-02 | 2005-08-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Plasma processing method |
| FR2806324B1 (fr) * | 2000-03-15 | 2002-09-27 | Air Liquide | Procede et dispositif de mise en oeuvre d'une reaction chimique et procede de traitement de surface utilisant de tels procede et dispositif |
| US7164095B2 (en) | 2004-07-07 | 2007-01-16 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Microwave plasma nozzle with enhanced plume stability and heating efficiency |
| US7806077B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-10-05 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
| US7271363B2 (en) | 2004-09-01 | 2007-09-18 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Portable microwave plasma systems including a supply line for gas and microwaves |
| US7189939B2 (en) | 2004-09-01 | 2007-03-13 | Noritsu Koki Co., Ltd. | Portable microwave plasma discharge unit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51107767A (ja) * | 1975-03-19 | 1976-09-24 | Hitachi Ltd | Handotaiepitakisharusono seizohoho |
-
1986
- 1986-08-21 JP JP61193934A patent/JPH0660412B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6350478A (ja) | 1988-03-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0660412B2 (ja) | 薄膜形成法 | |
| Vautrin-Ul et al. | Hexamethyldisiloxane (HMDSO)-plasma-polymerised coatings as primer for iron corrosion protection: influence of RF bias | |
| KR910020193A (ko) | 화학부식으로 부터 챔버의 내부금속면을 보호하기 위해 내부 금속면 위에 전도성 코팅을 형성하는 플라즈마 에칭장치 및 방법 | |
| CA2126731A1 (en) | Hollow cathode array and method of cleaning sheet stock therewith | |
| FR2727322A1 (fr) | Procede pour la sublimation d'un materiau solide et dispositif pour la mise en oeuvre du procede | |
| JPH02239623A (ja) | 安定化層及びその製法 | |
| EP0617142A1 (en) | Preparation of silica thin films | |
| Sawada et al. | Reduction of copper oxide thin films with hydrogen plasma generated by a dielectric-barrier glow discharge | |
| JPH1112735A (ja) | ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法 | |
| Gazicki et al. | Deposition and properties of germanium-carbon alloy films produced from tetraethylgermanium in an rf discharge | |
| JPH02213474A (ja) | 薄い硫化モリブデンフイルムの製法、硫化モリブデンフイルムおよび自己潤滑性層、電気光学的層および化学触媒作用性層の製法 | |
| EP1035569B1 (en) | Method for forming plasma films | |
| JP2653404B2 (ja) | 導電性重合体‐金属化合物の製法 | |
| JP2723472B2 (ja) | 基体上に硼燐化シリカガラスを付着する装置および方法 | |
| JPH03229886A (ja) | 大気圧グロープラズマエッチング方法 | |
| Koide et al. | A novel low temperature plasma generator with alumina coated electrode for open air material processing | |
| JP2652676B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPS63109162A (ja) | イオンプレ−テイング方法とその装置 | |
| JPH0797690A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH07118857A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JPH07207449A (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JPH11162960A (ja) | プラズマ成膜方法 | |
| Park et al. | Plasma etching of SiO2 using remote-type pin-to-plate dielectric barrier discharge | |
| JPH06158323A (ja) | 硬質炭素被膜の気相合成方法 | |
| JPH07206414A (ja) | プラズマを用いたｃ６０合成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |