JPS6066872A

JPS6066872A - 半導体装置作製方法

Info

Publication number: JPS6066872A
Application number: JP58175685A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Kenji Ito; 健二伊藤; Satsuki Watabe; 渡部　五月
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1983-09-22
Filing date: 1983-09-22
Publication date: 1985-04-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明はレーザヒームを用いて半導体装置特に光電変
換装置を集積化して作製するに際し、導体または半導体
の被加工面に開溝を形成するレーザ加工力式に関する。

この発明は］　、１７以下の膜厚の薄膜状の液加」上面
にレーザ加工により開溝を形成するに際し、液加■−面
にレーザ光を照射して開溝を作製した後、ごの開溝の底
面または周辺部に残存゛］る多孔性の残存物をハ１−ｌ
ゲン几素を含むプラズマ雰囲気に−（除去する（以下用
にプフスマ・上ソチまたは叶という）ごとにより開溝間
でのリーク？ｌｉ流の発ノ１を防くレーザ加工力法に関
する。

従来、プラズマ・エッチ法（１）Ｌ法）はレジスト膜等
のマスクを用い、そのマスクのない部分に選択的にプラ
ズマ除去を行っていた。

しかし、本発明はかかるマスクをまったく用いないこと
を特長としている。即し同し被膜であってもＬＳにより
多孔性を有し、きわめて円ミにより反応しやすい桐材が
残存物となっているこ吉を実験的に見いだし−この多孔
性残存物のみをマスクを用いることなしにｊｘ択的にプ
ラズー７・エツチングにより除去することができるとい
う１１寺性を応用したものである。

この発明は、絶縁表面を有する基板上に第１の導電性被
膜よりなる第１の電極、非単結晶半導体被膜、さらにこ
の上面に第２の導電性被膜よりなる第２の電極を積層し
て集積化形成する光電変換装置の作製方法に関するもの
である。

本発明は、第１の導電性被膜を第１のレーザ・スクライ
ブ（以下ＬＳという）加ににより、第１の開溝を形成し
てバクーニングをし、この後、開溝底部およびその周辺
部に残存する残存物（多ｆＬ性の導電性酸化物、成分と
して酸化珪素、酸化インノユーム、酸化ススの混合物で
あり、きわめて多孔性の軽い密度を有する）をＰＥ法に
より除去してＯｉ：＋、部（エッチ）の鋭いンヤープな
開溝を形成したちのである。

さらに、このＪ−而に半導体破膜を公知法により形成し
て、この第１の開溝を基準として、それと１ｊＬ屈の形
状にＬＳを行って、第２の開溝を形成した。

この後、１）１８法により、ごの開溝の底部および周辺
部の多孔性残存物四三に酸化珪素、酸化スズ、酸化イン
ジュ−ムの混合物）を除き、そのシャ−−プ・エッヂを
自する第２の開溝を半導体およびその下の導電膜に設υ
にものである。

さらにこの後、これらの上面に第２の導電性液ＩＩＱを
形成し、第１または第２の開溝を基準としてこの第１の
導電性被膜と従属関係のパターンを有し−（１，Ｓを行
い、第３の開溝を形成させた。

この第３の開ｌ＋ｌ′ｊの形成の際作られる多孔性の低
級酸化物の残存物は酸化して絶縁物に変成する。

または残存物を１゛Ｉ！法にて除去した後、半導体表面
を酸化して高密度の酸化珪素絶縁物を開溝が露−′した
半導体表面に形成して保Ｕｆ　ＩＩＱとすることにより
高効率の光電変換装置を作製した。

従来、レーザ加工方式においては、１つの開溝またはパ
ターンを被加工面に大気中ご施し、それをもって完了さ
せていた。しかしかかる人気中では開溝部の被加工物の
一部が開溝底部に残存したり、また周辺部に飛着してし
まい、シー１−−−−プ・エッヂを有する開溝を作るこ
とができなかった。

さらにこの単なる酸化雰囲気での熱のみのＬＳは、レー
ザ光が照射された部分を超１０ｒ’ｌＡに加熱して気化
・除去するのめであった。加えて従来はこの人気が室温
であるため、気化して飛散する際、急冷されるため開溝
の底部または四部に飛散できなかった一部が軽石のごと
く多孔性を自し、熔岩のごとく異形を有して残存してし
まう顔向が強かった。

そのため、第１または第２の導体を電気的に開溝により
それぞれの領域に分団トｌんと−Ｊる時、この残存物が
導電性低級酸化物であるため、リーク電流が発生してし
まい、開溝部での２つの領域間を１１（ぐ２７ｃｍ以−
１１にすることができず、本発明の半導体装置−Ｃある
光重変換装置への応用が不可（ｉ’ｔｔでＣ子）った。

さらにこの抵抗値が数Ω／ｃｍ〜数に９７ｃｍと残７Ｉ
・物の♀、形状により大きくばらつき、製造歩留りか２
（）％り下しか有さす、］−菜的な応用が不可能Ｃあっ
ノこ。

他力、１．５（７）加１面を’ｃＣＤ弗酸（１／１０〜
Ｉ　／１００の濃度に希Ｖυの化げγ液体に浸し、被加
工面の残存・物の除去をｊｌうごとが考えられる。

しかしかかる？ｔ’ｙ−１本を用いる方法においては、
液加１面の化”ｉ”　’ＩＩｋ体を１−分子、し浄しな
りればならず、多１＋１’Ｖｒ’？’、ζごζ、１、′
人用慴かまったくなかった。

本発明は、かかるｔｊｆｆ来の方法の欠点を除去し、１
１コ的に多重Ｊｇ　ｊ’？がｉイ能な完全トライカ法で
ある。

本発明はＬＳの後、１−ライ円ミをして残存物を除去し
たものである。１ｉ１１　”３本発１ｙ１は導体または
半導体が１．Ｓ前の被成状態に比べ、ＬＳによる加工に
より３０〜ＨＩＯ倍もプラズマ・エッチがされやすくな
る持（Ｉ＋を利用している。このため例えば非単結晶珪
素はＩＩＦを水素または窒素で希釈をした気体によりプ
ラズマ・エッチをした。すると珪素ではなく開溝ｉ！Ｌ
ｌ？のｌ、Ｓにより初めて残存物の低級酸化珪素のみを
選択的に除去することができるという実験事実に基づく
。さらに酸化スズ、＋　１’　０等ｉＪ：１００％１１
！・（弗化水素　純度９９％以」−）のプラズマ雰囲気
ではきわめてわずかしかエッチされないが、ＬＳにより
加工された多孔性酸化物は３０〜１００倍ものプラズー
ン・コニノチ速度ををせしめることができるという実験
事実に基づく。このため本発明は被形成Ｗ１トの導体ま
たは半導体被膜に対しＩｓを１１い、この後ドライＩＩ
Ｕをしてこの開溝部をソヤーゾ・エノーｆ−ムこせしめ
るという大きな特長を自する。

以下に図面に従って本発明の詳細な説明する。

第１図は４、発明のレーザ加工処理力式によるブロック
図である。

図面において、レーザ加工機（５０）はレーザ発振機（
２１）、ＸＹテーブル（５２）等よりなっている。

レーザ発Ｊ辰機（２１）は１．０６μのＹＩＶＧし〜ザ
（周波数１〜３０Ｋ１１ｚ、ビーム径１０〜８０μφ例
えば５０μφ、出力Ｏ１１〜８Ｗ例えば１１す）を用い
た。レーザ光は二ｌリオメ−一タ（２２）を経て、ミラ
ー（選択反則金属）（２６入レンス（３（］）より基４
／ｍ（１）上の被加工面（５）に至る。

他方、光学的位置検出系（５１）はランプ（２わにより
ハーフミラ−（２３）、ミラー（２９）より被加工面（
５）に至り、反射光がミラー（２９＞、（２３＞を通過
して検知器（２５）に至る。この検知器（２５）では被
加工面での開溝（１８）の位置情報を検出し、ｍｌンピ
エータ（２７）に入力させる。

このコンピュータ（２７）にはメモリ　（２Ｂ）に゛Ｃ
第２の開溝（１９）の相り・ｊ的な位置がプロゲラＪ・
されているため、これと第１の加１］部の開／＾′Ｉ（
Ｉｌｌ）の位置とを重合わせて第２の開溝の位置、パタ
ーンをし〜ヂ加−１１２’ｄ　（５０）の発振機（２Ｊ
）に入力さ−ｌる。同様に、位置をＸＹテーブル（５２
）の制御系（３１）に入力さ一υる。かくして、このＸ
Ｙテ−−一一ブル（５２）のシフトを完了した後、この
レーザ発振機（２１）は第１の開／１ＶＩ（１Ｂ）より
所定の距離ずれた（移動さ−ｕ′ｊＴ）位置（座標）に
第２の開溝（１９）を形成せしめた。

またＸＹテーブル（５２）は被加工面をイＪする基板を
Ｘ方向またはｙ方向に制御系（３１）の指示に従って移
動させている。

かくの如き工程により、まＪ′基板−Ｌの第１の導電膜
に対しＬＳを施した後、１】］５をハＩｌｌケン元索を
含む気体で行った。ここでは弗化水素（肝　純度９９％
以」二）を主として用いた。温度は室温〜３００℃例え
ば１００°Ｃとして、残存物が酸化物の酸化スス、酸化
珪素、ｒｒｏの多孔性混合物にあっては、１１１；を窒
素で２０−６０％希釈して用いた。０．２Ｌｏｒｒ　、
　５０Ｗ（１３，５６ＭＩＩｚ　）　とした。すると第
３１；！！Ｊ（Ａ＞４こポされたＬＳＩ１ｌＪ、後の縦
断面図におりる）、（扱（１）、透光１１１導電酸化１
庚（２）および残存物（３７）を約５分で除去して第３
図（１，３）を１）するごとかできた。

Ｃζ、ＣＣＩ□ＦＬの気体を用いる場合は、同時に酸素
を１〜１０％混入せしめ、プラズマで鵠が活性弗化物に
変成し、被加工面と反応しノコ際、炭素が酸化して炭酸
ガスとなり、固体炭素が被加工面に残存しないようにし
た。

第２図は本発明の充電変換装置の承り…１面図を示３−
０図面に従ってさらに本発明の内容を示す。

この図面につい−（は、同一絶縁表面を’ＩＴする基板
Ｖの複数の素ｆ′−（ごごで４Ｊ特に第１の素子（３５
）　）の第１の電極（７）と第２の素子（３６）の第２
の７ｒｉ極（８）とを直列に連結して集積化した場合を
示す。

第２図において、（Ａ）は例えば２０ｃｍ　ｘ　ｆｉＯ
ｃｍの人きさを有する絶縁基板（１）である。ここでは
ガラス基板を用いた。

さらにこの１而に被加工部（５）が形成されている。

この加ｊ：面（５）にはレーザ加工により開溝ＪＪＴ（
１２）が設りられている。

この開／４Ｉ′１群（１２）はｎ個（この（Ｂ）図では
３２ゲ中の２つのみを示す）の光電変換素子（３５）、
（３６）の連結部（１２）に対応している。

こノ第２図（Ａ、）の一部を拡大し、その紺１ｔｌｉ面
図を第２図（１３）に示す。

図面において、基板（１）は２ｍｍ厚のガラス表面であ
る。さらにこの上面に第Ｊの導電性膜（２）をＩＴＯ（
醇化インジュー−一ムスス）を５　（１（１〜１５００
人と５ｎＯ９（２００〜４００　人）の２層膜とし°（
透光性を有して設け−Ｃいる。

これに対し、第１の開溝（Ｈ（）を１．Ｓ（周波数５に
１１ｚ、スキャンスピード１ｍ／分、出力０．６Ｗ、焦
点距離５０ｍｍ　、　ビーム径４０μφ、大気雰囲気、
室温）により形成し、第１の導電膜を複数のバクーーー
ン（ここでは第２図（Ａ）に示すごとき短冊状）に電気
的に分割した。

この第１のＬＳにより、開溝によって切断されノこ２・
つの領域即ち第１の電極（７）、＜７”）は、サンプル
数３０でテストをした時、ｌＯ〜３００ぐ＞／ｃｍ　（
２０ｃｍの長さの場合はこの１　／２０の抵抗となる）
の１ＪＬ抗しか電極（７）、＜７’）間で自さす、まっ
たく電気的分離がなされていなかった。これは前記した
ごとく、第３図（Ａ）に示すごとく多孔１？ト残存物（
３７）があるためであり、これをさらにプラズマ・エッ
チをすることにより第３図（１３）を肖た。その結果、
電極（７）、＜７’）間には１０−”Ａ　／ｃｍ以下（
ＩＯＫΩ／（ｍｌ；）上）のリークしか観察できず、不
良が０／３（）であった。

さらにこの第１の開溝を形成した後、このＬ：　ｉｉｉ
に公知の方法で非（１′先結晶半導体を１）ＩＮ接合を
少なくとも１つ（１甲ｑ接合、Ｐ　Ｉ　ＮＮＮ・・・門
Ｎ接合）有して積Ｉづした。

図面ではＰ型５ｉｘＣ＋−ｘ　（ｘ　＝０．８　Ｘ１２
）（約１０（）人）−−１型Ｓｉ　（約０．５　ｐ　Ｘ
　３　）　−Ｎ型微結晶化Ｓｉ（約４００人）、Ｎ型５
ｉｘＣ＋−ｘ　（ｘ　＝０．９　＞（１４）よりなる１
つのＰＩＮ接合を有する半導体（３）をプラス７　ＣＶ
　Ｉ）法、−７＊１−　ＣＶ　１．）法または７．ｔｉ
ゾラスマＣｖＩＪ１人により形成して、被加工部（５）
を形成さ−Ｕた。

この後、この４ｉ−７７体（３）およびその下の導電膜
（２）を第１の開？Ａｆｆ（１８）を基ｉ’ｌ’！　ト
Ｌ　’（Ｈ１〜２００１’　４９’ｌ　エバ７（ｌ　Ｉ
Ｉ　、Ｉｇｌ　ｌｌ＋’ｌ　＆’Ｌ　；Ｉ’、；　イテ
左１１’ｌ　Ｏ）　第１　（Ｄ　Ｊ１／ｌ！ｌ’１にわ
たり、第２の開溝（１９）をＬＳにより形成した。

、／フ１−量は予め第１図におりるメモリ　（２Ｂ）に
プ瞥、１グラムさ−Ｕておいた。

すると第４図（Δ）に示すごとく、第２の開溝（１９）
の内部に残存物（３９）と側周辺に凸状の他の残存物（
３８）とが形成される。ごのためこの残存物特に（３９
）が酸化珪素を主成分とする多孔性体であるため、これ
をＣＰ４４１１．　（２０〜４０％）またはｌ１ｌｉｃ
ｉｔ　（２０〜８０％〉のハ１コゲン化物気体により除
去した。雰囲気は１００°ｃ、５０１１Ｉ、５分、Ｑ、
２ｔｏｒｒとし、通常のプラズマ・エツチング装置を用
いた。するとこの第２の開溝（１９）の周辺部に珪素の
ノ１ド散物がわずかしか残存せず、特に第２のｒ１１極
と第１の電極との電気的な連結をはかる側部（３９）で
の多孔低級酸化珪素残存物（３９）を除去し、第４図（
［３）を得ることができた。その結果、第２図な−った
。このプラズマ・コニノナを行わないと、ＩＫΩ／ｃｍ
以上を有し、直列接続を（１７）にてまったく行うこと
ができなかった。

さらに第２図（Ｂ）において、この半導体（３）、開溝
（１９）等の上表面全面に第２の導電ＩＺ（４）を形成
させた。ここではＩＴＯ（１５）を５０〜１５００Ａ例
えば平均１０５０人のｊｙさに、さらにその上面に反則
性金属（１６）を３　Ｏｆ１〜５０００人例えばアルミ
ニ、。

−１１、り覧」ム、二、ケルを主成分とする金属を１０
００人の厚さに真空朶養法、ＣＶＤ法により形成さ−Ｕ
だ。

次ぎにこの第２の導電膜に対し、第ｊの開Ｙ１■を基（
１１−としてさらに２０〜２００　ｐ例えば７０μ左側
（第１の素子例）にジノｌ−１ノ（、第３の開溝（２０
）を第１図に示したレ−ヂ加工装置により形成さ−１た
。

すると第５ＩＪＩ　（Δ）にボず縦断面部をイｆし、こ
の第３の開溝（２０）は第２の導電１５ｔｉ（４）に加
えてそのトの半導体（３）をも除去させ、第］　０）導
７ｈ膜の表面（１０）を露呈させてしまった。

この１．５において第２のｆｆｉ極を構成する成分が第
３の開溝に残存すると、２つの素子（３５）、＜３Ｇ）
の２−’、）　０）第２０）　ｆｉｉ４’８　（！］　
）、＜　８　）の間には光亀変喚装置とし°ｉｒＯ，５
〜１ｖの電位差が生ずるため、この導ｔｌｊｌ’ｌ残存
物のためリークし、信１イｊ性の低１−を（５１（。

′（し７まう。ごのためかかる残存物を除去または高密
度に酸化さ−ｕ−（絶１′イ、物としてしまうごとはき
わめてＥｌｆ要である。

本発明にお＆Ｊる第２の導電膜（４）のＬＳの後におい
ては被加工面にプラズマ・コーノチをハ１−１リーン元
素雰囲気例えば計＋Ｉ＋２（２０〜８（）％）、また＆
、１．　ＣＦ。

＋１ＩＬ（０〜３０％）雰囲気で行っノン。

さらにこの表面のうち半導体（３）の作製に対し、第５
図（Ｂ）に示すごとく酸化１１曾（４１）を１．００Å
以上の厚さの酸化珪素により形成した。ごれは室温〜１
５０　’Ｃにて２週間〜４日間の加熱酸化または酸素の
プラズマ雰囲気に被酸化面を〆すしてプラズマ酸化をし
て成就した。

その結果、不良はＯ／３０とまったく観察されなかった
。ＬＳのみでは金属、　ＩＴＯ，半導体の酸化物導電膜
の多孔性残存物（４０）により３０ゲ中２ケしか良いも
のが得られなかった。

第２図において、かくしてガラスノ、（扱（１）Ｌに複
数の第１および第２の光電変換素ｆ（３５）、（，３Ｇ
）が形成され、さらに、開ｆｊ（］　）））、＜　１９
　）、＜　２　（１）よりなる連結部（１２）において
、第１の素７’　（３５）の第１の電極〈７）と第２の
素子（３６）の第２の電極（ｊ３）がコンタクＩ−（１
７＞を通して電気的に直列に連結さ一已ることが０Ｊ能
となった。

このような大面積に設けられた異なる月利を、それぞれ
の月利を前の桐材と特定の関係（ここで４４直列構造）
をイ１して形成させる時、この被加工物がＩ　ｐ以下の
薄膜ごあるため、本発明のレーザ・スクライブ＋プラス
マ・エッチ方法はその製造歩留りの向−に、さらに集積
化したパネルのリフ率の向上にきわめて自９ノであるこ
とが判明した。

本発明において、第２図の光電変換装置において、２０
ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍの基板の大きさにり１し、１つの素
／　ｃ＋Ａ　）の条件下にて、開放電圧２５．６Ｖ、短
絡電流５２０ｍ／ｌをイ４することができ、変換効率７
．８％を有するごとか可能となった。

さらにこの光電変換装置においては、この４ＪＳ積化構
造を自せしめるに際し、本発明方式では二１ンビュ−タ
により制御された完全無人化製造ラインをｌ／　ザ・ス
クライブ」−程およびドライ・プラズマ・プロセスで１
′１ろごとが１１Ｊ能となり、きわめ°ζ工業的に価値
大なるものであることが判明した。

さらにこのＬＳおよびプラズマ・コーノチを同一処理室
で時間的にＬＳの後に円ミをまたは隣合った連結された
２つの処理室で独立に行った。この処理室でのスクライ
ブ・エッチの前工程、後」−程にそれぞれ予備室を設け
、第１の予備室より第１の処理室に被加工面を有する基
板を移動し、ＬＳを行う。

さらにこの処理室より第２のプラズマ・工・７チの処理
室に基板を移しプラズマ処理をした後、基板を第２の予
備室に移す。さらにこの時空になった第１の処理室に第
１の予備室より他の裁板を移す。

以上のプロセスを繰り返すことにより、連続的に開溝形
成をドライプロセスにより条里に行うことが可能になっ
た。液体を用いた＋、Ｓは本発明と同様に飛散物の除去
が可能となるが、洗浄工程等を必要とし、気体を用いた
本発明の１．５法はどのｈ１産性をもたらずことはでき
なかった。

本発明において、液加」二面は垂１１！１に配設をした
。

しかし、この残存物を除去するため、逆向きに基板を配
することはさらにイＪす」である。またＬＳにおいて、
基板の移動ではなくレーザの光源を移動させることによ
り開溝を作ってもよいことはいうまでもない。

以」−の実施例においては、Ｃ１ｉ。、１１１・を主と
しく示Ｕまた。これはＪ１車結晶珪素にとってＣＩ、Ｉ
ｌｒがプラスマ処理で半導体中に混入し、再結合中心を
作る可能性があるからである。しかし第」の開溝には１
１ＣＬＣＩ’ＬＣＩＬ江ｔ’）Ｂｒ等を用いることは可
能である。

以りの説明において、本発明ＬＪプラズマ・エノー１−
を１、Ｓにより加圧されて発生した残存物が初期状態の
加五されない被膜に比べ３０〜４００　（ｔ’ｊも−Ｌ
ヮナされやすいという軸性を用いたものである。この実
験的に見いだされた１１４性により、残存物をマクスレ
スのプ【コセスでも初めて除去することが＋ｊＪｆｉｎ
となった。このため、ＬＳ　Ｉ　ＰＩ３のドライブｌニ
ドＩ！スを採用することにより、ｔｊｔ−来より公知の
レソスト：Ｉ−１、プラズマエッチ・レノス）・上程と
いう複雑なＴ稈をまったく用いないきわめてずくれた工
業１−の特性を有するごとが１′す明した。

また第２図において、光′電変換装置は２０ｃｍ　Ｘ　
［ｉ（］ｃｍを４つ組め合わせて４０ｃｍＸ　１２（１
ｃｍ０）Ｎｌｉｌ）０規格とした。しかしかかる寸法で
はなく　、４０ｃｍ×４０ｃｍ、４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃ
ｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２ｃｍの組合せとしてもよい。

本発明におい°ζは電力用の光電変換装置を用いた場合
を示した。しかし、電卓用その他民生用の光電変換装置
またはフォ１−センザを含む半導体装置その他レーザ加
工のすべてに幻し、本発明方法を応用することも有効で
ある。

本発明はガラス側より光照射をした場合をλ」〈シた。

しかしアルミニューム等の金属ＪＮＬに１１ｊＪ熱刊絶
縁股をアルミナ等のアルマイト処理により形成し、この
上面に第１の導電１挨、半２〃体、第２の導電膜を積層
し、−１−力より光入射を行う東積化構造に応用が可能
なことはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のレーザ加工力法をｆｉうためのレーザ
加工機のブロック図を示す。第２図は本発明のレーザ加工力θ、によっ゛（作られた
光電変換装置を示す。第３図、第４図、第５図は本発明のレーザスクライブお
よびその後のプラズマ・エッチにより形成された縦１１
Ｊｒ面図を示す。特許出願人メ゛　輩１１２Ｆ１（Ａ）第２（の＋ｔ／　Ｉ’／ポラ＠／２

Claims

【特許請求の範囲】１、基板りの被形成面上に形成された導体または一′１
′智体股をレーザ光を照射することにより開溝を形成す
る工程と、この開溝内および周辺１７１３の残存物をハ
ロゲン元素を含むプラズマ雰囲気ｔこｈ；１記基板を配
設して除去する工程とを白することを特徴とする半導体
装置作製方法。２、基板上ムこ第１の導電膜を形成する工程と、該専ｆ
ｆ１ｌｌＷにレーザ光を照射することにより第１の開溝
を形成する工程と、該開溝内および周り部の残存物をハ
ロゲン元素を含むプラズマ気体雰囲気Ｃ除去する工程と
、該開溝−ｌ：’、　、１．；よび前記第１の導電膜１
・に光照射により光起電力を発生する半／η体を形成す
る上程と、該半導体の液加１−面にレーザ光を照射する
こと：こより第２の開／＾−を形成する工程と、該開溝
内およびその周辺部の残存物をノ臼」ケン元素を含むプ
ラズマ気体雰囲気で除去する工程と、該開溝上および前
記半導体」−に第２の導電膜を形成する工程と、レーザ
光を照射するごとにより第３の開溝を形成する工程と、
該工程の１＆該開溝および周辺部の残存物を酸化して絶
縁物とする工程または該開溝内およびその周辺部の残存
物をハロゲン元素を含むプラズマ気体雰囲気で除去する
工程の後、前記第３の開溝の露呈された半導体表面を酸
化し゛（絶縁物を形成する工程とをイ］せしめるごとに
より基板上に複数の光電変換素子を４ＪＳＭｉ化して光
電変換装置を作製することを特徴とする半導体装置作製
方法。３、特許請求の範囲第１項におい′Ｃ５絶牟（基板」二
に形成された第１の導電膜はインジュー　ムまたはスズ
の酸化物を主成分とする透）目１１導電膜よりなること
を特徴とする半導体装置作製方法。４、特許請求の範囲第１項において、半導体は珪素を主
成分とする水素また４ＪハＩ」ケン元素が添加された非
小結晶半導体よりなることを特徴とする半導体装置作製
方法。５、勃許請求の範囲第ｊＪＪ′Ｊにおいて、第２の導電
膜はインノＪ−ムまたはススの酸化物の単層Ｊミたは酸
化物」二に金属膜が形成された多層１１９よりなること
を特徴とした半導体装置作製方〆人。