JPH02304920A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH02304920A JPH02304920A JP12432789A JP12432789A JPH02304920A JP H02304920 A JPH02304920 A JP H02304920A JP 12432789 A JP12432789 A JP 12432789A JP 12432789 A JP12432789 A JP 12432789A JP H02304920 A JPH02304920 A JP H02304920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- plasma
- processing apparatus
- plasma processing
- silicone resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 9
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 241000234295 Musa Species 0.000 description 2
- 235000018290 Musa x paradisiaca Nutrition 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に関するものである。
従来のプラズマ処理装置は、例えば、特開昭６３−２５
４７３１号公報に記載のように、発熱体からの汚染防止
のために、絶縁膜を発熱体上に設けるようになっていた
。
４７３１号公報に記載のように、発熱体からの汚染防止
のために、絶縁膜を発熱体上に設けるようになっていた
。
上記従来技術は、絶縁膜に微量台まれるＳｎ等の不純物
元素の点について配慮が十分されておらず試料のプラズ
マ処理、例丸ば、エツチング処理した８７ウエハが汚染
される等の課題があった。
元素の点について配慮が十分されておらず試料のプラズ
マ処理、例丸ば、エツチング処理した８７ウエハが汚染
される等の課題があった。
本発明の目的は、絶縁膜に微量台まれる８ｉ等による重
金属汚染を防止できるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
金属汚染を防止できるプラズマ処理装置を提供すること
にある。
上記目的を達成するために、シリコーンレジン等の絶Ｒ
膜上にカバーとして石英等を設け、ヒータを貼り合わせ
構造としたものである。
膜上にカバーとして石英等を設け、ヒータを貼り合わせ
構造としたものである。
シリコーンレジン等の絶縁膜上にカバーとして石英等を
設け、ヒータを貼り合わせ構造とすることにより、汚染
源となるシリコーンレジン等が直接プラズマにさらされ
なくなる。それによって、シリコーンレジン等に微量台
まれるＳ、等の重金属汚染が防止できる。
設け、ヒータを貼り合わせ構造とすることにより、汚染
源となるシリコーンレジン等が直接プラズマにさらされ
なくなる。それによって、シリコーンレジン等に微量台
まれるＳ、等の重金属汚染が防止できる。
以下、本発明の一実施例として有ｍ場マイクロ波エプチ
ング装置に適用した場合について、ｌ！１図、第２図、
＄３図および第４図を用いて説明する。第１図はＭ厘の
概要を示す断面図である。上部石英製の半球型ベルジャ
から成る処理室１の内部を真空排気装置により減圧した
後、ガス供給装置によりエツチングガスを処理室１内に
導入し、所望の圧力に調整する。また処理室ｌは、コイ
ル２により生成される！ａ場領領域ある。マグネトロン
３より発した２、４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管４
内を伝播し処理室ｌ内に入射される。この生成されたプ
ラズマにより試料台５に載置された被処理材６がエツチ
ング処理される。また被処理材６のエツチング形状を制
御するため、試料台５には高周波電源７が接続され、高
周波電圧が印加されている。また、被処理材６は、ウェ
ハ押え８により、試料台５に固定されている。処理室ｌ
内でプラズマを発生し被処理材６をエツチング処理する
と、ウェハ押え８上等の処理室ｌ内表面には、プラズマ
重合膜が堆積する。この堆積したプラズマ重合膜が剥離
して発電源となっている。一方、プラズマ重合膜の堆積
を低減するには、堆積する部材の表面を加熱することが
有効である。このため本実施例においても、ウェハ押え
８を加熱するために内部にヒータ９を埋設し、ウェハ押
えｓ上へのプラズマ重合膜の付着を防止している。
ング装置に適用した場合について、ｌ！１図、第２図、
＄３図および第４図を用いて説明する。第１図はＭ厘の
概要を示す断面図である。上部石英製の半球型ベルジャ
から成る処理室１の内部を真空排気装置により減圧した
後、ガス供給装置によりエツチングガスを処理室１内に
導入し、所望の圧力に調整する。また処理室ｌは、コイ
ル２により生成される！ａ場領領域ある。マグネトロン
３より発した２、４５ＧＨｚのマイクロ波は、導波管４
内を伝播し処理室ｌ内に入射される。この生成されたプ
ラズマにより試料台５に載置された被処理材６がエツチ
ング処理される。また被処理材６のエツチング形状を制
御するため、試料台５には高周波電源７が接続され、高
周波電圧が印加されている。また、被処理材６は、ウェ
ハ押え８により、試料台５に固定されている。処理室ｌ
内でプラズマを発生し被処理材６をエツチング処理する
と、ウェハ押え８上等の処理室ｌ内表面には、プラズマ
重合膜が堆積する。この堆積したプラズマ重合膜が剥離
して発電源となっている。一方、プラズマ重合膜の堆積
を低減するには、堆積する部材の表面を加熱することが
有効である。このため本実施例においても、ウェハ押え
８を加熱するために内部にヒータ９を埋設し、ウェハ押
えｓ上へのプラズマ重合膜の付着を防止している。
ウェハ押え８に埋設したヒータ９についてその構造を第
２図、第３図および第４図に示し、詳述する。第２図は
ヒータのパターンを示した図であり、第３図は第２図の
Ａ−Ａ断面図、′＠４図は第２図のＢ−８断面図である
。本実施例の場合、石英製の基板１０上に薄膜抵抗体１
１、例えば５ｎ０２＋Ｉｎ２０３を設け、その上に薄膜
導電体、例えばＡｑペーストを焼成したものを配線化と
して設けている。配線化な通して薄膜抵抗体１１に通電
することにより基板１０を加熱している。薄膜抵抗体Ｕ
を設けた基板１０に、石英製のカバー１３を接着剤１４
、例えばシリコーンレジン、シリコーンゴム等を用いて
接着することにより、薄膜ヒータを内部に埋設した貼り
合わせ構造のヒータ９を構成している。
２図、第３図および第４図に示し、詳述する。第２図は
ヒータのパターンを示した図であり、第３図は第２図の
Ａ−Ａ断面図、′＠４図は第２図のＢ−８断面図である
。本実施例の場合、石英製の基板１０上に薄膜抵抗体１
１、例えば５ｎ０２＋Ｉｎ２０３を設け、その上に薄膜
導電体、例えばＡｑペーストを焼成したものを配線化と
して設けている。配線化な通して薄膜抵抗体１１に通電
することにより基板１０を加熱している。薄膜抵抗体Ｕ
を設けた基板１０に、石英製のカバー１３を接着剤１４
、例えばシリコーンレジン、シリコーンゴム等を用いて
接着することにより、薄膜ヒータを内部に埋設した貼り
合わせ構造のヒータ９を構成している。
また電流導入端子１５もＡｑペースト等の導体ペースト
により接着し、その一部なヒータ９内部に埋設している
。また電流導入端子にはネジ止めにより供給電源と結線
されている。
により接着し、その一部なヒータ９内部に埋設している
。また電流導入端子にはネジ止めにより供給電源と結線
されている。
本実施例によれば、Ｎ膜ヒータを内部に埋設した貼り合
わせ構造のヒータ９を用いることにより、シリコーンレ
ジン等が直接プラズマにさらされることが減少したため
、それによってシリコーンレジン等に微量に含まれるｓ
ｎ等の重金属汚染が防止できるという効果がある。
わせ構造のヒータ９を用いることにより、シリコーンレ
ジン等が直接プラズマにさらされることが減少したため
、それによってシリコーンレジン等に微量に含まれるｓ
ｎ等の重金属汚染が防止できるという効果がある。
第１の実施例においては、第４図に示すようにヒータ９
内部に一部埋設された電流導入端子１５はネジ止めによ
り供給電源と結線されていたが、第５図に示すようにバ
ナナチップ型のプラグ１６とジャブク１７とを用いると
容易に供給電源と結線できるという効果がある。
内部に一部埋設された電流導入端子１５はネジ止めによ
り供給電源と結線されていたが、第５図に示すようにバ
ナナチップ型のプラグ１６とジャブク１７とを用いると
容易に供給電源と結線できるという効果がある。
第１の実施例では、石英製の基板ｌＯに石英製のカバー
１３と同一材料のものを貼り合わせてヒータを構成した
が、異種材料のものを貼り合わせてもよい。異種材料の
ものを貼り合わせてヒータを構成した場合の第２の実施
例を、第６図を用いて、Ｓ、０２用有磁場マイクロ波ド
ライエツチング装置のウェハ押え８について説明する。
１３と同一材料のものを貼り合わせてヒータを構成した
が、異種材料のものを貼り合わせてもよい。異種材料の
ものを貼り合わせてヒータを構成した場合の第２の実施
例を、第６図を用いて、Ｓ、０２用有磁場マイクロ波ド
ライエツチング装置のウェハ押え８について説明する。
本実施例の場合、石英製の基板１８上に薄膜抵抗体を設
け、これにアルミナセラミックス製のカバー１９をシリ
コーンレジンにより接着することにより、加熱機構を埋
設したウェハ押えを構成している。このように異種材料
を接着しウェハ押えを構成したのは、石英の方がアルミ
ナセラミックスよりも、その平坦性から薄膜抵抗体を設
けやすく、またＳ＋Ｏｚエツチング装置の場合、石英よ
りもアルミナセラミックスの方が消耗しにくいためであ
る。第１の実施例のようにウェハ押え８内部よりヒータ
９を取りはずしできないが、本実施例の場合には、直接
、発熱体を設けた基板１８にカバー１９を接着しウェハ
押えを構成しており、第１の実施例の効果の他に、効率
よく加熱できるという効果がある。
け、これにアルミナセラミックス製のカバー１９をシリ
コーンレジンにより接着することにより、加熱機構を埋
設したウェハ押えを構成している。このように異種材料
を接着しウェハ押えを構成したのは、石英の方がアルミ
ナセラミックスよりも、その平坦性から薄膜抵抗体を設
けやすく、またＳ＋Ｏｚエツチング装置の場合、石英よ
りもアルミナセラミックスの方が消耗しにくいためであ
る。第１の実施例のようにウェハ押え８内部よりヒータ
９を取りはずしできないが、本実施例の場合には、直接
、発熱体を設けた基板１８にカバー１９を接着しウェハ
押えを構成しており、第１の実施例の効果の他に、効率
よく加熱できるという効果がある。
平行平板型ドライエツチング装置に適用した第３の実施
例を第７図を用いて説明する。処理重加は真空排気装置
により減圧した後１反応ガスを導入し所望の圧力に設定
される。処理室回内には対向した電１ｉｉ２１，２２が
配置されており、そのうち一方の電通２１は接地され、
他方の電極ｎは高周波電＃７に接続されている。被処理
材６は電極乙に載置されており、いわゆるアノード結合
の状態でエツチング処理される。被処理材６はウェハ押
え８により、電極ｎ上に固定されている。ウェハ押え８
の内部には、第ｌの実施例と同様に貼り合わせ構造をし
たヒータ９が設置されており、ウェノ１押え８上のプラ
ズマ重合膜の付着を防止している。
例を第７図を用いて説明する。処理重加は真空排気装置
により減圧した後１反応ガスを導入し所望の圧力に設定
される。処理室回内には対向した電１ｉｉ２１，２２が
配置されており、そのうち一方の電通２１は接地され、
他方の電極ｎは高周波電＃７に接続されている。被処理
材６は電極乙に載置されており、いわゆるアノード結合
の状態でエツチング処理される。被処理材６はウェハ押
え８により、電極ｎ上に固定されている。ウェハ押え８
の内部には、第ｌの実施例と同様に貼り合わせ構造をし
たヒータ９が設置されており、ウェノ１押え８上のプラ
ズマ重合膜の付着を防止している。
また電極乙の外周部には、電極カバーが設置されている
。第２の実施例におけるウェハ押えと同様に、石英製の
基板ｎ上に薄膜抵抗体を設け、これにアルミナセラミッ
クス製のカバー冴をシリコーンレジンを用いて接着する
ことにより加熱機構を埋設した１！極カバーを構成して
いる。これにより電極カバー上へのプラズマ重合膜の付
着を防止している。
。第２の実施例におけるウェハ押えと同様に、石英製の
基板ｎ上に薄膜抵抗体を設け、これにアルミナセラミッ
クス製のカバー冴をシリコーンレジンを用いて接着する
ことにより加熱機構を埋設した１！極カバーを構成して
いる。これにより電極カバー上へのプラズマ重合膜の付
着を防止している。
電４ｉ２１，２２間で発生したプラズマより発する光は
、石英製の窓５を通して、処理室外部に設置されたモノ
クロメータにより検出されている。本実施例においては
、窓５に貼り合わせ構造のヒータを用いて、窓δ上への
プラズマ重合膜の付着を防止している。第８図は、窓５
のビータパターンを示す図であり、第９図は、貼り合わ
せ構造を有する窓乙の断面構造を示している。第９図に
示すように石英製の基板が上に発熱体として透明抵抗膜
が、例えばＳ。０２＋ Ｉｎ２Ｏ３を設け、石英製のカ
バー２８を透明接着剤四、例えばシリコーンレジン。
、石英製の窓５を通して、処理室外部に設置されたモノ
クロメータにより検出されている。本実施例においては
、窓５に貼り合わせ構造のヒータを用いて、窓δ上への
プラズマ重合膜の付着を防止している。第８図は、窓５
のビータパターンを示す図であり、第９図は、貼り合わ
せ構造を有する窓乙の断面構造を示している。第９図に
示すように石英製の基板が上に発熱体として透明抵抗膜
が、例えばＳ。０２＋ Ｉｎ２Ｏ３を設け、石英製のカ
バー２８を透明接着剤四、例えばシリコーンレジン。
シリコーンゴムを用いて接着することにより、内部に加
熱機構を埋設し、しかも光を透過可能な窓５を構成した
。本実施例によれば、第１の実施例の効果に加えて、基
板、薄膜抵抗体、接着剤、カバーのすべてに透明材料を
用いたため、光を透過することができるという効果があ
る。
熱機構を埋設し、しかも光を透過可能な窓５を構成した
。本実施例によれば、第１の実施例の効果に加えて、基
板、薄膜抵抗体、接着剤、カバーのすべてに透明材料を
用いたため、光を透過することができるという効果があ
る。
なお、上記各実施例では、試料をプラズマエツチング処
理する装置に適用する場合について説明したが、この他
のプラズマ処理、例えば、成膜処理する装置においても
良好に適用でき効果を奏することができる。
理する装置に適用する場合について説明したが、この他
のプラズマ処理、例えば、成膜処理する装置においても
良好に適用でき効果を奏することができる。
本発明によれば、薄膜ヒータを内部に埋設した貼り合わ
せ構造のヒータを用いることにより、シリコーンレジン
等が直接プラズマにさらされることが減少したため、シ
リコーンレジン等に微量に含まれる８ｎ等の重金属汚染
が防止できるという効果がある。
せ構造のヒータを用いることにより、シリコーンレジン
等が直接プラズマにさらされることが減少したため、シ
リコーンレジン等に微量に含まれる８ｎ等の重金属汚染
が防止できるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の有磁場マイクロ波エツ
チング装置の構成図、第２図はウエノ１押えに埋設され
たヒータのヒータパターン図、第３図はウェハ押えに埋
設されたヒータの第２図におけるＡ−Ａ断面図、第４図
はウェハ押えに埋設されたヒータのｇＪ２図におけるＢ
−Ｂ断面図、第５図はバナナチブプ型電流導入端子を用
いたヒータの縦断面図、第６図は本発明の第２の実施例
の有磁場マイクロ波エツチング装置の構成図、第７図は
本発明の第３の実施例の平行平板型ドライエブチング装
置の構成図、第８図は第３の実施例における窓のヒータ
パターン図、′＠９図は第３の実施例における窓の縦断
面図である。
チング装置の構成図、第２図はウエノ１押えに埋設され
たヒータのヒータパターン図、第３図はウェハ押えに埋
設されたヒータの第２図におけるＡ−Ａ断面図、第４図
はウェハ押えに埋設されたヒータのｇＪ２図におけるＢ
−Ｂ断面図、第５図はバナナチブプ型電流導入端子を用
いたヒータの縦断面図、第６図は本発明の第２の実施例
の有磁場マイクロ波エツチング装置の構成図、第７図は
本発明の第３の実施例の平行平板型ドライエブチング装
置の構成図、第８図は第３の実施例における窓のヒータ
パターン図、′＠９図は第３の実施例における窓の縦断
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、減圧可能な処理室と真空排気装置とガス供給装置と
プラズマ発生装置とから成るプラズマ処理装置において
、前記処理室の内部に貼り合わせ構造を有するヒータを
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 ２、減圧可能な処理室と真空排気装置とガス供給装置と
プラズマ発生装置とから成るプラズマ処理装置において
、ビューポートの窓若しくはプラズマ発先測定用の窓等
の前記処理室の一部に貼り合わせ構造を有するヒータを
設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。 ３、ヒータの発熱体が、薄膜抵抗体である第１請求項お
よび第２請求項に記載のプラズマ処理装置。 ４、ヒータの発熱体が薄膜抵抗体であり、該発熱体への
配線に薄膜導電体を用いる第１請求項および第２請求項
に記載のプラズマ処理装置。 ５、ヒータの発熱体が、ＳｎＯ＿２、ＩｎＯ＿３等の透
明薄膜抵抗体である第１請求項および第２請求項に記載
のプラズマ処理装置。 ６、ヒータの貼り合わせにシリコーンレジン、シリコー
ンゴム等の接着剤を用いた第１請求項および第２請求項
に記載のプラズマ処理装置。 ７、ヒータの貼り合わせに透明接着剤を用いた第１請求
項および第２請求項に記載のプラズマ処理装置。 ８、貼り合わせ構造のヒータ内部に電流導入端子を一部
埋設した第１請求項および第２請求項に記載のプラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432789A JPH02304920A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12432789A JPH02304920A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02304920A true JPH02304920A (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=14882596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12432789A Pending JPH02304920A (ja) | 1989-05-19 | 1989-05-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02304920A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006065062A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Hyung Woo Kim | A heating apparatus of wafer deposition substrate |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559501A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Toshiba Corp | Display body |
| JPS62285391A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | 株式会社 サ−モミツク | 面状発熱体 |
| JPS63253629A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6428823A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Plasma processor |
-
1989
- 1989-05-19 JP JP12432789A patent/JPH02304920A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS559501A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-23 | Toshiba Corp | Display body |
| JPS62285391A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | 株式会社 サ−モミツク | 面状発熱体 |
| JPS63253629A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6428823A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Plasma processor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006065062A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-22 | Hyung Woo Kim | A heating apparatus of wafer deposition substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6094334A (en) | Polymer chuck with heater and method of manufacture | |
| EP0049588B1 (en) | Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein | |
| KR100745942B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| EP0106623B1 (en) | Sputtering apparatus | |
| CN1312727C (zh) | 改进蚀刻率均一性的设备和方法 | |
| US5539179A (en) | Electrostatic chuck having a multilayer structure for attracting an object | |
| JPH0119253B2 (ja) | ||
| JP2694668B2 (ja) | 基板保持装置 | |
| WO2000072376A1 (fr) | Mandrin electrostatique et dispositif de traitement | |
| JP4868649B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN110226222A (zh) | 具有射频隔离式加热器的静电吸盘 | |
| JPS63194345A (ja) | 静電チヤツク | |
| JP2521471B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
| JP2009087979A (ja) | 基板構造体、及び基板構造体の製造方法 | |
| JP4009006B2 (ja) | ホットプレート | |
| JPH02304920A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07272897A (ja) | マイクロ波プラズマ装置 | |
| JP2886878B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS62188777A (ja) | バイアススパツタリング装置 | |
| CN113451094A (zh) | 聚焦环、用于固定基底的卡盘组件以及等离子体处理设备 | |
| JPH11251419A (ja) | 基板保持用静電チャック及び基板保持方法 | |
| JPH07312362A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH04150512A (ja) | 表面弾性波素子 | |
| JP3731030B2 (ja) | ヒーター付きビューポート | |
| JP2000188279A (ja) | 静電吸着可能な絶縁性透明基板 |