JPH01301863A - 酸化錫膜の形成方法 - Google Patents
酸化錫膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH01301863A JPH01301863A JP63133601A JP13360188A JPH01301863A JP H01301863 A JPH01301863 A JP H01301863A JP 63133601 A JP63133601 A JP 63133601A JP 13360188 A JP13360188 A JP 13360188A JP H01301863 A JPH01301863 A JP H01301863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- tin oxide
- tin
- films
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 31
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 7
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 101150095744 tin-9.1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は基板上に所定パターンの酸化錫膜を形成する方
法に関し、光起電力装置等の製造に用いて好適である。
法に関し、光起電力装置等の製造に用いて好適である。
（ロ） 従来の技術
第４図は特開昭６２−６５４７９号公報に見られる如く
酸化錫膜を透明電極として用いた光起電力装置を示す断
面図である。（１１は青板ガラス等からなる透光性基板
、（２ａ）〜（２Ｃ）は基板（１１の表面にバターニン
グ形成された酸化錫（Ｓｎ０２）から成る透明電極、（
３ａ）〜（３ｃ）は各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）の一
端上面を露出した状態で各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）
上面に形成されたアモルファスシリコン系の半導体層、
（４ａ）〜（４ｃ）は各半導体層（３ａ）〜（６Ｃ）の
上面から各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ〕の一端上面の露
出部分まで延在するように形成されたアルミニウム、チ
タン等から成る金属電極である。これにより、透明電極
（２ａ）〜（２Ｃ）、半導体層（５ａ）〜（３Ｃ）及び
金属電極（４ａ）〜（４ｃ〕の夫々の積層体から成る複
数の光電変換素子（５ａ）〜（５Ｃ）は直列接続状態で
基板（１）の表面に並設される。
酸化錫膜を透明電極として用いた光起電力装置を示す断
面図である。（１１は青板ガラス等からなる透光性基板
、（２ａ）〜（２Ｃ）は基板（１１の表面にバターニン
グ形成された酸化錫（Ｓｎ０２）から成る透明電極、（
３ａ）〜（３ｃ）は各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）の一
端上面を露出した状態で各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）
上面に形成されたアモルファスシリコン系の半導体層、
（４ａ）〜（４ｃ）は各半導体層（３ａ）〜（６Ｃ）の
上面から各透明電極（２ａ）〜（２Ｃ〕の一端上面の露
出部分まで延在するように形成されたアルミニウム、チ
タン等から成る金属電極である。これにより、透明電極
（２ａ）〜（２Ｃ）、半導体層（５ａ）〜（３Ｃ）及び
金属電極（４ａ）〜（４ｃ〕の夫々の積層体から成る複
数の光電変換素子（５ａ）〜（５Ｃ）は直列接続状態で
基板（１）の表面に並設される。
（ハ）発明が解決しようとする課題
斯る光起電力装置における透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）
は、上述の如く基板（１１の一表面全面に被着形成され
た後、所定の形状にパターニングする必要がある。
は、上述の如く基板（１１の一表面全面に被着形成され
た後、所定の形状にパターニングする必要がある。
そこで、上述の公報ではレーザビームを照射することに
よって、８ ｎ Ｑ ２から成る透明電極（２ａ）〜（
２Ｃ）のバターニングを行なっているが、その際、５ｎ
０２の飛散物あるいは残留物がバターニング部分やその
周辺に残存してしまい、光起電力装置の出力特性の劣化
を招く。
よって、８ ｎ Ｑ ２から成る透明電極（２ａ）〜（
２Ｃ）のバターニングを行なっているが、その際、５ｎ
０２の飛散物あるいは残留物がバターニング部分やその
周辺に残存してしまい、光起電力装置の出力特性の劣化
を招く。
また、化学的エツチング方法を用いても、５ｎ０２が化
学的に安定であるため、確実なバターニング除去を行な
うことができないばかりか、バターニングによる透明電
極（２す〜（餞）の間隔も大きくなりでしまう。
学的に安定であるため、確実なバターニング除去を行な
うことができないばかりか、バターニングによる透明電
極（２す〜（餞）の間隔も大きくなりでしまう。
本発明の目的は、５ｎ０２から成る透明電極のバターニ
ングにおいて、５ｎ０２の不所望な残存をなくし確実に
バターニングすることにある。
ングにおいて、５ｎ０２の不所望な残存をなくし確実に
バターニングすることにある。
に）課題を解決するための手段
本発明は基板上に所定パターンの酸化錫膜を形成する方
法であって、上記基板上に上記所定パターンでシリコン
酸化膜を形成した後、テトラメチル錫またはテトラブチ
ル錫を用いたＣＶＤ法によって上記シリコン酸化膜上に
酸化錫膜を形成することを特徴としている。
法であって、上記基板上に上記所定パターンでシリコン
酸化膜を形成した後、テトラメチル錫またはテトラブチ
ル錫を用いたＣＶＤ法によって上記シリコン酸化膜上に
酸化錫膜を形成することを特徴としている。
（ホ））作 用
テトラメチル錫またはテトラブチル錫を用いたＣＶＤ法
によって酸化錫膜を形成した場合、斯る酸化錫膜はシリ
コン酸化膜上にのみ形成されることが判明した。そこで
、酸化錫膜を形成するに先立って、基板上に所定パター
ンでシリコン酸化膜を形成することによシ、酸化錫膜は
、シリコン酸化膜のパターンに応じて形成される。
によって酸化錫膜を形成した場合、斯る酸化錫膜はシリ
コン酸化膜上にのみ形成されることが判明した。そこで
、酸化錫膜を形成するに先立って、基板上に所定パター
ンでシリコン酸化膜を形成することによシ、酸化錫膜は
、シリコン酸化膜のパターンに応じて形成される。
（へ）実施例
第１図乃至第３図は本発明方法を上述の光起電力装置の
製造に適用した場合を製造工程別に示す断面図である。
製造に適用した場合を製造工程別に示す断面図である。
なお、第七図と同一部分には同一番号を付して説明を省
略する。
略する。
第１図において、基板（１）の表面全体に１００ＯＡ程
度のシリコン酸化膜を形成した後、周波数８ＫＨｚ、波
長ｔ Ｏ６ｐｍのＱスイッチ付ＹＡＧレーザを３０〜４
０Ｊ／−のエネルギー６度で照射することによって、所
定パターンの複数のシリコン酸化膜（６ａ）〜（６ｃ）
にバターニングする。
度のシリコン酸化膜を形成した後、周波数８ＫＨｚ、波
長ｔ Ｏ６ｐｍのＱスイッチ付ＹＡＧレーザを３０〜４
０Ｊ／−のエネルギー６度で照射することによって、所
定パターンの複数のシリコン酸化膜（６ａ）〜（６ｃ）
にバターニングする。
次に、第２図において、フッ素をドープした酸化錫膜か
ら成る透明電極（２ａ）〜（２ｃ）を熱ＣＶＤ法により
形成する。この時の形成条件は次の通シである。
ら成る透明電極（２ａ）〜（２ｃ）を熱ＣＶＤ法により
形成する。この時の形成条件は次の通シである。
基板温度：５００°Ｃ
中ヤリアガス：Ｎ２ガス
錫 源：テトラブチル錫（（Ｃ４Ｈ？）４Ｓｎ）を
２ｍｏ、７３％ 酸 素 源：０２ガスを１ ｍｏｐ％ フッ素源：）リフルオロブロモメタンＣＣＦ５Ｂｒ）を
５ ｍｏｌ！％ 斯る方法によシ、酸化錫から成る透明電極を形成すると
、透明電極は、基板（１１上に所定パターンで形成され
たシリコン酸化膜（６ａ）〜（６ｃ）の上面にのみ形成
され、従って、シリコン酸化膜（６ａ）〜（６Ｃ）のパ
ターンに応じてバターニングされた酸化錫膜から成る透
明電極（２ａ）〜（２Ｃ）が形成されることとなる。
２ｍｏ、７３％ 酸 素 源：０２ガスを１ ｍｏｐ％ フッ素源：）リフルオロブロモメタンＣＣＦ５Ｂｒ）を
５ ｍｏｌ！％ 斯る方法によシ、酸化錫から成る透明電極を形成すると
、透明電極は、基板（１１上に所定パターンで形成され
たシリコン酸化膜（６ａ）〜（６ｃ）の上面にのみ形成
され、従って、シリコン酸化膜（６ａ）〜（６Ｃ）のパ
ターンに応じてバターニングされた酸化錫膜から成る透
明電極（２ａ）〜（２Ｃ）が形成されることとなる。
最後に、第３図において、半導体膜（３ａ）〜（５Ｃ）
及び金属電極（４ａ）〜（４ｃ）が第４図に示す従来例
と同じ構造で形成される。
及び金属電極（４ａ）〜（４ｃ）が第４図に示す従来例
と同じ構造で形成される。
以上の方法によれば、酸化錫膜から成る透明電１（２ａ
）〜（２Ｃ）のバターニングは、シリコン酸化膜（６ａ
）〜（６Ｃ）のパターンに応じて自動的に行なわれるの
で、レーザビームの照射あるいは化学的エツチングを用
いる必要がない。
）〜（２Ｃ）のバターニングは、シリコン酸化膜（６ａ
）〜（６Ｃ）のパターンに応じて自動的に行なわれるの
で、レーザビームの照射あるいは化学的エツチングを用
いる必要がない。
なお、透明電極（２ａ）〜（２Ｃ）の形成条件において
、錫源としては、テトラメチル錫（（ＣＨｓ）ｓＦ３ｎ
）を用いても良い。また、フッ素源は限らずしも必要で
ない。
、錫源としては、テトラメチル錫（（ＣＨｓ）ｓＦ３ｎ
）を用いても良い。また、フッ素源は限らずしも必要で
ない。
（ト）発明の効果
本発明によれば、酸化錫膜の形成に先立って、所定パタ
ーンのシリコン膜化膜を形成し、酸化錫膜のバターニン
グがシリコン酸化膜のパターンに応じて自動的になされ
るように酸化錫膜を形成したので、従来のようなレーザ
ビームの照射や化学的エツチングを行なう必要がなく、
酸化錫の不所望な残留物の発生を防止し、確実にバター
ニングされ九酸化錫膜を形成することができる。
ーンのシリコン膜化膜を形成し、酸化錫膜のバターニン
グがシリコン酸化膜のパターンに応じて自動的になされ
るように酸化錫膜を形成したので、従来のようなレーザ
ビームの照射や化学的エツチングを行なう必要がなく、
酸化錫の不所望な残留物の発生を防止し、確実にバター
ニングされ九酸化錫膜を形成することができる。
ｖｇ１図乃至第５図は本発明方法を適用した光起電力装
置の製造工程を示す断面図、第４図は従来の光起電力装
置を示す断面図である。 （１）・・・基板、 （２ａ）〜（２Ｃ）・・・酸化
錫膜から成る透明電極ｓ （６ａ ）〜（６Ｃ〕・
・・シリコン酸化膜。
置の製造工程を示す断面図、第４図は従来の光起電力装
置を示す断面図である。 （１）・・・基板、 （２ａ）〜（２Ｃ）・・・酸化
錫膜から成る透明電極ｓ （６ａ ）〜（６Ｃ〕・
・・シリコン酸化膜。
Claims (1)
- （１）基板上に所定パターンの酸化錫膜を形成する方法
であって、上記基板上に上記所定パターンでシリコン酸
化膜を形成した後、テトラメチル錫またはテトラブチル
錫を用いたＣＶＤ法によって上記シリコン酸化膜上に酸
化錫膜を形成することを特徴とした酸化錫膜の形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133601A JP2594113B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 酸化錫膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63133601A JP2594113B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 酸化錫膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01301863A true JPH01301863A (ja) | 1989-12-06 |
| JP2594113B2 JP2594113B2 (ja) | 1997-03-26 |
Family
ID=15108615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63133601A Expired - Fee Related JP2594113B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 酸化錫膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2594113B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668543A1 (de) * | 1994-02-07 | 1995-08-23 | Basf Aktiengesellschaft | Zinndioxidbeschichtete Carrier für die Elekktrophotographie |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562166A (en) * | 1978-11-04 | 1980-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | Metal product having protective coating and manufacture thereof |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63133601A patent/JP2594113B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562166A (en) * | 1978-11-04 | 1980-05-10 | Matsushita Electric Works Ltd | Metal product having protective coating and manufacture thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0668543A1 (de) * | 1994-02-07 | 1995-08-23 | Basf Aktiengesellschaft | Zinndioxidbeschichtete Carrier für die Elekktrophotographie |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2594113B2 (ja) | 1997-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62293740A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| AU2004204637B2 (en) | Transparent thin-film solar cell module and its manufacturing method | |
| JPH05218472A (ja) | 薄膜構成体のレーザ加工方法 | |
| WO2004110693A1 (ja) | レーザー加工方法及びレーザー加工装置 | |
| JPH10242489A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| US5147468A (en) | Photovoltaic semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US4877481A (en) | Patterning method by laser scribing | |
| JPH0447466B2 (ja) | ||
| EP0322258B1 (en) | Method for producing thin film patterns on substrates | |
| JPH01301863A (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
| JP3746410B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP2001210851A (ja) | 集積型薄膜太陽電池 | |
| JPS61280680A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR940005754B1 (ko) | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 | |
| JP3521268B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH01179742A (ja) | 液晶表示装置用基板およびその作製方法 | |
| JP3505201B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2517226B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04363071A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPH01179466A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS63299173A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPH02295132A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS63283077A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH01179465A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0560273B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |