JPS58143530A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPS58143530A JPS58143530A JP2701182A JP2701182A JPS58143530A JP S58143530 A JPS58143530 A JP S58143530A JP 2701182 A JP2701182 A JP 2701182A JP 2701182 A JP2701182 A JP 2701182A JP S58143530 A JPS58143530 A JP S58143530A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
- H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
- H01L21/30621—Vapour phase etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明技術分野〕
本発明は化合物半導体装置の製造方法に係わ）、特にム
ｔを構成元素として含む化合−半導体結晶をｌラズ！エ
ツチング装置によりエツチングする工程の教員に関する
。
ｔを構成元素として含む化合−半導体結晶をｌラズ！エ
ツチング装置によりエツチングする工程の教員に関する
。
ＧａＡ−、ＩｍＦ等を主体とじ走■−Ｖ族化合榔半導体
が半導体レーデ、発光ダイオードなどの材料として使わ
れている。又、化合物半導体は従来０２１１を基板とし
たものよりも高性能を、もつ種種構造の電界効果トラン
ジスタやそれらを集積化し★４の、さらＫは電気的′な
集積回′路と１光。
が半導体レーデ、発光ダイオードなどの材料として使わ
れている。又、化合物半導体は従来０２１１を基板とし
たものよりも高性能を、もつ種種構造の電界効果トラン
ジスタやそれらを集積化し★４の、さらＫは電気的′な
集積回′路と１光。
受光素子を集積化し良光電気集積回路と称される新しい
概念のデバイスがｌｌ１発されるに至っている。
概念のデバイスがｌｌ１発されるに至っている。
一方％ＬＩＩＩなどの半導体デバイスの製造１機におい
て生産性再現性Ｏ向上を目的に各ｌロセスのドライ化が
進められているが、その中で、エツチングのドライ化と
して反応性イオンエツチングと呼ばれる１５ズマエツチ
ング方法がある。この方法は、通常平行平板型の装置が
用い地′蝋極（陽極）を有する真空容器に、九とえば１
０−２ＴｏｒｒｌｊｌＪｉにｃｔ２ヤＯＦ４などの７％
Ｏｆン系ガスを導入し、平行平板電極に高闇波電力を
印加する。これによりグロー放電が生じ電子とイオンの
易動度の差により陰極が負に自己・肴イアスされ、陰極
上に暗部を生じると共に、自己・ヤイアスにより陰極降
下電圧ｖ０が生じ、このＶｄｃによりてｌラズマ内の反
応性イオンが加速されて陰極Ｅの試料に衡突する。同時
に、被エツチング原子が反応性イオンと反応して揮発性
の強い分子を構成しガスとなり除去されることによって
エツチングがおこなわれる。この方法は、現在適当な条
件の選択によシｌ ｓｍｍ変度１スク・譬ターン幅を貴
方性エツチングすることが可能であるため、アンｌ−カ
ットを一般的な傾向とする湿式エツチングに比べて高密
度、高性能の集積回路の製造上不可決な技術となってい
る。
て生産性再現性Ｏ向上を目的に各ｌロセスのドライ化が
進められているが、その中で、エツチングのドライ化と
して反応性イオンエツチングと呼ばれる１５ズマエツチ
ング方法がある。この方法は、通常平行平板型の装置が
用い地′蝋極（陽極）を有する真空容器に、九とえば１
０−２ＴｏｒｒｌｊｌＪｉにｃｔ２ヤＯＦ４などの７％
Ｏｆン系ガスを導入し、平行平板電極に高闇波電力を
印加する。これによりグロー放電が生じ電子とイオンの
易動度の差により陰極が負に自己・肴イアスされ、陰極
上に暗部を生じると共に、自己・ヤイアスにより陰極降
下電圧ｖ０が生じ、このＶｄｃによりてｌラズマ内の反
応性イオンが加速されて陰極Ｅの試料に衡突する。同時
に、被エツチング原子が反応性イオンと反応して揮発性
の強い分子を構成しガスとなり除去されることによって
エツチングがおこなわれる。この方法は、現在適当な条
件の選択によシｌ ｓｍｍ変度１スク・譬ターン幅を貴
方性エツチングすることが可能であるため、アンｌ−カ
ットを一般的な傾向とする湿式エツチングに比べて高密
度、高性能の集積回路の製造上不可決な技術となってい
る。
ＧａＡｓを基板として、 ＡＡの混晶比の異なる複数の
ＡＡＧａムＩ結晶を積層にして半導体レーデ、発光ダイ
オード、フォトダイオードやこれらの集積化素子がつく
られるが、これらのデバイスの製造に上記反応性イオン
エツチングを使用することは極めて有効である０例えば
半導体レーデ菖 の場合、従来レーデ共振晶端面は人手によるへｌｌｌ１
作業により作られ、極めて生産性の悪い！冒七スであり
喪が１反応性イオンエツチングを用いればモノリシック
に端面を形成でき、工業的価値が高い、又壜め込み型レ
ーデのメサエツチングは現在湿式エツチングによりおこ
なわれているが、ζＱ■式エツチングによる１〜２μｍ
領域の制御は極めて厳しく、再現性の乏しいプロセスで
ある。これに対して、反応性イオンエツチングを用いて
−直にメサエツチングすることができればデー譬イスの
設計等においても極めて有利である。その他にも基板の
加工、ノ４ラスＳ発光ダイオードの穴あけ加工などにも
反応性イオンエツチングは有力な手段である。
ＡＡＧａムＩ結晶を積層にして半導体レーデ、発光ダイ
オード、フォトダイオードやこれらの集積化素子がつく
られるが、これらのデバイスの製造に上記反応性イオン
エツチングを使用することは極めて有効である０例えば
半導体レーデ菖 の場合、従来レーデ共振晶端面は人手によるへｌｌｌ１
作業により作られ、極めて生産性の悪い！冒七スであり
喪が１反応性イオンエツチングを用いればモノリシック
に端面を形成でき、工業的価値が高い、又壜め込み型レ
ーデのメサエツチングは現在湿式エツチングによりおこ
なわれているが、ζＱ■式エツチングによる１〜２μｍ
領域の制御は極めて厳しく、再現性の乏しいプロセスで
ある。これに対して、反応性イオンエツチングを用いて
−直にメサエツチングすることができればデー譬イスの
設計等においても極めて有利である。その他にも基板の
加工、ノ４ラスＳ発光ダイオードの穴あけ加工などにも
反応性イオンエツチングは有力な手段である。
以とのような有効性があるにもかかわらず、化合物半導
体７” ｔ４イスの製造［程に反応性イオンエツチング
を使用することは従来の８１中金喝等の加工の場合に比
べて以下にあげるような問題点が生じるためいまだ実用
の斌に達していない。
体７” ｔ４イスの製造［程に反応性イオンエツチング
を使用することは従来の８１中金喝等の加工の場合に比
べて以下にあげるような問題点が生じるためいまだ実用
の斌に達していない。
■ 化合物半導体の場合、被エツチング物質ｔＩ数種の
原子で構成されるため、複数の原子を同時にエッチ戸グ
する条件を選択する必要があり非常に複雑で未だ多くの
ことは知られていない。
原子で構成されるため、複数の原子を同時にエッチ戸グ
する条件を選択する必要があり非常に複雑で未だ多くの
ことは知られていない。
■ 現在開発されている反応性イオンエツチング技術は
、そのほとんどが１μｍ以下の深さをエツチングするた
めのものである。一方、半導体レーデゾロセス等の場合
は、共振器端面中メ゛すＯ形成の良めに５μｍｓ度まで
のエツチング深さが必要であり従来の技術や条件を適用
することができない。
、そのほとんどが１μｍ以下の深さをエツチングするた
めのものである。一方、半導体レーデゾロセス等の場合
は、共振器端面中メ゛すＯ形成の良めに５μｍｓ度まで
のエツチング深さが必要であり従来の技術や条件を適用
することができない。
■ ＧａＡｍに対する反応性イオンエツチング用ブスと
してｉｔ ｃｃｔ２ｖ２． ｃｔ、 ｉｔスなどが矧ら
れているが、ＡＡＧａＡｓ Ｋ対する反応性がスは仰ら
れていない０本発明者等の実験によれば）、記ガスでは
ムＡＧｍＡｍはエツチングされないことが確認されえ、
ムを金属のエツチング用ガスとしてはＣ４ｓ ＣＣｌ４
ａ慕ｃｔ、等が知られておシこの−ｔ！にもとづいて
ｃｃｔ４ｔｔスを用いてＡｔＧａＡｓのエツチングをお
こな−）たがエツチングレートが極めて小さくマースタ
材料とのエツチング選択比がとれない等の問題からデ・
譬イスｌロセスに使用することはできない。
してｉｔ ｃｃｔ２ｖ２． ｃｔ、 ｉｔスなどが矧ら
れているが、ＡＡＧａＡｓ Ｋ対する反応性がスは仰ら
れていない０本発明者等の実験によれば）、記ガスでは
ムＡＧｍＡｍはエツチングされないことが確認されえ、
ムを金属のエツチング用ガスとしてはＣ４ｓ ＣＣｌ４
ａ慕ｃｔ、等が知られておシこの−ｔ！にもとづいて
ｃｃｔ４ｔｔスを用いてＡｔＧａＡｓのエツチングをお
こな−）たがエツチングレートが極めて小さくマースタ
材料とのエツチング選択比がとれない等の問題からデ・
譬イスｌロセスに使用することはできない。
■ 本発明者等の実験によシ、ムｔｅａＡＩ結晶表面に
ムＬを含まない保護層を連続的に形成し九のちにはｃｔ
２ｔｒスによりて上紀保一層及びＡ拓ａＡｓ層をエツチ
ングできることが確認され良、しかしこのような保護層
は７’ ｔ４イスの設計上、不適轟であるだけでなくａ
ｍ性エッチングの条件下ではエツチングレートが極めて
小さく？−々イスｌロセスとして使用することかで舞な
い。さらに人１０混晶比の異なる複数の入ＬＧａ人１層
を積ノーにした場合は結晶表面上にＬ記保ＩＮ−を形成
して４各ＡｔＧａＡｓ／−の境界部分でエツチングの停
止が生じてしまう。
ムＬを含まない保護層を連続的に形成し九のちにはｃｔ
２ｔｒスによりて上紀保一層及びＡ拓ａＡｓ層をエツチ
ングできることが確認され良、しかしこのような保護層
は７’ ｔ４イスの設計上、不適轟であるだけでなくａ
ｍ性エッチングの条件下ではエツチングレートが極めて
小さく？−々イスｌロセスとして使用することかで舞な
い。さらに人１０混晶比の異なる複数の入ＬＧａ人１層
を積ノーにした場合は結晶表面上にＬ記保ＩＮ−を形成
して４各ＡｔＧａＡｓ／−の境界部分でエツチングの停
止が生じてしまう。
本発明は前記の問題点を考慮してなされたものでグラズ
マエッチング装置を用いてＡｊを構成元素に含む化合物
半導体結晶を深く異方性エツチングすることを可能とし
た化合・物中導体装置の製造方法を提供する本のである
。
マエッチング装置を用いてＡｊを構成元素に含む化合物
半導体結晶を深く異方性エツチングすることを可能とし
た化合・物中導体装置の製造方法を提供する本のである
。
ＮｊＧａＡｓなどムｔを構成元素として含む化合物半導
体は非唐に酸化されやすく一旦空気に晒されると、その
表面に酸化模が形成される。
体は非唐に酸化されやすく一旦空気に晒されると、その
表面に酸化模が形成される。
入ＬＧａｋｍ結晶が従来の！ラズマエトツチングでエツ
チングされない原因は結晶表面に形成される上記漬化嘆
がエツチングを阻止することにあると考えられる。そし
てこの表ｉｉｉ酸化礪を効果的にエツチングする丸めの
適当なガスとしてＣＣｌ２が考えられる。しかし前記の
ように、ＣＣ６４のみではエツチングレートが無わめて
小さく実用性はない。そとて本発明者らはＣＣｌ２にｃ
ｔ２を混合することによって、異方性エツチングであっ
てかつ、デ・譬イスｌロセス上必要な値までエツチング
レートを嵩めることを試み慶。
チングされない原因は結晶表面に形成される上記漬化嘆
がエツチングを阻止することにあると考えられる。そし
てこの表ｉｉｉ酸化礪を効果的にエツチングする丸めの
適当なガスとしてＣＣｌ２が考えられる。しかし前記の
ように、ＣＣ６４のみではエツチングレートが無わめて
小さく実用性はない。そとて本発明者らはＣＣｌ２にｃ
ｔ２を混合することによって、異方性エツチングであっ
てかつ、デ・譬イスｌロセス上必要な値までエツチング
レートを嵩めることを試み慶。
又、この場合各種マスク材料と被エツチング物質との選
択比が大きいこともデバイス製造の際重要である０本発
明者等の実験では、ＣＣｔ４ＣＣ４ガスよるＡｊＧｍＡ
ｓ Ｏエツチングレートは０、０４ ｓ町−以下であり
、一方ｃｔ２とＣＣｌ４を混合したガスを用いると異方
性エツチング条件において４０．３ ｓ町−以上と、Ｃ
Ｃｌ４よυ１桁大きいエツチングレートが得られた。又
、この時のムＬＧａムｌとレノスト、入ｔ２０． 、５
ｉｎ２尋のマスク材料との選択比は３．５以上で実用範
囲であ）虎。
択比が大きいこともデバイス製造の際重要である０本発
明者等の実験では、ＣＣｔ４ＣＣ４ガスよるＡｊＧｍＡ
ｓ Ｏエツチングレートは０、０４ ｓ町−以下であり
、一方ｃｔ２とＣＣｌ４を混合したガスを用いると異方
性エツチング条件において４０．３ ｓ町−以上と、Ｃ
Ｃｌ４よυ１桁大きいエツチングレートが得られた。又
、この時のムＬＧａムｌとレノスト、入ｔ２０． 、５
ｉｎ２尋のマスク材料との選択比は３．５以上で実用範
囲であ）虎。
さらにムｔの混晶比の異なる複数の入ｔＧａＡｓ ｆｒ
連疏的に成長形成した積層構造の−ａ合もと記の混合ガ
スによって大きいエツチングレートで六方性エツチング
が達成された。
連疏的に成長形成した積層構造の−ａ合もと記の混合ガ
スによって大きいエツチングレートで六方性エツチング
が達成された。
以Ｆから本発明は、ＡｔＧａｐｓ等の人ｔを含む化合物
半導体結晶をプラズマエツチングするに際して、ＣＣｌ
２とｃｔ２の混合ガスを用いることを特徴とする。
半導体結晶をプラズマエツチングするに際して、ＣＣｌ
２とｃｔ２の混合ガスを用いることを特徴とする。
本発明によればｋｌを構成元素として含む化合物半導体
を反応性イオン−エツチング法によって５μｍｅｌｔの
深さまで異方性エツチングすることができる。化合・産
生導体装置の製造ｒ程にこのエツチングプロセスを導入
した場合、生産性、再現性及び素子の設計上の容易変は
、従来の湿式エツチングプロセスに比べて大幅に改良さ
れるため、その工業的価値は極めて高い。
を反応性イオン−エツチング法によって５μｍｅｌｔの
深さまで異方性エツチングすることができる。化合・産
生導体装置の製造ｒ程にこのエツチングプロセスを導入
した場合、生産性、再現性及び素子の設計上の容易変は
、従来の湿式エツチングプロセスに比べて大幅に改良さ
れるため、その工業的価値は極めて高い。
〔発明の実施例ｊ
本発明の詳細を図示の実施例によって説明するＯ
＠１図は本発明に用い走化合物半導体装置の＾ｔｔ−構
成冗素として含む化合物半導体をエツチングするための
平行平板型装置の概略を示している０例えばステンレス
製の真空容器１にエツチング用ガス導入口２，１が設け
られ、それぞレカｂｃｔ、ｘスとＣＣＡ４ガスが導入さ
れる。対向配置された二枚の電極４，５はテフロンなど
の絶縁虜６によって真空容器１から結縁されている。高
周波電力は、高周波’ｇｌＥ ｆｌ （１３，５６ＭＨ
ｚ ）！から整合−Ｃ８を経て、ムｔを構成元素として
含む化合物半導体結晶が成長形成されているウニハーク
が置かれ九一方の電極４に印加され他方の電極ｊは接地
の状態になっている。ここで両電極４．５は水冷ｚ４イ
ｆ１０により冷却されてお勤、これと陰極電極４への１
１＆周波印加端子は真空容器Ｊの外部へ真空シール１ｚ
ｔ−４しで引き出されている。ｃｔ、ｓｒスとＣＣｌ２
がスはルーツポンｔやロー、タリーＩンデなどの排気手
段で残留ガスを十分排気した後に導入され、コンダクタ
ンス・櫂ルプ１１によってエツチング圧力がＡ整される
ようＫなっている。１３ｒｊのぞき窓である。電極４に
高１４波電力が印加されるとグロー放電を生じ、ガスプ
ラズマが発生しエノナンダが開始される。
成冗素として含む化合物半導体をエツチングするための
平行平板型装置の概略を示している０例えばステンレス
製の真空容器１にエツチング用ガス導入口２，１が設け
られ、それぞレカｂｃｔ、ｘスとＣＣＡ４ガスが導入さ
れる。対向配置された二枚の電極４，５はテフロンなど
の絶縁虜６によって真空容器１から結縁されている。高
周波電力は、高周波’ｇｌＥ ｆｌ （１３，５６ＭＨ
ｚ ）！から整合−Ｃ８を経て、ムｔを構成元素として
含む化合物半導体結晶が成長形成されているウニハーク
が置かれ九一方の電極４に印加され他方の電極ｊは接地
の状態になっている。ここで両電極４．５は水冷ｚ４イ
ｆ１０により冷却されてお勤、これと陰極電極４への１
１＆周波印加端子は真空容器Ｊの外部へ真空シール１ｚ
ｔ−４しで引き出されている。ｃｔ、ｓｒスとＣＣｌ２
がスはルーツポンｔやロー、タリーＩンデなどの排気手
段で残留ガスを十分排気した後に導入され、コンダクタ
ンス・櫂ルプ１１によってエツチング圧力がＡ整される
ようＫなっている。１３ｒｊのぞき窓である。電極４に
高１４波電力が印加されるとグロー放電を生じ、ガスプ
ラズマが発生しエノナンダが開始される。
第２図から第５図はそれぞれ本発明の一実施例に係わる
埋め込み型半導体レーデの製造工程をしめず断面模式図
である。まず第２１！Ｈに示す如（ＧａＡｓ基板２１上
に、人’ｏ、ｉｓｃ”ｏ、ｉｓムｓ ４ Ｊ ｊ、ム’
０．２”０，８ム−１” Ｌ ”ｏ、ａｓ”ｏ、ｔｔ
ｓムａ ）ｌｌ Ｊ ４、ム’０．２”０．ａム１ 層
２５ 、 ム’ｏ、ｉｓＧ”ｏ、４ｓムｓ ４４
ｊ ６ ．０１人ｍ １ｇ Ｊ Ｆ、ムＬ ｏ、
４０ ａ 。、４ｋＩ層２＃を連続的に成長形成した。
埋め込み型半導体レーデの製造工程をしめず断面模式図
である。まず第２１！Ｈに示す如（ＧａＡｓ基板２１上
に、人’ｏ、ｉｓｃ”ｏ、ｉｓムｓ ４ Ｊ ｊ、ム’
０．２”０，８ム−１” Ｌ ”ｏ、ａｓ”ｏ、ｔｔ
ｓムａ ）ｌｌ Ｊ ４、ム’０．２”０．ａム１ 層
２５ 、 ム’ｏ、ｉｓＧ”ｏ、４ｓムｓ ４４
ｊ ６ ．０１人ｍ １ｇ Ｊ Ｆ、ムＬ ｏ、
４０ ａ 。、４ｋＩ層２＃を連続的に成長形成した。
基板上の積層体の膜厚はＳ Ａｍｍ変度ある１次に３１
１３図に示す如く成長形威し庚上記Ｕ−人ａｌｌ一体表
面にレノストを塗布し、このレノストトダターンニング
してストライプ状のレノスト／ヤターン２＃を形成した
。しかるのち、Ｅ記しノスト・臂ターン２ｔをマスクと
して、第１図に示し九平行平板蓋装置を用いＣｔ、 ｔ
スとＣＣｔ４ｔｆスをそれぞれ０．０２ （Ｔ＠ｒｒ）
、 ０． Ｏ５（Ｔｏｒｒ）の圧力で混合しエツチン
グ圧力を０．０６（Ｔｏｒｒ）ＫｔＩ４節し、ｌ＆間間
型電力３０ Ｇ （Ｗ）でエツチングをおこなり九とこ
ろ、第４図に示す如く上記ムＡＧａＡｉ積層体が選択エ
ツチングされえ。
１３図に示す如く成長形威し庚上記Ｕ−人ａｌｌ一体表
面にレノストを塗布し、このレノストトダターンニング
してストライプ状のレノスト／ヤターン２＃を形成した
。しかるのち、Ｅ記しノスト・臂ターン２ｔをマスクと
して、第１図に示し九平行平板蓋装置を用いＣｔ、 ｔ
スとＣＣｔ４ｔｆスをそれぞれ０．０２ （Ｔ＠ｒｒ）
、 ０． Ｏ５（Ｔｏｒｒ）の圧力で混合しエツチン
グ圧力を０．０６（Ｔｏｒｒ）ＫｔＩ４節し、ｌ＆間間
型電力３０ Ｇ （Ｗ）でエツチングをおこなり九とこ
ろ、第４図に示す如く上記ムＡＧａＡｉ積層体が選択エ
ツチングされえ。
次に第５図に示す如くレゾスト・イタ−７２＃を除去し
、Ａｊｏ、４０ｍｇ、４Ａ＠層２８を選択結晶成長マス
クとして、 Ｇａムー基板２１上Ｋｊｌめ込み層３０を
選択的に形成する。しかるのち、この人ｔｏ、６０＆ｇ
、４ム−４２１を除去し柵め込み層３０の上に絶縁層１
１を形成しＧ＆ム１層ＩＷＫ、電極３２を真空蒸着によ
りＭ＃成する。ｘＧａＡｓＪ＆板２１０反対側にもう１
つの電極３Ｊを形成することにより堀め込み型半導体レ
ーｆが構成される。
、Ａｊｏ、４０ｍｇ、４Ａ＠層２８を選択結晶成長マス
クとして、 Ｇａムー基板２１上Ｋｊｌめ込み層３０を
選択的に形成する。しかるのち、この人ｔｏ、６０＆ｇ
、４ム−４２１を除去し柵め込み層３０の上に絶縁層１
１を形成しＧ＆ム１層ＩＷＫ、電極３２を真空蒸着によ
りＭ＃成する。ｘＧａＡｓＪ＆板２１０反対側にもう１
つの電極３Ｊを形成することにより堀め込み型半導体レ
ーｆが構成される。
本実論例によれば、ム１０混晶比の違によるエツチング
形状の相違はなく、メサエッチングの側面はほとんど平
九んて、サイドエツチングはおこらない。又、エツチン
グ開始時の時間のおくれも生じない、上紀東件における
レノストとＧ＆ム−、ムＡＧｍＡｍとのエツチング選択
比は３〜４てあＩ→＠縦の深いエツチングに十分適用で
きることが明らかになりえ。
形状の相違はなく、メサエッチングの側面はほとんど平
九んて、サイドエツチングはおこらない。又、エツチン
グ開始時の時間のおくれも生じない、上紀東件における
レノストとＧ＆ム−、ムＡＧｍＡｍとのエツチング選択
比は３〜４てあＩ→＠縦の深いエツチングに十分適用で
きることが明らかになりえ。
なお本発明は曽紀の実施例に限定されｉものではない０
例えばｋＡを構成元素として含む化合物半導体装置であ
れば半導体レーデに限らす発光ダイオードのような他の
発光素子にも適用できる。又実施例では被エツチング物
質として＾ｊＧａＡａを含む結晶を用いたがムを構成元
素として含む化合−半導体例えば（ムＬＧａ Ｉ ｎ
）Ｐ ｓ （ＧａＡｊ）Ｓｂ ＃Ｃ＋＊（ＧａＡｊ）Ｊ
ｉｂ ｌｋどであＣテＣ６２Ｎ ｘとｃｃｔ４ガスの混
合ＫｊＪ）エツチングされるものであればよい。又、実
施例で使用しぇエツチング条件に隈らず、被エツチング
物質である化合物半導体結晶によって最適条件が変化す
ること本ありうる。
例えばｋＡを構成元素として含む化合物半導体装置であ
れば半導体レーデに限らす発光ダイオードのような他の
発光素子にも適用できる。又実施例では被エツチング物
質として＾ｊＧａＡａを含む結晶を用いたがムを構成元
素として含む化合−半導体例えば（ムＬＧａ Ｉ ｎ
）Ｐ ｓ （ＧａＡｊ）Ｓｂ ＃Ｃ＋＊（ＧａＡｊ）Ｊ
ｉｂ ｌｋどであＣテＣ６２Ｎ ｘとｃｃｔ４ガスの混
合ＫｊＪ）エツチングされるものであればよい。又、実
施例で使用しぇエツチング条件に隈らず、被エツチング
物質である化合物半導体結晶によって最適条件が変化す
ること本ありうる。
その他事発明の１ｌｉｉ’を逸脱しない範囲で種々変形
して実施することができる。
して実施することができる。
ｗＥ１図は本発明に使用し走エツチング装置の概略断面
図、１１１２図から第５図は本発明の一実施例に係わる
埋め込み型半導体レーデの製造工程を示す断面模式図で
ある・ ｌ・・・真空ｓａＩ、２．１・・・エツチングガス導入
口、４，５・・・電極、ｌ・・・絶縁物、７・・・１３
．５６醒Ｈｚの高１ＩＩＩ波電源、［・・整合器、９・
・・ムｔを構成元素として含む化合物半導体結晶の形成
され九ヴエハー、Ｊｌ）・・・冷却用・譬イｆ、ｘｘ・
・・＾空シール、１２・・・、＋ルノ、ＩＩ・・・のぞ
き窓、２１・・・ＧａＡ−基板、！！・・・ムｊ（１，
３５Ｇ１□、４５Ａ１１１、ｚｚ・・・１１ ｏ、２Ｇ
＊ｏ、＠ムｓ４．！４ °’ ”０．００５”０．９９
５人１−１１ ｊ−・・ＬＬ、２Ｇａｏ、、ム８４、ｆ
ｆｉ ［Ａｊｏ、、、Ｇａｏ、６５ＡＭ ７ＩＩｌ。 Ｉ Ｐ −ＧａＡｓ ４ 、 ２ ［・・ ム
’０．６” ０．４ム畠 ！−、Ｉ ９ −・レゾス
ト／臂ターン、３ｏ・・・埋め込み、−１３）・・・絶
縁層、ｓｚ、ｓｘ・・・電極。 出願入代１人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第４図 第３図 第５図
図、１１１２図から第５図は本発明の一実施例に係わる
埋め込み型半導体レーデの製造工程を示す断面模式図で
ある・ ｌ・・・真空ｓａＩ、２．１・・・エツチングガス導入
口、４，５・・・電極、ｌ・・・絶縁物、７・・・１３
．５６醒Ｈｚの高１ＩＩＩ波電源、［・・整合器、９・
・・ムｔを構成元素として含む化合物半導体結晶の形成
され九ヴエハー、Ｊｌ）・・・冷却用・譬イｆ、ｘｘ・
・・＾空シール、１２・・・、＋ルノ、ＩＩ・・・のぞ
き窓、２１・・・ＧａＡ−基板、！！・・・ムｊ（１，
３５Ｇ１□、４５Ａ１１１、ｚｚ・・・１１ ｏ、２Ｇ
＊ｏ、＠ムｓ４．！４ °’ ”０．００５”０．９９
５人１−１１ ｊ−・・ＬＬ、２Ｇａｏ、、ム８４、ｆ
ｆｉ ［Ａｊｏ、、、Ｇａｏ、６５ＡＭ ７ＩＩｌ。 Ｉ Ｐ −ＧａＡｓ ４ 、 ２ ［・・ ム
’０．６” ０．４ム畠 ！−、Ｉ ９ −・レゾス
ト／臂ターン、３ｏ・・・埋め込み、−１３）・・・絶
縁層、ｓｚ、ｓｘ・・・電極。 出願入代１人 弁理士 鈴 江 武 彦第２図 第４図 第３図 第５図
Claims (4)
- （１） 真空容器内にＩｖｈに対向配置された２秋の
電極を有し、仁の電極間に高周波電力を印加する手段お
よび仁の真空容器内Ｋｆスな導入する手段を具備し九！
う１マエツテング装置を用い、前記ガスとして塩素ガス
と四塩化炭素ガスを導入し、前記高周故電力Ｏ印加によ
りて発生し九グラズマによ多ムｔを構成元素として含む
化金物半導体結晶をエツチングするニーを有することを
特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - （２）前記化合物半導体結晶はＡｊＧａム−である特許
請求の範１ｉ１に１１１記載の化会物半導体装置Ｏ劇造
方法。 - （３） 前記化合物半導体結晶はＧａム−基板上に形
成され九混晶比の異１に為ムＡＧｍＡｍの積層体である
特許請求の範囲第１項記載Ｏ化合−半導体装置０＃造方
法。 - （４） 前記エッチングエＳＦｉエツチングｆ／ａさ
１ｓｖｍ以上を得る４のである特許請求の範囲第１項記
載の化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2701182A JPS58143530A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2701182A JPS58143530A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58143530A true JPS58143530A (ja) | 1983-08-26 |
| JPH0214773B2 JPH0214773B2 (ja) | 1990-04-10 |
Family
ID=12209159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2701182A Granted JPS58143530A (ja) | 1982-02-22 | 1982-02-22 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58143530A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147174A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0144142A2 (en) * | 1983-11-30 | 1985-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabrication a semiconductor laser |
| US4640737A (en) * | 1983-11-30 | 1987-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching method of compound semiconductor |
| JPH01278025A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体のドライエッチング方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741986U (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-21 | 株式会社貝野鉄工所 | 溶接機の接地部材 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518399A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Eaton Corp | Plasma etching method of aluminium article |
| JPS5629328A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
-
1982
- 1982-02-22 JP JP2701182A patent/JPS58143530A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518399A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Eaton Corp | Plasma etching method of aluminium article |
| JPS5629328A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Toshiba Corp | Plasma etching method |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147174A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0144142A2 (en) * | 1983-11-30 | 1985-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of fabrication a semiconductor laser |
| US4640737A (en) * | 1983-11-30 | 1987-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dry etching method of compound semiconductor |
| JPH01278025A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体のドライエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214773B2 (ja) | 1990-04-10 |
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