JPS63194371A - 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS63194371A JPS63194371A JP62027905A JP2790587A JPS63194371A JP S63194371 A JPS63194371 A JP S63194371A JP 62027905 A JP62027905 A JP 62027905A JP 2790587 A JP2790587 A JP 2790587A JP S63194371 A JPS63194371 A JP S63194371A
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- Japan
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- film
- transparent conductive
- conductive film
- solar cell
- amorphous silicon
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
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- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明絶縁基板上に積層された透明導電膜、非
晶質シリコン（以下ａ−５ｉと記す）膜および金属膜か
らなる太陽電池素子の複数個を隣接素子間で透明導電膜
と金属膜を接触させることにより直列接続したａ −３
ｌ太陽電池の製造方法に関する。
晶質シリコン（以下ａ−５ｉと記す）膜および金属膜か
らなる太陽電池素子の複数個を隣接素子間で透明導電膜
と金属膜を接触させることにより直列接続したａ −３
ｌ太陽電池の製造方法に関する。
Ｃ従来の技術〕
第２図＋ａｌ〜（ｅｌは従来のａ −５ｉ太陽電池の構
造を示し、（ｂｌはｉａｌのＡ−Ａ線断面図、（ｃｌは
ｉａｌのＢ−Ｂ線断面図であり、第２図（♂）では各部
の平面図に（ｂｌ。
造を示し、（ｂｌはｉａｌのＡ−Ａ線断面図、（ｃｌは
ｉａｌのＢ−Ｂ線断面図であり、第２図（♂）では各部
の平面図に（ｂｌ。
（６１と同様のハンチングを施しである。すなわち、ガ
ラス基板ｌの上に透明導電膜２．ａ−３ｔ膜３゜金属１
ｌＩ４を積層してなる太陽電池素子が隣接配置され、一
つの素子の上部電極である金属膜４の延長部４１が隣接
素子の下部電極である透明導電膜２の延長部２１の上に
重ねられることにより直列接続されている。このような
太陽電池の製造の際には、透明導電膜２．ａ−３ｉ膜３
．金属膜４のパターニングをしなければならない、パタ
ーニング法としては、マスクを用いて選択成膜する方法
と、全面成膜の後のエツチングによる方法とがある。
ラス基板ｌの上に透明導電膜２．ａ−３ｔ膜３゜金属１
ｌＩ４を積層してなる太陽電池素子が隣接配置され、一
つの素子の上部電極である金属膜４の延長部４１が隣接
素子の下部電極である透明導電膜２の延長部２１の上に
重ねられることにより直列接続されている。このような
太陽電池の製造の際には、透明導電膜２．ａ−３ｉ膜３
．金属膜４のパターニングをしなければならない、パタ
ーニング法としては、マスクを用いて選択成膜する方法
と、全面成膜の後のエツチングによる方法とがある。
上述のパターニング法において、マスクを用いる方法は
マスクの接触により下地膜に損傷を与えることがあり、
またマスクの密着が不完全なことによる膜のはみ出しな
どの問題がある。これらを解決するためには作業性を犠
牲にしなければならないという欠点があった。一方エッ
チングによるパターニングは、レジスト塗布、硬化、エ
ツチング、レジスト除去等の工程が多く、膜あるいは半
導体膜との界面への微妙な影響を引き起こし、コスト高
であるという欠点があった。
マスクの接触により下地膜に損傷を与えることがあり、
またマスクの密着が不完全なことによる膜のはみ出しな
どの問題がある。これらを解決するためには作業性を犠
牲にしなければならないという欠点があった。一方エッ
チングによるパターニングは、レジスト塗布、硬化、エ
ツチング、レジスト除去等の工程が多く、膜あるいは半
導体膜との界面への微妙な影響を引き起こし、コスト高
であるという欠点があった。
本発明の目的は、上述の欠点を除去し、ａ −３ｔ膜お
よび金属膜のパターニングにマスク法あるいはエツチン
グ法を適用することなく、下地膜あるいは当面の膜への
影響を回避でき、さらに作業の簡略化、工程の簡素化を
可能にするａ −３ｉ太陽電池の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
よび金属膜のパターニングにマスク法あるいはエツチン
グ法を適用することなく、下地膜あるいは当面の膜への
影響を回避でき、さらに作業の簡略化、工程の簡素化を
可能にするａ −３ｉ太陽電池の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明の方法は、透明絶
縁基板上に各素子領域およびその延長部からなる透明導
電膜のパターンを形成後、その上にａ−３ｉ膜を全面に
成膜し、そのａ −３ｉ膜の前記透明導電膜延長部上の
部分に透明導電膜に達する開口部をレーザ加工により形
成、し、また透明導電膜の各素子領域と前記開口部の下
に位置する部分との中間上のａ −５ｉ膜上を絶縁膜で
覆ったのち金属膜を全面に成膜し、次いで透明導電膜の
各素子領域上の中間を通り、前記延長部上を前記絶縁膜
を介して横切る線上の金属膜をレーザ加工により除去す
るものである。
縁基板上に各素子領域およびその延長部からなる透明導
電膜のパターンを形成後、その上にａ−３ｉ膜を全面に
成膜し、そのａ −３ｉ膜の前記透明導電膜延長部上の
部分に透明導電膜に達する開口部をレーザ加工により形
成、し、また透明導電膜の各素子領域と前記開口部の下
に位置する部分との中間上のａ −５ｉ膜上を絶縁膜で
覆ったのち金属膜を全面に成膜し、次いで透明導電膜の
各素子領域上の中間を通り、前記延長部上を前記絶縁膜
を介して横切る線上の金属膜をレーザ加工により除去す
るものである。
各太陽電池素子は予めパターニングされた透明導電膜と
レーザ加工によって分割された金属膜と両者にはさまれ
たａ−５ｔ膜とからなり、透明導電膜の延長部でａ −
５ｉ膜の開口部に隣接素子の金属膜の延長部が接触する
ことにより直列接続される。
レーザ加工によって分割された金属膜と両者にはさまれ
たａ−５ｔ膜とからなり、透明導電膜の延長部でａ −
５ｉ膜の開口部に隣接素子の金属膜の延長部が接触する
ことにより直列接続される。
各素子間において、ａ −３ｉ膜は分割されないが、ａ
−３ｉｌｌのシート抵抗が高いため素子間の短絡はない
、ａ−５ｉ膜上の絶縁膜は、金属膜のレーザ加工時にそ
の下のａ−３ｉ膜が結晶化することにより低抵抗となる
ことによって隣接素子の金属膜と接触している透明導電
膜の延長部と金属膜との間にリーク電流が流れるのを防
止する役目をする。
−３ｉｌｌのシート抵抗が高いため素子間の短絡はない
、ａ−５ｉ膜上の絶縁膜は、金属膜のレーザ加工時にそ
の下のａ−３ｉ膜が結晶化することにより低抵抗となる
ことによって隣接素子の金属膜と接触している透明導電
膜の延長部と金属膜との間にリーク電流が流れるのを防
止する役目をする。
第１図（ａｌ〜（ｄｌは本発明の一実施例による太陽電
池を示し、（ｂｌ、 Ｔｅｌ、 （ｄｌはそれぞれ（５
）のＣ−Ｃ線。
池を示し、（ｂｌ、 Ｔｅｌ、 （ｄｌはそれぞれ（５
）のＣ−Ｃ線。
Ｄ−Ｄ線、Ｅ−Ｅ線断面図であり、第２図と共通の部分
には同一の符号、同一の輪郭線、同一の断面ハツチング
が付されている。ガラス基板ｌ上には、透明導電膜２の
パターンが従来と同様のマスク法あるいはエツチング法
で形成されている。ａ−３ｉ膜３は全面に成膜されてい
るが、透明導電膜の延長部２１の上に開口部５を有する
。金属膜４はその上に全面成膜され、この開口部５にお
いて透明導電膜２に接触している。さらに金属膜４は分
割＆Ｉ６の部分が除去されており、この結果分割された
金属膜４とパターニングされた透明導電膜２の領域間に
ａ−３ｔ膜３をはさんだ太陽電池素子が形成され、開口
部５における金属膜４と透明導電Ｉ！！２との接触によ
り直列接続されている。また、一つの素子の透明導電膜
延長部２１と隣接素子の透明導電膜２の領域の間に存在
するａ −５ｉ膜上には、例えばＭ！０．からなる絶縁
膜７が帯状に形成されている。
には同一の符号、同一の輪郭線、同一の断面ハツチング
が付されている。ガラス基板ｌ上には、透明導電膜２の
パターンが従来と同様のマスク法あるいはエツチング法
で形成されている。ａ−３ｉ膜３は全面に成膜されてい
るが、透明導電膜の延長部２１の上に開口部５を有する
。金属膜４はその上に全面成膜され、この開口部５にお
いて透明導電膜２に接触している。さらに金属膜４は分
割＆Ｉ６の部分が除去されており、この結果分割された
金属膜４とパターニングされた透明導電膜２の領域間に
ａ−３ｔ膜３をはさんだ太陽電池素子が形成され、開口
部５における金属膜４と透明導電Ｉ！！２との接触によ
り直列接続されている。また、一つの素子の透明導電膜
延長部２１と隣接素子の透明導電膜２の領域の間に存在
するａ −５ｉ膜上には、例えばＭ！０．からなる絶縁
膜７が帯状に形成されている。
第３図（ａｌ〜（ｅｌは、このような太陽電池の製造工
程を第１図＋ａｌのＦ−Ｆ線断面図で示す、先ず、ガラ
ス板１上にパターニングされた透明４電１ｉ２゜２１の
上にａ−５ｉ膜３を全面に成膜する（８図）０次にレー
ザ光８の照射により開口部５を形成する（ｂ図）、さら
に、透明導電膜の延長部２１の上方を横切って帯状の絶
縁膜７を、例えば低圧酸素雰囲気中でＭを蒸着すること
により厚さ１０〜２０人のＵ、Ｏ。
程を第１図＋ａｌのＦ−Ｆ線断面図で示す、先ず、ガラ
ス板１上にパターニングされた透明４電１ｉ２゜２１の
上にａ−５ｉ膜３を全面に成膜する（８図）０次にレー
ザ光８の照射により開口部５を形成する（ｂ図）、さら
に、透明導電膜の延長部２１の上方を横切って帯状の絶
縁膜７を、例えば低圧酸素雰囲気中でＭを蒸着すること
により厚さ１０〜２０人のＵ、Ｏ。
を付けることよって形成する（０図）。この際には、パ
ターニングに簡易マスクを用いるが、素子領域以外の部
分であるから太陽電池の特性に大きな影響はない０次い
で高真空で、例えばＭを全面に蒸着して金属膜４を成膜
しくｄ図）、レーザ光８の照射により分割線６の部分の
金属ｗＡ４を除去する（ｅ図）。
ターニングに簡易マスクを用いるが、素子領域以外の部
分であるから太陽電池の特性に大きな影響はない０次い
で高真空で、例えばＭを全面に蒸着して金属膜４を成膜
しくｄ図）、レーザ光８の照射により分割線６の部分の
金属ｗＡ４を除去する（ｅ図）。
第３図（ｂｌ、ｔｅｌに示したレーザ光８の照射時に、
ａ−５ｉ膜３の一部にも照射され、塗りつぶして示した
低抵抗の結晶化部９１．９２が生ずる。しかし低抵抗部
９１は互いに接触する金属膜４と透明導電膜の延長部２
の間に存在するから問題はない、また低抵抗部９２の上
には絶縁膜７が存在し、同一素子の金属膜の延長部４１
と透明導電膜の延長部２１との間にリーク電流が流れる
のを防止している。従って絶縁膜７は分割線６の下の透
明導電膜延長部２１の上を覆えばよく、必ずしも帯状に
形成する必要はない、なお、分割線も必ずしも直線であ
る必要はなく、折れ線であってもよい。
ａ−５ｉ膜３の一部にも照射され、塗りつぶして示した
低抵抗の結晶化部９１．９２が生ずる。しかし低抵抗部
９１は互いに接触する金属膜４と透明導電膜の延長部２
の間に存在するから問題はない、また低抵抗部９２の上
には絶縁膜７が存在し、同一素子の金属膜の延長部４１
と透明導電膜の延長部２１との間にリーク電流が流れる
のを防止している。従って絶縁膜７は分割線６の下の透
明導電膜延長部２１の上を覆えばよく、必ずしも帯状に
形成する必要はない、なお、分割線も必ずしも直線であ
る必要はなく、折れ線であってもよい。
本発明によれば、太陽電池容素子の金属電極を全面被着
した金属膜をレーザ加工によって分割して形成し、隣接
素子の直列接続を予めパターニングされた透明電極の延
長部の上にレーザ加工によって設けたａ −５ｔ膜の開
口部で金属膜を接触させることにより実現し、またレー
ザ加工によるａ −３ｉ膜結晶化の影響を絶縁膜の介在
によって防ぐことにより、ａ −５ｔ膜１金属膜のマス
ク法、エツチング法によるバターニングが不必要となり
、ａ−３ｉ膜への影響がな（、また作業の簡略化が可能
となって低コストで直列接続のａ −Ｓｉ太陽電池の製
造が可能になる。
した金属膜をレーザ加工によって分割して形成し、隣接
素子の直列接続を予めパターニングされた透明電極の延
長部の上にレーザ加工によって設けたａ −５ｔ膜の開
口部で金属膜を接触させることにより実現し、またレー
ザ加工によるａ −３ｉ膜結晶化の影響を絶縁膜の介在
によって防ぐことにより、ａ −５ｔ膜１金属膜のマス
ク法、エツチング法によるバターニングが不必要となり
、ａ−３ｉ膜への影響がな（、また作業の簡略化が可能
となって低コストで直列接続のａ −Ｓｉ太陽電池の製
造が可能になる。
第１図（ａ）〜（ｄｌは本発明の一実施例により製造さ
れたａ−５ｉ大陽電池の一部分を示し、ｔｅｌは平面図
。 （ｔｅｌ、 （Ｃ１，Ｔｄｌはそれぞれ（ａｌのＣ−Ｃ
ｖＡ、 Ｄ、−Ｄ線。 Ｅ−Ｂ線断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のａ −
Ｓｉ太陽電池を示し、（ａｌは平面図、 ｆｂ）、 （
Ｃ１はｔｅｌのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線断面図、第３図＋ａ
ｌ〜ｔｅｌは本発明の一実施例の工程を順次示す第１図
（ａｌのＦ−ＦＷ断面図である。 １ニガラス基板、２：透明導電膜、３ ： ａ −Ｓ＋
膜、４：金属膜、５ ： ａ−Ｓｉ膜開開口部６：分割
第１図 第２図
れたａ−５ｉ大陽電池の一部分を示し、ｔｅｌは平面図
。 （ｔｅｌ、 （Ｃ１，Ｔｄｌはそれぞれ（ａｌのＣ−Ｃ
ｖＡ、 Ｄ、−Ｄ線。 Ｅ−Ｂ線断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のａ −
Ｓｉ太陽電池を示し、（ａｌは平面図、 ｆｂ）、 （
Ｃ１はｔｅｌのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線断面図、第３図＋ａ
ｌ〜ｔｅｌは本発明の一実施例の工程を順次示す第１図
（ａｌのＦ−ＦＷ断面図である。 １ニガラス基板、２：透明導電膜、３ ： ａ −Ｓ＋
膜、４：金属膜、５ ： ａ−Ｓｉ膜開開口部６：分割
第１図 第２図
Claims (1)
- １）透明絶縁基板上に積層された透明導電膜、非晶質シ
リコン膜および金属膜からなる太陽電池素子を直列接続
してなるものを製造するに際し、透明絶縁基板上に各素
子領域およびその延長部からなる透明導電膜のパターン
を形成後、その上に非晶質シリコン膜を全面に成膜し、
該非晶質シリコン膜の前記透明導電膜延長部上の部分に
透明導電膜に達する開口部をレーザ加工により形成し、
また前記透明導電膜の各素子領域と前記開口部の下に位
置する部分との中間上の非晶質シリコン膜上を絶縁膜で
覆ったのち金属膜を全面に成膜し、次いで前記透明導電
膜の各素子領域上の中間を通り、前記延長部上を前記絶
縁膜を介して横切る線上の前記金属膜をレーザ加工によ
り除去することを特徴とする非晶質シリコン太陽電池の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027905A JPS63194371A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62027905A JPS63194371A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194371A true JPS63194371A (ja) | 1988-08-11 |
Family
ID=12233901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62027905A Pending JPS63194371A (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 非晶質シリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63194371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168842A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | アルモール | 印刷された太陽電池モジュールの製造方法 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62027905A patent/JPS63194371A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017168842A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | アルモール | 印刷された太陽電池モジュールの製造方法 |
| US10985287B2 (en) | 2016-03-16 | 2021-04-20 | Armor | Method of manufacturing printed photovoltaic modules |
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