KR940005754B1 - 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 - Google Patents
비정질 실리콘 태양전지 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940005754B1 KR940005754B1 KR1019870010600A KR870010600A KR940005754B1 KR 940005754 B1 KR940005754 B1 KR 940005754B1 KR 1019870010600 A KR1019870010600 A KR 1019870010600A KR 870010600 A KR870010600 A KR 870010600A KR 940005754 B1 KR940005754 B1 KR 940005754B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- solar cell
- pinhole
- metal electrode
- silicon layer
- Prior art date
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제1도의 제1(a)도-제1(d)도는 본 발명의 제조방법을 보인 공정 단면도.
제2도는 종래의 제조방법에 의하여 제조된 비정질 실리콘 태양전지를 보인 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 유리기판 2 : 투명 금속전극
3 : 비정질 실리콘층 4 : 감광성 절연막
5 : 금속전극 10 : 핀홀
본 발명은 비정질 실리콘 태양전지의 제조공정에서 비정질 실리콘층을 형성할 경우에 발생되는 핀홀을 제거하는 비정질 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것으로 특히, 핀홀내에 감광성 절연막을 충진시켜 제거하는 비정질 실리콘 태양전지 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 제2도에 도시된 바와 같이 유리기판(31)에 투명 금속전극(32)을 진공 증착하고, 필요한 소정패턴의 전극을 형성하기 위하여 레이저 스크라이버(scriber)법, 사진식각법 또는 금속 마스크법등으로 패터닝공정을 수행한후 플라즈마 화학 기상법으로 전체의 두께가 4000-6000Å 정도되게 비정질 실리콘층(33)을 p층, i층 및 n층으로 형성하며, 다시 패터닝 공정을 수행하고, 금속전극(34)을 진공 증착한후 패터닝 공정을 수행하여 비정질 실리콘 태양전지를 제조하였다.
그러나 상기와 같이 제조하는 종래의 비정질 실리콘 태양전지는 비정질 실리콘층(33)을 형성할 경우에 비정질 실리콘층(33)의 성장공정간의 불순물 입자, 공정간의 반응 불균일등의 원인에 의하여 핀홀(35)이 발생하게 되고, 발생되는 핀홀(35)의 수는 비정질 실리콘층(33)의 면적이 넓을수록 증가되는 것으로서 이 핀홀(35)을 제거하지 않은 상태에서 금속전극(34)을 진공 증착하므로 금속전극(34)의 금속입자가 핀홀(35)내로 침투하게 되어 투명 금속전극(32)과 금속전극(34)이 상호간에 접속되고, 누설전류가 발생하여 태양전지로서의 기능을 상실하게 되었으며, 이로 인하여 핀홀(35)이 발생된 부위를 폐기 처분하여 생산수율이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점들을 해결하기 위하여 창안한 것으로서, 비정질 실리콘층을 형성한후 감광성 절연막을 도포하여 핀홀내에 침투되도록 하고, 자외선 영역의 광이 비정질 실리콘층을 통과하지 못하고 흡수되는 것에 착안하여, 유리기판층에서 자외선을 조사하여 핀홀내의 감광성 절연막을 감광시킨후 현상하여 핀홀내의 감광성 절연막만 남기고 나머지의 감광성 절연막을 제거함으로써 핀홀을 효과적으로 제거하여 태양전지의 생산수율을 향상시킬수 있도록 하는 비정질 실리콘 태양전지 제조방법을 제공하는 데 그 목적이 있는 것으로 이를 첨부된 제1도의 제1(a)도-제1(d)도의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제1(a)도에 도시된 바와 같이, 투명한 유리기판(1)을 세척하여 불순물을 제거하고, 이 유리기판(1)에 투명 금속전극(2)을 진공 증착한후, 패터닝하고, 플라즈미 화학 기상법으로 전체의 두께가 4000-6000Å 정도되게 p층, i층 및 n층의 비정질 실리콘층(3)을 형성한다.
이때 비정질 실리콘층(3)의 성장 공정간의 불순물 입자 및 반응 불균일등의 원인에 의하여 투명 금속전극(2)에 비정질 실리콘층(3)이 형성되지 않는 핀홀(10)이 발생하게 된다.
다음에는 제2(b)도에 도시된 바와 같이 비정질 실리콘층(3)에 감광성 절연막(4)을 도포하여 핀홀(10)내에 감광성 절연막(4)이 침투되게 하고, 유리기판(1)측에서 350-410nm 정도의 파장을 가지는 자외선을 소정의 시간동안 조사한후 현상한다.
그러면 자외선은 유리기판(1) 및 투명 금속전극(2)을 투과한후 핀홀(10)내의 감광성 절연막(4)에 조사되어 감광되고, 비정질 실리콘층(3)은 자외선이 투과되지 못하고 흡수되어 비정질 실리콘층(3)의 상부의 감광성 절연막(4)은 감광되지 않으므로 감광성 절연막(4)의 현상시 제1(c)도에 도시된 바와 같이 핀홀(10)내의 감광성 절연막(4)은 충진된 상태로 남아잇고, 나머지의 감광성 절연막(4)은 모두 제거된다.
이와 같이 하여 핀홀(10)내의 감광성 절연막(4)이 충진되면, 약 120℃이상의 온도에서 열처리를 수행하여 감광성 절연막(4)이 비정질 실리콘층(3)과 밀착되도록 하고, 제1(d)도에 도시된 바와 같이 금속전극(5)을 진공 증착한후 패터닝한다.
이와 같이 제조되는 본 발명의 비정질 실리콘 태양전지는 비정질 실리콘층(3)의 형성시 말생되는 핀홀(10)내에 감광성 절연막(4)을 충진시킨후 금속전극(5)을 진공 중착함으로써 금속전극(5)의 금속입자가 핀홀(10)내로 침투되지 못하게 되고, 이로 인하여 투명 금속전극(2)과 금속전극(5)이 상호간에 접속되는 현상을 제거할수 있고, 누설전류가 발생되지 않게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 비정질 실리콘 태양전지의 제조시 발생되는 핀홀을 제거한 후 금속전극을 형성함으로써 핀홀의 발생으로 인한 태양전지의 기능 상실을 방지할수 있어 태양전지의 생산수율을 향상시킬수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 투명한 유리기판(1)상에 투명 금속전극(2)을 진공 중착하고 비정질 실리콘층(3)을 형성하는 제1공정과, 비정질 실리콘층(3)에 감광성 절연막(4)을 도포하여 핀홀(10)내에 감광성 절연막(4)이 충진되게 하는 제2공정과, 유리기판(1)측에서 자외선을 조사하고 현상하여 핀홀(10)내의 감광성 절연막(4)만을 남긴후 열처리하는 제3공정과, 비정질 실리콘층(3)에 금속전극(5)을 형성하는 제4공정으로 제조함을 특징으로 하는 비정질 실리콘 태양전지 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870010600A KR940005754B1 (ko) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870010600A KR940005754B1 (ko) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890005918A KR890005918A (ko) | 1989-05-17 |
| KR940005754B1 true KR940005754B1 (ko) | 1994-06-23 |
Family
ID=19264692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870010600A KR940005754B1 (ko) | 1987-09-24 | 1987-09-24 | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940005754B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015005610A1 (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 고려대학교 산학협력단 | 메타 물질 기반의 태양 복사에너지 흡수체 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100308851B1 (ko) * | 1998-11-04 | 2001-12-17 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시장치의 절연막 패턴 형성방법 |
-
1987
- 1987-09-24 KR KR1019870010600A patent/KR940005754B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015005610A1 (ko) * | 2013-07-10 | 2015-01-15 | 고려대학교 산학협력단 | 메타 물질 기반의 태양 복사에너지 흡수체 및 이의 제조방법 |
| KR101497817B1 (ko) * | 2013-07-10 | 2015-03-04 | 고려대학교 산학협력단 | 메타 물질 기반의 태양 복사에너지 흡수체 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890005918A (ko) | 1989-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4877481A (en) | Patterning method by laser scribing | |
| US5147468A (en) | Photovoltaic semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| JPH0535581B2 (ko) | ||
| DE3015362A1 (de) | Solarbatterie | |
| US4954181A (en) | Solar cell module and method of manufacture | |
| JPH0851229A (ja) | 集積型太陽電池およびその製造方法 | |
| KR940005754B1 (ko) | 비정질 실리콘 태양전지 제조방법 | |
| CN1024341C (zh) | 在玻璃基底上产生薄膜图形的方法 | |
| JPS60227484A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6342180A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6258685A (ja) | 非晶質半導体太陽電池の製造方法 | |
| JPS62205668A (ja) | 集積型太陽電池の製造方法 | |
| JP2594113B2 (ja) | 酸化錫膜の形成方法 | |
| US4734379A (en) | Method of manufacture of solar battery | |
| JPH0551190B2 (ko) | ||
| JPS63299173A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| JPS6188569A (ja) | 太陽電池装置 | |
| JPS63194371A (ja) | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 | |
| JPS6197875A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0531315B2 (ko) | ||
| DE3382588T2 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen mit dielektrisch isolierten halbleitergebieten. | |
| JPS6276721A (ja) | 非晶質半導体装置の製造方法 | |
| JPS6189671A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS607730A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS62142369A (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |