JPH0199265A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
光起電力素子の製造方法Info
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- JPH0199265A JPH0199265A JP62256946A JP25694687A JPH0199265A JP H0199265 A JPH0199265 A JP H0199265A JP 62256946 A JP62256946 A JP 62256946A JP 25694687 A JP25694687 A JP 25694687A JP H0199265 A JPH0199265 A JP H0199265A
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- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に第一電極、光起電力発生層。
第二電極を積層してなる光起電力発生単位セルの複数個
が直列接続されている光起電力素子の第一電極膜、非晶
質シリコン（以下ａ−３ｌと記す）膜のような半導体膜
、第二電極膜のパターンのうちの少なくとも二つを選択
マスクを用いて順次成膜して形成する光起電力素子の製
造方法に関する。
が直列接続されている光起電力素子の第一電極膜、非晶
質シリコン（以下ａ−３ｌと記す）膜のような半導体膜
、第二電極膜のパターンのうちの少なくとも二つを選択
マスクを用いて順次成膜して形成する光起電力素子の製
造方法に関する。
上記のような光起電力素子の一例の構造を第２図に示し
、ガラス基板１の上に１！で示したパターンの透明電極
膜２、実線で示したパターンのａ−Ｓｔ膜３、破線で示
したパターンの裏面電極膜４を積層し、分離された単位
セル（図では３個）を透明電極膜の延長部５２と裏面電
極膜の延長部５４の接触によって接続する。このような
素子の製法としては、ガラス基板１上に透明電極膜、ａ
−３ｉ膜。
、ガラス基板１の上に１！で示したパターンの透明電極
膜２、実線で示したパターンのａ−Ｓｔ膜３、破線で示
したパターンの裏面電極膜４を積層し、分離された単位
セル（図では３個）を透明電極膜の延長部５２と裏面電
極膜の延長部５４の接触によって接続する。このような
素子の製法としては、ガラス基板１上に透明電極膜、ａ
−３ｉ膜。
裏面電極膜をそれぞれ全面成膜後に、その都度単位セル
部および接続部の不要な部分の素子構成膜をエツチング
法、レーザスクライブ法等により除去する方式がある。
部および接続部の不要な部分の素子構成膜をエツチング
法、レーザスクライブ法等により除去する方式がある。
ところがこのような製法では多くの工程と設備が必要で
あるので、素子構成膜のうち特にａ −３１膜と裏面電
極それぞれ形状を異にする選択マスクを用いて成膜して
、分離された単位セル部と重なる接続部とからなる膜パ
ターンを形成することにより低コストにする方式も知ら
れている。
あるので、素子構成膜のうち特にａ −３１膜と裏面電
極それぞれ形状を異にする選択マスクを用いて成膜して
、分離された単位セル部と重なる接続部とからなる膜パ
ターンを形成することにより低コストにする方式も知ら
れている。
第３図（ｌｋｌ〜（ｅ）および第４図（ａｌ〜（Ｑ）は
選択マスクを用いる方式を示したもので、第３図（ａｌ
はガラス基板１上に透明電極１１１２のパターンが形成
された状態で、第４図ｆａｌはその平面図である。この
ような透明電極膜のパターンは全面成膜後のエツチング
で形成するか、選択マスクを用いて成膜される。
選択マスクを用いる方式を示したもので、第３図（ａｌ
はガラス基板１上に透明電極１１１２のパターンが形成
された状態で、第４図ｆａｌはその平面図である。この
ような透明電極膜のパターンは全面成膜後のエツチング
で形成するか、選択マスクを用いて成膜される。
次いで、第４図（ｂ）に示すようなマスク６１を第３図
（ｂｌのように基板上にセットしてａ −５ｔ成膜を行
う。
（ｂｌのように基板上にセットしてａ −５ｔ成膜を行
う。
その結果、第３図（ｃ）に示すようにａ−３ｌ膜３のパ
ターンが透明電極膜２の上に形成される。さらに、第４
図（Ｃ）に示す別のマスク６２を第３図ｆｄｌのように
基板上にセットして裏面電極膜の成膜を行う、これによ
り、第３図＋ａ）に示すように裏面電極膜４のパターン
が形成される。しかし、この方式でも構成要素膜のそれ
ぞれの成膜のためマスクを用意し、成膜工程ごとにマス
クの取換えを行う必要があり、コストの大幅な低減はで
きなかった。
ターンが透明電極膜２の上に形成される。さらに、第４
図（Ｃ）に示す別のマスク６２を第３図ｆｄｌのように
基板上にセットして裏面電極膜の成膜を行う、これによ
り、第３図＋ａ）に示すように裏面電極膜４のパターン
が形成される。しかし、この方式でも構成要素膜のそれ
ぞれの成膜のためマスクを用意し、成膜工程ごとにマス
クの取換えを行う必要があり、コストの大幅な低減はで
きなかった。
本発明の目的は、マスクの種類の数および取換えの回数
を少なくして低コスト化を可能にする光起電力素子の製
造方法を提供することにある。
を少なくして低コスト化を可能にする光起電力素子の製
造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するために、本発明は、基板上に第一
電極、光起電力発生層、第二電極を積層してなる単位セ
ルの複数個が第一電極と第二電極のそれぞれの延長部で
接続された光起電力素子の第一電極膜、半導体膜、第二
電極膜のうちの少なくとも隣接する二つを選択マスクを
用いて順次成膜するに際し、一つの膜を選択マスクを用
いて成膜後、その選択マスクの位置を基板面に平行方向
に移動して隣接膜を成膜するものとする。
電極、光起電力発生層、第二電極を積層してなる単位セ
ルの複数個が第一電極と第二電極のそれぞれの延長部で
接続された光起電力素子の第一電極膜、半導体膜、第二
電極膜のうちの少なくとも隣接する二つを選択マスクを
用いて順次成膜するに際し、一つの膜を選択マスクを用
いて成膜後、その選択マスクの位置を基板面に平行方向
に移動して隣接膜を成膜するものとする。
同一マスクを用い、そのままの位置で二つの膜を成膜す
れば電極膜の延長部が半導体膜に重なるため単位セルの
分離が不可能であるが、マスクを基板面に平行に移動し
て成膜すれば延長部の一部が半導体膜上より外れるため
単位セルの形成が可能であり、一つの選択マスクで隣接
する単位セルの二つの膜を成膜することを可能にする。
れば電極膜の延長部が半導体膜に重なるため単位セルの
分離が不可能であるが、マスクを基板面に平行に移動し
て成膜すれば延長部の一部が半導体膜上より外れるため
単位セルの形成が可能であり、一つの選択マスクで隣接
する単位セルの二つの膜を成膜することを可能にする。
第１図ｆａ）〜（幻は本発明の一実施例を示し、第２図
、第３図と共通の部分には同一の符号が付されている。
、第３図と共通の部分には同一の符号が付されている。
第１図（ａｌは第３図（Ｍｌと同様に透明電極膜２のパ
ターンをガラス基板１上に形成した状態である。パター
ンの形状は第１１ＥＩ（ｆ）に鎖線で示し、第２図にお
けるパターンと同様である０次いで、第１図〜）に示す
ように基板上に第１図（ｇ）に示すような選択マスク６
をセントして、第１図＋０１に示すようにプラズマＣＶ
Ｄ法でａ−３ｔ膜３を成膜する。
ターンをガラス基板１上に形成した状態である。パター
ンの形状は第１１ＥＩ（ｆ）に鎖線で示し、第２図にお
けるパターンと同様である０次いで、第１図〜）に示す
ように基板上に第１図（ｇ）に示すような選択マスク６
をセントして、第１図＋０１に示すようにプラズマＣＶ
Ｄ法でａ−３ｔ膜３を成膜する。
そのパターンの形状は第１図（ｆｌに実線で示すとおり
で、当然ながら第１図（明のパターンに一致する。
で、当然ながら第１図（明のパターンに一致する。
さらに、マスク６を取外すことなく、基板１の二つの辺
１１．１２を基準とし第１図（ｄ）および（ｆ）に示す
ようにそれらに平行でない矢印７１で示す方向に移動し
たのち、金属薫着法で裏面電極膜４を成膜する。裏面電
極膜のパターンの形状は第１図（ｆｌに破線で示すよう
にマスク６のパターンに一致する。
１１．１２を基準とし第１図（ｄ）および（ｆ）に示す
ようにそれらに平行でない矢印７１で示す方向に移動し
たのち、金属薫着法で裏面電極膜４を成膜する。裏面電
極膜のパターンの形状は第１図（ｆｌに破線で示すよう
にマスク６のパターンに一致する。
この結果、透明電極膜２の延長部５２に裏面電極膜４が
マスク６の移動によりａ−５ｔ膜３の上からずれた部分
５４に重なり、第１図（ｆ）に示すような直列接続構造
を有する光起電力素子ができ上がる。透明電極膜の一部
分２１および２２がこの素子の端子である。第５図に示
した実施例では端子２１が異なったパターンを有し、マ
スク６は矢印７２に示すように基準辺１２にほぼ平行に
移動される。
マスク６の移動によりａ−５ｔ膜３の上からずれた部分
５４に重なり、第１図（ｆ）に示すような直列接続構造
を有する光起電力素子ができ上がる。透明電極膜の一部
分２１および２２がこの素子の端子である。第５図に示
した実施例では端子２１が異なったパターンを有し、マ
スク６は矢印７２に示すように基準辺１２にほぼ平行に
移動される。
第６図は、マスク６を基準辺１１に平行に矢印７３の方
向に移動した実施例で、透明電極膜２のパターン、ａ−
３ｉ膜３および裏面電極膜４の同一パターンが何れも方
形の単純な形状であって、第１図（ａｌ〜（８１と同様
の工程で製造できる。
向に移動した実施例で、透明電極膜２のパターン、ａ−
３ｉ膜３および裏面電極膜４の同一パターンが何れも方
形の単純な形状であって、第１図（ａｌ〜（８１と同様
の工程で製造できる。
第７図の実施例では、透明電極膜２．ａ −５１膜３、
裏面電極膜４をすべて同一パターンとし、一つの選択マ
スクを透明電極膜２成膜後まず矢印７４だけ移動してａ
−３ｉ膜３を成膜し、さらに同じ方向に矢印７４より短
い距離の矢印７５だけ移動して裏面電極膜４を成膜する
。各単位セルは透明電極膜２および裏面電極膜４のａ−
５１膜３と重ならない部分で接触する。このようにして
積層成膜したのち、鎖線で示す切断ｍ８１および８２で
基板１ごと切断すれば、端部に透明電極膜からなる端子
２１．２２を有する光起電力素子を複数個製造すること
ができる。
裏面電極膜４をすべて同一パターンとし、一つの選択マ
スクを透明電極膜２成膜後まず矢印７４だけ移動してａ
−３ｉ膜３を成膜し、さらに同じ方向に矢印７４より短
い距離の矢印７５だけ移動して裏面電極膜４を成膜する
。各単位セルは透明電極膜２および裏面電極膜４のａ−
５１膜３と重ならない部分で接触する。このようにして
積層成膜したのち、鎖線で示す切断ｍ８１および８２で
基板１ごと切断すれば、端部に透明電極膜からなる端子
２１．２２を有する光起電力素子を複数個製造すること
ができる。
第８図（Ａ）、（ｂ）に示した実施例では、共通選択マ
スクが平行な条状の開口部を有し、条方向と直角に矢印
７６．７７だけ順にずらして成膜後、切断線８３で基板
１ごと切断すると第８ｗ１（ｂｌに示した断面をもつ直
列接続構造が一つのマスクで製造できる。
スクが平行な条状の開口部を有し、条方向と直角に矢印
７６．７７だけ順にずらして成膜後、切断線８３で基板
１ごと切断すると第８ｗ１（ｂｌに示した断面をもつ直
列接続構造が一つのマスクで製造できる。
さらに直角方向の切断線８４．８５で切断すれば透明電
極膜からなる両端子、切断線８６．８７で切断すれば裏
面電極膜からなる両端子をもつ光起電力素子を得ること
ができる。
極膜からなる両端子、切断線８６．８７で切断すれば裏
面電極膜からなる両端子をもつ光起電力素子を得ること
ができる。
第９図に示す選択マスクは、主パターンマスク６３と変
形用マスク６４の２枚からなり、２枚を重ねて用いるも
ので、下のマスク６４を図、（ａ）の位置から図の伽）
の位置にずらしても生ずる１１９のパターンは変わらな
いが、図＋ｃ＋の位置に移動されると幅の小さい膜９１
が生ずる。このようなマスクを用いて光起電力素子を構
成する各層のパターンの一部の形状を変えることができ
、素子設計をフレキシブルにする。
形用マスク６４の２枚からなり、２枚を重ねて用いるも
ので、下のマスク６４を図、（ａ）の位置から図の伽）
の位置にずらしても生ずる１１９のパターンは変わらな
いが、図＋ｃ＋の位置に移動されると幅の小さい膜９１
が生ずる。このようなマスクを用いて光起電力素子を構
成する各層のパターンの一部の形状を変えることができ
、素子設計をフレキシブルにする。
本発明によれば、光起電力素子を構成する異なる各層の
パターニングに共通な選択マスクを用い、マスクのわず
かな位置移動によって少なくとも二つの膜を積層成膜す
ることにより、任意の直列接続構造を得るための膜パタ
ーンの形成が可能となり、従来各層ごとに行う必要のあ
ったマスクの作成、保有、マスクのセット、取外し等の
ための材料コスト、工数コストの低減が可能となった。
パターニングに共通な選択マスクを用い、マスクのわず
かな位置移動によって少なくとも二つの膜を積層成膜す
ることにより、任意の直列接続構造を得るための膜パタ
ーンの形成が可能となり、従来各層ごとに行う必要のあ
ったマスクの作成、保有、マスクのセット、取外し等の
ための材料コスト、工数コストの低減が可能となった。
また、マスク取換えのために成膜装置から取出す必要が
な（、マスク相対位置移動機能をもった中間室等を成膜
室間に設けることにより、眉間界面を外気にさらすこと
なく、連続して真空中での積層成膜が可能となるので、
高品質の接合特性が得られる。なお、本発明は上述のよ
うに透明基板側から光を入射させる光起電力素子に限ら
ず、反対側の第二電極側から光を入射させる光起電力素
子の製造にも有効である。
な（、マスク相対位置移動機能をもった中間室等を成膜
室間に設けることにより、眉間界面を外気にさらすこと
なく、連続して真空中での積層成膜が可能となるので、
高品質の接合特性が得られる。なお、本発明は上述のよ
うに透明基板側から光を入射させる光起電力素子に限ら
ず、反対側の第二電極側から光を入射させる光起電力素
子の製造にも有効である。
【図面の簡単な説明】
第１ｙ！Ｊ１Ｍ）〜（幻は本発明の一実施例を示し、Ｔ
ａｌ〜＋８）は製造工程を順次示す断面図、（ｒ）は製
造された素子の平面図、（幻は用いられるマスクの平面
図、第２１！ｌは従来の直列接続型構造の素子の平面図
、第３図＋ａｌｌ〜（ｅ）はその製造工程を順次示す断
面図、第４図（ａ）は第３図の透明電極膜のパターン、
第４図（ｂ）、（ｅ）は用いたマスクのそれぞれの平面
図、第５図は本発明の別の実施例による素子の一部の平
面図、第６図、第７図はそれぞれ他の実施例による素子
製造工程中の平面図、第８図（Ｍｌ、（ｂｌはさらに異
なる実施例を示し、ｔａ＞は素子製造工程中の平面図、
−）は同じ（断面図、第９図（ａｌ〜（０）は本発明に
用いられるマスクの異なる例の成膜時の使用状態を説明
する断面図である。 １ニガラス基板、２：透明電極膜、３ ： ａ −３ｌ
膜、４：裏面電極膜、６：選択マスク、？１．７２．７
３゜７４．７５．７６．７７ ？マスク変位。 ′ き、 代Ｃ人値士 山 口 巖 ノ第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
ａｌ〜＋８）は製造工程を順次示す断面図、（ｒ）は製
造された素子の平面図、（幻は用いられるマスクの平面
図、第２１！ｌは従来の直列接続型構造の素子の平面図
、第３図＋ａｌｌ〜（ｅ）はその製造工程を順次示す断
面図、第４図（ａ）は第３図の透明電極膜のパターン、
第４図（ｂ）、（ｅ）は用いたマスクのそれぞれの平面
図、第５図は本発明の別の実施例による素子の一部の平
面図、第６図、第７図はそれぞれ他の実施例による素子
製造工程中の平面図、第８図（Ｍｌ、（ｂｌはさらに異
なる実施例を示し、ｔａ＞は素子製造工程中の平面図、
−）は同じ（断面図、第９図（ａｌ〜（０）は本発明に
用いられるマスクの異なる例の成膜時の使用状態を説明
する断面図である。 １ニガラス基板、２：透明電極膜、３ ： ａ −３ｌ
膜、４：裏面電極膜、６：選択マスク、？１．７２．７
３゜７４．７５．７６．７７ ？マスク変位。 ′ き、 代Ｃ人値士 山 口 巖 ノ第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- １）基板上に第一電極、光起電力発生層、第二電極を積
層してなる単位セルの複数個が第一電極と第二電極のそ
れぞれの延長部で接続された光起電力素子の第一電極膜
、半導体膜、第二電極膜のうちの少なくとも隣接する二
つを選択マスクを用いて順次成膜する際に、一つの膜を
選択マスクを用いて成膜後、該選択マスクの位置を基板
面に平行方向に移動して隣接膜を成膜することを特徴と
する光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256946A JPH0199265A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光起電力素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256946A JPH0199265A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光起電力素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199265A true JPH0199265A (ja) | 1989-04-18 |
Family
ID=17299556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256946A Pending JPH0199265A (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光起電力素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0199265A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02177374A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US6499807B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-12-31 | Ts Tech Co., Ltd. | Seat back frame assembly of vehicle seat |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256946A patent/JPH0199265A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02177374A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| US6499807B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-12-31 | Ts Tech Co., Ltd. | Seat back frame assembly of vehicle seat |
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