RU2002126255A - Усовершенствование процесса удаления резиста в установке для травления диэлектрика с использованием пучка плазмы - Google Patents

Усовершенствование процесса удаления резиста в установке для травления диэлектрика с использованием пучка плазмы

Info

Publication number
RU2002126255A
RU2002126255A RU2002126255/28A RU2002126255A RU2002126255A RU 2002126255 A RU2002126255 A RU 2002126255A RU 2002126255/28 A RU2002126255/28 A RU 2002126255/28A RU 2002126255 A RU2002126255 A RU 2002126255A RU 2002126255 A RU2002126255 A RU 2002126255A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
plasma
etching
source
etching chamber
autonomous
Prior art date
Application number
RU2002126255/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2279732C2 (ru
Inventor
Джеффри МАРКС (US)
Джеффри МАРКС
Original Assignee
Лэм Ресеч Корпорейшн (Us)
Лэм Ресеч Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Лэм Ресеч Корпорейшн (Us), Лэм Ресеч Корпорейшн filed Critical Лэм Ресеч Корпорейшн (Us)
Publication of RU2002126255A publication Critical patent/RU2002126255A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2279732C2 publication Critical patent/RU2279732C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3342—Resist stripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Claims (16)

1. Устройство для травления слоя диэлектрика, расположенного на подложке, отличающееся тем, что содержит камеру травления диэлектрика; и автономный источник плазмы, соединенный с камерой травления диэлектрика с целью поставки частиц реактива внутрь камеры травления диэлектрика.
2. Устройство по п.1, отличающийся тем, что камера травления диэлектрика содержит стенку камеры; источник газообразного травителя для поставки газообразного травителя в границах стенки камеры; и приспособление для получения локальной плазмы, обеспечивающее превращение газообразного травителя в локальную плазму.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что газообразный травитель включает в свой состав фторуглерод.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что газообразный травитель включает в свой состав также кислород.
5. Устройство по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что автономный источник плазмы содержит источник газа для получения плазмы от автономного источника; и приспособление для активации плазмы от автономного источника, которое возбуждает газ, поступающий от источника газа для получения плазмы от автономного источника, и превращает его в плазму.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что в состав газа, поступающего от источника газа для получения плазмы от автономного источника, входят кислород, азот и водород.
7. Устройство по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что содержит также нагреватель для нагрева стенки камеры до температуры выше 80°С.
8. Устройство по любому из пп.1-7, отличающееся тем, что содержит также множество ограничительных колец, установленных с зазорами друг относительно друга в границах стенки камеры вокруг области формирования плазмы.
9. Способ травления по меньшей мере части выполненного на подложке слоя диэлектрика, имеющего участки, покрытые маской для травления, и участки, не покрытые маской для травления, отличающийся тем, что содержит операции размещения подложки в камере травления; обеспечения притока газообразного травителя в камеру травления; возбуждения локальной плазмы из газообразного травителя в камере травления; стравливания участков слоя диэлектрика, не покрытых маской для травления; генерации плазмы в автономном источнике плазмы; подачи плазмы от автономного источника в камеру травления; удаления маски для травления с подложки, находящейся в камере травления; и удаления подложки из камеры травления.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что содержит также операцию очистки камеры травления плазмой, проводимую после операции удаления подложки из камеры травления.
11. Способ по любому из пп.9-10, отличающийся тем, что газообразный травитель содержит также кислород.
12. Способ по любому из пп.9-11, отличающийся тем, что содержит также операцию прерывания подачи газообразного травителя в камеру травления, проводимую перед операцией подачи плазмы от автономного источника в камеру травления.
13. Способ по любому из пп.9-12, отличающийся тем, что в качестве плазмообразующего газа в автономном источнике плазмы используют кислород, азот и водород.
14. Способ по любому из пп.10-13, отличающийся тем, что операция очистки камеры травления плазмой содержит операцию нагрева стенки камеры травления до температуры выше 80°С.
15. Способ по любому из пп.10-14, отличающийся тем, что операция очистки камеры травления плазмой содержит также операции генерации плазмы в автономном источнике плазмы; подачи плазмы от автономного источника в камеру травления; и использования плазмы от автономного источника для удаления отложений с нагретой стенки камеры.
16. Способ по любому из пп.10-14, отличающийся тем, что содержит также операцию удержания плазмы в пределах ограничительных колец, а также тем, что операция очистки камеры травления плазмой содержит операции подачи газообразного травителя в камеру травления; возбуждения локальной плазмы из газообразного травителя в камере травления; и использования локальной плазмы из газообразного травителя для удаления отложений с ограничительных колец.
RU2002126255/28A 2000-03-30 2001-03-16 Усовершенствование процесса удаления резиста в установке для травления диэлектрика с использованием пучка плазмы RU2279732C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/539,294 US6362110B1 (en) 2000-03-30 2000-03-30 Enhanced resist strip in a dielectric etcher using downstream plasma
US09/539,294 2000-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002126255A true RU2002126255A (ru) 2004-03-27
RU2279732C2 RU2279732C2 (ru) 2006-07-10

Family

ID=24150619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002126255/28A RU2279732C2 (ru) 2000-03-30 2001-03-16 Усовершенствование процесса удаления резиста в установке для травления диэлектрика с использованием пучка плазмы

Country Status (11)

Country Link
US (2) US6362110B1 (ru)
EP (1) EP1269514B1 (ru)
JP (1) JP4860087B2 (ru)
KR (1) KR100787019B1 (ru)
CN (1) CN1282986C (ru)
AT (1) ATE362647T1 (ru)
AU (1) AU2001252928A1 (ru)
DE (1) DE60128460T2 (ru)
RU (1) RU2279732C2 (ru)
TW (1) TW516069B (ru)
WO (1) WO2001075932A2 (ru)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6902629B2 (en) * 2002-04-12 2005-06-07 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US7588036B2 (en) * 2002-07-01 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Chamber clean method using remote and in situ plasma cleaning systems
US20070051471A1 (en) * 2002-10-04 2007-03-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for stripping
US7097716B2 (en) * 2002-10-17 2006-08-29 Applied Materials, Inc. Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect
KR100542740B1 (ko) * 2002-11-11 2006-01-11 삼성전자주식회사 가스 플라즈마 생성 방법 및 장치, 플라즈마 생성용 가스조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US6923189B2 (en) * 2003-01-16 2005-08-02 Applied Materials, Inc. Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry
US7140374B2 (en) * 2003-03-14 2006-11-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for self-cleaning dry etch
US7037376B2 (en) 2003-04-11 2006-05-02 Applied Materials Inc. Backflush chamber clean
US7144521B2 (en) * 2003-08-22 2006-12-05 Lam Research Corporation High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies
US7053994B2 (en) * 2003-10-28 2006-05-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for etch endpoint detection
US7211518B2 (en) * 2004-04-19 2007-05-01 Lam Research Corporation Waferless automatic cleaning after barrier removal
US20050279453A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning
US20050284573A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Egley Fred D Bare aluminum baffles for resist stripping chambers
US20060051965A1 (en) * 2004-09-07 2006-03-09 Lam Research Corporation Methods of etching photoresist on substrates
US7430986B2 (en) * 2005-03-18 2008-10-07 Lam Research Corporation Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
US20060228889A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-12 Edelberg Erik A Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers
US20060266288A1 (en) * 2005-05-27 2006-11-30 Applied Materials, Inc. High plasma utilization for remote plasma clean
US7479457B2 (en) * 2005-09-08 2009-01-20 Lam Research Corporation Gas mixture for removing photoresist and post etch residue from low-k dielectric material and method of use thereof
US8317929B2 (en) * 2005-09-16 2012-11-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus
US7695567B2 (en) * 2006-02-10 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Water vapor passivation of a wall facing a plasma
US20070254112A1 (en) * 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for high utilization of process chambers of a cluster system through staggered plasma cleaning
US7605063B2 (en) * 2006-05-10 2009-10-20 Lam Research Corporation Photoresist stripping chamber and methods of etching photoresist on substrates
US20070266946A1 (en) * 2006-05-22 2007-11-22 Byung-Chul Choi Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same
US7740736B2 (en) * 2006-06-08 2010-06-22 Lam Research Corporation Methods and apparatus for preventing plasma un-confinement events in a plasma processing chamber
US7879184B2 (en) * 2006-06-20 2011-02-01 Lam Research Corporation Apparatuses, systems and methods for rapid cleaning of plasma confinement rings with minimal erosion of other chamber parts
US7789965B2 (en) * 2006-09-19 2010-09-07 Asm Japan K.K. Method of cleaning UV irradiation chamber
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
US8283255B2 (en) * 2007-05-24 2012-10-09 Lam Research Corporation In-situ photoresist strip during plasma etching of active hard mask
KR101423554B1 (ko) 2007-07-31 2014-07-25 (주)소슬 플라즈마 식각 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 식각 방법
KR101372356B1 (ko) * 2007-07-11 2014-03-12 (주)소슬 플라즈마 처리 방법
US8622021B2 (en) 2007-10-31 2014-01-07 Lam Research Corporation High lifetime consumable silicon nitride-silicon dioxide plasma processing components
WO2010003266A1 (en) * 2008-07-09 2010-01-14 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method
US8540844B2 (en) * 2008-12-19 2013-09-24 Lam Research Corporation Plasma confinement structures in plasma processing systems
SG178288A1 (en) * 2009-08-31 2012-03-29 Lam Res Corp A multi-peripheral ring arrangement for performing plasma confinement
JP2010080986A (ja) * 2010-01-14 2010-04-08 Canon Anelva Corp 絶縁膜エッチング装置
CN104550132B (zh) * 2013-10-29 2016-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法
US9870932B1 (en) * 2016-07-27 2018-01-16 Lam Research Corporation Pressure purge etch method for etching complex 3-D structures
CN111586957B (zh) * 2019-02-19 2021-05-04 大连理工大学 一种容性耦合等离子体放电装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6240728A (ja) * 1985-08-15 1987-02-21 Tokuda Seisakusho Ltd ドライエツチング装置
JP2555062B2 (ja) * 1987-04-10 1996-11-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US4857140A (en) * 1987-07-16 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Method for etching silicon nitride
US4836905A (en) * 1987-07-16 1989-06-06 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus
JP2646811B2 (ja) * 1990-07-13 1997-08-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JPH05243167A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US5662770A (en) * 1993-04-16 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improving etch uniformity in remote source plasma reactors with powered wafer chucks
US5798016A (en) * 1994-03-08 1998-08-25 International Business Machines Corporation Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability
US5589041A (en) * 1995-06-07 1996-12-31 Sony Corporation Plasma sputter etching system with reduced particle contamination
US5534751A (en) * 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
JPH0936103A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Ulvac Japan Ltd 半導体ウェハのエッチング及びレジスト除去のための方法並びに装置
US5788799A (en) * 1996-06-11 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for cleaning of semiconductor process chamber surfaces
US6170428B1 (en) * 1996-07-15 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor
US6109206A (en) * 1997-05-29 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Remote plasma source for chamber cleaning
US5849639A (en) * 1997-11-26 1998-12-15 Lucent Technologies Inc. Method for removing etching residues and contaminants
EP1055249A1 (en) * 1998-02-09 2000-11-29 Applied Materials, Inc. Plasma assisted processing chamber with separate control of species density
JP3218348B2 (ja) * 1998-05-21 2001-10-15 株式会社アルバック プラズマアッシング方法
US6014979A (en) * 1998-06-22 2000-01-18 Applied Materials, Inc. Localizing cleaning plasma for semiconductor processing
US6211092B1 (en) * 1998-07-09 2001-04-03 Applied Materials, Inc. Counterbore dielectric plasma etch process particularly useful for dual damascene
JP2000030896A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Anelva Corp プラズマ閉込め装置
US6168726B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Etching an oxidized organo-silane film

Also Published As

Publication number Publication date
KR100787019B1 (ko) 2007-12-18
US20020052114A1 (en) 2002-05-02
CN1432190A (zh) 2003-07-23
RU2279732C2 (ru) 2006-07-10
JP4860087B2 (ja) 2012-01-25
DE60128460D1 (de) 2007-06-28
WO2001075932A3 (en) 2002-03-14
US6362110B1 (en) 2002-03-26
AU2001252928A1 (en) 2001-10-15
EP1269514A2 (en) 2003-01-02
DE60128460T2 (de) 2008-01-17
KR20020093869A (ko) 2002-12-16
ATE362647T1 (de) 2007-06-15
EP1269514B1 (en) 2007-05-16
JP2003529928A (ja) 2003-10-07
TW516069B (en) 2003-01-01
WO2001075932A2 (en) 2001-10-11
CN1282986C (zh) 2006-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2002126255A (ru) Усовершенствование процесса удаления резиста в установке для травления диэлектрика с использованием пучка плазмы
US6014979A (en) Localizing cleaning plasma for semiconductor processing
US5693147A (en) Method for cleaning a process chamber
US6923189B2 (en) Cleaning of CVD chambers using remote source with cxfyoz based chemistry
CN101015042A (zh) 脱除衬底上光刻胶的方法
KR20080050402A (ko) Ｎｆ₃를 사용한 표면 적층물 제거 방법
TWI409866B (zh) 自低ｋ介電材料移除光阻及後蝕刻殘留物之氣體混合物及其使用方法
JPH1096082A (ja) 基板処理システム構成部材の寿命を延ばす炭素ベース膜の使用
CN104465365A (zh) 等离子体处理方法
KR19990071626A (ko) 사파이어플라즈마애셔에서기판으로부터잔류물을제거하는방법및그장치
WO1998014036A9 (en) Fluorine assisted stripping and residue removal in sapphire downstream plasma asher
CN112997282A (zh) 用于将蚀刻层蚀刻的方法
KR20160075330A (ko) 실리콘 에칭 및 세정
JPH05275326A (ja) レジストのアッシング方法
TW202018803A (zh) 蝕刻後去氟化方法
DE60042246D1 (de) In-situ nachätzungs prozess zur entfernung von pho
WO2002047445A3 (en) Chemical plasma cathode
JPH11156156A (ja) ハロゲン系ガスの処理方法、処理装置および反応処理装置並びに半導体装置
JPS5587438A (en) Manufacture of semiconductor device
JP4450407B2 (ja) プラズマ処理装置及び処理方法
CN112563134A (zh) 基片的刻蚀方法和薄膜晶体管
JP2011249405A (ja) ドライエッチング装置のプラズマクリーニング方法
JPH0754801B2 (ja) 半導体装置製造装置およびその反応管内部の洗浄方法
JPH0822981A (ja) 減圧ｃｖｄ装置のクリーニング方法
JPH0864581A (ja) プラズマアッシング装置

Legal Events

Date Code Title Description
TK4A Correction to the publication in the bulletin (patent)

Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 19-2006 FOR TAG: (57)

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120317