DE2930360A1 - Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium - Google Patents

Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium

Info

Publication number
DE2930360A1
DE2930360A1 DE19792930360 DE2930360A DE2930360A1 DE 2930360 A1 DE2930360 A1 DE 2930360A1 DE 19792930360 DE19792930360 DE 19792930360 DE 2930360 A DE2930360 A DE 2930360A DE 2930360 A1 DE2930360 A1 DE 2930360A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plasma
aluminum
etching
chlorine
carbon tetrachloride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19792930360
Other languages
English (en)
Inventor
John Zajac
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eaton Corp
Original Assignee
Eaton Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eaton Corp filed Critical Eaton Corp
Publication of DE2930360A1 publication Critical patent/DE2930360A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

PATENTANWÄLTE
DR. CLAUS REINLÄNDER DIPL.-ING. KLAUS BERNHARDT
Orthstroße 12 · D-8000 München 60 · Telefon 832024/5 Telex 5212744 · Telegramme Interpatent
-3-
E8 P2 D
Eaton Corporation Cleveland, Ohio, USA
Verfahren zum Plasmaätzen von Aluminium
Priorität: 27. Juli 197 8 - USA - Ser. No. 928 597 Zusammenfassung
Es wird ein Verfahren zum Ätzen von Aluminium in einer Planar-Plasmaätzvorrichtung beschrieben, bei dem ein erstes Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid entwickelt wird, dem ein zweites Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid und Chlor folgt. Dadurch, daß die speziell erwähnten Plasmas an speziellen Partialdrucken in zwei Schritten erzeugt werden, wird die Selektivität der Ätzoperation erheblich verbessert, während Nachteile, die beim Ätzen von Aluminium nach dem Stand der Technik auftreten, erheblich herabgesetzt werden.
Hintergrund der Erfindung
Der Gas-Plasma-Dampf-Ätzprozess ist in jüngster Zeit dazu verwendet worden, Operationen auf Halbleiterblöcken dadurch durchzuführen, daß diese einem Plasma ausgesetzt werden, um Teile des von der Halbleiterstruktur getragenen Materials zu entfernen. Die Ausdehnung des reaktiven Plasmaätzens über die Musterbildung von Silicium, Siliciumnitrid und
909886/020$ -Z2
Siliciumoxyden auf die Aluminiumätzung bietet mehrere potentielle Vorteile bei der Herstellung von integrierten Schaltungen kleiner Geometrie. Plasma, verglichen mit dem chemischen Ätzen von Metall, liefert eine bessere Kantendefinition, weniger Hinterschneidungen, erheblich weniger Empfindlichkeit für Photolack-Adhäsion und die Beseitigung des sog. "knee-breakdown" aufgrund der Verdünnung des Photolacks an scharfen Kanten. Diese Verdünnung, wo Aluminium über die Seitenwand eines Schnittes hinüber und diese herab geht, führt zu einem vorzeitigen Ausfall des Lackes während des nassen Ätzens, so daß die Entfernung des Metalls an der nahen Kante möglich wird.
Wenn auch Plasmas derzeit nicht vollständig verstanden werden, so ist es doch bekannt, daß eine spezielle Form von chemischen Materialien dadurch gemacht werden kann, daß die Verbindungen energiereichen Hochfrequenzen ausgesetzt werden. Unter dem Einfluß dieser Hochfrequenzen brechen Verbindungen auf und formen sich neu zu vorübergehenden Arten, deren Lebensdauern so kurz sind, daß sie schwierig zu identifizieren sind. Dementsprechend können unerwartete Reaktionen in einem Plasma herbeigeführt werden, die unter Verwendung konventionellerer Techniken schwierig oder gar nicht herbeigeführt werden können.
Es ist anerkannt, daß das Plasmaätzen von Aluminium gewisse inhärente Probleme bietet, die nicht leicht zu überwinden sind. Das wurde beispielsweise anerkannt von Poulsen u. a. in "Plasma Etching of Aluminum", wo angegeben wird, daß Aluminium in üblichen Ätzgasen auf Chlorbasis (beispielsweise Cl2 oder HCl) nicht plasmageätzt werden kann, und zwar wegen der Schutzmaskierung des Aluminiums durch die dünne Aluminiumoxydschicht (AIpOo)> die sich auf Aluminiumoberflächen bildet, wenn diese Luft ausgesetzt werden. Poulsen führt seine Ätzung in der Weise durch, daß er Plasmas aus Bortrichlorid (BCl3) und Kohlenstofftetrachlorid (CCl4) verwendet. Auf diese Weise wurde festgestellt, daß das Aluminiumoxyd entfernt werden kann, um ein Ätzen des freigelegten Aluminiums zu erlauben, über eine Reaktion mit Chlor-Radi kai-Plasma. Poulsen verwendete einen einzigen Ätzprozess, um sowohl das schützen-
909886/0885
ORIGINAL INSPECTED COPY
de Aluminiumoxyd als auch das darunterliegende Aluminium mit einem Ätzgas abzutragen.
In einem zweiten Artikel"Plasma Etching of Aluminum" von Herndon u. a. am M.I.T. Lincoln Laboratory wurde gelehrt, daß ein zweistufiger Prozess verwendet werden könnte, indem man mit Bortrichlorid oder Kohlenstofftetrachlorid beginnt und eine zweite chemische Ätzung mit Chlor folgen läßt. Der erste Plasmaätzprozess entfernt die Aluminiumoxydschicht, während die zweite chemische Ätzung in der Weise wirkte, daß die darunterliegende Aluminiumschicht mit dem Muster versehen wurde.
Bei der Durchführung der Verfahren nach Poulsen u. a., Herndon u. a. und weiteren, die versucht haben, einen Plasmaätzprozess mit Aluminium durchzuführen, wurden gewisse ernsthafte Schwierigkeiten angetroffen. Beispielsweise ist Bortrichlorid, sowohl allein als auch in einem Trägergas von Argon, Stickstoff oder Helium, extrem korrodierend. Die Plasmaätzkammer und die Elektroden verschlechtern sich extrem schnell, wenn Bortrichlorid dazu verwendet wird, die Aluminiumoxydschicht von der zu ätzenden Aluminiumschicht zu entfernen. Kohlenstofftetrachlorid ist nicht so korrodierend wie Bortrichlorid, hat aber eine außerordentlich schlechte Selektivität über Si 1ieiumdioxyd (SiO2) und Photolack. Aluminium wird auf ein Siliciumdioxydsubstrat gebracht, um ein Halbleitergerät zu produzieren. Das Aluminium wird dann durch die bildweise Aufbringung einer Photolackschicht geschützt. Ein idealer Plasmaätzprozess würde nur das Aluminium abtragen und nicht den Photolack, während das SiIieiumdioxyd unberührt bliebe. Wie erwähnt erfüllt Kohlenstofftetrachlorid als einziges Ätzgas diese Forderungen nur sehr schlecht.
Die Verwendung von Chlor zum Ätzen von Aluminium ist bekannt und wird in beiden erwähnten Aufsätzen gezeigt. Praktiker haben Chlor mit Bortrichlorid verwendet, aber seine Verwendung mit Kohlenstofftetrachlorid ist nicht allgemein, weil festgestellt wurde, daß Chlor das Ätzen von Aluminiumoxyd in einem Kohlenstofftetrachloridsystem verhindert. Herndon
909886/0885
COPY
u. a. impliziert, daß Experimente unter Verwendung von Chlor als zweites Ätzgas durchgeführt worden sind, es wurde jedoch festgestellt, daß die unbegrenzte Verwendung von Chlor als zweite Stufe im Atzprozess isantropes Ätzen bewirkt. Das bedeutet, daß Chlor keine akzeptable Kantendefinition liefert, da Chlor den Photolack hinterschneidet und in der Weise wirkt, daß Aluminium unterhalb des Photolacks in "geschützten" Bereichen ätzt. Weiterhin bewirkt die Verwendung der Kombination von Kohlenstofftetrachlorid und Chlor als Ätzgase beim Plasmaätzen von Aluminium die Bildung eines Polymerfilms, der von der Substratoberfläche nicht entfernt werden kann.
Zusammenfassung der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, Aluminiumoberflächen bei der Herstellung von Halbleitereinrichtungen ohne die erwähnten Nachteile mit Plasma zu ätzen.
Weiter soll durch die Erfindung das Plasmaätzen von Aluminium durchgeführt werden, ohne daß BortriChlorid oder andere hochkorrosive Plasmaarten verwendet werden.
Ferner soll durch die Erfindung das Plasmaätzen von Aluminium durchgeführt werden, während das isantrope Ätzen minimiert wird.
Ferner soll durch die Erfindung ein Kohlenstofftetrachlorid-ZChlor-Ätzgassystem verwendet werden ohne die Bildung von Polymerfilmen, die von der Substratoberfläche nicht entfernt werden können.
Ferner soll durch die Erfindung das Plasmaätzen von Aluminium durchgeführt werden, während gleichzeitig die charakteristischen Ätzcharakteristiken von Kohlenstofftetrachlorid, nämlich scharfe vertikale
.../5 909886/0885
Kanten, beibehalten werden, während ein Kohlenstofftetrachlorid-ZChlorplasma-Ätzsystem verwendet wird.
Ferner soll durch die Erfindung das Plasmaätzen von Aluminium durchgeführt werden, während die Beeinträchtigung des Photolacks um den erheblichen Wert von 60 % verringert wird.
Ferner soll durch die Erfindung das Plasmaätzen von Aluminium unter verringerten Energieanforderungen durchgeführt werden, während eine verbesserte Ätzoperation erhalten wird.
Das Plasmaätzen wird in einer Vorrichtung ähnlich der in der gleichzeitig eingereichten Anmeldung "Plasmaätzvorrichtung" (Anwaltsakte E8 Pl D) durchgeführt. Eine ähnliche Vorrichtung ist auch in der US-PS 3 757 733 dargestellt, auf die hier ausdrücklich Bezug genommen wird. Allgemein weist die Vorrichtung einen Halter für Aluminiumblöcke auf, die geätzt werden sollen. Der Halter sitzt auf der Oberfläche der unteren Elektrode einer planaren Kondensatorstruktur, die Teil der Vakuumkammer ist. Das fitzgas leckt mit einer Durchflußrate in die Vakuumkammer, die mit einem Ventil kontrolliert wird, und der Druck wird durch Drosseln einer mechanischen Vakuumpumpe eingestellt. Der Druck und die Durchflußrate werden genau mit einem Kapazitätsmanometer und einem Massenflußmesser überwacht. Die obere und die untere Elektrode sind sorgfältig relativ zueinander ausgefluchtet,um einen radial symmetrischen Gasstrom und radial symmetrische elektrische Felder im Plasmabereich für die beste Gleichförmigkeit der Ätzrate zu erreichen. Die HF-Leistung wird in die Elektroden eingekoppelt. Der Strom wird zur genauen Leistungseinstellung überwacht. Der Elektrodenabstand ist einstellbar und die Temperatur der unteren Elektrode wird einstellbar kontrolliert.
Bei typischen Ätzanwendungen wird das System geöffnet, die Blöcke werden auf Platinen rund um die untere Elektrode geladen, das System wird evakuiert, das Ätzgas wird eingelassen und das Ätzen
909886/0885
fr.
8
beginnt, wenn das Plasma zwischen den Elektroden von 28 Zoll (711,2 mm) Durchmesser gezündet wird.
Die Ziele der Erfindung werden dadurch verwirklicht, daß zunächst ein Plasma aus im wesentlichen reinem Kohlenstofftetrachlorid unter einem Partialdruck von etwa 300 Micron verwendet wird, um die Aluminiumoxydschicht von der reinen Aluminiumschicht zu entfernen. Die verwendete Leistung beträgt etwa 3,5 A und die Blockplattformtemperatur wird auf 70° C eingestellt. Die Schutzschicht aus Aluminiumoxyd wurde in etwa 3 Minuten abgetragen.
Bei der zweiten Stufe wird eine Kombination von Kohlenstofftetrachlorid und Chlor verwendet, wobei der Partialdruck des Chlors etwa 50 bis 100 Micron beträgt, während der Partialdruck des Kohlenstofftetrachlorids etwa 80 bis 150 Micron beträgt. Der Gesamtdruck des Systems wurde auf etwa 250 Micron gehalten.
Es wurde festgestellt, daß unter Verwendung der Ätzgase mit den angegebenen Partialdrucken eine Ätzrate von 1.000 AE/min erreicht werden konnte, wenn nur zwei Ampere Strom verwendet wurden, während bei bekannten Techniken unter Verwendung von reinem Kohlenstofftetrachl ori d als Plasmaätzgas zur Aufrechterhaltung einer Ätzrate von 1.000 AE/min 3 A benötigt wurden.
Wenn auch die speziellen Ätzraten, die Leistungsanforderungen und weitere Parameter des Systems sich nach der speziellen Konstruktion der verwendeten Plasmaätzvorrichtung richten, so gibt es doch gewisse spezifische Charakteristiken, die eingehalten werden müssen und die das Herz der Erfindung bilden. Speziell wurde festgestellt, daß, wenn der Partialdruck des Chlors 100 Micron überstieg, sich auf der Aluminiumschicht schwer zu entfernende Polymere aufbauten. Es wurde auch festgestellt, daß, wenn der Gesamtdruck während der zweiten Ätzstufe unter Verwendung von Chlor und Kohlenstofftetrachlorid etwa 250 Micron überstieg, sich ebenfalls ein Polymerfilm entwickelte.
909886/0 8 85 ORIGINAL INSPECTED
COPY
293036Ό
Es wurde auch festgestellt, daß, wenn man zuließ, daß der Partialdruck des Chlors den des Kohlenstofftetrachlorids überstieg, isantropes Ätzen auftrat. Schließlich wurde festgestellt, daß, wenn der Partialdruck des Chlors kleiner war als 1/2 des Partialdruckes von Kohlenstofftetrachlorid, die Effektivität des Chlorgases als Ätzmittel für Aluminium vernachlässigbar war. Die Erfindung besteht also aus einem zweistufigen Plasmaätzprozess, bei dem die erste Ätzoperation den Aluminiumoxydfilm von der Aluminiumoberfläche abträgt. Vorzugsweise wird in diesem ersten Schritt reines Kohlenstofftetrachloridplasma bei oder unter etwa 300 Micron verwendet. Eine zweite Ätzoperation wurde dadurch ausgeführt, daß Kohlenstofftetrachlorid und Chlor in Kombination verwendet wurden, wobei der Gesamtdruck des Systems 250 Micron nicht überstieg und vorzugsweise zwischen 150 und 250 Micron lag, der Partialdruck des Chlors unter 100 Micron gehalten wurde, nicht zugelassen wurde, daß der Partialdruck des Chlors den des Kohlenstofftetrachlorids überstieg, und schließlich der Partialdruck des Chlors größer war als die Hälfte des Partial drucks des Kohlenstofftetrachlorids. Es wurde ferner festgestellt, daß die optimalsten Ätzcharakteristiken erreicht wurden, wenn während des zweiten Zyklus der Partialdruck des Chlors zwischen 50 und 100 Micron gehalten wurde, während der Partialdruck des Kohlenstofftetrachlorids zwischen 80 und 150 Micron gehalten wurde.
Durch Verwendung des erfindungsgemäßen Prozesses war es möglich, eine Ätzselektivität von wenigstens 25 zu 1 aufrechtzuerhalten. Das heißt, reines Aluminium würde 25mal schneller als Siliciumdioxyd ätzen.
Es ist darauf hinzuweisen, daß die vorangegangene Beschreibung spezieller Partialdrucke der verschiedenen Arten nur als Beispiel erwähnt ist und nicht als Beschränkung für den Umfang der Erfindung zu betrachten ist.
909886/0885 .,COPY
ORIGINAL INSPECTED

Claims (8)

  1. E8 P2 D
    Patentansprüche
    I., Verfahren zum Ätzen eines Aluminiumgegenstandes, der eine Aluminiumoxydschicht aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Plasma gebildet wird, ausgewählte Bereiche des Aluminiumgegenstandes dem ersten Plasma ausgesetzt werden, bis im wesentlichen das gesamte Aluminiumoxyd in den ausgewählten Bereichen abgetragen ist,und ein zweites Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid und Chlor gebildet wird, in dem der Gesamtdruck des Kohlenstofftetrachlorid- und Chlor-Plasmas 250 Micron oder weniger beträgt, der Partialdruck des Chlor-Plasmas 100 Micron oder weniger beträgt und der Partialdruck des Chlor-Plasmas unter dem Partialdruck des Kohlenstofftetrachlorid-Plasmas liegt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Plasma aus Kohlenstofftetrachlorid besteht.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Chlor-Plasmas mehr als die Hälfte des Partialdruckes des Kohlenstofftetrachlorid-Plasmas beträgt.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Chlor-Plasmas etwa 50 bis 100 Micron beträgt.
  5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Partialdruck des Kohlenstofftetrachlorids zwischen etwa 80 und 150 Micron liegt.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzrate des Aluminiumgegenstandes etwa 1.000 AE/min beträgt.
    .../A2
    909886/0885
  7. 7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Gesamtdruck des Kohlenstofftetrachlorid-Chlor-Plasmas zwischen etwa 150 und 200 Micron liegt.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzselektivität wenigstens etwa 25 zu 1 beträgt.
    909886/0885
DE19792930360 1978-07-27 1979-07-26 Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium Withdrawn DE2930360A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/928,597 US4182646A (en) 1978-07-27 1978-07-27 Process of etching with plasma etch gas

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2930360A1 true DE2930360A1 (de) 1980-02-07

Family

ID=25456502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792930360 Withdrawn DE2930360A1 (de) 1978-07-27 1979-07-26 Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4182646A (de)
JP (1) JPS5937572B2 (de)
DE (1) DE2930360A1 (de)
FR (1) FR2433590A1 (de)
GB (1) GB2026397B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3030814A1 (de) * 1979-08-17 1981-02-26 Tokuda Seisakusho Plasmaaetzverfahren
DE3127765A1 (de) * 1980-07-28 1982-05-06 Fairchild Camera and Instrument Corp., 94042 Mountain View, Calif. Plasma-aetzverfahren
DE3940820A1 (de) * 1989-12-11 1991-06-13 Leybold Ag Verfahren zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4380488A (en) * 1980-10-14 1983-04-19 Branson International Plasma Corporation Process and gas mixture for etching aluminum
GB2087315B (en) * 1980-10-14 1984-07-18 Branson Int Plasma Plasma etching of aluminum
US4373990A (en) * 1981-01-08 1983-02-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Dry etching aluminum
US4353777A (en) * 1981-04-20 1982-10-12 Lfe Corporation Selective plasma polysilicon etching
JPS5836156U (ja) * 1981-09-03 1983-03-09 沖電気工業株式会社 高印字品位プリンタ
US4457820A (en) * 1981-12-24 1984-07-03 International Business Machines Corporation Two step plasma etching
JPS58143530A (ja) * 1982-02-22 1983-08-26 Toshiba Corp 化合物半導体装置の製造方法
US4600563A (en) * 1985-02-05 1986-07-15 Psi Star Incorporated Plasma reactor with voltage transformer
US4711767A (en) * 1985-02-05 1987-12-08 Psi Star Plasma reactor with voltage transformer
NL8500771A (nl) * 1985-03-18 1986-10-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een op een laag siliciumoxide aanwezige dubbellaag - bestaande uit poly-si en een silicide - in een plasma wordt geetst.
US4801427A (en) * 1987-02-25 1989-01-31 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5200158A (en) * 1987-02-25 1993-04-06 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5171525A (en) * 1987-02-25 1992-12-15 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4917586A (en) * 1987-02-25 1990-04-17 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4818488A (en) * 1987-02-25 1989-04-04 Adir Jacob Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4931261A (en) * 1987-02-25 1990-06-05 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US4976920A (en) * 1987-07-14 1990-12-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4943417A (en) * 1987-02-25 1990-07-24 Adir Jacob Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials
US5087418A (en) * 1987-02-25 1992-02-11 Adir Jacob Process for dry sterilization of medical devices and materials
US4838992A (en) * 1987-05-27 1989-06-13 Northern Telecom Limited Method of etching aluminum alloys in semi-conductor wafers
US4808259A (en) * 1988-01-25 1989-02-28 Intel Corporation Plasma etching process for MOS circuit pregate etching utiliizing a multi-step power reduction recipe
US4915779A (en) * 1988-08-23 1990-04-10 Motorola Inc. Residue-free plasma etch of high temperature AlCu
US5106471A (en) * 1990-04-02 1992-04-21 Motorola, Inc. Reactive ion etch process for surface acoustic wave (SAW) device fabrication
US7459100B2 (en) 2004-12-22 2008-12-02 Lam Research Corporation Methods and apparatus for sequentially alternating among plasma processes in order to optimize a substrate
US20080047579A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Bing Ji Detecting the endpoint of a cleaning process

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3757733A (en) * 1971-10-27 1973-09-11 Texas Instruments Inc Radial flow reactor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994793A (en) * 1975-05-22 1976-11-30 International Business Machines Corporation Reactive ion etching of aluminum
JPS5287985A (en) * 1976-01-19 1977-07-22 Mitsubishi Electric Corp Plasma etching method
GB1544172A (en) * 1976-03-03 1979-04-11 Int Plasma Corp Gas plasma reactor and process
US4030967A (en) * 1976-08-16 1977-06-21 Northern Telecom Limited Gaseous plasma etching of aluminum and aluminum oxide

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3757733A (en) * 1971-10-27 1973-09-11 Texas Instruments Inc Radial flow reactor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3030814A1 (de) * 1979-08-17 1981-02-26 Tokuda Seisakusho Plasmaaetzverfahren
DE3127765A1 (de) * 1980-07-28 1982-05-06 Fairchild Camera and Instrument Corp., 94042 Mountain View, Calif. Plasma-aetzverfahren
DE3940820A1 (de) * 1989-12-11 1991-06-13 Leybold Ag Verfahren zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen
DE3940820C2 (de) * 1989-12-11 1998-07-09 Leybold Ag Verfahren zur Behandlung von Werkstücken durch reaktives Ionenätzen

Also Published As

Publication number Publication date
GB2026397A (en) 1980-02-06
JPS5937572B2 (ja) 1984-09-11
FR2433590B1 (de) 1983-02-25
FR2433590A1 (fr) 1980-03-14
JPS5518399A (en) 1980-02-08
US4182646A (en) 1980-01-08
GB2026397B (en) 1982-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2930360A1 (de) Verfahren zum plasmaaetzen von aluminium
DE2640511C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum selektiven Ätzen einer Aluminiumschicht
DE2754396C2 (de)
DE69724192T2 (de) Verfahren zum Ätzen von Polyzidstrukturen
DE69022082T2 (de) Methode zum Ätzen einer organischen Schicht.
DE2930293A1 (de) Aetzverfahren bei der herstellung eines gegenstandes
DE69308822T2 (de) Verfahren zum Ätzen von Aluminium und dessen Legierungen unter Verwendung eines HC1, C1 und N2 enthaltenden Ätzmittels
DE3125054C2 (de)
DE69833436T2 (de) Plasmareaktor für die passivierung eines substrates
DE68929503T2 (de) Veraschungsverfahren zum Entfernen einer organischen Schicht auf einer Halbleiteranordnung während ihrer Herstellung
EP0057258B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Polysiliziumstrukturen im 1/um-Bereich auf integrierte Halbleiterschaltungen enthaltenden Substraten durch Plasmaätzen
DE4317623A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum anisotropen Plasmaätzen von Substraten
DE2930292A1 (de) Aetzverfahren bei der herstellung eines gegenstandes
DE3410023A1 (de) Verfahren und aetzmittel zum selektiven reaktiven ionenaetzen von aluminium und aluminiumlegierungen
DE3140890C2 (de) Photolithographisches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsvorrichtung
DE3627311A1 (de) Verfahren zum aetzen von silizium
DE69837112T2 (de) Verfahren und zusammensetzung zur entfernung von photoresist in der halbleiterfertigung
DE69032089T2 (de) Kupfer-Aetzverfahren mit Hilfe von Haliden
DE4130391C2 (de) Verfahren zum selektiven entfernen einer schicht und dessen verwendung
DE69829850T2 (de) Verfahren und zusammensetzungen zum nachätzungsbehandeln von schichtfolgen in der halbleiterherstellung
DE2730156C2 (de) Gas-Plasma-Ätzung von Aluminium und Aluminiumoxid
EP0126969A2 (de) Verfahren zum Herstellen von Strukturen von aus Metallsiliziden bzw. Silizid-Polysilizium bestehenden Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen durch reaktives Ionenätzen
DE3030814C2 (de) Verfahren zum Plasmaätzen eines Werkstücks
EP0237844A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Abdeckschicht für die Halbleitertechnik sowie Verwendung der Abdeckschicht
DE3219284C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: WAGNER, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN

8110 Request for examination paragraph 44
8139 Disposal/non-payment of the annual fee